JPS59171096A - Magnetic bubble memory device - Google Patents
Magnetic bubble memory deviceInfo
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- JPS59171096A JPS59171096A JP58045482A JP4548283A JPS59171096A JP S59171096 A JPS59171096 A JP S59171096A JP 58045482 A JP58045482 A JP 58045482A JP 4548283 A JP4548283 A JP 4548283A JP S59171096 A JPS59171096 A JP S59171096A
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- magnetic bubble
- bubble memory
- memory device
- data
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置の改良に関するものであ
り、特に、磁気バブルモジニールの検査機能を有する磁
気バブルメモリ装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a magnetic bubble memory device, and particularly to a magnetic bubble memory device having a magnetic bubble module testing function.
一般的な磁気バブルメモリ装置の構成を第1図に示す。FIG. 1 shows the configuration of a general magnetic bubble memory device.
一般に磁気バブルメモリ装置100は1個以上(第1図
では2個)の磁気バブルモジ−一ル104,105と磁
気バブルモジュールを動作させる各種の電流波形を発生
させバブル信号をデジタル信号に変換する直接周辺回路
103と電流波形の発生タイミングや読み出しデータ、
書き込みデータ等の転送をコントロールする制御回路1
02から構成される。In general, the magnetic bubble memory device 100 includes one or more (two in FIG. 1) magnetic bubble modules 104, 105 and a direct converter that generates various current waveforms to operate the magnetic bubble modules and converts bubble signals into digital signals. Peripheral circuit 103, current waveform generation timing, read data,
Control circuit 1 that controls transfer of write data, etc.
Consists of 02.
磁気バブルメモリ装置の一般的な動作を以下に説明する
。磁気バブルメモリ装置は通常あるシステムの外部記憶
装置として使用される。システムの主装置101から磁
気バブルモジュール104゜105にデータを書き込む
ときには主装置101から磁気バブルメモリ装置を選択
する信号107を送シ特定の磁気バブルメモリ装置10
0を選択してからデータバス106を介して命令、バブ
ルアドレス、データザイズ等を制御回路102に送る。The general operation of the magnetic bubble memory device will be described below. Magnetic bubble memory devices are commonly used as external storage in some systems. When writing data from the main unit 101 of the system to the magnetic bubble modules 104 and 105, the main unit 101 sends a signal 107 for selecting a magnetic bubble memory device to a specific magnetic bubble memory device 10.
After selecting 0, the command, bubble address, data size, etc. are sent to the control circuit 102 via the data bus 106.
制御回路には、これらの情報を一時的に記憶する手段を
有しておシ、主装置101より送られた情報は一時記憶
部に格納される。制御回路102では主装置から送られ
た命令が書き込み命令であると判断すると、データバス
106を介して主装v101よυ書き込みデータを取シ
込む。制御回路102はバブルを動作させるに必要な電
流パルスのタイミングを直接周辺回路103に信号線1
08.111を介して送る。直接周辺回路103は制御
回路102よシ送られてきたタイミングで引き込み動作
の電流パルスを発生させ信号線110を通して磁気バブ
ルモジュール104,105にデータを1゛き込む。The control circuit has means for temporarily storing this information, and the information sent from the main device 101 is stored in the temporary storage section. When the control circuit 102 determines that the command sent from the main device is a write command, it receives write data from the main device v101 via the data bus 106. The control circuit 102 directly transmits the timing of the current pulse necessary to operate the bubble to the peripheral circuit 103 via the signal line 1.
Send via 08.111. The direct peripheral circuit 103 generates a current pulse for a pull-in operation at the timing sent from the control circuit 102, and writes data into the magnetic bubble modules 104 and 105 through the signal line 110.
また磁気バブルメモリ装置から主装置に磁気バブルモジ
ュールよシデータを読み出す時には主装置101から磁
気バブルメモリ装置を選択する信号を107を通して送
り特定の磁気バブルメモリ装置100を選択してからデ
ータバス106を介して命令、バブルアドレス、データ
ザイズ等を制御回路102の一時記憶部に格納する。制
御回路102では主装置101から送られた命令が読み
出し命令であると判断すると、制御回路102より電流
パルスのタイミングを直接周辺回路に信号線108を通
して送る。直接周辺回路103は制御回路102より送
られてきたタイミングで読み出し動作の電流パルスを発
生させ信号線110を通して磁気バブルモジュール10
4,105を駆動する。この時磁気バブルモジュール1
04,105で発生したバブル信号は信号線112を通
して直接周辺回路103に送られ増巾されデジタル信号
に変換される。バブル信号は信号線109を通して制御
回路】02に送られ適当なタイミングで主装置101に
送られる。Further, when reading data from a magnetic bubble module from a magnetic bubble memory device to the main device, a signal for selecting a magnetic bubble memory device is sent from the main device 101 through 107, and after selecting a specific magnetic bubble memory device 100, a signal is sent via the data bus 106. The command, bubble address, data size, etc. are stored in the temporary storage section of the control circuit 102. When the control circuit 102 determines that the command sent from the main device 101 is a read command, the control circuit 102 directly sends the timing of the current pulse to the peripheral circuit through the signal line 108. The direct peripheral circuit 103 generates a current pulse for the read operation at the timing sent from the control circuit 102 and sends it to the magnetic bubble module 10 through the signal line 110.
