JPS59168354A - 容量式薄膜湿度センサの製造方法 - Google Patents

容量式薄膜湿度センサの製造方法

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JPS59168354A
JPS59168354A JP4230783A JP4230783A JPS59168354A JP S59168354 A JPS59168354 A JP S59168354A JP 4230783 A JP4230783 A JP 4230783A JP 4230783 A JP4230783 A JP 4230783A JP S59168354 A JPS59168354 A JP S59168354A
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JP
Japan
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film
humidity
thin film
humidity sensor
ion
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JP4230783A
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Yoichi Nabeta
犬塚直夫
Kazuhiro Suzuki
鍋田庸一
Tadao Inuzuka
鈴木一博
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Individual
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/223Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
    • G01N27/225Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity by using hygroscopic materials

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、′容量式薄膜湿度センサの製造方法に関し、
さらに詳細には金属化合物薄膜、特にアルミナ薄膜をイ
オンブレーティング法にヨッて電極上に形成させる容量
式薄膜湿度センサの製造方法に関するものである。
最近のエレクトロニクスの発達に伴ない、各棟のセンサ
の開発が盛んに行なわれている。湿l1ilI]lj御
の面から考慮すると、工業分野だけでなく医療分野、家
峨を含め住宅、ビルディングの分野にまで拡張さnつつ
ある。
使用さnる材料から大別すると、電解質系。
有機物系および金属酸化物系に分けらnl、それぞれの
材料の湿度による電気的な変化を利用したものが多い。
電解質系としては、塩化リチウムを用いるものがあり、
有機物系では高分子材料の吸湿性を利用したものがあげ
られる。金属酸化物系は上記材料と比べると物理的、化
学的に比較的安定していると考えられているが、どれも
長所、短所があり、解決しなければならない問題は多い
一般に電気湿度計は、湿度条件の変化による電気的特性
の変化を相対湿度として表示する一種のトランスジュー
サとして理解され、その基本原理としては磁気抵抗の変
化を利用するものと、静電容量の変化を測定するものと
の二種類に大別される。このうち後者の静電容量式、す
なわち感湿部が吸湿したときの静電容量の変化を測定し
て湿度を求める型式の湿度センサでは、従来より陶磁器
板やガラス繊維、アルマイ)d板を特殊加工したもの等
が誘電体として用いられているが、測定感度が劣るため
実用化上問題があるとされている。また、感湿部として
機能する誘電体として有機高分子膜を使用する湿度セン
サが近年提案されており、この種の技術は、例えば特開
昭49−74588号、l侍開昭55−66749号及
び米国特許第3450941号明細書に開示さn、てい
る。
ところで一般に、有機高分子膜からなる誘電体を感湿層
として使用する場合、この誘電体は湿度に対する応答性
に優れると共に反復再現性が良好であシ、また湿度対容
量の相対関係が極めて直線的に表われるので測定精度が
向上する等の利点を有する。しかしながら他方では、前
記有機高分子膜g電体け、過ばの乾燥条件下、高湿度条
件下に長時間晒されると基板からの剥落等を生じて、感
湿特性が劣化する難点がある。
