JPS5917712A - Base current correcting circuit - Google Patents
Base current correcting circuitInfo
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- JPS5917712A JPS5917712A JP57128701A JP12870182A JPS5917712A JP S5917712 A JPS5917712 A JP S5917712A JP 57128701 A JP57128701 A JP 57128701A JP 12870182 A JP12870182 A JP 12870182A JP S5917712 A JPS5917712 A JP S5917712A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は演算増幅器の入力部もしくは後段増幅器とし
て使用されるベース電流補正回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a base current correction circuit used as an input section of an operational amplifier or a post-stage amplifier.
周知のように、演算増幅器においては、入力インビーダ
ンスが有限値であシ、このため入力バイアス電流を可及
的に小さくさせることが要求される。As is well known, the input impedance of an operational amplifier is a finite value, and therefore the input bias current is required to be as small as possible.
第1図は入力バイアス電流を小さくさせるためのベース
電流補正回路を組み込んだ従来の演算増幅器の構成を示
すものである。FIG. 1 shows the configuration of a conventional operational amplifier incorporating a base current correction circuit for reducing the input bias current.
同図において、 (1) 、 (2)は互にエミッタ同
志を接続した第1および第2ONPN トランジスタ、
(3)はl対の入力端子Ts 、 T、の一方T1にベ
ースが接続された第8のNPN ) 9ンジスタで、エ
ミッタが上記第1のトランジスタ(1)のベースに接続
されている。(4)は他方の入力端子TIにベースが接
続された第4のNPN)ランジスタであり、そのエミッ
タが上記第2のトランジスタ(2)のベースに接続され
ている。(5) 、 (61は互にベース同志が接続さ
れて、ミラー回路を構成するl対のPNP )ランジス
タで、一方のトランジスタ(5)はそのベース・コレク
タ間が短絡されてダイオードとして構成されている。In the figure, (1) and (2) are first and second ONPN transistors whose emitters are connected to each other;
(3) is an eighth NPN transistor whose base is connected to one of the pair of input terminals Ts, T1, and whose emitter is connected to the base of the first transistor (1). (4) is a fourth NPN transistor whose base is connected to the other input terminal TI, and whose emitter is connected to the base of the second transistor (2). (5), (61 is a pair of PNP transistors whose bases are connected to each other to form a mirror circuit), and one transistor (5) is configured as a diode with its base and collector short-circuited. There is.
(8)は上記第1のトランジスタ(1)のエミッタに接
続された定電流源である。(9)はNPN出力トランジ
スタ、α0は出力トランジスタ(9)のエミッタに接続
された抵抗体で、この抵抗体叫と上記トランジスタ(9
)との直列回路は電源Qllの両端に並列に接続されて
お9、抵抗体叫とトランジスタ(9)との接続点を出力
端子T・に接続しである。(8) is a constant current source connected to the emitter of the first transistor (1). (9) is an NPN output transistor, and α0 is a resistor connected to the emitter of the output transistor (9).
) is connected in parallel to both ends of the power supply Qll, and the connection point between the resistor and the transistor (9) is connected to the output terminal T.
この回路において、トランジスタ(3i 、 (41の
エミッタ電流は各トランジスタ(1) 、 (2)のl
/ hF Eとなシ、入力端子TI、 T鵞の入力バ
イアス電流はそれぞれトランジスタ+3> 、 (4)
の各エミッタ電流の1/hpgと小さくなる。しかし、
この従来のものはトランジスタ(31、(4)の各エン
ツタ電流が小さくなるため、全体の周波数特性を悪くさ
せる欠点がある。In this circuit, the emitter current of transistors (3i, (41) is
/hF E, input terminal TI, and input bias current of T are respectively transistor +3>, (4)
It becomes small as 1/hpg of each emitter current. but,
This conventional device has the drawback that the entator currents of the transistors (31, (4)) are small, resulting in poor overall frequency characteristics.
この発明は上記従来のものの欠点を除去するためになさ
れたもので、エミッタを定電流源に接続した多分割コレ
クタ形のラテラルPNP トランジスタの各コレクタを
第1および第2のNPN)ランジスタの各ベースにそれ
ぞれ接続することによシ、周波数特性の悪化を招くこと
なく、入力バイアス電流を抑制できるベース電流補正回
路を提供することを目的としている。This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional transistors. It is an object of the present invention to provide a base current correction circuit that can suppress the input bias current without causing deterioration of frequency characteristics by connecting the base current correction circuit to the base current correction circuit.
以下、この発明の一実施例を図面にしたがって説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図はこの発明に係るベース電流補正回路の一例を示
すものである。FIG. 2 shows an example of a base current correction circuit according to the present invention.
