JPS59172190A - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents
磁気バブルメモリチツプInfo
- Publication number
- JPS59172190A JPS59172190A JP58045936A JP4593683A JPS59172190A JP S59172190 A JPS59172190 A JP S59172190A JP 58045936 A JP58045936 A JP 58045936A JP 4593683 A JP4593683 A JP 4593683A JP S59172190 A JPS59172190 A JP S59172190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- diameter
- magnetic field
- height
- bubbles
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリチップに関するものである。
第１図は一般の磁気バブルメモリチップの構成図である
。図において、ｍは磁気バブル（以下バブルと称す）に
よる情報を貯えるマイナルーブ、ＲＭＬｉｌｊ読み出し
情報を転送するリードトラック−ｗＭＬｕ書き込み情報
を転送するライトトラック、Ｄは転送されてきたバブル
を読み出す検出器、Ｇはバブルを書き込む発生器、Ｒは
マイナループｍの情報をリードトラックＲＭＬに複写す
るレプリケートゲート、ＳはライトトラックＷＭＬ上の
情報をマイナループｍ中の情報と入れ換えるスワップゲ
ートである。
。図において、ｍは磁気バブル（以下バブルと称す）に
よる情報を貯えるマイナルーブ、ＲＭＬｉｌｊ読み出し
情報を転送するリードトラック−ｗＭＬｕ書き込み情報
を転送するライトトラック、Ｄは転送されてきたバブル
を読み出す検出器、Ｇはバブルを書き込む発生器、Ｒは
マイナループｍの情報をリードトラックＲＭＬに複写す
るレプリケートゲート、ＳはライトトラックＷＭＬ上の
情報をマイナループｍ中の情報と入れ換えるスワップゲ
ートである。
従来の磁気バブルメモリチップにおいては、使用するバ
ブル径が１．５〜２μｍ程度に微小化し、マイナループ
を構成する転送パターンの基本要素の周期が６〜８μｍ
程度に高密度化すると、バブル転送特性が不安定にな）
、実用上十分なバイアス磁界マージンが得ら糺表くなる
という問題がある。
ブル径が１．５〜２μｍ程度に微小化し、マイナループ
を構成する転送パターンの基本要素の周期が６〜８μｍ
程度に高密度化すると、バブル転送特性が不安定にな）
、実用上十分なバイアス磁界マージンが得ら糺表くなる
という問題がある。
第２図はマイナループのバブル密度ρとバイアス磁界マ
ージン幅ΔＨＢとの関係を示すグラフであシ、マイナル
ープにバブルをどんどん書き込んでいったときのバイア
ス磁界マージン幅の変化を示している。ここで、バブル
密度が１００％ということは、マイナループの全ループ
、全番地にバブルがつめ込まれた状態（フルロード）で
ある。
ージン幅ΔＨＢとの関係を示すグラフであシ、マイナル
ープにバブルをどんどん書き込んでいったときのバイア
ス磁界マージン幅の変化を示している。ここで、バブル
密度が１００％ということは、マイナループの全ループ
、全番地にバブルがつめ込まれた状態（フルロード）で
ある。
この図から明らかなように、バブル密度ρが小さいとき
はバイアス磁界マージンΔＨＢＦｉ十分めるが、バブル
密度ρが大きくなるとバイアス磁界マージンΔＨａは減
少してくる。ρが１００％のときはΔＨＢは通常使用時
に対して半減し、実用上不十分な値まで低下してしまう
。
はバイアス磁界マージンΔＨＢＦｉ十分めるが、バブル
密度ρが大きくなるとバイアス磁界マージンΔＨａは減
少してくる。ρが１００％のときはΔＨＢは通常使用時
に対して半減し、実用上不十分な値まで低下してしまう
。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであシ、マ
イナループのバブル密度を大きくしてもバイアス磁界マ
ージン幅の大幅な低下がなく安定に動作するような磁気
バブルメモリチップを提供することを目的とする。
イナループのバブル密度を大きくしてもバイアス磁界マ
ージン幅の大幅な低下がなく安定に動作するような磁気
バブルメモリチップを提供することを目的とする。
本発明はこのような目的を達成するために、径が２μｍ
以下のバブルを用いる場合、バブル径ｄと背の高さｈを
ｈ／ｄ≦０．８の関係にしたものである。
以下のバブルを用いる場合、バブル径ｄと背の高さｈを
ｈ／ｄ≦０．８の関係にしたものである。
以下、本発明を実施例によシ詳細に説明する。
第２図において、バブル密度を大きくするとバイアス磁
界マージン幅が減少するのは、バブル間の相互干渉によ
るためである。したがって、バブル密度を大きくしたと
きのバブル間の相互干渉を少なくすればよいことになる
。このためには、使用するバブルの背の高さを相対的に
低くすればよいＯ 第３図（ａ）Ｈ従来用いられていたバブルの斜視図であ
、す、バブルの背の高さｈはバブルの径（直径）ｄと同
程度であった。これに対して、第３図（ｂｌは本発明に
よるバブルの企（親図であり、ｈが相対的に低く便平的
な形状になＪ、ｄ）ｈの関係にある。
界マージン幅が減少するのは、バブル間の相互干渉によ
るためである。したがって、バブル密度を大きくしたと
きのバブル間の相互干渉を少なくすればよいことになる
。このためには、使用するバブルの背の高さを相対的に
低くすればよいＯ 第３図（ａ）Ｈ従来用いられていたバブルの斜視図であ
、す、バブルの背の高さｈはバブルの径（直径）ｄと同
程度であった。これに対して、第３図（ｂｌは本発明に
よるバブルの企（親図であり、ｈが相対的に低く便平的
な形状になＪ、ｄ）ｈの関係にある。
第４図は本発明に係る磁気バブルメモリチップの一実施
例におけるバブルの背の高さくｈ／ｄ）とバイアス磁界
マージン幅ΔＨＢとの関係を示すグラフである。バブル
径１．５μｍのバブルを用いて、マイナルーブのバブル
密度ρヲ１００％にした場合の特性を示してあり、この
