JPS59172205A - Method of producing resistor - Google Patents

Method of producing resistor

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JPS59172205A
JPS59172205A JP58046288A JP4628883A JPS59172205A JP S59172205 A JPS59172205 A JP S59172205A JP 58046288 A JP58046288 A JP 58046288A JP 4628883 A JP4628883 A JP 4628883A JP S59172205 A JPS59172205 A JP S59172205A
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JP
Japan
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resistor
electron beam
group
mixture
oligomer
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Application number
JP58046288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
洋 長谷川
村川 哲
幸博 島崎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子部品用抵抗体の製造方法に係り、特に有機
嘆樹中に導電性粉末を分散させてなるレジン系の抵抗体
の製造方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a resistor for electronic components, and more particularly to a method for manufacturing a resin-based resistor made by dispersing conductive powder in an organic resin. It is.

従来例の構成とその問題点 従来より電子部品用抵抗体は単体まだは印刷抵抗体の形
で、固定または可変抵抗器として使用さ37、・−− れてきた。
Conventional configurations and their problems Hitherto, resistors for electronic components have been used either as a single resistor or in the form of a printed resistor, either as a fixed resistor or as a variable resistor.

従来のこれらの抵抗体は、主として熱硬化性樹脂中に金
属、カーボンブランクまだはグラファイト粉末を、必要
により無機充填剤と共に分散させ、加熱硬化して製造し
てきた。
These conventional resistors have mainly been manufactured by dispersing metal, carbon blank, or graphite powder in a thermosetting resin, along with an inorganic filler if necessary, and curing the resin by heating.

とのだめ、これらの抵抗体の製造に際しては高温、長時
間を要し、さらにフェノール樹脂基板」二等の有機基体
」−に抵抗体を積層する場合は、基体の加熱劣化を生じ
、抵抗体特性の劣化につながる欠点を有していた。
However, manufacturing these resistors requires high temperatures and a long time, and when the resistor is laminated on a phenolic resin substrate (a second-class organic substrate), the substrate deteriorates due to heating and the resistor characteristics deteriorate. It had the disadvantage of leading to deterioration.

発明の目的 本発明はこのような従来の欠点を解決するもので、従来
のような高温、長時間を要せずに高信頼性の抵抗体を製
造する方法を提供することを目的とするものである。
Purpose of the Invention The present invention solves these conventional drawbacks, and aims to provide a method for manufacturing highly reliable resistors without requiring high temperatures and long periods of time as in the conventional method. It is.

発明の構成 この目的を達成するために本発明は、電子線硬化可能な
モノマまたはオリゴマ丑たはそれらの混合物中に導電性
粉体を分散してなる組成物に電子線を照射して抵抗体を
製造するものである。
Structure of the Invention In order to achieve this object, the present invention provides a resistor by irradiating a composition comprising conductive powder dispersed in an electron beam curable monomer or oligomer or a mixture thereof with an electron beam. It manufactures.

なお、上記組成物は上記組成のみで抵抗体単体として使
用することもできるが、溶剤中に溶解して抵抗インキと
して塗布、乾燥後電子線照することもできる。上記組成
の抵抗体組成物の採用により、従来の熱硬化タイプの抵
抗体においては最低数分々いし数時間を要していた硬化
時間が、実施例に述べるように1秒以下の照射で完結し
、著しい省エネルギー、省スペースを計ることができる
と共に、抵抗体特性を向」ニさせることができるもので
ある。
The above composition can be used alone as a resistor, but it can also be dissolved in a solvent and applied as a resistance ink, dried and then irradiated with electron beams. By adopting the resistor composition with the above composition, the curing time, which used to take at least several minutes to several hours for conventional thermosetting type resistors, can be completed with irradiation in less than 1 second, as described in the examples. This allows significant energy and space savings to be achieved, as well as improved resistor characteristics.

本発明に使用される電子線硬化可能なモノマとしては、
構造中に少なくとも1個のアクリル基。
The electron beam curable monomer used in the present invention includes:
At least one acrylic group in the structure.