同図において、(社)はベースが入力端子TIに接続さ
れた第1のNPN)ランジスタ、(支)は第1のNPN
)ランジスタQυのコレクタ電流Iと等しい電流Iを発
生する定電流源、@は上記定電流源■にコレクタが接続
された第2ONPN)ランジスタである。(至)は多分
割コレクタ形のラテラルPNPトランジスタであり、エ
ミッタが上記定電流源(支)と第2のNPN )ランジ
スタAのコレクタとの接続点に接続されている。上記P
NP )ランジスタ(2)の第1のコレクタ(24a)
が第1のNPN トランジスタ(社)のベースに、第2
のコレクタ(24b)が第2のNPN )ランジスタ囚
)のベースにそれぞれ接続されている。In the same figure, (company) is the first NPN) transistor whose base is connected to the input terminal TI, and (branch) is the first NPN transistor.
) is a constant current source that generates a current I equal to the collector current I of the transistor Qυ; @ is a second ONPN) transistor whose collector is connected to the constant current source (2); (to) is a multi-divided collector type lateral PNP transistor, the emitter of which is connected to the connection point between the constant current source (support) and the collector of the second NPN transistor A. Above P
NP) first collector (24a) of transistor (2)
is the base of the first NPN transistor, and the second
collectors (24b) of the transistors are respectively connected to the bases of the second NPN transistors (24b).
上記構成において、第1および第2のNPN)ランジス
タQυ、轍が集積回路構造で作られている場合、それぞ
れのエミッタ接地電流増幅率)IPII!の揃いは非常
に良い。このため1両トランジスタ(21)、 nの電
流増幅率11FRが一致しているとして説明を行なう。In the above configuration, if the first and second NPN) transistors Qυ, ruts are made of an integrated circuit structure, their respective common emitter current amplification factors) IPII! The alignment is very good. Therefore, the explanation will be given assuming that the current amplification factors 11FR of both transistors (21) and n are the same.
上記第1のNPN )ランジスタ(21)のコレクタ電
流を工とすれば、そのベース電流はl/hFF、である
。h記第iのNPN )ランジスタ(211のコレクタ
電流と同じ電流値に設定されている定電流源(支)の電
流■は、第1および第2のNPN)ジンジスタシD、囚
の各電流増幅率hFEが十分大きければ、はぼ、第2O
NPN )ランジスタ(23)のコレクタ電流となる。If the collector current of the first NPN transistor (21) is defined as 1/hFF, its base current is 1/hFF. The current of the constant current source (sub) set to the same current value as the collector current of the transistor (211) is the current amplification factor of each current amplification factor of the first and second NPN). If hFE is large enough, the second O
NPN) becomes the collector current of the transistor (23).
したがって、第2のNPN)ジンジスタ例のベース電流
は、I/hFEとなシ、これは多分割コレクタ形の2チ
ラルPNP トランジスタ(2)の1つのコレクタ(2
4b)のコレクタ電流となる。Therefore, the base current of the second NPN) ging resistor example is equal to I/hFE, which is equal to the base current of one collector (2) of the multi-divided collector bichiral PNP transistor (2)
4b) becomes the collector current.
上記2チラルPNP )ランジスタ例の各コレクタ(2
4m)、(24b)の大きさが等しいならば、第1のN
PN トランジスタ(社)のベースに接続されている上
記ラテラルPNP)ランジスタ(支)のコレクタ(24
a)を流れるコレクタ電流もl / ’Q F Bとな
シ、上記第1のNPN ) 2ンジスタ(2)のベース
電流と等しくなるため、入力端子TIに電流は流れない
ことになる。Each collector (2 circuits PNP) transistor example above
4m) and (24b) are equal, then the first N
The collector (24) of the above lateral PNP transistor (branch) connected to the base of the PN transistor
Since the collector current flowing through a) is also l/'Q FB, which is equal to the base current of the first NPN transistor (2), no current flows through the input terminal TI.
第8図は第2図の回路を入力部に使用した演算増幅器を
示すものである。FIG. 8 shows an operational amplifier using the circuit of FIG. 2 as an input section.
同図において、四は第1のNPN)ランジスタ<21)
のエミッタにコレクタが接続された第8ONPNトラン
ジスタ、(至)は2チラルPNP )ジンジスタ(至)
のベース電位を与えるための第4のトランジスタ、@は
第1のNPN )ランジスタ(社)にエミッタが接続さ
れた第5のNPN)ランジスタで、そのベースが入力端
子T意に接続されるとともに、ラテラルPNP )ラン
ジスタ例の第1のコレクタ(24il)に接続されてい
る。上記ラテラルPNPトランジスタ(至)における第
1のコレクタ(24itL(24as)と、第2のコレ
クタ(24b)との面積比は1:8に設定されている。In the same figure, 4 is the first NPN) transistor <21)
8th ONPN transistor whose collector is connected to the emitter of
A fourth transistor is a fifth NPN transistor whose emitter is connected to the first NPN transistor, and whose base is connected to the input terminal T. Lateral PNP) is connected to the first collector (24il) of the example transistor. The area ratio of the first collector (24itL (24as)) and the second collector (24b) in the lateral PNP transistor (to) is set to 1:8.
