JPS59160941A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPS59160941A JPS59160941A JP2704684A JP2704684A JPS59160941A JP S59160941 A JPS59160941 A JP S59160941A JP 2704684 A JP2704684 A JP 2704684A JP 2704684 A JP2704684 A JP 2704684A JP S59160941 A JPS59160941 A JP S59160941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion source
- electrode
- ion
- needle
- ionization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高輝度の金属成分イオンビームを引き出すだめ
のイオン源に関するものである。
のイオン源に関するものである。
最近、イオンビームを利用したサブミクロン計測および
加工が微細構造製作技術分野に広く使われるようになっ
てきた。このような応用分野に対して、現在主としてデ
ーオプラズマトロン型イオン源が利用さnている。
加工が微細構造製作技術分野に広く使われるようになっ
てきた。このような応用分野に対して、現在主としてデ
ーオプラズマトロン型イオン源が利用さnている。
第1図に従来のテーオプラズマトロン型イオン源の原理
構成を示す。従来、イオン源は、ホロカソード1.中間
電極2、アノード3、引出電極4、マグネツト5、放電
安定化抵抗6、放電々源7および加速′電源8より構成
されている。
構成を示す。従来、イオン源は、ホロカソード1.中間
電極2、アノード3、引出電極4、マグネツト5、放電
安定化抵抗6、放電々源7および加速′電源8より構成
されている。
動作原理は1次の通りである。先ずイオン源部(1,2
,3および4)を高真空に排気し、次にカソード1、中
間電極2、アノード3のつくる空間に取り出すイオン種
に相当するガスを導入し、放電々源7により、カソード
1とアノード3の間に電圧を印加し、放電を発生させ、
この空間にプラズマを生成させる。中間電極2とアノー
ド3との間にマグネットSにより軸方向磁場が印加して
あり、こrによりプラズマがピンチさ几、高密度化され
る。最後に加速電源8により、引出し電極4とアノード
3の間にイオン引出し電圧を印加し、イオンビーム9を
4又り出す。この場合、イ万ン源の大きさは、アノード
3の孔径により定捷る。
,3および4)を高真空に排気し、次にカソード1、中
間電極2、アノード3のつくる空間に取り出すイオン種
に相当するガスを導入し、放電々源7により、カソード
1とアノード3の間に電圧を印加し、放電を発生させ、
この空間にプラズマを生成させる。中間電極2とアノー
ド3との間にマグネットSにより軸方向磁場が印加して
あり、こrによりプラズマがピンチさ几、高密度化され
る。最後に加速電源8により、引出し電極4とアノード
3の間にイオン引出し電圧を印加し、イオンビーム9を
4又り出す。この場合、イ万ン源の大きさは、アノード
3の孔径により定捷る。
従来のイオン源の欠点は次の通りである。
(1) イオン源としての輝吸(A/cm2Sr)が
低い。
低い。
(2)、イオン源としての光源の大きさが大きい。
(3)高温に加熱することが因難なためイオン種に制限
がある。
がある。
(4)単一金属イオン種の取り出しが内錐である。
上記欠点(1)の輝度tは、1 (l O〜200 A
/cm2・Sl’程度であり、この値は本質的な限界値
を示しており数音の余地かない。欠点(2)(ζ、アノ
ード(3)の孔径の機械加工哨度(能力)により定まり
、100μmnが限界となる。従来のイオン源では、ガ
ス放電を利用しているので、取す出せるイオン種に制限
がある。欠点(3)は、この理由による。欠点(4)は
従来のガス放電では、混合ガスを利用することが多く1
元系イオンの他にクラスタイオンや分子イオンが混入す
る。したがってイオン源として利用する場合には質重分
離が必要になる。
/cm2・Sl’程度であり、この値は本質的な限界値
を示しており数音の余地かない。欠点(2)(ζ、アノ
ード(3)の孔径の機械加工哨度(能力)により定まり
、100μmnが限界となる。従来のイオン源では、ガ
ス放電を利用しているので、取す出せるイオン種に制限
がある。欠点(3)は、この理由による。欠点(4)は
従来のガス放電では、混合ガスを利用することが多く1
元系イオンの他にクラスタイオンや分子イオンが混入す
る。したがってイオン源として利用する場合には質重分
離が必要になる。
従って1本発明の目的は、上記従来のイオン源の欠点を
除去した高性能なイオン源を提供することにある。
除去した高性能なイオン源を提供することにある。
本発明の特徴は、イオン化すべき特質またはそれを担持
した物に電子線を照射することによって前記物質ライオ
ン化するイオン源にある。イオン源材料としては、金属
および化合物のすべてが対象となる。
した物に電子線を照射することによって前記物質ライオ
ン化するイオン源にある。イオン源材料としては、金属