甘た、有機高分子膜は有機解削(例えばアセトン)によ
り侵され易いので、印刷工場、塗料工場等のように有機
浴剤蒸気が多址に存在する雰囲気下では悪影響を受ける
ため使用に供し得ない等の難点が指摘さ九る。
そこで、高温条件や有機溶剤雰囲気等の悪環境下でも好
適に使用し得る、機械的強度に優れた容量式湿度センサ
の実用化が業界において強く要望されている。この種の
要望に応えるものとして、例えば特開昭52−1249
7号F金属酸化膜感湿素子」や、特開昭53−9595
号「アルミニウムの陽極酸化皮膜を使用した含湿量検出
素子」等が提案されている。これは、いずれもアルミニ
ウム板等の基板自体に電解その他の手段によって導電性
の多孔性金属酸化皮膜を形成するものであるが、素子表
面が粗いため測定誤差が生じ易く、゛またこの全1II
4酸化皮膜自体の機械的強度も充分でない等、依然とし
て前記要請を満足するものではなかった。
そこで2本出願人は前記諸欠点を解決するべく梅々研究
および試作を重ねた結果、基板自体に酸化や電解により
被膜を形成することに代えて、カラス等の酸化になし捷
ない絶縁基板に金属化合物(例えば金属酸化物、金属窒
化物)の膜を、高周波磁界内に対応金属の蒸気と酸素ま
たは窒素若しくはアンモニアガスを導き、イオンブレー
ティングによシ形成するようにすれば、得られる金属化
合物膜は極めて大きな強度を有するので、前述した苛酷
な環境下での使用に充分劇え、しかも膜面も平滑で密と
なるので、応答性、反復再現性に′&れて測定精1Mも
向上することを突き止め、特願昭55−176504号
として出願した(特開昭57−109319号参照)。
さらに、本出願人は、その後、高真空下に酸素とアルゴ
ンとの混合ガスまたはアンモニアガス若しくは窒素と水
素の混合ガスを尋人しつつ高周波電界内で対応金属をイ
オンガンによりスパッタしてイオンブレーティングさせ
る方法が好適なこと、更に、金属化合物ノ摸を機械的処
理。
例えばプラズマエツチングにより粗面化すれば応答性が
顕著に向上する事実を見出し、その結果機械的強度に優
j1、高温条件や有機溶剤雰囲気等のめ酷な悪環境下で
も性能劣化を呈することなく、応答が極めて良好で正確
な湿度測定をなし得る容量式湿度センサおよびその製造
方法につき特願昭56−1’94421号として出願し
fc (その開示を参考のため、ここに引用する)。
上記特願昭56−194421号の発明の製造方法によ
れば、金属化合物膜全基板に形成する方法としては、高
周波電界内でイオンガンによるイオンブレーティングが
好適に使用され、得られた金属化合物膜は同じ装置によ
りプラズマエツチングで粗面化される。従ってこの発明
に係る湿度センサの製造方法は、非導電性基板を真空形
成室中の高圧電極に支持して高電圧を印加し、真空形成
室内の不純気体を高真空tこすることVこよシ除去し、
外部より所定の気体を導入し、真空形成室内に高周波電
界を形成した後、前記真空形成室中に配置した金属板若
しくは金属化合物板をイオンガンよりのイオンによりス
パッタして金属イオン若しくは金属化合物イオンを生成
せしめ、金属イオンは導入した気体により金属化合物イ
オンとなし、前記非導電性基板と電極上とに金属化合物
皮膜を独立して形成後、引続き前記高電圧の印加を高め
て前記金属化合物皮膜をプラズマエツチングせしめて粗
面化し、前記粗面上に湿気透過性の金属皮膜を形成する
ことからなっている。
本発明は、上記容量式薄膜湿度センサの製造方法の改良
に関するものである。
此の度、本発明者は上記の容量式薄膜湿度センサの製造
方法において、イオンブレーティングを特定の比率にお
けるアルゴンと酸素との共存下に行なえば湿度センサの
感湿特性を任意に変化させうろことを突き止めた。
金属酸化物系を感湿部としたセンサに着目してみると、
その作製方法としては、焼結法、陽極酸化法、反応性イ
オンブレーティング法などがある。
本発明では反応性イオンブレーティング法によって作ら
力、fC金属酸化物薄膜(アルミナ薄膜)を用いて、高
湿度雰囲気(≧80多R1)l、 )  においても安
定に動作する容量式薄膜湿度センサを目的とする。
イオンブレーティング法は、直流イオンブレーティング
法と高周波イオンブレーティング法とに大別される。
高周波イオンブレーティング法は、直流イオンブレーテ
ィング法に比べて、イオン化効率が良いため、高真空中
(10〜10  Torr)  でも放送を持続させる
ことが出来る。本発明の薄膜作製では高周波放電を用い
た反応性イオンブレーティングを用いる。本発明によれ