4,105 is driven. At this time, magnetic bubble module 1
The bubble signal generated at 04 and 105 is directly sent to the peripheral circuit 103 through the signal line 112, amplified, and converted into a digital signal. The bubble signal is sent to the control circuit 02 through a signal line 109 and sent to the main device 101 at an appropriate timing.
以上説明した従来の磁気バブルメモリ装置では以下のよ
うな欠点があった。磁気バブルメモリ装置から読み出さ
れたデータに誤シがある場合、磁気バブルメモリ装置の
使用者は磁気バブルメモリモジュールの検査を行うこと
が必要となる。もし使用者が専用の磁気バブルメモリモ
ジュールの検゛査装置を有していれば磁気バブルメモリ
装置より磁、気バブルメモリモジュールを取シ出してバ
ブルモジ−8−ルの検査を行い不良モジュールを判定す
ることができる。使用者が専用の検査装置を持っていな
い時には主装置に磁気バブルメモリモジュールの検査手
段を設ける必要がある。いずれにせよ使用者は検査手段
を有する必要があシ使用者の経済的な負担が大きく装置
の保守を困難にしていた。The conventional magnetic bubble memory device described above has the following drawbacks. If there is an error in the data read from the magnetic bubble memory device, the user of the magnetic bubble memory device will need to inspect the magnetic bubble memory module. If the user has a dedicated magnetic bubble memory module inspection device, the user can remove the magnetic bubble memory module from the magnetic bubble memory device and inspect the bubble module to determine if it is a defective module. can do. If the user does not have a dedicated testing device, it is necessary to provide testing means for the magnetic bubble memory module in the main device. In any case, the user must have inspection means, which places a heavy economic burden on the user and makes maintenance of the device difficult.
本発明は上記欠点を解決する目的でなされた。The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks.
本発明による磁気バブルメモリ装置では磁気バブルメモ
リモジュールを検査する機能を磁気バブルメモリ装置内
に有している。The magnetic bubble memory device according to the present invention has a function to test the magnetic bubble memory module within the magnetic bubble memory device.
このため本発明による磁気バブルメモリ装置では主装置
に接続したままで、噴き込み命令や読み出し命令と同様
にデータバスを介して検査命令を送るだけで磁気バブル
メモリモジュールの検査が行なえる。Therefore, in the magnetic bubble memory device according to the present invention, the magnetic bubble memory module can be tested by simply sending a test command via the data bus in the same way as injection commands and read commands while connected to the main device.
本発明を具体例を用いて詳細に説明する。The present invention will be explained in detail using specific examples.
本発明による磁気バブルメモリ装置の具体例の一つを第
2図に示す。1本発明による磁気バブルメモリ装置は1
個以上の磁気バブルメモリモジュール204,205(
第2図では2個の場合を示しである)と磁気バブルメモ
リモジー−ルを動作させる各種の電流波形を発生させバ
ブル信号をデジタル信号に変換する直接周辺回路203
と電流波形の発生タイミングや読、み出しデータ、書き
込みデータ等の転送をコントロールする制御回路202
と検査のための特定のデータパタンを発生する書き込み
データバタン発生手段213と読み取りデータを一時的
に記憶する読み取シデータバッファ2]4と読み取シデ
ータと検査のための書き込みデータとを比較し不一致の
時誤シ信号を発生する誤り検出手段とから構成される。One specific example of the magnetic bubble memory device according to the present invention is shown in FIG. 1 The magnetic bubble memory device according to the present invention is 1
or more magnetic bubble memory modules 204, 205 (
(Figure 2 shows the case of two) and a direct peripheral circuit 203 that generates various current waveforms to operate the magnetic bubble memory module and converts the bubble signal into a digital signal.
and a control circuit 202 that controls the generation timing of current waveforms and the transfer of read, read data, write data, etc.
and a write data stamp generation means 213 that generates a specific data pattern for inspection; a read data buffer 2]4 that temporarily stores read data; and an error detection means for generating a time error signal.
1−タパタン発生手段は読み取りデータと比較するため
読み出し時にも発生させる必要がある。The 1-ta pattern generating means needs to be generated also during reading in order to compare with read data.