および化合物のすべてが対象となる。
以下に実施例の詳細について述べる。
第2図に本発明の第1の実施例を示す。こnは仕事関数
の大きい材料(例えばW、Mo、Ta。
の大きい材料(例えばW、Mo、Ta。
lr、Nb)を斜状構造に成形し、先端を電子衝撃によ
り加熱し、針の先端に付着しているイオン源材料による
イオンビームを取シ出すものである。
り加熱し、針の先端に付着しているイオン源材料による
イオンビームを取シ出すものである。
本イオン源は、針状電極14を上下に移動させるための
微動機構を備えた可動棒11.支え12゜可動棒11を
可動させるためのベロー13.イオン源材料15を入扛
る容器161軍子銃電極17区子銃フィラメント18.
イオン引出し7電+10フィラメント冨諒22.゛重子
加速電源23およびイオン加速電源24により構成さ扛
ている。
微動機構を備えた可動棒11.支え12゜可動棒11を
可動させるためのベロー13.イオン源材料15を入扛
る容器161軍子銃電極17区子銃フィラメント18.
イオン引出し7電+10フィラメント冨諒22.゛重子
加速電源23およびイオン加速電源24により構成さ扛
ている。
本イオン源の動作原理は次の通りである。先ずネジ機構
をもつ可動棒とベローズ13により、針状電極I4を容
器16のIMの孔にしっかり押しつけた状態で硝酸セシ
ウム(Cs N O3)、硝酸セシウム(C8□504
)、塩化セシウム(C8C1)。
をもつ可動棒とベローズ13により、針状電極I4を容
器16のIMの孔にしっかり押しつけた状態で硝酸セシ
ウム(Cs N O3)、硝酸セシウム(C8□504
)、塩化セシウム(C8C1)。
セシウム(C8)、ガリウム(Ua)、バリウム(B
)などのイオン源材料15を容器16に入n、フィラ
メント18をフィラメント電源22により、約2700
’0に加熱し、電子加速電圧源23により徐々に供給
する。こnにより針状電極14を電子衝撃により加熱し
、イオン源材料15の一部(針状′電極14の近傍)を
溶融状態に保つ。
)などのイオン源材料15を容器16に入n、フィラ
メント18をフィラメント電源22により、約2700
’0に加熱し、電子加速電圧源23により徐々に供給
する。こnにより針状電極14を電子衝撃により加熱し
、イオン源材料15の一部(針状′電極14の近傍)を
溶融状態に保つ。
次にイオン加速電源24を働かせ、イオン”’[(fL
19を測定しながら針状電極14を上部に微動させ、
溶融したイオン源材料15を針状電極14の先端に供給
する。針状電極14は、第2図に示すように、実効的に
熱効果を高めるために針状の先端近傍に細いくび、:n
20を入れ、熱抵抗を大きくしている。針状電極14の
先端に供給さfしたイオン源材料15のイオン化は、熱
醒離、電界電離および成子衝撃電離の重畳効果によって
行なう。
19を測定しながら針状電極14を上部に微動させ、
溶融したイオン源材料15を針状電極14の先端に供給
する。針状電極14は、第2図に示すように、実効的に
熱効果を高めるために針状の先端近傍に細いくび、:n
20を入れ、熱抵抗を大きくしている。針状電極14の
先端に供給さfしたイオン源材料15のイオン化は、熱
醒離、電界電離および成子衝撃電離の重畳効果によって
行なう。
取り出しうるイオン量は、イオン加速電圧24゜フィラ
メント電流巧よび針状電極14の先端形状などにより制
御できるが、針状電極14の先端の曲率半径を30μm
にした場合、上記のC,CI、C3No3およびC82
so4tどテ3 Q OμAを安定に取り出すことがで
きた。このi直は、点イオン源としては、サイズが従来
の1/10に幅小され、亀!&密度が約100倍に向上
するものである。
メント電流巧よび針状電極14の先端形状などにより制
御できるが、針状電極14の先端の曲率半径を30μm
にした場合、上記のC,CI、C3No3およびC82
so4tどテ3 Q OμAを安定に取り出すことがで
きた。このi直は、点イオン源としては、サイズが従来
の1/10に幅小され、亀!&密度が約100倍に向上
するものである。
次に42の実施例を述べる。第3図に本発明のもう1つ
のイオン源の原理および構成を示す。イオン源は、イオ
ン源材料15のハウジング26全上下させる微動機構を
備えた可動棒11.支え(真空障壁)12、ベローズ1
3、イオン源材料15、タングステンメツシー25.電
子銃電極17.゛電子銃フィラメント18、イオン引出
し電極10.フィラメント電源22、電子加速電源23
2よびイオン加速電源24より、構成されている。
のイオン源の原理および構成を示す。イオン源は、イオ
ン源材料15のハウジング26全上下させる微動機構を
備えた可動棒11.支え(真空障壁)12、ベローズ1
3、イオン源材料15、タングステンメツシー25.電
子銃電極17.゛電子銃フィラメント18、イオン引出
し電極10.フィラメント電源22、電子加速電源23
2よびイオン加速電源24より、構成されている。
動作原理は、前記した第1の実施例とほぼ同じであり、
異なっているところのみ記す。先ずイオン源材料15を
担持したメツシー25は、仕事関数の高い材料(本実施
例ではWをΔ1」用)で作られており、電子線29の照
射により力ロ熱される。その結果イオン源濁料15は溶
融し、タングステンメツシー25をぬらす。イオン化は