ば通常のイオンブレーティング法で使用するアルゴン雰
囲気中に特定割合の酸素を共存させることにより、優ね
た金属化合物薄膜を作製すると共に湿度センサの感湿特
性を所望用途に合せて任意に変化させることを特徴とす
る。
したがって、本発明の主たる目的は、非導電性基板上に
下部電極を対向配置し、前記下部電極上に湿気に活性な
金属化合物薄膜をイオンブレーティング法によ)独立し
て形成し、前記金属化合物薄膜上に湿気透過性の金属皮
膜からなる上部′−極を形成する容量式薄膜湿度センサ
の製造方法において、前記イオンブレーティングを特定
の比率にお・けるアルゴンと酸素との共存下に行なって
湿度センサの感湿特性を任意に変化させることを特徴と
する容量式薄膜湿度センサの製造方法を提供するにある
本発明における金属化合物薄膜は、マグネシアまたはア
ルミナの薄膜としうるが、特にアルミナ薄膜が好適であ
る。
前記したように、イオンブレーティング法には直流イオ
ンブレーティング法と高周波イオンブレーティング法と
があるが、本発明においては高真空中での高周波イオン
ブレーティングが好適に使用さガる。
このイオンブレーティングを行なうための雰囲気として
は、従来におけるようにアルゴンと不可避酸素との混合
物とするのでなく、本発明においては寧ろ積極的に酸素
を特定割合で共存させ、極端な場合には酸素のみの存在
下でも可能である。したがって、本発明の方法において
イオンブレーティングは酸素対アルゴンの比率’e10
:0乃至1:1、好ましくは6:1として行なわ力る。
以下、本発明による’flit式薄膜湿度センサの製造
方法およびそれにょシ製造される湿度センサにつき添付
図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は、本発明に係る容量式湿度センサの
一実施例を示すものであって、8照符号1Dは約1Xi
、5cmの寸法に裁断されたガラス基板を示す。基板と
してはサファイヤ板が特に優れている。このガラス基板
10の表面上には、第1図に示すように一対の下部電極
12゜12が対向的に蒸着、ホトエツチング等の手段に
より約1μの厚さに形成され、この場合前記下部電極は
櫛形とし、各櫛歯が相互に接触することなく噛み合うよ
うなパターンとなるよう配設するのが好適である。なお
、この下部′−極としては、化学的に不活性な金または
パラジウム等が好適な材料として使用される。このよう
に下部電極12,12を形成した基板10に、後述する
ように高周波電源を使用したイオンブレーティング法を
夾施し、湿気に活性な金属化合物膜14(例えば金属酸
化物膜、特にアルミナ)を約1〜2μの厚さで基板r(
対し独立して形成する。更に、この得られた金属化合物
膜14の表面16上に、湿気透過性で化学的に安定な金
属、例えば金皮N−またはパラジウム皮膜を厚さ200
〜250λに蒸着形成して上部電極18とする。これに
よって、機械的強度が極めて筺れかつ応答性の極めて良
好な湿度センサが得られる。
次に、下部電極12.12を形成した基板10に金属化
合物膜14を形成する方法について説明する。第6図は
、この方法を実施する装置の概略を示すものであって、
外界から気密に遮断町IIkな真空形成室(ペルジャー
)20中に、基板保持電極22、イオン化電極24およ
び金属丑たけ金属化合物(特にアルミニウム)を蒸発さ
せる蒸発源26が図示のように配置されている。前記基
板保持電極22は、直流電源28に接続され1例えば−
0,05〜i kVの直流電圧が印加されるよう構成さ
れ、またイオン化電極24は高周波電源6DIfC接続
され、例えば13.56Mt4zの200〜800Wの
高周波電力が印加されるよう構成さtl−る。また、蒸
発源26は、被蒸発物質(アルミニウム)′fr:直接
電子線でTIE撃して加熱する方式のものが好適に採用
され、電子線を加熱するための電源62に接続される。
この場合、前記蒸発源26は上部に開口部64を設けた
シールド66で囲繞する。さらに、真空形成室2oには
、内部を真空に保持するための排気口38が適宜設けら
れ、所定の排気系に連通接続さn−る。同様に、真空形
成室20に/′i、υ−クバルブ4Qを介してガス導入
管42が連通接続さn、るイ 操作に際しては、基板保持電極22の下面に前記下部電
極12.12(第1図参照)を形成した基板1oを水平
に固定し、蒸発源26にアルミニウムを取付けた後、真
空形成室2oを気密に閉成する。次いで、排気系の作用
下に真空形成室2Q中の不純気体を除去し、真空度が1
0〜10  Torr K違したところでリークバルブ
