JPS59177737A - 光記録装置 - Google Patents
光記録装置Info
- Publication number
- JPS59177737A JPS59177737A JP58050387A JP5038783A JPS59177737A JP S59177737 A JPS59177737 A JP S59177737A JP 58050387 A JP58050387 A JP 58050387A JP 5038783 A JP5038783 A JP 5038783A JP S59177737 A JPS59177737 A JP S59177737A
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- JP
- Japan
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- light
- laser
- light emitting
- output
- recording device
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、レーザビームプリンタのような画像形成装置
やレーザディスクメモリのような光学式拶信号記憶再生
装置あるいはＬＥＤによる画像記録装置の如き光記録装
置に関し、特にその光景を監視する手段を設けたもので
ある。
やレーザディスクメモリのような光学式拶信号記憶再生
装置あるいはＬＥＤによる画像記録装置の如き光記録装
置に関し、特にその光景を監視する手段を設けたもので
ある。
従来技術
従来から、この種のレーザ記録装置では、信号変調の容
易性の外に小型性や効率性等の種々の利点から半導体レ
ーザが用いられている。
易性の外に小型性や効率性等の種々の利点から半導体レ
ーザが用いられている。
電流によるポンピングを行うｐ−ｎ接合レーザの如き半
導体レーザの電流対レーザ光出力特性は一般に第１図示
のようなものであり、その電流■をレーザの発振の悶値
（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ １ｅｖｅｌ ） Ｉｔｈまで流
すと基底状態から急激にレーザ発光を生じ、それ以後電
流■を増加すると急激に発光量（レーザ光出力）が増加
し、さらに、その発光量が一定のレベルＰＡｉｍを越え
ると、そのレーザ物質中Ｐレーザ光が通過するので半導
体レーザ自身が損傷を起こし、その劣化を早めたりある
いはその破壊を招くという問題点があった。
導体レーザの電流対レーザ光出力特性は一般に第１図示
のようなものであり、その電流■をレーザの発振の悶値
（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ １ｅｖｅｌ ） Ｉｔｈまで流
すと基底状態から急激にレーザ発光を生じ、それ以後電
流■を増加すると急激に発光量（レーザ光出力）が増加
し、さらに、その発光量が一定のレベルＰＡｉｍを越え
ると、そのレーザ物質中Ｐレーザ光が通過するので半導
体レーザ自身が損傷を起こし、その劣化を早めたりある
いはその破壊を招くという問題点があった。
そこで、この弊害を除去するために、半導体レーザに注
入する最大電流な制限する方法が考えられる。しかしな
がら、半導体レーザの特長として第１図の右側破線（イ
）で示す如く周囲温度Ｔが上昇すると発光効率が低下し
、第１図の左側破線（ロ）で示す如く逆に周囲温度Ｔが
低下すれば発光効率が上昇するというように周囲温度Ｔ
により発光効率が異なるので、レーザ光出力分注入電流
Ｉの量で制限するのは困難であった０ 目 的 本発明の目的は、上述した欠点を除去し、発光手段から
の光量を検出して、その検出レベルが所定の値な越えた
ときに異常表示することにより、発光手段の不用意の破
壊分防止し、かつ早期劣化を防止するようにした光記録
装置Ｂ提供することにある。
入する最大電流な制限する方法が考えられる。しかしな
がら、半導体レーザの特長として第１図の右側破線（イ
）で示す如く周囲温度Ｔが上昇すると発光効率が低下し
、第１図の左側破線（ロ）で示す如く逆に周囲温度Ｔが
低下すれば発光効率が上昇するというように周囲温度Ｔ
により発光効率が異なるので、レーザ光出力分注入電流
Ｉの量で制限するのは困難であった０ 目 的 本発明の目的は、上述した欠点を除去し、発光手段から
の光量を検出して、その検出レベルが所定の値な越えた
ときに異常表示することにより、発光手段の不用意の破
壊分防止し、かつ早期劣化を防止するようにした光記録
装置Ｂ提供することにある。
実施例
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明光記録装置の構成の一例を示し、ここで
ｌはレーザ光の発光源、たとえば半導体レーザ、コは半
導体レーザ／からのレーザ光を受光する受光素子であり
