JPS59183677U - 半導体吸収線量計 - Google Patents

半導体吸収線量計

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JPS59183677U
JPS59183677U JP7854783U JP7854783U JPS59183677U JP S59183677 U JPS59183677 U JP S59183677U JP 7854783 U JP7854783 U JP 7854783U JP 7854783 U JP7854783 U JP 7854783U JP S59183677 U JPS59183677 U JP S59183677U
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JP
Japan
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output signal
semiconductor
integrator
dosimeter
amplifier
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Application number
JP7854783U
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JPH0726717Y2 (ja
Inventor
浩之 村上
今井　喬
道家　忠義
和田　雅美
Original Assignee
理化学研究所
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の構成を示すブロック図。第２図と第３
図は本考案による吸収線量率の測定結果をそれぞれ示す
グラフ。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）　　半導体放射線検出器、この半導体放射線検出
    器の出力信号を増巾する電荷有感前置樽巾器、この増巾
    器の出力信号を波形成形し増巾する波形整形増巾器、こ
    の波形整形増巾器の出力信号の直流成分を復元する直流
    再生回路、この再生回路の出力信号を積分する積分器、
    この積分器の出力信号が一定値に達したことを検出して
    積分器をリセットする比較器、及びこの比較器に接続さ
    れ前記の積分器のリセット回数を計数する計数器を備え
    たことを特徴とする半導体吸収線量計。
  2. （２）前記の半導体放射線検出器がシリコンから成る半
    導体検出器である実用新案登録請求の範囲一　第１項に
    記載の半導体吸収線量計。
JP1983078547U 1983-05-25 1983-05-25 半導体放射線吸収線量計 Expired - Lifetime JPH0726717Y2 (ja)

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JPS59183677U true JPS59183677U (ja) 1984-12-06
JPH0726717Y2 JPH0726717Y2 (ja) 1995-06-14

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6415688A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Nippon Atomic Ind Group Co Waveform shaping method
JP2010121949A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Riken Keiki Co Ltd 携帯型個人線量計
CN109917443A (zh) * 2019-03-12 2019-06-21 中国辐射防护研究院 高能伽玛辐射探测装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5042885A (ja) * 1973-08-20 1975-04-18
JPS5717331U (ja) * 1980-06-28 1982-01-29

Patent Citations (2)

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