JPS59184581A - フアイバ反射雑音抑圧型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
フアイバ反射雑音抑圧型半導体レ−ザ装置Info
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- JPS59184581A JPS59184581A JP5814183A JP5814183A JPS59184581A JP S59184581 A JPS59184581 A JP S59184581A JP 5814183 A JP5814183 A JP 5814183A JP 5814183 A JP5814183 A JP 5814183A JP S59184581 A JPS59184581 A JP S59184581A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信等において半導体レーザをフチ２ベーご
ク イバと結合し、機器、システム用の光源として用いる半
導体レーザ装置に関する。
ク イバと結合し、機器、システム用の光源として用いる半
導体レーザ装置に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザを光ファイバと結合すると、ファイバの近
端面、あるいは遠端面から反射したレーザ光が、反射光
として半導体レーザへ入射し、雑音増加、光出力の不安
定性、縦モードスペクトルの変動等を誘起し、こ牡らは
安定な光通信システムを構成する際の障害となっている
。特に光の有する高周波数的１０ Ｈｚｉ積極的に利用
するコヒーレント通信におけるヘテロダイン検波等にお
いは、光のビート信号を利用するため、ファイバからの
反射光により不要な雑音が発生することは極力避けなけ
ればならない。そのため、例えば磁気光学結晶等を用い
たアイソレータが開発さ牡、反射光がレーザへ再注入す
ることを防止する有力な部品となってきている。アイソ
レータを用いてファイバと半導体レーザを結合した従来
例を第１図に示す。１は半導体レーザ素子、２はアイソ
レータ、３は光ファイバ、４は検知器である。半導体レ
ーザ光５は信号光として検知器４に伝搬さｎ１アイソレ
ータ２を用いることにより、ファイバ３の端面６及び７
からの反射光８，９が半導体レーザ素子１へ再注入され
ることを防止することができる。
端面、あるいは遠端面から反射したレーザ光が、反射光
として半導体レーザへ入射し、雑音増加、光出力の不安
定性、縦モードスペクトルの変動等を誘起し、こ牡らは
安定な光通信システムを構成する際の障害となっている
。特に光の有する高周波数的１０ Ｈｚｉ積極的に利用
するコヒーレント通信におけるヘテロダイン検波等にお
いは、光のビート信号を利用するため、ファイバからの
反射光により不要な雑音が発生することは極力避けなけ
ればならない。そのため、例えば磁気光学結晶等を用い
たアイソレータが開発さ牡、反射光がレーザへ再注入す
ることを防止する有力な部品となってきている。アイソ
レータを用いてファイバと半導体レーザを結合した従来
例を第１図に示す。１は半導体レーザ素子、２はアイソ
レータ、３は光ファイバ、４は検知器である。半導体レ
ーザ光５は信号光として検知器４に伝搬さｎ１アイソレ
ータ２を用いることにより、ファイバ３の端面６及び７
からの反射光８，９が半導体レーザ素子１へ再注入され
ることを防止することができる。
しかしながら、通常アイソレータ２のアイソレーション
比は３ｓｄＢ程度であり、再注入光をかなり軽減出来る
が、やはり再注入さ扛る光は存在する。またアイソレー
タ２の表面からの反射光も存在する。半導体レーザ素子
のＩＲＩＮ（相対雑音強度）測定によｎば反射光量が一
６０ｄＢ程度でもファイバからの反射光の影響が観測さ
れるという報告があり、場合に」：つではアイソレータ
２だけでは十分に反射光全抑圧出来ない場合がある。
比は３ｓｄＢ程度であり、再注入光をかなり軽減出来る
が、やはり再注入さ扛る光は存在する。またアイソレー
タ２の表面からの反射光も存在する。半導体レーザ素子
のＩＲＩＮ（相対雑音強度）測定によｎば反射光量が一
６０ｄＢ程度でもファイバからの反射光の影響が観測さ
れるという報告があり、場合に」：つではアイソレータ
２だけでは十分に反射光全抑圧出来ない場合がある。
発明の目的