最も簡単な具体例は、メモリに検査のだめの特定のパタ
ーンをあらかじめ書き込んでおき、書き込みパルス又は
読み出しパルスに同期してパターンを発生させる方法で
ある。もう一つの具体例は1.・ジスタと演初4器を用
いる方法がある。初期データ例えば16進で00(後は
16進の表示とし7て数値の後ろにHを附す)をレジス
タに設定しておき書き込みパルス8個毎にOIHを加算
すると00H。The simplest example is a method in which a specific pattern for testing is written in advance in a memory, and the pattern is generated in synchronization with a write pulse or a read pulse. Another specific example is 1.・There is a method using Jista and Ensho 4 instruments. Initial data, for example, 00 in hexadecimal (afterwards, 7 is displayed in hexadecimal and H is added to the end of the value) is set in the register, and OIH is added every 8 write pulses to obtain 00H.
01)1.02)(、・・・・・・FEH,ppHとい
うデータンくタンが発生できる。これは読み出し動作の
時も同様の手順で書き込みデータと同じパターン列を発
生することができる。このレジスタと演算器は制御回路
202にマイクロコンピータを使用していればマイクロ
コンピュータ内部のレジスタや演算器を使用することが
可能である。読み取りデータバッファはバブルから読み
取られたデータを一時的に格納するバッファで例えばR
A Mで構成される。01) 1.02) (...... FEH, ppH data patterns can be generated. This can also be done in the read operation by using the same procedure to generate the same pattern sequence as the write data. If a microcomputer is used in the control circuit 202, it is possible to use registers and arithmetic units inside the microcomputer.The read data buffer temporarily stores the data read from the bubble. In the buffer, for example R
Consists of A.M.
誤シ検出手段は例えば通常の論理ゲートのデータコンパ
レータを使用できる。また制御回路202にマイクロコ
ンピュータを使用していればマイクロコンピュータ内部
のレジスタと比較命令によシ簡単に達成できる。As the error detecting means, for example, a data comparator of a normal logic gate can be used. Furthermore, if a microcomputer is used for the control circuit 202, this can be easily achieved using registers and comparison instructions inside the microcomputer.
本発明による磁気バブルメモリ装置の動作を以下に説明
する。The operation of the magnetic bubble memory device according to the present invention will be described below.
通常のバブルメモリモジュールへの読み書き動作は従来
と何ら変りなく実行できるので家、明は省略する。Since reading and writing operations to a normal bubble memory module can be performed in the same manner as before, the explanations will be omitted.
使用者がバブルモジュールの検査が行いだい時磁気バブ
ルメモリ装置を、実装状態で検査できる。The user can test the magnetic bubble memory device in the mounted state as soon as the bubble module is tested.
主装置は検査を行う磁気バブルメモリ装置を選択する信
号を信号線207を通して送り判定の磁気バブルメモリ
装置を選択する。データバス206を介して命令、検査
するバブルのアドレス等を送る。命令を受りとった磁気
バブルメモリ装置はその命令が検査命令であると判断す
ると書き込み動作に入る。この時の省き込みデータは、
データバタン発生手段213によシ発生した検査のため
の特定パタンを使用する。書き込み動作はデータバタン
が特定のものであること以外は通常の■き込み動作と何
ら変るところはない1、検査するバブルアドレスに特定
のデータバタンの■き込みがなされると自動的に読み出
し動作に移る。読み出し動作も通常の読み出し動作と同
じであるが平行り、てデータバタン発生手段213から
書き込みデータバタンか発生される。これは既にバブル
に書き込まれたデータと同一のものである。読み出しデ
ータは一時記憶手段214に格納され誤シ検出手段21
5に信号線218を介して送られる。一方間)き込みデ
ータバタンは信号線216を介して誤シ検出手段215
に送られ書き込まれたデータバタンと読み出されたデー
タが比較され一致しているか否か判定される。一致して
いない時には信号線216に不一致のフラグを発生させ
る。すべての検査するバブルアドレスでの検査が終了す
ると検査命令が終了する。使用者は主装置を介して信号
線216の状態をチェックし、不一致の7ラグが立って
いれば検査したモジー−ルが不良であると判定できる。The main device sends a signal to select the magnetic bubble memory device to be tested through the signal line 207, and selects the magnetic bubble memory device to be judged. Commands, addresses of bubbles to be inspected, etc. are sent via the data bus 206. When the magnetic bubble memory device receives the command and determines that the command is a test command, it begins a write operation. The omitted data at this time is
A specific pattern for inspection generated by the data pattern generation means 213 is used. The write operation is no different from a normal write operation except that the data button is a specific one. 1. When a specific data button is written to the bubble address to be inspected, the read operation is automatically performed. Move to. The read operation is also the same as the normal read operation, but in parallel, a write data stamp is generated from the data stamp generating means 213. This is the same data that has already been written to the bubble. The read data is stored in the temporary storage means 214 and the error detection means 21
5 via signal line 218. On the other hand, the input data button is sent to the error detecting means 215 via the signal line 216.