、この雨着ご同一チップ内に配置して発光ユニット３を
構成する。グは端子夕から入力するビデオ信号ＶＩＤＥ
Ｏに応じて半導体レーザ／への注入電流工を変化させる
レーザ駆動回路であり、この注入電流値はレーザ駆動回
路ｑに接続した可変抵抗乙の抵抗値を変えることにより
可変にできる。
ｌはレーザ光の発光源、たとえば半導体レーザ、コは半
導体レーザ／からのレーザ光を受光する受光素子であり
、この雨着ご同一チップ内に配置して発光ユニット３を
構成する。グは端子夕から入力するビデオ信号ＶＩＤＥ
Ｏに応じて半導体レーザ／への注入電流工を変化させる
レーザ駆動回路であり、この注入電流値はレーザ駆動回
路ｑに接続した可変抵抗乙の抵抗値を変えることにより
可変にできる。
りは一端を大地電位にして出力電圧を取り出すのに用い
る受光素子−の負荷抵抗、ざは端子９に供給する基準電
圧ｖＲＥＦと受光素子コの出力電圧との比較を行う比較
回路である。１０は単安定マルチバイブレータであり、
比較回路どの出力をトリガ入力として抵抗／／およびコ
ンデンサ／２の時定数に応じた所定時間だけパルスを発
生下るとともに、一度トリガされて発振している期間内
に再びトリガ入力があると、このあとからのトリガ入力
を始点として上述の抵抗／／およびコンデンサ／２の時
定数で定まる時間だけ発振期間を延長するといういわゆ
る再トリガ機能をも有する。
る受光素子−の負荷抵抗、ざは端子９に供給する基準電
圧ｖＲＥＦと受光素子コの出力電圧との比較を行う比較
回路である。１０は単安定マルチバイブレータであり、
比較回路どの出力をトリガ入力として抵抗／／およびコ
ンデンサ／２の時定数に応じた所定時間だけパルスを発
生下るとともに、一度トリガされて発振している期間内
に再びトリガ入力があると、このあとからのトリガ入力
を始点として上述の抵抗／／およびコンデンサ／２の時
定数で定まる時間だけ発振期間を延長するといういわゆ
る再トリガ機能をも有する。
１３はインバートオア回路であり、マルチバイブレータ
１０の出力信号と比較回路ｇからの出力信号とをそれぞ
れ反転してその論理和ごとり、それによりレーザ発光景
が過大である旨の異常を示す発光ダイオードフグを点灯
駆動する。／Ｓは発光ダイオード／弘の電流制限用抵抗
でありＸその一端を駆動電源Ｖｃに接続する。
１０の出力信号と比較回路ｇからの出力信号とをそれぞ
れ反転してその論理和ごとり、それによりレーザ発光景
が過大である旨の異常を示す発光ダイオードフグを点灯
駆動する。／Ｓは発光ダイオード／弘の電流制限用抵抗
でありＸその一端を駆動電源Ｖｃに接続する。
次に、第、２図示の動作例を第３図（Ａ）〜■）の出力
特性ご参照して説明する。
特性ご参照して説明する。
第３図（Ａ）は端子夕に供給されるビデオ信号ＶＩＤＥ
Ｄの一例を示し、本発明光記録装置はレーザ駆動回路グ
によってこのビデオ信号ＶＩＤＥＯに応じてレーザ注入
電流Ｉをスイッチングすることにより、半導体レーザｌ
から出るレーザ光を変調して不図示の被記録媒体上に画
像または信号のｔｅ＠を行う。
Ｄの一例を示し、本発明光記録装置はレーザ駆動回路グ
によってこのビデオ信号ＶＩＤＥＯに応じてレーザ注入
電流Ｉをスイッチングすることにより、半導体レーザｌ
から出るレーザ光を変調して不図示の被記録媒体上に画
像または信号のｔｅ＠を行う。
その際、実際のビデオ信号ＶＩＤＥＯは画像の白黒等の
変化に対応するので、そのレーザ光の点滅周期はランダ
ムである。ただし、レーザビームプリンタのような場合
にはラスタースキャンの主走査方向の書き出し位置を検
出するビーム検出器（不図示）を設け、このビーム検出
ｈ）でのビーム検出を行う以前に必ず非画像部位置でレ
ーザを点灯させている。この点灯期間をアンブランキン
グ期間と呼ぶが、このアンブランキング期間中のレーザ
信号は周期的である。このように、レーザ光は常時点滅
しているが、そのレーザ光を受光光子−により受光して
出力レベルを検出し、その検出信号だけで発光ダイオー
ドを点灯表示しても、その検出パルス幅が狭いと点灯不
良などが発生して容易に目視できないことがある。
変化に対応するので、そのレーザ光の点滅周期はランダ
ムである。ただし、レーザビームプリンタのような場合
にはラスタースキャンの主走査方向の書き出し位置を検
出するビーム検出器（不図示）を設け、このビーム検出
ｈ）でのビーム検出を行う以前に必ず非画像部位置でレ
ーザを点灯させている。この点灯期間をアンブランキン
グ期間と呼ぶが、このアンブランキング期間中のレーザ
信号は周期的である。このように、レーザ光は常時点滅
しているが、そのレーザ光を受光光子−により受光して
出力レベルを検出し、その検出信号だけで発光ダイオー
ドを点灯表示しても、その検出パルス幅が狭いと点灯不
良などが発生して容易に目視できないことがある。
すなわち、いまレーザ先車を調整する可変抵抗６の抵抗