メタクリル基捷たはアリル基を含有する化合物を挙げる
ことができる。具体的には、メタクリル酸メチル、メタ
クリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸
ブチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等の各種メタク
リル酸エステル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル
、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸
ヒドロキシチェル等の各種アクリル酸エステル、エチレ
ン5 /ε−一・ グリコール、ジエチレングリコール、ヘキサンジオール
、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等多
価アルコールのアクリル酸またはメタクリル酸エステル
、アリルアルコール、ジアリルアジペート、ジアリルフ
タレート等のアリル化合物を挙げることができる。
Compounds containing a methacrylic group or an allyl group may be mentioned. Specifically, various methacrylic acid esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, and hydroxyethyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, and acrylic acid. Various acrylic esters such as hydroxychel, acrylic or methacrylic esters of polyhydric alcohols such as ethylene 5/ε-1 glycol, diethylene glycol, hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, allyl alcohol, diallyl adipate, diallyl phthalate, etc. Allyl compounds can be mentioned.

電子線硬化可能なオリゴマとしては、エポキシ樹脂中の
エポキシ基とアクリル酸またはメタクリル酸とを反応さ
せた、所謂エポキシアクリレートまだはエポキシメタク
リレート、低分子量ポリエステル主鎖の両末端および時
とし主鎖中にアクリル基、メタクリル基またはアリル基
を有するオリゴエステルアクリレート、オリゴエステル
メタクリレートまたはオリゴエステルアリレート、ウレ
タンアクリレート、ウレタンアソレート、低重合度ジア
リルフタレート樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド低
縮合物、低重合度ジアリルフタレート樹脂、フェノール
−ホルムアルデヒド低縮合物。
Examples of oligomers that can be cured with electron beams include so-called epoxy acrylate, which is produced by reacting epoxy groups in an epoxy resin with acrylic acid or methacrylic acid; Oligoester acrylate, oligoester methacrylate or oligoester arylate, urethane acrylate, urethane asolate, low polymerization degree diallyl phthalate resin, phenol-formaldehyde low condensate, low polymerization degree diallyl phthalate resin, having an acrylic group, methacrylic group or allyl group, Phenol-formaldehyde low condensate.

ビスフェノール−ホルムアルデヒド低縮合物およびその
誘導体、捷たけトリアジン構造を有する低1 重合体およびその誘導体などを挙げることができる。
Examples include bisphenol-formaldehyde low condensates and derivatives thereof, low 1 polymers having a precipitated triazine structure, and derivatives thereof.

これらのモノマおよびオリゴマは、単独で寸たけ目的に
応じて各種混合して使用することができる。
These monomers and oligomers can be used alone or in various combinations depending on the purpose.

導電性粉体としては、従来公知のものを使用することが
できる。例えば、銀粉、銅粉、その他の金属粉、ケイ化
モリブデン等の金属ケイ化物、二酸化スズ等の金が酸化
物、炭化チタン等の金属炭化物、窒化チタン等の金属窒
化物、各種カーボンブラック捷たはグラファイト等の粉
末がある。
As the conductive powder, conventionally known ones can be used. For example, silver powder, copper powder, other metal powders, metal silicides such as molybdenum silicide, gold oxides such as tin dioxide, metal carbides such as titanium carbide, metal nitrides such as titanium nitride, and various carbon blacks. There are powders such as graphite.

これら導電性粉末は単独で、捷たけ各種混合して上記モ
ノマまたはオリゴマと混合、混練して成形し、呼たけ溶
媒を加えてインキとして基体上に積層した後、電子線を
照射して抵抗体とする。
These conductive powders can be used individually, mixed in various ways, mixed with the monomers or oligomers mentioned above, kneaded, molded, added with a solvent and laminated on a substrate as an ink, and then irradiated with an electron beam to form a resistor. shall be.

実施例の説明 以下、具体的実施例により説明する。Description of examples This will be explained below using specific examples.