40を開放し、所定のガス源より本発明で特定した比率
の酸素とアルゴンとの混合ガスを室20中に導入し、真
空Jfiを約8 X 10−5Torrに安定させ、前
記基板保持電極22に一50〜100Vの直流電圧を印
加する。さらに、イオン化電%24(/CJ、J−13
,56MHz ’tl’200〜800Wの高周波電力
を印加すると共に蒸発源26を加熱してアルミニウムイ
オンを生成し、このアルミニウムイオンを前記混合ガス
との反応下に基板10並びに下部電極12上に酸化アル
ミニウム(アルミナ)皮1fik形成する。そして、4
0〜50分のイオンブレーティングによシアルミニウム
化合物の皮膜厚さFil乃至2μとなる。
この場合、蒸発源の加熱温度、各電極への印加電圧等の
7’+L、I整を行うことにより、皮膜厚さの制御が可
能である。
このようにして、所謂全縮化合物膜14を形成した後、
前述した湿気透過性の金属上部電極18、例えば金皮膜
またはパラジウム皮膜を蒸着することによシ、約200
〜250Aの厚さの皮膜を形成する。
高周波′屯界内でこのイオンブレーティングを行うこと
により、基板10及び下部電極12上に形成さ1.る酸
化アルミニウムの付着強度は極めて犬きく、また酸化ア
ルミニウムは耐熱、耐酸性、1mt有機M剤性に優れて
いるので、高温条件、酸及び有機溶剤蒸気の多い工場等
の劣悪な環境下での使用に充分耐えるものである。なお
、ここで、イオンブレーティングを行なうに際し尊囲気
を酸素対アルゴンの比率10:0乃至1:1の範囲で変
化させることにより任意に湿度センサの感湿特性を調節
することができ、酸素対アルゴンの比率を3=1とすれ
ば特に好適である。
本発明に係る製造法によりば、金属化合物皮膜(これは
金属酸化物皮膜)は、基板上に極めて強固に形成される
ので機械的強鹿が充分得られ、+8+テ酷な使用に耐え
るものである。殊に、誘電体がwt−i+高分子膜でな
く金属化合物膜で形成されているため、有機溶剤蒸気の
充満している雰囲気下でも感湿部の特性を損うことなく
長期に亘って使用でき、経時変化も殆んど生じない利点
がある。また、耐熱性も著しく改善されたため、電極へ
のハンダ付は作粂も容易にすることができ、捷た感湿部
が過度に吸湿した時はセンサ自体を加熱して乾燥させる
ことが可能である。さらに、イオンブレーティングに際
し、酸素対アルゴンの比率を適宜変化させることにより
、St式超薄膜湿度センサ使用用途に応じて感湿特性を
任意に変化させることが可能となる。
実施例 本実験においては、高周波プラズマ(Ar +02 )
中でA7を蒸着することによりサファイア基板上にアル
ミナ薄膜を作製した。
実験装置 本実験には第6図に示す装置を使用した。
装f&は、通常の真空蒸着装置にイオン化電極24、雰
囲気及び反応用気体導入用のバリアプルリークバルブ4
0、差動排気室(蒸発源を安定に作動させるため)など
を加えて構成した。
放置時におこるスパッタリング等による不純物の薄膜内
への混入を減少させるため、ペルジャー20はステンレ
ス製のものを用い全体を接地−位とした。
イオン化電極24と接地さnた部分(たとえばペルジャ
ー)との表面積の比を犬きくとることにより、プラズマ
心付はさらに接地電位に近ずく、従ってイオン化電極、
浮動状態にいるもの(絶縁物等)を除く部分からのスパ
ッタリングを防ぐことができる。
プラズマ発生用高周波電源60には、周波数13、56
M1(z、800Wのものを使用した。
高周波電源60とイオン化電極24の間の整合回路は、
ガス圧の微小変化などに起因した急激な整合のずれを防
ぐため、意識的に整合をはずし反射率を50%程度とし
、高周波電力の供給の安定化を計った。
蒸発源26には、不純物の混入を防ぐため、アルミナコ
ートされたWバスケットを使用した。
蒸発さn、たAtの大半は、その発散角から考えて基板
に到達せず、ペルジャー20内壁などに付着しまたとn
らが酸素と反応することによりガス圧等に大きな変化を
生じさせる。これをさけるため、蒸発源26のiわりに
は、上部に円形開口部’64(5mmφ)を持つ接地さ
れたステンレスシrルド66をつけ差動排気した。これ
を用いることにより基板方向以外に向かうAtを遮断し
、歳索圧の大きな変化を防止し、更に蒸発源26の酸素
による劣化を防ぐことができた。
薄膜作製の手順と条件 ペルジャー20内を〜I Q−”L’orr程度に排気
した後、バリアプルリークバルブ4oより酸素とアルゴ
ンの混合気体(混合比を変化させる)を導入する。カス
圧を〜10 ’Torr以上とした場合、作製された薄