信念変化させると、半導体レーザ１に注入される電流■
は第３図ＣＢ）に示すように増加する。
信念変化させると、半導体レーザ１に注入される電流■
は第３図ＣＢ）に示すように増加する。
ここで図中の１点鎖線は第１図示と同様な閾値Ｉｔｈを
示す。この閾値Ｉｔｈを注入電流Ｉが越えると、レーザ
光量は第３図（Ｃ）に示すように急激に増加する。なお
、第３図（Ｃ）中のＰｌｉｍは第１図と同様な限界光景
を表わし、このレベルを一点鎖線で示す。
示す。この閾値Ｉｔｈを注入電流Ｉが越えると、レーザ
光量は第３図（Ｃ）に示すように急激に増加する。なお
、第３図（Ｃ）中のＰｌｉｍは第１図と同様な限界光景
を表わし、このレベルを一点鎖線で示す。
第３図ＣＤ）は、プラス側端子に入力するあらがじめ適
切な値に設定した基準電圧ＶＲＥＦと、マイナス側端子
に入力する受光素子−の負荷抵抗りに生じた出力電圧と
を比較する比較回路ｇの上述の状態における比較出力例
を示す。このとき、基準電圧ＶＲＥＦをあらかじめ受光
素子２に限界光量Ｐｌｉｍが入射した時のレベル値に設
定子れば、図示のようにレーザ光量が限界光量Ｐｌｉｍ
に達したときにのみ比較回路８から出力が得られる。し
かしながら、第３図（Ｄ）に示す比較回路８からの出力
だけではその出力パルス幅が比較的狭いので、たとえば
微小時間間隔でレーザ光量が過大になったときには、発
光ダイオード１４を充分に点灯することができない。
切な値に設定した基準電圧ＶＲＥＦと、マイナス側端子
に入力する受光素子−の負荷抵抗りに生じた出力電圧と
を比較する比較回路ｇの上述の状態における比較出力例
を示す。このとき、基準電圧ＶＲＥＦをあらかじめ受光
素子２に限界光量Ｐｌｉｍが入射した時のレベル値に設
定子れば、図示のようにレーザ光量が限界光量Ｐｌｉｍ
に達したときにのみ比較回路８から出力が得られる。し
かしながら、第３図（Ｄ）に示す比較回路８からの出力
だけではその出力パルス幅が比較的狭いので、たとえば
微小時間間隔でレーザ光量が過大になったときには、発
光ダイオード１４を充分に点灯することができない。
そこで、本実施例では上述の比較回路ｇの出力に基づき
レーザ光量が過大であるという旨の信号の時間間隔をマ
ルチバイブレータ１０で延長している。よって、第３図
（Ｅ）に示すような出力がマルチバイブレータ１０の互
端子から得られるから、このマルチバイブレータ１０の
出力信号によりインバートオア回路１３を介して発光ダ
イオード１４を駆動することにより、たとえ微小時間間
隔でレーザ光量が過大となったときでも発光ダイオード
フグの駆動企延長でき、レーザ光景が過大であるという
旨の表示企容易に目視することができる。さらに、この
際、マルチバイブレータ１０の再トリガ機能が働き上述
の表示時間が延長されるので、この動作は継続動作とな
ってより確実となる。そこで、発光ダイオード１４の点
灯表示を見てレーザ光量が過大である旨を詔誠し、可変
抵抗６の抵抗価を変えて半導体レーザ１への注入電流工
を下げれば、半導体レーザ１の破壊を防止できる。
レーザ光量が過大であるという旨の信号の時間間隔をマ
ルチバイブレータ１０で延長している。よって、第３図
（Ｅ）に示すような出力がマルチバイブレータ１０の互
端子から得られるから、このマルチバイブレータ１０の
出力信号によりインバートオア回路１３を介して発光ダ
イオード１４を駆動することにより、たとえ微小時間間
隔でレーザ光量が過大となったときでも発光ダイオード
フグの駆動企延長でき、レーザ光景が過大であるという
旨の表示企容易に目視することができる。さらに、この
際、マルチバイブレータ１０の再トリガ機能が働き上述
の表示時間が延長されるので、この動作は継続動作とな
ってより確実となる。そこで、発光ダイオード１４の点
灯表示を見てレーザ光量が過大である旨を詔誠し、可変
抵抗６の抵抗価を変えて半導体レーザ１への注入電流工
を下げれば、半導体レーザ１の破壊を防止できる。
このように、本例によれば、半導体レーザ１の発光量の
訴整を行う際の過電流による不用意の破壊ご防止でき、
さらに周囲温度が低下した除の発光効率の上昇が原因の
過大発光による早期劣化を防止できる。
訴整を行う際の過電流による不用意の破壊ご防止でき、
さらに周囲温度が低下した除の発光効率の上昇が原因の
過大発光による早期劣化を防止できる。
インバートオア回路１３は、万一、ビデオ信号ＶＩＤＥ
Ｏがパルス状態でないとき、例えば全固態の画像を記録
する時のような場合には、単安定マルチバイブレータ１
０が動作しないので、比較回路ｇの出力により直接発光
ダイオード１４を点灯表示するためのものである。この
ように本例では、画像記録に供されるビデオ信号ＶＩＤ
ＥＯがパルス状あるいは非パルス状のいずれであっても
ル−ザ光最が過大であるという旨の表示ができる。
Ｏがパルス状態でないとき、例えば全固態の画像を記録
する時のような場合には、単安定マルチバイブレータ１