本発明の目的は、半導体レーザと光ファイバを結合し、
光ファイバからの反射光が半導体レーザへ再注入しても
ファイバ反射雑音を発生することのないファイバ結合型
半導体レーザ装置を提供することにある。そして本発明
はアイソレータの不要な半導体レーザ素子を提供可能と
なるものである。
光ファイバからの反射光が半導体レーザへ再注入しても
ファイバ反射雑音を発生することのないファイバ結合型
半導体レーザ装置を提供することにある。そして本発明
はアイソレータの不要な半導体レーザ素子を提供可能と
なるものである。
発明の構成
本発明の構成の基本的な考え方は、半導体し〜ザヘ光帰
還を行ない、半導体レーザのスペクトル巾を狭くするこ
とにより半導体レーザのファイバ反射雑音が抑圧された
実験事実に基づいたものである。すなわち半導体レーザ
素子の一方の共振器端面から出射する半導体レーザ光の
少なくとも一部を前記半導体レーザの外部に配置さ汎た
長さＬのファイバと結合を行ない、他方の共振器端面か
ら出射する半導体レーザ光の少なくとも一部を反射体に
より前記半導体レーザへ反射光として帰還し、前記半導
体レーザ光のスペクトル巾” ２ｎＬ（Ｃ：光速、ｎ：
ファイバのコアの屈折率）より狭巾化することにより、
前記ファイバの端面より反射さ才を前記半導体レーザへ
入射することにより発生するファイバ反射雑音全抑圧す
ることを特徴とする構成である。
還を行ない、半導体レーザのスペクトル巾を狭くするこ
とにより半導体レーザのファイバ反射雑音が抑圧された
実験事実に基づいたものである。すなわち半導体レーザ
素子の一方の共振器端面から出射する半導体レーザ光の
少なくとも一部を前記半導体レーザの外部に配置さ汎た
長さＬのファイバと結合を行ない、他方の共振器端面か
ら出射する半導体レーザ光の少なくとも一部を反射体に
より前記半導体レーザへ反射光として帰還し、前記半導
体レーザ光のスペクトル巾” ２ｎＬ（Ｃ：光速、ｎ：
ファイバのコアの屈折率）より狭巾化することにより、
前記ファイバの端面より反射さ才を前記半導体レーザへ
入射することにより発生するファイバ反射雑音全抑圧す
ることを特徴とする構成である。
実施例の説明
本発明の一実施例全第１図と対比して第２図に示す。半
導体レーザ素子１の一方の共振器端面からの出射光５は
ファイバ３に直接結合さ扛ている。
導体レーザ素子１の一方の共振器端面からの出射光５は
ファイバ３に直接結合さ扛ている。
捷た他方の共振器端面からの出射光１０は反射体例えば
平面鏡１１により反射さ扛、反射光１２が半導体レーザ
素子１の他方の共振器端面に帰還さｎる。半導体レーザ
素子１からのレーザ光１０全有効に取り出すため、ここ
ではレンズ１３を用いた例を示す。
平面鏡１１により反射さ扛、反射光１２が半導体レーザ
素子１の他方の共振器端面に帰還さｎる。半導体レーザ
素子１からのレーザ光１０全有効に取り出すため、ここ
ではレンズ１３を用いた例を示す。
従来例を示した第１図と、本発明の一実施例を示す第２
図全比較すれば明らかな如く、従来ファイバ等からの反
射光全除去するために用いらｎでいた高価なアイソレー
タが本発明においては用いずに、そのかわりに、半導体
レーザに他方から強制的に光を帰還する手法を用いてい
る・こうすわば、半導体レーザ素子１とファイバ３を直
接結合することが出来、結合効率を高くすることができ
、高価々アイソレータも不用となる。
図全比較すれば明らかな如く、従来ファイバ等からの反
射光全除去するために用いらｎでいた高価なアイソレー
タが本発明においては用いずに、そのかわりに、半導体
レーザに他方から強制的に光を帰還する手法を用いてい
る・こうすわば、半導体レーザ素子１とファイバ３を直
接結合することが出来、結合効率を高くすることができ
、高価々アイソレータも不用となる。
本発明の一実施例を見い出した実験系をさらに第３図に
実施例として示し、内容を説明する。素６を−ご 子１の両共振器端面からレーザ光を取り出すことが可能
な半導体レーザ１の片端面１ａからの出射光をシングル
モードファイバ３へ結合を行ない、検知器４（ここでは
Ｓｉアバランンエホトダイオードを用いた）で受光し、
アンプ１３で適度に増巾した後、スペクトルアナライザ
１４で反射雑音の影響全観測した。ファイバ３の半導体
レーザ１に近い端面３ａは結合効率を増加するためにレ
ンズ状に加工し、検知器４に近い端面３ｂは、この端面
からの反射光が半導体レーザ１へ帰還される様子を観測