膜は数十〜数千への粒径の粒子を積み重ねたような構造
となり、一様な構造の薄膜が得られない。丑た〜5xl
OTorr以下とすると放電が不安定となる。このこと
からガス圧は、8 X 10 ’Torr程度を用い、
高周波電力400Wを入力し、プラズマを発生させた。
あらかじめ200℃に予備加熱されたるつぼをさらに加
熱しAtの蒸発速Ifが安定したのちシャッタを開き蒸
着を開始した。
付着速度を〜4μm/h以上とした場合、得られる薄膜
は、茶色及び黒色の導電性薄膜となった。〜2μm/ 
h以下では、無色透明の絶縁性の薄膜となった。この実
験では、再現性を考慮して付着速度は1μm/ h と
した。
作製されたアルミナ薄膜の断面、表面状態、結晶性は、
SEMi−よびTEMで観察した。また湿度特性は、後
記の湿度槽を用いて測定した。
室温(実際には90℃程度である)の下地表面に作製さ
れたアルミナ薄膜の88M像を第4図(al 、 (b
) 、 (clK:示す。
と台らの図は、アルミナ薄膜作製条件のうち0□とAr
の混合比を変化させた場合の比較である。各々の販素と
アルゴンの混合比は、(allo:0、わ)j: 1 
、 ((:)1 : 1である。どの場合も焼結法や陽
極酸化法などに見られる大きな凹凸はなく、平坦な構造
となっている。
微細構造は少しづつ違っていて、酸素址が減少するにつ
れて平坦な表面構造を示すことが観察される。
第4図(al 、 (blの表面には、直径0.5〜1
μmの粒子が観察さ几る。これはイオン化電極表面など
の異常放電により飛来するもので、電極の清浄化、真空
度の調整などにょ9防ぐことができる。湿度センサとし
ての容量の変化の割合いは、a、H1= 16.sから
”lニア6%で、(alc7)場合約50%、の)の場
合約20%、(C1の場合約6係であし、それ以上Ar
の比率を高めたものはほとんど感湿特性を示さなかった
湿度特性の測定には、谷間変化の大きい第4(al図の
ものを用いた。この酸素対アルゴンの混合比が10:0
である場合の反射回折はを第5図に示す。ここで、(a
lは基板温度室温(90”Cまで上昇)、(b)は30
01Gである。結晶性は基板温度室温〜200℃程度で
は、非晶質、それ以上にするとγ−A−1205の多結
晶質であった。
また基板温度を500℃以上では、再蒸発のため薄膜は
ほとんど成長しなくなる。湿度センサとして用いるKは
、基板温度が室温の非晶質のものが作製条件も容易であ
り、同時に湿度特性の再現性も良好であった。
湿度特性の測定には、第6図に示す湿度槽を用いて行な
った。
一般に湿#憎VCは、定温法、定圧法、分流法、飽和塩
水溶液によるものが用いられている。しかしこれらの湿
度発生法には、RoHoご100%を仮定すること、セ
ンサ表面への塩の析出などの問題点があった。そこで湿
度特性の測定には、第6図の新しく考案試作した湿度槽
を用いた。
しかしながら、この測定装置Etr/′i本発明の一部
を構成し2ない。この湿度槽は、ステンレス製の真空槽
を用い、10  Torr程度まで排気できるようにな
っている。槽内を〜10  Torr f、4JQ−ニ
排気後、バルブを閉じ、蒸留水をマイクロシリンジによ
り定量し槽(〜7t)に直接注入する。
1μtの水は、20℃で約0,8係の相対湿度(Rol
(、)に相幽し水の注入量を変えることにより〜砂柱I
Wで望みのR0H6を得ることができる。
水の蒸発に伴う槽内温度変化は、ザーミスタ温度計によ
る測定では検出できない程度であった。
湿度槽の内壁の吸脱湿による設定湿度の変化は、高湿(
〜9o%)を設定した後の低湿の設定(二〇 %)にお
いて、48時間経過後、最大1%、1i、 6%の誤差
が生じた。しかし設定後2時間以内はいずれの場合も設
定湿度の変化は見られなかった。
湿度槽内には、校正された湿度センサ、被測定センサ、
水晶振動子膜厚計が取り付けらtしている。
水晶振動子の表面には湿度センサと同じ膜厚のアルミナ
薄膜が付けら1tてぃて、薄膜中にとり込址れている水
分子の’RM: (m a2o  )iriiMN定で
きる。ここではmI!20′I′i平均膜厚(dIr2
o))に換算されていて最小検出感度は2OAである。
なお、第6図の湿度槽VCおいて、参照符号5Qは真空
変針、52はミクロ分銅、54はセンサ(校正)、56
はセンサ、58はゴム′シート、60はミクロシリンジ
、62はステンレス鋼容器、64は温度計、66はゼオ
ライト組成物、68は弁体、70は減圧源、72は乾燥
窒素である。
上記湿度槽によう測定された湿度特性は、次の通りであ