０が動作しないので、比較回路ｇの出力により直接発光
ダイオード１４を点灯表示するためのものである。この
ように本例では、画像記録に供されるビデオ信号ＶＩＤ
ＥＯがパルス状あるいは非パルス状のいずれであっても
ル−ザ光最が過大であるという旨の表示ができる。
なお、本例においては半導体レーザ１と受光素子コとを
同一ヂツブ上に配設して発光ユニット３として構成した
が、これに代えて半導体レーザ１と受光青子コとを別個
独立に配置構成してもよいことは勿論である。本例でば
、レーザ光量が過大である旨を示す異常表示素子として
発光ダイオード１４を用いたが、これに代えてタングス
テンランプ等の他の発光手段またはブザーなどの瞥報手
段を用いることもできる。さらに、本例では、発光源と
して半導体レーザを用いた場合について説明したが、こ
れに代えて他の種類のレーザ、たとえばガスレーザなど
の光量の調整等に用いても好適である。さらにまた、本
発明は、例えばＬＥＤによる画像記録装置に用いても好
適であること勿論である。
同一ヂツブ上に配設して発光ユニット３として構成した
が、これに代えて半導体レーザ１と受光青子コとを別個
独立に配置構成してもよいことは勿論である。本例でば
、レーザ光量が過大である旨を示す異常表示素子として
発光ダイオード１４を用いたが、これに代えてタングス
テンランプ等の他の発光手段またはブザーなどの瞥報手
段を用いることもできる。さらに、本例では、発光源と
して半導体レーザを用いた場合について説明したが、こ
れに代えて他の種類のレーザ、たとえばガスレーザなど
の光量の調整等に用いても好適である。さらにまた、本
発明は、例えばＬＥＤによる画像記録装置に用いても好
適であること勿論である。
効果
以上説明したように、本発明によれば、発光手段からの
発光量を検出してその検出レベルが所定値を越えたとき
に異常表示するようにしたので、レーザ等発光手段の破
壊および早期劣化を防止できる。
発光量を検出してその検出レベルが所定値を越えたとき
に異常表示するようにしたので、レーザ等発光手段の破
壊および早期劣化を防止できる。
なお、本発明は、光記録装らのみに限られるものではな
く、発光手段を用いた各種装置にも応用できることは勿
論である。
く、発光手段を用いた各種装置にも応用できることは勿
論である。
第１図は半導体レーザの電流対レーザ光出力特性の一例
を示す特性図、第、２図は本発明光記録装置の構成の一
例を示す回路図、第３図（Ａ）〜■）は第、２図示の製
筒の各部の信号波３（３の一例を示す信号波形図である
。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・受光素子、 ３・・・発光ユニット、 ４・・・レーザ駆動回路、 ５、９・・・端子、 ６・・・可変抵抗、 ７、１１、１５・・・抵抗、 ８・・・比較回路、 １０・・・単安定マルチバイブレータ、１２・・・コン
デンサ、 １３・・・インバートオア回路、 １４・・・発光ダイオード、 ＶＩＤＥＯ・・・ビデオ信号、 ＶＲＥＦ・・・基準電圧、 Ｖｃ・・・電源。 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 第２図 第３図
を示す特性図、第、２図は本発明光記録装置の構成の一
例を示す回路図、第３図（Ａ）〜■）は第、２図示の製
筒の各部の信号波３（３の一例を示す信号波形図である
。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・受光素子、 ３・・・発光ユニット、 ４・・・レーザ駆動回路、 ５、９・・・端子、 ６・・・可変抵抗、 ７、１１、１５・・・抵抗、 ８・・・比較回路、 １０・・・単安定マルチバイブレータ、１２・・・コン
デンサ、 １３・・・インバートオア回路、 １４・・・発光ダイオード、 ＶＩＤＥＯ・・・ビデオ信号、 ＶＲＥＦ・・・基準電圧、 Ｖｃ・・・電源。 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光を用いて画像または信号の記録をする記録装置に
おいて、前記光を発生する発光手段と、該発光手段から
発生した前記光を受光する受光手段と、該受光手段から
得られる受光出力レベルがあらかじめ設定した基準レベ
ルを越えるか否かを比較する比較手段と、該比較手段か
らの比較出力により一定時間異常表示ごする異常表示手
段とご具備したことを特徴とする光記録装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の光記録装置において、
前記比較手段の比較出力のパルス幅を拡大して前記異常
表示手段の前記異常表示の表示時間を延長するようにし
たことを特徴とする光記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050387A JPS59177737A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