図から明らかなように、ｈ／ｄが０．８より小さい範囲
で実用上十分な値の大きなバイアス磁界マージン幅ΔＨ
Ｂが得られる。
例におけるバブルの背の高さくｈ／ｄ）とバイアス磁界
マージン幅ΔＨＢとの関係を示すグラフである。バブル
径１．５μｍのバブルを用いて、マイナルーブのバブル
密度ρヲ１００％にした場合の特性を示してあり、この
図から明らかなように、ｈ／ｄが０．８より小さい範囲
で実用上十分な値の大きなバイアス磁界マージン幅ΔＨ
Ｂが得られる。
以上説明したように、本発明に係る磁気パプルメモリメ
ツプによると、バブルを扁平状にしたためにバブル間の
干渉が小さくなり、マイナループのパズル密度を大きく
しても十分な大きさのバイアス磁界マージン幅を得るこ
とができ、動作の安３一 定性を向上できる効果がある。
ツプによると、バブルを扁平状にしたためにバブル間の
干渉が小さくなり、マイナループのパズル密度を大きく
しても十分な大きさのバイアス磁界マージン幅を得るこ
とができ、動作の安３一 定性を向上できる効果がある。
第１図は一般の磁気バブルメモリチップの構成図、第２
図は従来のチップに訃けるバブル密度ρとバイアス磁界
マージン幅ΔＨＢとの関係を示す図、第３図（ａ）は従
来のチップに用い九バブルの斜視図、第３図（ｂ）は本
発明のチップに用いるバブルの斜視図、第４図は本発明
に係る磁気バブルメモリチップの一実施例におけるバブ
ルの背の高さくｈ／ｄ）とバイアス磁界マージン幅ΔＨ
Ｂの関係を示す図である。 ｍ・・・拳マイナループ、ＲＭＬ−・・・リードトラッ
ク、ＷＭＬ−・・−ライトトラック、Ｄ・・・・検出器
、Ｇ・争ｅ・発生器、Ｒ・・・・レプリケートゲート、
Ｓ−・・・スワップゲート、ｄφ・・−バブルの径、ｈ
＠Φ−・バブルの背の高さ。 ４− 第２図 （Ｏｅ） ０ ２０ ４０ 印
８０ １００マ４ナル−プへゲル蛮度Ｊ）（％） 第３図 （０） （ｂ）第４図 八 イ ４０ ア
１人
Ｉ硫 ３０ 界 １７
２０ ｌ：、１ ン
１〉
１幅 １０１ ＡＩ−１ａ
！０
０５ ０．７５＼０，８ ＋、。
図は従来のチップに訃けるバブル密度ρとバイアス磁界
マージン幅ΔＨＢとの関係を示す図、第３図（ａ）は従
来のチップに用い九バブルの斜視図、第３図（ｂ）は本
発明のチップに用いるバブルの斜視図、第４図は本発明
に係る磁気バブルメモリチップの一実施例におけるバブ
ルの背の高さくｈ／ｄ）とバイアス磁界マージン幅ΔＨ
Ｂの関係を示す図である。 ｍ・・・拳マイナループ、ＲＭＬ−・・・リードトラッ
ク、ＷＭＬ−・・−ライトトラック、Ｄ・・・・検出器
、Ｇ・争ｅ・発生器、Ｒ・・・・レプリケートゲート、
Ｓ−・・・スワップゲート、ｄφ・・−バブルの径、ｈ
＠Φ−・バブルの背の高さ。 ４− 第２図 （Ｏｅ） ０ ２０ ４０ 印
８０ １００マ４ナル−プへゲル蛮度Ｊ）（％） 第３図 （０） （ｂ）第４図 八 イ ４０ ア
１人
Ｉ硫 ３０ 界 １７
２０ ｌ：、１ ン
１〉
１幅 １０１ ＡＩ−１ａ
！０
０５ ０．７５＼０，８ ＋、。
Claims (1)
- 径が２μｍ以下の磁気バブルを用いた高密度形の磁気バ
ブルメモリチップにおいて、磁気パズルの径をｄ、背の
高さｔ−ｈとしたとき、ｈ／ｄ≦０．８に設定された磁
気バブルメモリチップ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045936A JPS59172190A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 磁気バブルメモリチツプ |
| US06/590,869 US4617644A (en) | 1983-03-22 | 1984-03-19 | High-density magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045936A JPS59172190A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 磁気バブルメモリチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172190A true JPS59172190A (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=12733153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045936A Pending JPS59172190A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 磁気バブルメモリチツプ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4617644A (ja) |
| JP (1) | JPS59172190A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4070658A (en) * | 1975-12-31 | 1978-01-24 | International Business Machines Corporation | Ion implanted bubble propagation structure |
| US4237544A (en) * | 1978-11-15 | 1980-12-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic memory organization |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58045936A patent/JPS59172190A/ja active Pending
-
1984
- 1984-03-19 US US06/590,869 patent/US4617644A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4617644A (en) | 1986-10-14 |
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