(実施例1) エポキシアクリレート(ビスフェノールA1モルとエピ
クロルヒドリン2モルから得られるエボ7 ベージ キシ樹脂1モルにアクリル酸2モルを反応させたもの)
7og、炭素微粉末30gおよびエチルセロソルブso
、9を混合した後、三本ロールミルで混練して抵抗イン
キを作成した。本抵抗インキを紙−フェノール樹脂基板
(以下ベーク板と妃す)−1−に塗布、乾燥した後、1
65に■の加速電圧の電子線を10Mrad照射して抵
抗体を製造した。15cmの長さを照射するに要しだ時
間は0.05秒であった。
(Example 1) Epoxy acrylate (reacted with 2 moles of acrylic acid and 1 mole of EVO 7 base resin obtained from 1 mole of bisphenol A and 2 moles of epichlorohydrin)
7og, carbon fine powder 30g and ethyl cellosolve so
, 9 were mixed and then kneaded in a three-roll mill to prepare a resistance ink. After applying this resistive ink to a paper-phenolic resin substrate (hereinafter referred to as baking board)-1- and drying it,
65 was irradiated with an electron beam of 10 Mrad at an acceleration voltage of 1 to produce a resistor. The time required to irradiate a length of 15 cm was 0.05 seconds.

ここに得られた抵抗体は、約1にΩ/口の面積抵抗値を
有し、40℃、95%の耐溝試験および85℃の耐熱試
験1000時間において、それぞれ2.5係および−4
,5%の変化を示すに止った。
The resistor obtained here has a sheet resistance value of about 1 Ω/hole, and a coefficient of 2.5 and -4 in a groove resistance test of 95% at 40°C and a heat resistance test of 1000 hours at 85°C, respectively.
, it showed only a 5% change.

比較のため現在、通常使用されている熱硬化型抵抗体(
フェノール系樹脂使用)についても、同試験を行ったと
ころ、それぞれ、5.5%および−4,5係の変化を示
した。
For comparison, the thermosetting resistor (
When the same test was conducted for the phenolic resins (using phenolic resins), they showed changes of 5.5% and -4 and -5 factors, respectively.

(実施例2) ビスフェノールA1モルにアクリル酸2モル反応させて
得られるオリゴマ56g、メタクリル酸メチル14g、
炭素微粉末30gおよびメチルエチルケトン709をポ
ットミル中でよく混合分散して抵抗インキを製造した。
(Example 2) 56 g of oligomer obtained by reacting 1 mole of bisphenol A with 2 moles of acrylic acid, 14 g of methyl methacrylate,
A resistance ink was prepared by thoroughly mixing and dispersing 30 g of carbon fine powder and methyl ethyl ketone 709 in a pot mill.

本抵抗インキをべ一り板上に塗布、乾燥の後5Mrad
の電子線を照射して抵抗体を製造した。
This resistance ink was applied on a plate, and after drying it was 5 Mrad.
A resistor was manufactured by irradiating it with an electron beam.

ここに得られた抵抗体は約1.5にΩ/口の抵抗値を示
し、耐湿および耐熱試験においてそれぞれ1.6係およ
び−9,7係の変化を示した。
The resistor obtained here exhibited a resistance value of about 1.5 Ω/mouth, and showed changes of 1.6 and -9.7 in the moisture resistance and heat resistance tests, respectively.

(実施例3) ジアリルフタレートプレポリマ56g、ジアリルフタレ
ートモノマ1a9 、カーボン粉末30gおよびイソホ
ロン50gを混合後、三本ロールミルで混練して抵抗イ
ンキを製造した。本抵抗インキをベーク板上に塗布、乾
燥後、50Mradの電子線を照射して抵抗体を製造し
た。
(Example 3) 56 g of diallyl phthalate prepolymer, diallyl phthalate monomer 1a9, 30 g of carbon powder, and 50 g of isophorone were mixed and then kneaded in a three-roll mill to produce a resistance ink. This resistive ink was applied onto a baking plate, dried, and then irradiated with an electron beam of 50 Mrad to produce a resistor.

ここに得られた抵抗体は、約1にΩ/口の抵抗値を示し
、耐熱および耐湿試験において、それぞれ−8,5%お
よび4.6係の変化を示した。
The resistor obtained here exhibited a resistance value of approximately 1 Ω/hole, and exhibited changes of -8.5% and 4.6% in heat resistance and moisture resistance tests, respectively.