また第2ONPNトランジスタ(2)と第8のNPN)
ランジスタ四の各エミツタ面積比はl:2に設定されて
いる。Also, the second ONPN transistor (2) and the eighth NPN)
The emitter area ratio of transistor four is set to 1:2.
(支)、@はミラー回路を構成するPNP )ランジス
タ、■はNPN出力トランジスタ、のりは抵抗体、(Ω
は電源である。(support), @ is a PNP ) transistor that constitutes a mirror circuit, ■ is an NPN output transistor, glue is a resistor, (Ω
is the power supply.
上記構成の演算増幅器では、トランジスタr23゜四の
エミツタ面積比が1=2であるため、トランジスタ内の
コレクタ電流IK対し、トランジスタ(5)のコレクタ
電流は2Iであり、トランジスタ(2)のベース電流と
トランジスタ(25)のベース電流の和は81/hpE
となっている。一方、−)チラルPNPトランジスタ(
支)の第1のコレクタ(24a1)、(24a*)と第
2のコレクタ(24b)の面積比が1:8であるため、
トランジスタ圓、@の各ベースに接続されているコレク
タ(24ax) 、 (24ax)に流れる電流はI/
hFRである。In the operational amplifier with the above configuration, since the emitter area ratio of the transistor r23°4 is 1=2, the collector current of the transistor (5) is 2I with respect to the collector current IK in the transistor, and the base current of the transistor (2) The sum of the base current of transistor (25) is 81/hpE
It becomes. On the other hand, -) chiral PNP transistor (
Since the area ratio of the first collector (24a1), (24a*) and the second collector (24b) of the support is 1:8,
The current flowing through the collectors (24ax) and (24ax) connected to the bases of the transistors is I/
hFR.
演算増幅器の通常の動作条件では、入力端子T1とT1
が同電位に設定されるため、上記トランジスタ(21)
、 (77)の各エンツタ電流は等しく■となるため
、そのベース電流はl / h F Bとなシ、ラテラ
ルPNPトランジスタ(至)のコレクタ電流と等しくな
るため、入力端子TI 、 Tlには入力電流が流れな
い。Under normal operating conditions of the operational amplifier, the input terminals T1 and T1
are set to the same potential, so the transistor (21)
, (77) are equal and the base current is l/h FB, which is equal to the collector current of the lateral PNP transistor (to), so the input terminals TI and Tl have inputs. No current flows.
第4図は、PチャンネルMO5形トランジスタ入力の演
算増幅器の後段増幅器にこの発明を適用した応用例であ
る。FIG. 4 shows an example in which the present invention is applied to a downstream amplifier of a P-channel MO5 type transistor input operational amplifier.
同図において、(旬は第1のNPN トランジスタ、■
は定電流源、(43は第2のPNP )ランジスタ、(
44)は多分割コレクタ形のラテラルPNP )ランジ
スタでアシ、このトランジスタ(44)のエミッタが上
記定電流源(41に接続され、第1のコレクタ(44a
)が第1のNPNトランジスタけυのベースに、第2の
コレクタ(44b)が第2ONPN)ランジスタ(43
のベースにそれぞれ接続されている。In the same figure, (the second is the first NPN transistor,
is a constant current source, (43 is the second PNP) transistor, (
The emitter of this transistor (44) is connected to the constant current source (41), and the first collector (44a) is a multi-divided collector type lateral PNP transistor (44).
) is the base of the first NPN transistor υ, and the second collector (44b) is the base of the second ONPN transistor (43
are connected to the base of each.
(aはゲートが一方の入力端子T1に接続されたMO8
形トランジスタ、閣はゲートが他方の入力端子T!に接
続されたMO5形トランジスタ、 (47)は上記MO
8形)?ンジスタ(45) 、 (46)の定電流源で
ある。(a is MO8 whose gate is connected to one input terminal T1
type transistor, the gate is the other input terminal T! (47) is the MO5 type transistor connected to
8 form)? This is a constant current source for the transistors (45) and (46).
t4al 、 (4印はミラー回路を構成するNPN
)ランジスタ、■は2チラルPNP)ランジスタ(44
)のベースに接続されたダイオード、(51)は第1の
NPN )ランジスタ(旬のコレクタが接続された定電
流源で、両者(9)、 t41)の接続点を出力端子T
oに接続しである。t4al, (mark 4 is NPN that constitutes the mirror circuit
) transistor, ■ is 2-chiral PNP) transistor (44
), (51) is a constant current source connected to the base of the transistor (9), t41) is the first NPN transistor, and
It is connected to o.