するために垂直端面とした。さらに半導体レーザ素子１
のもう一方の端面１ｂからの出射レーザ光１０をレンズ
１３でコリメート光１０ａとし、光軸上に設置さｎたミ
ラー１１により半導体レーザ光１０ ａ ｆ反射し、反
射光１２はレンズ１３を通って再び半導体レーザ素子１
に帰還される。ミラー１１は光軸に対して回転、あおシ
の角度調整が可能である。
実施例として示し、内容を説明する。素６を−ご 子１の両共振器端面からレーザ光を取り出すことが可能
な半導体レーザ１の片端面１ａからの出射光をシングル
モードファイバ３へ結合を行ない、検知器４（ここでは
Ｓｉアバランンエホトダイオードを用いた）で受光し、
アンプ１３で適度に増巾した後、スペクトルアナライザ
１４で反射雑音の影響全観測した。ファイバ３の半導体
レーザ１に近い端面３ａは結合効率を増加するためにレ
ンズ状に加工し、検知器４に近い端面３ｂは、この端面
からの反射光が半導体レーザ１へ帰還される様子を観測
するために垂直端面とした。さらに半導体レーザ素子１
のもう一方の端面１ｂからの出射レーザ光１０をレンズ
１３でコリメート光１０ａとし、光軸上に設置さｎたミ
ラー１１により半導体レーザ光１０ ａ ｆ反射し、反
射光１２はレンズ１３を通って再び半導体レーザ素子１
に帰還される。ミラー１１は光軸に対して回転、あおシ
の角度調整が可能である。
またコリメートさ′ｉ″したレーザ光１０ａの一部はビ
ームスプリッタ２１により分割さｎ、コリメート光２２
Ｉｊ：ビームスプリノタ２３で再び分割さ扛、コリ７−
１・光２４．２６となる。コリメート光２４はレンズ２
６でビジコン２７上に拡大して結像さｎ、その像をモニ
ターテレビ２８で観測する。すなわちビジコン２７は半
導体レーザ１の共振器端面１ｂ上の様子全観」υする為
のものである。寸だコリメート光２５はレンズ２９でコ
アイノく３０に結合さ扛、ファイバ３０を導波した光は
分光器３１に入射し、その縦モードスペクトルがビジコ
ンカメラ３２上に結像し、モニターテレビ３３で観測す
る。また半導体レーザ１とミラー１１の光路間にシャッ
ター３４を挿入し、出し入拉することにより実験を行な
った。
ームスプリッタ２１により分割さｎ、コリメート光２２
Ｉｊ：ビームスプリノタ２３で再び分割さ扛、コリ７−
１・光２４．２６となる。コリメート光２４はレンズ２
６でビジコン２７上に拡大して結像さｎ、その像をモニ
ターテレビ２８で観測する。すなわちビジコン２７は半
導体レーザ１の共振器端面１ｂ上の様子全観」υする為
のものである。寸だコリメート光２５はレンズ２９でコ
アイノく３０に結合さ扛、ファイバ３０を導波した光は
分光器３１に入射し、その縦モードスペクトルがビジコ
ンカメラ３２上に結像し、モニターテレビ３３で観測す
る。また半導体レーザ１とミラー１１の光路間にシャッ
ター３４を挿入し、出し入拉することにより実験を行な
った。
本発明者らの行なった実験の結果、第３図の実施例光学
系のミラー１１を調整することにより、半導体レーザの
スペクトルは極めて副縦モードの抑圧さｎ７た単−縦モ
ード発振となり、寸だ雑音も発生しない。上記の状態を
設定しておいて、この時光路中に挿入したシャッター３
４を出し入扛し、第４図に示すような実験結果を得た。
系のミラー１１を調整することにより、半導体レーザの
スペクトルは極めて副縦モードの抑圧さｎ７た単−縦モ
ード発振となり、寸だ雑音も発生しない。上記の状態を
設定しておいて、この時光路中に挿入したシャッター３
４を出し入扛し、第４図に示すような実験結果を得た。
第４図Ｆ、）はシャッター３４で光路をさえぎって光帰
還を行わない時、（ｂ）は光帰還を行なった時である。
還を行わない時、（ｂ）は光帰還を行なった時である。
縦モードスペクトルは分解能００２人を有する分光器３
１で測定し、反射雑音スペクトルはスペクトルアナライ
ザ１４で観測したものである。
１で測定し、反射雑音スペクトルはスペクトルアナライ
ザ１４で観測したものである。
通常アイソレータを用いずシャッター２４で光をさえぎ
った時第４図（ａ）で示すように反射雑音スペクトルは
、ファイバ長ｉＬ、ファイバコアの屈折率ｉｎ、光速を
Ｃとした時ｆ−０／’２ｎＬの周波数及び高調波周波数
に共振状の雑音ピークを生ずる。本実験においてはＬ’
；２．５ｍとしたため約４０ＭＨｚ周期でピーク高さが
約２０ｄＢの共振状ノイズが観測さ扛ている。しかし々
から、（ｂ）のように半導体レーザのスペクトルを単一