った。
湿度特性 RoH、C−R、H、+ + d、 u2o%性を第7
.8図に示す。低湿≠高湿の往復(湿度サイクル)を4
〜5回〈シ返すことにより特に高湿におけるC 、、d
HOの低下が見られるが、特性は安定状態となる。一度
安定になったセンサは高湿中(1も、1−1.〜95チ
)に100時間放置しても、沸騰水中に120分放置し
ても特性に変化は現゛わfl、なかった。
C−dy2oi!性を第9図に示す。■(、,11−1
: :l−。
係を除くとほぼ直線関係となっていることがわかる。
以上、本発明によf′Lは、イオンブレーティング法に
よシ非晶質アルミナ薄膜を作製するに際し、特定比率の
v累とアルゴンとの共存にょシ膜の構造のみならず湿度
特性をも制御することができ、高湿度に卦いても安定に
動作する容量式薄膜湿度センナを製造することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る容蓋式湿度センサの平面図、第2
図は第1図に示す本発明に係る容址式湿度センサのH−
u線断面図、第6図は本発明に係る製造法ケ実施するた
めの装置の概略構成図、第4(a)〜(C1図は本発明
の方法により作製、されたアルミナ薄膜の88M像を示
す写真、第5 fat 、 (b)図tま基板温度の変
化に伴なうアルミナ薄膜の反射回折像を示す写真、第6
図は湿度特性を測定するための湿IW僧の略図、第7〜
9図は1!&度特性を示すグラフである。 10・・・基   板 12・・・上部電極14・・・
金属化合物膜  16・・・表    面18・・・上
部電極 20・・・真空形成室22・・・基板保持蹴極
  24・・・イオン化電極26・・・蒸 発 諒 2
8・・・直流電源60・・・高局波篭源 62・・・加
熱電源64・・・開 口 部 66・・・シールド68
・・・排 気 口  40・・・リークバルブ42・・
・ガス導入管 5o・・・真空度肝52・・・ミクロ分
@54.56・・・センf58・・・ゴムシー )  
 60・・・ ミクロシリンジ62・・・ステンレス鋼
容器 64・・・温  度  計66・・・ゼオライト
  681.弁   体70・・・減  圧  源  
 72・・・乾 燥 窒 素特許出願人   今 井 
 淑  夫 FIG、1 FIG、4 ]prn FIG、5 FIG、6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)非導電性基板上に下部電極を対向配置し、前記下
    部電極上に湿気に活性な金属化合物薄膜をイオンブレー
    ティング法により独立して形成し、前記金属化合物薄膜
    上に湿気透過性の金属皮膜からなる上部電極を形成する
    容量式薄膜湿度センサの製造方法において、前記イオン
    ブレーティングを特定の比率におけるアルゴンと酸素と
    の共存下に行なって湿度センナの感湿特性を任意に変化
    させることを特徴とする容量式薄膜湿度センサの製造方
    法。 θ)金属化合物薄膜がアルミナ薄膜である特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 (3)イオンブレーティングを高周波イオンブレーティ
    ング法により高真空中で行なうことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 (4)酸素対アルゴンの比率が10二〇乃至1:1であ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。 (5)ハ索対アルゴンの比率が3:1である特許請求の
    範囲第4項記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109319A (en) * 1980-12-16 1982-07-07 Yoshio Imai Capacity type moisture sensor and method of producing same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109319A (en) * 1980-12-16 1982-07-07 Yoshio Imai Capacity type moisture sensor and method of producing same

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