、加熱による表面電離機構、電界放出機構および電子衝
撃機構の重畳効果により達成さnる。
異なっているところのみ記す。先ずイオン源材料15を
担持したメツシー25は、仕事関数の高い材料(本実施
例ではWをΔ1」用)で作られており、電子線29の照
射により力ロ熱される。その結果イオン源濁料15は溶
融し、タングステンメツシー25をぬらす。イオン化は
、加熱による表面電離機構、電界放出機構および電子衝
撃機構の重畳効果により達成さnる。
取り出すイオン′亀流19は、イオン放出UIfJ槓。
イオン源材料15.イオン引出し電圧およびタングステ
ンメツシー25の温度に依存するが、イオン源材料15
:C3Cz、 イオン放出面積:0.040m2、イオ
ン引出し′区圧:10kV、タングステンメ、J/−2
5の温度: 1200°0の条件で、イオノ′成流19
として500μAが得ら扛た。
ンメツシー25の温度に依存するが、イオン源材料15
:C3Cz、 イオン放出面積:0.040m2、イオ
ン引出し′区圧:10kV、タングステンメ、J/−2
5の温度: 1200°0の条件で、イオノ′成流19
として500μAが得ら扛た。
第3の実施v1について述べる。このイオン源はイオン
化すべきイオン源材料と成極が同一材料で構成さ扛てい
る0第4図に本イオン源の実施例を示す。イオン源材料
15の移動機構11、r2゜13、′電子銃17.18
および引出し電極10゜その他電源類22.23,24
は、第1、第2の実施例と共通なのでここでは省略する
。本イオン源では、イオン源材料15を電子線29によ
シ衝嘱し、加熱溶融させ、その先端に電子銃電極17お
よびイオン引出し電極】0に印加さ扛るイオン引出し電
界により、イオン源材料15によるイオン19を取り出
す。この場合、イオン化は、電界電離と電子衝撃電離の
二つの効果が重畳される。
化すべきイオン源材料と成極が同一材料で構成さ扛てい
る0第4図に本イオン源の実施例を示す。イオン源材料
15の移動機構11、r2゜13、′電子銃17.18
および引出し電極10゜その他電源類22.23,24
は、第1、第2の実施例と共通なのでここでは省略する
。本イオン源では、イオン源材料15を電子線29によ
シ衝嘱し、加熱溶融させ、その先端に電子銃電極17お
よびイオン引出し電極】0に印加さ扛るイオン引出し電
界により、イオン源材料15によるイオン19を取り出
す。この場合、イオン化は、電界電離と電子衝撃電離の
二つの効果が重畳される。
以上部べたj口< 、本発明によるイオン源は1次のよ
うな特徴をもつものである。
うな特徴をもつものである。
(1)取り出すイオン踵に制限がなく、任意イオン棟が
取り出せる。 − (2)輝度の高い点イオン源ができる。
取り出せる。 − (2)輝度の高い点イオン源ができる。
(3)電子線衝撃によ扛ばイオン化すべき物質を高温に
加熱でき乙ので、単一元素イオンの取り出しができ、質
量分離などの手段が必要ない0
加熱でき乙ので、単一元素イオンの取り出しができ、質
量分離などの手段が必要ない0
渠1図は従来のイオン源の基本講成図、第2〜第4図は
そnぞn本発明によるイオン源の基本構成図である。 10・引出し砥甑、11 ・可動棒、12 叉え。 13 ベロー、14・・針状電極、15・・イオン源材
料、16 ・容器、+7・・・−子銃電適、18・・電
子銃フィラメント、19・・イオンビーム、22・・フ
ィラメント電源、23・・電子加速電源、24 ・イオ
ン加速電源、20 くびれ、25 メツシー電j’@、
26 ・ノ・ウジング、29・・電子線。 第1図 第7図 1図
そnぞn本発明によるイオン源の基本構成図である。 10・引出し砥甑、11 ・可動棒、12 叉え。 13 ベロー、14・・針状電極、15・・イオン源材
料、16 ・容器、+7・・・−子銃電適、18・・電
子銃フィラメント、19・・イオンビーム、22・・フ
ィラメント電源、23・・電子加速電源、24 ・イオ
ン加速電源、20 くびれ、25 メツシー電j’@、
26 ・ノ・ウジング、29・・電子線。 第1図 第7図 1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 イオン化すべき物質またはそ扛を担持した物に電子
線を照射することにより前記物質をイオン化することを
特徴とするイオン源。 2 前記イオン化すべき物質を担持する物は針状電極で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオ
ン源。 3 前記針状電極はイオン化物質の担持竜を調整できる
ように移動可能であることを特徴とする特許請求の範囲
第2項記載のイオン源。 4 前記針状電極は先端近傍において細くなっているこ
とを特徴とする特許請求の1.包囲第2項記載のイオン
源。 5 前記イオン化すべき物質−を担持する物は金属メツ
シーであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のイオン源。 6、前記Zオン化すべき物質によってイオンビーム発生