(実施例4) 実施例3において、ジアリルフタレートモノマ9 ベー
゛ に代えて、ペンタエリスリトールトリメタクリレート4
gおよびジエチレングリコールジメタクリレート10g
を用いた場合は30Mradの電子線照射で実施例3と
同等の性能を有する抵抗体が得られた。
(Example 4) In Example 3, pentaerythritol trimethacrylate 4 was used instead of diallylphthalate monomer 9
g and diethylene glycol dimethacrylate 10 g
When using 30 Mrad electron beam irradiation, a resistor having performance equivalent to that of Example 3 was obtained.

(実施例6) ビスフェノールへ−ホルマリン縮合物誘導体溶液(特公
昭44−6308号公報に記載)100g。
(Example 6) 100 g of bisphenol-formalin condensate derivative solution (described in Japanese Patent Publication No. 44-6308).

ビスフェノールAジアクリレート10g、カーボン微粉
末30gを混合の後、三本ロールミルで混練して抵抗イ
ンキを製造した。本抵抗インキをベーク板上に塗布、乾
燥の後、50Mradの電子線を照射して作った抵抗体
は、5o○Ω/口の抵抗値を有し、鉛筆硬度で9H以上
を示し、極めて硬い抵抗体であった。本抵抗体は耐湿、
耐熱試験でそれぞれ3.5% 、−3,5%の変化を示
した。
After mixing 10 g of bisphenol A diacrylate and 30 g of fine carbon powder, the mixture was kneaded in a three-roll mill to produce a resistance ink. The resistor made by applying this resistive ink on a baking plate, drying, and irradiating it with an electron beam of 50 Mrad has a resistance value of 5 o○ Ω/hole, shows a pencil hardness of 9H or more, and is extremely hard. It was a resistor. This resistor is moisture resistant.
The heat resistance test showed changes of 3.5% and -3.5%, respectively.

(実施例6) レゾール型フェノールホルマリン縮金物メタノール70
係溶液70g、ヘキサンジオールジアクリレート14g
、)リメチロールプロパントメタ1゜ クリレート7gおよびカーボン微粉末3ogにエチルセ
ロソルブF50gを混合し、三本ロールミルで混練して
抵抗インキを製造した。本抵抗インキをベーク板に塗布
、乾燥後、50Mradの電子線を照射して作った抵抗
体は約1にΩ/口の抵抗値を有し、9H以上の鉛筆硬度
を示した。本抵抗体は耐7昇、耐熱試験でそれぞれ5.
0%および−9,5%の変化を示した。
(Example 6) Resol type phenol-formalin condensate methanol 70
70g of related solution, 14g of hexanediol diacrylate
,) 50 g of ethyl cellosolve F was mixed with 7 g of limethylol propane meth 1° acrylate and 3 og of fine carbon powder, and kneaded in a three-roll mill to produce a resistance ink. A resistor made by applying this resistive ink on a baking plate, drying, and irradiating it with an electron beam of 50 Mrad had a resistance value of about 1 Ω/hole and a pencil hardness of 9H or more. This resistor has a resistance rating of 7.5 in the heat resistance test and a 5.5 in the heat resistance test.
It showed a change of 0% and -9.5%.

(実施例7) トリアジン樹脂エポキシ変性品(三菱ガス化学■商品名
BT−2160)28g、オリゴエステルアクリレート
(東亜合成化学■商品名アロニクス)36g、N、N−
ジメチルアミノエチルメタクリレート7g、カーボン微
粉末30gおよびシクロヘキサノン50gを混合し、三
本ロールミルで混練して作った抵抗インキをベーク板上
に塗布、乾燥後、30M r a dの電子線を照射し
て作った抵抗体は約1にΩ/口の抵抗値を示し、9H以
上の鉛筆硬度を有する硬いものであった。この抵抗体は
、耐湿、耐熱試験においてそれぞれ、3.5%。
(Example 7) Triazine resin epoxy modified product (Mitsubishi Gas Chemical ■Product name BT-2160) 28g, oligoester acrylate (Toagosei Chemical ■Product name Aronix) 36g, N, N-
A resistance ink made by mixing 7 g of dimethylaminoethyl methacrylate, 30 g of fine carbon powder, and 50 g of cyclohexanone and kneading it in a three-roll mill was applied on a baking plate, dried, and then irradiated with an electron beam of 30 M r a d. The resistor had a resistance value of approximately 1 Ω/hole and was hard with a pencil hardness of 9H or more. This resistor has a moisture resistance test and a heat resistance test of 3.5%.