化し、かつそのスペクトル巾を狭くするとファイバ反射
雑音が完全に抑圧さｎた。
った時第４図（ａ）で示すように反射雑音スペクトルは
、ファイバ長ｉＬ、ファイバコアの屈折率ｉｎ、光速を
Ｃとした時ｆ−０／’２ｎＬの周波数及び高調波周波数
に共振状の雑音ピークを生ずる。本実験においてはＬ’
；２．５ｍとしたため約４０ＭＨｚ周期でピーク高さが
約２０ｄＢの共振状ノイズが観測さ扛ている。しかし々
から、（ｂ）のように半導体レーザのスペクトルを単一
化し、かつそのスペクトル巾を狭くするとファイバ反射
雑音が完全に抑圧さｎた。
つ寸り従来半導体レーザとファイバを結合した時、第４
図（ａ）で示すようにファイバ端面からの反射光が半導
体レーザに共振状の雑音を生じていたのが、（ｂｌのよ
うに光帰還全行ない、半導体レーザ９・ こ のスペクトル巾を狭くすることで、ファイバ反射雑音を
完全に抑圧することができるわけである。
図（ａ）で示すようにファイバ端面からの反射光が半導
体レーザに共振状の雑音を生じていたのが、（ｂｌのよ
うに光帰還全行ない、半導体レーザ９・ こ のスペクトル巾を狭くすることで、ファイバ反射雑音を
完全に抑圧することができるわけである。
本発明者らの見解としては、半導体レーザのスペクトル
ｄ］が０／２ｎＬよりも狭は牡ば反射雑音として観測さ
汎る共振状の光ビートは発生しえ々いため、よりファイ
バ長が長い場合でも半導体レーザスペクトル巾が狭けｎ
ば、全く雑音は発生しないものと考えら扛る。
ｄ］が０／２ｎＬよりも狭は牡ば反射雑音として観測さ
汎る共振状の光ビートは発生しえ々いため、よりファイ
バ長が長い場合でも半導体レーザスペクトル巾が狭けｎ
ば、全く雑音は発生しないものと考えら扛る。
この様子を半導体レーザのスペクトル空間を用いて第５
図に説明する。半導体レーザはＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ
半導体レーザで発振波長を０．８４μｍ、利得中が半値
手中で１００人程度で縦モード間隔が３人とする。
図に説明する。半導体レーザはＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ
半導体レーザで発振波長を０．８４μｍ、利得中が半値
手中で１００人程度で縦モード間隔が３人とする。
こ汎ら数値を光の周波数［Ｈ２）ｋ用いて第５図に示す
。すなわち第５図（ａ）に示すように半値手中が４．２
５ＴＨｚの利イｑ内に１２８ＧＨｚ間隔で半導体レーザ
固有の縦モードが立ちつるわけであるが、第５図（ｂ）
に示すように長さＬのファイバを半導体レーザと結合す
ｎば０／２ｎＬの間隔で共振モードが存在する。この時
、第５図（Ｃ）に示すようにもし半導体レーザのスペク
トル成分 １０・− は汎ば、半導体レーザは周波数間隔がＣ／２ｎＬで複数
本のスペクトル成分を有することになり、二乗検波を行
彦えば、差周波数成分の共振状雑音が発生する。ところ
が、半導体レーザのスペクトル巾Ｂが第５図（ｄ）のよ
うに０／２ｎＬよりも狭けｎば雑音となる元ビートは全
く発生しないわけである。
。すなわち第５図（ａ）に示すように半値手中が４．２
５ＴＨｚの利イｑ内に１２８ＧＨｚ間隔で半導体レーザ
固有の縦モードが立ちつるわけであるが、第５図（ｂ）
に示すように長さＬのファイバを半導体レーザと結合す
ｎば０／２ｎＬの間隔で共振モードが存在する。この時
、第５図（Ｃ）に示すようにもし半導体レーザのスペク
トル成分 １０・− は汎ば、半導体レーザは周波数間隔がＣ／２ｎＬで複数
本のスペクトル成分を有することになり、二乗検波を行
彦えば、差周波数成分の共振状雑音が発生する。ところ
が、半導体レーザのスペクトル巾Ｂが第５図（ｄ）のよ
うに０／２ｎＬよりも狭けｎば雑音となる元ビートは全
く発生しないわけである。
発明の効果
以上述べたように、本発明のように半導体レーザのスペ
クトル巾を極めて狭くすることにより、通常反射雑音と
して観測さｎる光ビートラ発生できない状態をつくり出
すことができる。従来は反射光を除去する為にアイソレ
ータが用いられていたわけであるが、アイソレータの役
目はあくまで反射光全防止するだけであり、積極的に半
導体レーザの特性全改善することはできない。またアイ
ソレーション比が有限であるため、全く反射光をなくす
こともできない。そのためアイソレータを用いる方法よ
りも本発明のごとく半導体レーザのスペクトル巾を狭く