The data stamp sent and written is compared with the read data to determine whether they match. When they do not match, a mismatch flag is generated on the signal line 216. The test instruction ends when all the bubble addresses to be tested have been tested. The user checks the status of the signal line 216 via the main device, and if 7 lags of inconsistency are present, it can be determined that the inspected module is defective.
以上説明したように本発明による磁気バブルメモリ製鎖
によれば磁気バブルメモリ装置自身に磁気バブルメモリ
モジュールの検査機能を有しているので保守の容易なシ
ステムが実現できる1、又本発明による磁気バブルメモ
リ装置では検査機能のだめの金物量はそれほど多くない
。検査のだめの特定のデータバタン発生手段や誤り検出
手段は制御回路にマイクロコンピュータを使用していれ
ばマイクロコンピュータ内部のレジスタや演算器を使用
して実現できる。壕だ読み取υデータバッファは通常の
読み取りデータを格納するものをそのま1使用するか少
し増加すをだけでよい。As explained above, according to the magnetic bubble memory chain according to the present invention, since the magnetic bubble memory device itself has the inspection function of the magnetic bubble memory module, it is possible to realize a system that is easy to maintain. In a bubble memory device, the amount of metal required for the inspection function is not so large. If a microcomputer is used for the control circuit, the specific data stamp generation means and error detection means for the test can be realized using registers and arithmetic units inside the microcomputer. For the deep read data buffer, it is sufficient to use the same one that stores normal read data or to increase it slightly.
本発明による磁気バブルメモリ装置では磁気バブルメモ
リ装置自体に検査機能を有しているので生産上の検査装
置が簡単になるので低価格の磁気バブルメモリ装置が実
現できる。In the magnetic bubble memory device according to the present invention, since the magnetic bubble memory device itself has a testing function, the testing device for production can be simplified, and a low-cost magnetic bubble memory device can be realized.
以上説明したように本発明によれば低価格で保守の容易
な磁気バブルメモリ装置が実現できるのでその効果は大
きい。As explained above, according to the present invention, it is possible to realize a magnetic bubble memory device that is low in cost and easy to maintain, and therefore has great effects.
第1図は従来の磁気〉(プルメモリ装置の一例を示す構
成図、第2図は本発明による磁気バブルメモリ装置の一
例を示す構成図である。
101・・・・・・主装置、102,202・・・・・
・制御回路、1.03,203・・・・・・直接周辺回
路、104,105,204゜205・・・・・・磁気
バブルメモリモジュール、214・・・・・・読み取り
データバッファ、219・・・・・・書き込みデータ発
生部、215・・・・・・誤り検出部、106゜107
.108,109,111,112,206,207,
208゜209.210,211,212,216,2
17,218・・・・・・信号線。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional magnetic pull memory device, and FIG. 2 is a block diagram showing an example of a magnetic bubble memory device according to the present invention. 101...Main device, 102, 202...
・Control circuit, 1.03, 203... Direct peripheral circuit, 104, 105, 204° 205... Magnetic bubble memory module, 214... Read data buffer, 219. ...Write data generation section, 215...Error detection section, 106゜107
.. 108, 109, 111, 112, 206, 207,
208°209.210,211,212,216,2
17,218...Signal line.
Claims (1)
メモリモジュールを動作させる駆動回路と前記駆動回路
に与える駆動パルスのタイミングやデータの転送を制御
する制御回路とを有する磁気バブルメモリ装置において
検査のだめの特定のデータバタンを発生する手段と磁気
バブルメモリモジュールから読み出されたデータを一時
的に格納する手段と前記読み数少データと前記データバ
タン発生手段よシ発生された書き込みデータバタンとを
比較し不一致であれば誤シ信号を発生する誤シ検出手段
を有することを特徴とする磁気バブルメモリ装置。In a magnetic bubble memory device having one or more air bubble memory modules, a drive circuit for operating the magnetic bubble memory module, and a control circuit for controlling the timing of drive pulses applied to the drive circuit and data transfer, Comparing a means for generating a specific data stamp, a means for temporarily storing data read from a magnetic bubble memory module, the small number of read data, and a write data stamp generated by the data stamp generating means. 1. A magnetic bubble memory device comprising an erroneous error detection means for generating an erroneous error signal if there is a mismatch.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58045482A JPS59171096A (en) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58045482A JPS59171096A (en) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | Magnetic bubble memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59171096A true JPS59171096A (en) | 1984-09-27 |
Family
ID=12720614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58045482A Pending JPS59171096A (en) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59171096A (en) |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58045482A patent/JPS59171096A/en active Pending
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