11バーび −7,5チの変化を示した0 (実施例8) 実施例1においてカーボン微粉末に代えて平均直径5μ
のグラファイト粉末を使用し、電子線照射量を20Mr
adとした場合は面積抵抗値3にΩ/口の抵抗体を得た
。この抵抗体は耐湿、耐熱試験においてそれぞれ15%
、 −3,0%の変化を示した0(実施例9) エポキシアクリレート20g、銀粉80gおよびジエチ
レングリコールジブチルエーテル100gを混合後三本
ロールミルで混練して抵抗インキを製造した。本抵抗イ
ンキはベーク板上に塗布、乾燥後50Mradの電子照
射により硬化して0.1Ω/口の抵抗値を示し、導電イ
ンキとしての使用が可能であった。
(Example 8) In Example 1, instead of carbon fine powder, an average diameter of 5μ was used.
graphite powder, and the electron beam irradiation amount was 20Mr.
In the case of ad, a resistor with a sheet resistance value of 3 and Ω/hole was obtained. This resistor has a moisture resistance test and a heat resistance test of 15% each.
, -3.0% change (Example 9) 20 g of epoxy acrylate, 80 g of silver powder, and 100 g of diethylene glycol dibutyl ether were mixed and kneaded in a three-roll mill to produce a resistance ink. This resistive ink was applied on a baking plate, dried, and then cured by electron irradiation at 50 Mrad to exhibit a resistance value of 0.1 Ω/hole, and could be used as a conductive ink.

(実施例1o) 実施例8において銀粉に代れて直径0.2μの二酸化ス
ズ粉末を使用した場合は5にΩ/口の抵抗値を示しだ。
(Example 1o) When tin dioxide powder with a diameter of 0.2 μm was used in place of silver powder in Example 8, the resistance value of Ω/mouth was shown in 5.

(実施例11) 実施例8において銀粉に代えて直径1μの窒化チタン粉
末を用いた場合は60Ω/口の抵抗値を示した0 (実施例12) 実施例8において、銀粉に代えて直径1μの炭化チタン
を用いた場合は15Ω/口の抵抗値を示した。
(Example 11) In Example 8, when titanium nitride powder with a diameter of 1 μm was used instead of silver powder, a resistance value of 60 Ω/mouth was shown. When titanium carbide was used, the resistance value was 15Ω/mouth.

(実施例13) 実施例8において、銀粉に代えて直径I IIのホウ化
チタンを用いた場合は25にΩ/n7)抵抗値を示しだ
(Example 13) In Example 8, when titanium boride having a diameter of III was used instead of silver powder, the resistance value was 25Ω/n7).

(実施例14) 低重合度ポリウレタンの両末端をアクリレート化したウ
レタンアクリレート(デソート社商品名デソライト:5
0%MEK溶液)140g、カーボン微粉末30.!9
 、シクロヘキサノン60gを混合し、三本ロールミル
で混練して抵抗インキを製造した。
(Example 14) Urethane acrylate obtained by acrylating both ends of low polymerization degree polyurethane (Desoto Co., Ltd. trade name: Desolite: 5)
0% MEK solution) 140g, fine carbon powder 30. ! 9
and 60 g of cyclohexanone were mixed and kneaded in a three-roll mill to produce a resistance ink.