する方が反射雑音の発生を防ぐには有効であり、効果は
極めて大きい。また本発明ではアイソレータ全相いない
方法をとりつるため、半導体レーザとファイバ全直接結
合でき、結合効率も極めて犬きくと扛る。なお、本発明
においてはアイソレータを用いてもよい。
クトル巾を極めて狭くすることにより、通常反射雑音と
して観測さｎる光ビートラ発生できない状態をつくり出
すことができる。従来は反射光を除去する為にアイソレ
ータが用いられていたわけであるが、アイソレータの役
目はあくまで反射光全防止するだけであり、積極的に半
導体レーザの特性全改善することはできない。またアイ
ソレーション比が有限であるため、全く反射光をなくす
こともできない。そのためアイソレータを用いる方法よ
りも本発明のごとく半導体レーザのスペクトル巾を狭く
する方が反射雑音の発生を防ぐには有効であり、効果は
極めて大きい。また本発明ではアイソレータ全相いない
方法をとりつるため、半導体レーザとファイバ全直接結
合でき、結合効率も極めて犬きくと扛る。なお、本発明
においてはアイソレータを用いてもよい。
本発明においては、光帰還により半導体レーザのスペク
トル巾を狭くする方法を一実施例として示したが、他の
いかなる方法においても、スペクトル巾が狭くさ汎てい
るならばファイバ反射雑音は抑圧さ扛、本発明の述べる
ところである。半導体レーザの外部に設置したミラーを
基板上に集積した構成でもよく、またミラー以外の反射
体、例えば回折格子、プリズム、フィルターにより、半
導体レーザのスペクトル巾を狭くしてもよい。
トル巾を狭くする方法を一実施例として示したが、他の
いかなる方法においても、スペクトル巾が狭くさ汎てい
るならばファイバ反射雑音は抑圧さ扛、本発明の述べる
ところである。半導体レーザの外部に設置したミラーを
基板上に集積した構成でもよく、またミラー以外の反射
体、例えば回折格子、プリズム、フィルターにより、半
導体レーザのスペクトル巾を狭くしてもよい。
丑た本発明によ扛ば、半導体レーザのスペクトル巾Δｆ
と、ファイバによる共振周波数間隔Δｆ’＝０／２ｎＬ
の相対関係により、Δｆ〈Δｆ′ならば、反射雑音とし
て観測さ汎る光ビートは発生せず、またΔｆ〉Δｆ′な
らば反射雑音が発生する。すなわち、本半導体レーザ装
置は、従来にない半導体レーザのスペクトル巾測定装置
として使用することも可能である。
と、ファイバによる共振周波数間隔Δｆ’＝０／２ｎＬ
の相対関係により、Δｆ〈Δｆ′ならば、反射雑音とし
て観測さ汎る光ビートは発生せず、またΔｆ〉Δｆ′な
らば反射雑音が発生する。すなわち、本半導体レーザ装
置は、従来にない半導体レーザのスペクトル巾測定装置
として使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体レーザ装置の構成を示す図、第２
図、第３図は本発明の一実施例と実験をある。 １・・・・・半導体レーザ素子、１ａ、１ｂ・・・・・
・共振器端面、３・・・・・・光ファイバ、３ａ、３ｂ
・・・・・・ファイバ端面、５・・・・・・出射レーザ
光、１０・・・・・・レーザ光、１３・・・・・・レン
ズ、１０ａ・・・・・・コリメートレーザ光、１１・・
・・・・ミラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名踪
載 手続補正書（方式） １事件の表示 昭和、８年特許願第５８１４１ 号 ２発明の名称 ファイバ反射靴音抑圧型半導体レーザ装置３補正をする
者 事件との関係 特 許 出 願 人
任 所 大阪府門衰市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１）明細書第７ページ２０行目〜第８ページ２行目の
「第４図〜である。」を下記の通り補正します。 「第４図（ａ）は縦モードスペクトルを示す図、第４図
（ｂ）は反射雑音スペクトルを示す図である。 同図において、実線は光帰還がない場合、破線は光帰還
がある場合の特性を示す。」 （２）同第１２ページ５行目の「本発明の効果を示す」
を１それぞれ縦モードスペクトルを示す図、反射雑音ス
ペクトルを示すＪ＄と袖゛正Ｌｔ’Ｊ。 （３）図面の第４図（＆） 、 （ｂ）を別紙の通り補
正します。
図、第３図は本発明の一実施例と実験をある。 １・・・・・半導体レーザ素子、１ａ、１ｂ・・・・・
・共振器端面、３・・・・・・光ファイバ、３ａ、３ｂ