(支)は電源である。(branch) is the power source.
この回路において、初段のバイアス電流11は。In this circuit, the first stage bias current 11 is:
MO8形トランジスタ(419、(&9のゲート・ソー
ス間電圧を比較的小さい値にして使用しようとすれば、
出力電流I!はど多く流すことはできない。If you try to use MO8 type transistor (419, (&9) with a relatively small gate-source voltage,
Output current I! You can't let it flow too much.
この回路では、NPN)ランジスタ<481 、 (4
Sのベース電流も補正するために、第2のNPN)ラン
ジスタ(431に流す電流Iは、I=1!−1,に設定
するのが最も適している。In this circuit, NPN) transistors <481, (4
In order to also correct the base current of S, it is most suitable to set the current I flowing through the second NPN transistor (431) to I=1!-1.
以上のように、この発明は多分割コレクタ形の2テ2ル
PNP )ランジスタの上記コレクタによって第1およ
び第2のNPN)ジンジスタに電流を流すようにしたか
ら、周波数特性の良い状態で入力バイアス電流を小さく
し得るペース電流補正回路を提供することができる。As described above, this invention allows current to flow through the first and second NPN transistors by the collector of the multi-divided collector type 2-teal PNP resistor, so that the input bias can be maintained in a state with good frequency characteristics. A pace current correction circuit that can reduce current can be provided.
第1図は従来のベース電流補正回路を組み込んだ演算増
幅器を示す電気回路図、第2図はこの発明に係るペース
電流補正回路の一例を示す電気回路図、第8図および第
4図はそれぞれこの発明の具体的な異なる応用例を示す
電気回路図である。
C21) 、 (41)・・・第1のNPN )ランジ
スタ、■、(口・・・定電流源、(2)、 (43)・
・・第2ONPN )ヲンジスタ、(財)、 (441
・・・多分割コレクタ形ラテラルPNP )ランジスタ
、(24a ) + (24as ) + (24a鵞
)、(44λ)・・・第1のコレクタ、(24b)、(
44b)・・・第2のコレクタ。
なお1図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
代理人葛野信−(外1名)
第1図
第3図
第4図FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an operational amplifier incorporating a conventional base current correction circuit, FIG. 2 is an electric circuit diagram showing an example of a pace current correction circuit according to the present invention, and FIGS. 8 and 4 are respectively FIG. 3 is an electrical circuit diagram showing a specific different application example of the present invention. C21), (41)...first NPN) transistor, ■, (mouth...constant current source, (2), (43)...
・・2nd ONPN) Onejista, (Foundation), (441
...Multi-divided collector type lateral PNP) transistor, (24a) + (24as) + (24a), (44λ)...first collector, (24b), (
44b)...Second collector. Note that the same reference numerals in Figure 1 indicate the same or corresponding parts. Agent Makoto Kuzuno (1 other person) Figure 1 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
ランジスタと、第1のNPN )ランジスタのコレクタ
電流とほぼ等しい電流を発生する定電流源をコレクタに
接続した第2のNPN )ランジスタと、第2ONPN
)ランジスタのコレクタにエミッタを接続した多分割
コレクタ形のラテラルPNPトランジスタとを備え、前
記多分割コレクタ形の2チラルPNP )ランジスタの
第1のコレクタを第1のNPN )ランジスタのベース
に接続し、第2のコレクタを第2のNPN )ランジス
タのベースに接続したベース電流補正回路。(1) a first NPN transistor to which an input signal is applied to its base; , 2nd ONPN
) a multi-divided collector type lateral PNP transistor having an emitter connected to the collector of the transistor; A base current correction circuit having a second collector connected to the base of a second NPN transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57128701A JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57128701A JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5917712A true JPS5917712A (en) | 1984-01-30 |
JPS6259487B2 JPS6259487B2 (en) | 1987-12-11 |
Family
ID=14991283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57128701A Granted JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5917712A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5471174A (en) * | 1994-12-05 | 1995-11-28 | Motorola, Inc. | Amplifier having an output stage with bias current cancellation |
JP2007526693A (en) * | 2004-02-27 | 2007-09-13 | アナログ デバイセス インコーポレーテッド | Bipolar differential input stage with input bias current cancellation circuit |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128701A patent/JPS5917712A/en active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5471174A (en) * | 1994-12-05 | 1995-11-28 | Motorola, Inc. | Amplifier having an output stage with bias current cancellation |
JP2007526693A (en) * | 2004-02-27 | 2007-09-13 | アナログ デバイセス インコーポレーテッド | Bipolar differential input stage with input bias current cancellation circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6259487B2 (en) | 1987-12-11 |
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