本抵抗インキを厚さ100μのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に塗布、乾燥し、30M r a d1
3ペーS゛ の電子線を照射して抵抗体を製造した。本抵抗体は可と
う性にすぐれ、20にΩ/口の抵抗値を有し、耐湿、耐
熱試験においてそれぞれ−10,0係。
This resistive ink was applied onto a polyethylene terephthalate film with a thickness of 100μ, dried, and 30M r a d1.
A resistor was manufactured by irradiating it with an electron beam of 3 pages S. This resistor has excellent flexibility, has a resistance value of 20 Ω/mouth, and has a resistance of -10 and 0 in humidity and heat resistance tests, respectively.

3.3%の変化を示した。It showed a change of 3.3%.

発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明によれば、従来熱
硬化型のみが使用されてきたレジン系抵抗体に代えて、
電子線硬化可能なモノマ、オリゴマまたはそれらの混合
物に導電性粉末を分散させた系を用いて電子線照射する
ことにより、省エネルギー、省スペースにすぐれ、かつ
抵抗体特性にすぐれた抵抗体を製造できる製造方法を得
ることができ、産業上の効果の大なるものがある。
Effects of the Invention As is clear from the above explanation, according to the present invention, instead of a resin-based resistor, which has conventionally been only a thermosetting type,
By using a system in which conductive powder is dispersed in an electron beam-curable monomer, oligomer, or a mixture thereof and irradiating it with electron beams, it is possible to manufacture a resistor that is energy-saving, space-saving, and has excellent resistor characteristics. A manufacturing method can be obtained, which has great industrial effects.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電子線硬化可能なモノマまだはオリゴマまだはそ
れらの混合物中に導電性粉体を分散してなる導電性組成
物に電子線を照射して製造することを特徴とする抵抗体
の製造方法。
(1) Manufacture of a resistor, characterized in that it is produced by irradiating a conductive composition made by dispersing conductive powder in an electron beam curable monomer, oligomer, or mixture thereof with an electron beam. Method.
(2)導電性粉体が、金属、金属ケイ化物、金属酸化物
、金属炭化物、金属窒化物、カーボンブラック、グラフ
ァイト単独またはそれらの混合物であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の抵抗体の製造方法。
(2) According to claim 1, the conductive powder is a metal, metal silicide, metal oxide, metal carbide, metal nitride, carbon black, graphite alone or a mixture thereof. Method for manufacturing the resistor described.
(3)電子線硬化可能なモノマが構造中に少なくとも1
個のアクリル基、メタクリル基またはアリル基を含有す
る化合物またはそれらの混合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の抵抗体の製造方法。
(3) At least one electron beam curable monomer is present in the structure.
The method for producing a resistor according to claim 1, wherein the resistor is a compound containing an acrylic group, a methacrylic group, or an allyl group, or a mixture thereof.
(4)電子線硬化可能なオリゴマが構造中に少くとも1
個のアクリル基、メタクリル基または了りル基を含有す
る化合物の低重合体またはそれらの混合物であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の抵抗体の製造
方法。
(4) At least one oligomer that can be cured by electron beam is present in the structure.
2. The method for producing a resistor according to claim 1, wherein the resistor is a low polymer of a compound containing an acrylic group, a methacrylic group, or an aryol group, or a mixture thereof.
(5)電子線硬化可能なオリゴマがフェノール−ホルム
アルデヒド低縮合物、ビスフェノールA−ホルマリン低
縮合物才たはそれらの誘導体であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の抵抗体の製造方法。
(5) The resistor according to claim 1, wherein the electron beam curable oligomer is a phenol-formaldehyde low condensate, a bisphenol A-formalin low condensate, or a derivative thereof. Production method.
(6)電子線硬化可能なオリゴマが構造中にトリアジン
環を有する低重合体またはその誘導体であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の抵抗体の製造方法
(6) The method for manufacturing a resistor according to claim 1, wherein the electron beam curable oligomer is a low polymer having a triazine ring in its structure or a derivative thereof.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118102A (en) * 1984-07-04 1986-01-27 アルプス電気株式会社 Slide resistant resistor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118102A (en) * 1984-07-04 1986-01-27 アルプス電気株式会社 Slide resistant resistor

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