・・・・・・ファイバ端面、５・・・・・・出射レーザ
光、１０・・・・・・レーザ光、１３・・・・・・レン
ズ、１０ａ・・・・・・コリメートレーザ光、１１・・
・・・・ミラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名踪
載 手続補正書（方式） １事件の表示 昭和、８年特許願第５８１４１ 号 ２発明の名称 ファイバ反射靴音抑圧型半導体レーザ装置３補正をする
者 事件との関係 特 許 出 願 人
任 所 大阪府門衰市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１）明細書第７ページ２０行目〜第８ページ２行目の
「第４図〜である。」を下記の通り補正します。 「第４図（ａ）は縦モードスペクトルを示す図、第４図
（ｂ）は反射雑音スペクトルを示す図である。 同図において、実線は光帰還がない場合、破線は光帰還
がある場合の特性を示す。」 （２）同第１２ページ５行目の「本発明の効果を示す」
を１それぞれ縦モードスペクトルを示す図、反射雑音ス
ペクトルを示すＪ＄と袖゛正Ｌｔ’Ｊ。 （３）図面の第４図（＆） 、 （ｂ）を別紙の通り補
正します。
Claims (1)
- 半導体レーザ素子の一方の共振器端面から出射する半導
体レーザ光の少なくとも一部を前記半導体レーザの外部
に配置さｎた長さＬのファイバと結合を行ない、前記素
子の他方の共振器端面から出射する半導体レーザ光の少
なくとも一部を反射体により前記半導体レーザへ反射光
として帰還し、前記半導体レーザ光のスペクトル巾を０
／２ｎＬ（Ｃ：光速、ｎ：ファイバのコアの屈折率）よ
り狭巾化することにより、前記ファイバの端面より反射
さ扛前記半導体レーザ素子へ入射することにより発生す
るファイバ反射雑音を抑圧すること全特命とするファイ
バ反射雑音抑圧型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5814183A JPS59184581A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバ反射雑音抑圧型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5814183A JPS59184581A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバ反射雑音抑圧型半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184581A true JPS59184581A (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=13075708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5814183A Pending JPS59184581A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバ反射雑音抑圧型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184581A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5297154A (en) * | 1992-05-04 | 1994-03-22 | Alcatel Sel A.G. | Fiber-optic amplifier with feedback-insensitive pump laser |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP5814183A patent/JPS59184581A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5297154A (en) * | 1992-05-04 | 1994-03-22 | Alcatel Sel A.G. | Fiber-optic amplifier with feedback-insensitive pump laser |
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