| JP58050388A JPS59177738A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050387A JPS59177737A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
| JP58050388A JPS59177738A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177737A true JPS59177737A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=26390860
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58050387A Pending JPS59177737A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
| JP58050388A Pending JPS59177738A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58050388A Pending JPS59177738A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 光記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS59177737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811194A (en) * | 1986-09-08 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information processing apparatus |
| CN115275758A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-11-01 | 上海三菲半导体有限公司 | 一种宽带脉冲调制光源 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263182A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 | Matsushita Electric Works Ltd | レ−ザ・ダイオ−ドの駆動回路 |
| JPH0816988B2 (ja) * | 1985-09-19 | 1996-02-21 | 松下電器産業株式会社 | 光学式デ−タ記憶再生装置 |
| JPS62129941A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Hitachi Ltd | 光デイスク装置 |
| JPH065865B2 (ja) * | 1986-06-04 | 1994-01-19 | コニカ株式会社 | 半導体レ−ザ保護回路 |
| JPS62285482A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JP2642445B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1997-08-20 | 株式会社東芝 | 光出力制御装置 |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP58050387A patent/JPS59177737A/ja active Pending
- 1983-03-28 JP JP58050388A patent/JPS59177738A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811194A (en) * | 1986-09-08 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information processing apparatus |
| CN115275758A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-11-01 | 上海三菲半导体有限公司 | 一种宽带脉冲调制光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59177738A (ja) | 1984-10-08 |
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