部を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のイオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2704684A JPS59160941A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2704684A JPS59160941A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | イオン源 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3550487A Division JPS62188127A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59160941A true JPS59160941A (ja) | 1984-09-11 |
JPS6363105B2 JPS6363105B2 (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=12210127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2704684A Granted JPS59160941A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59160941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4760262A (en) * | 1987-05-12 | 1988-07-26 | Eaton Corporation | Ion source |
JP2003524182A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 基板の断面の画像化装置 |
JP2007523444A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-08-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 帯電粒子抽出デバイスおよびその設計方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5035435U (ja) * | 1973-08-02 | 1975-04-15 | ||
JPS527791A (en) * | 1975-07-08 | 1977-01-21 | Masanori Komuro | Ion generator |
JPS52150688A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-14 | Hitachi Ltd | Solid ion source |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP2704684A patent/JPS59160941A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5035435U (ja) * | 1973-08-02 | 1975-04-15 | ||
JPS527791A (en) * | 1975-07-08 | 1977-01-21 | Masanori Komuro | Ion generator |
JPS52150688A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-14 | Hitachi Ltd | Solid ion source |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4760262A (en) * | 1987-05-12 | 1988-07-26 | Eaton Corporation | Ion source |
JP2003524182A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 基板の断面の画像化装置 |
JP4932117B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2012-05-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 基板の断面の画像化装置 |
JP2007523444A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-08-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 帯電粒子抽出デバイスおよびその設計方法 |
US7872242B2 (en) | 2003-10-17 | 2011-01-18 | Fei Company | Charged particle extraction device and method of design there for |
JP4913599B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2012-04-11 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 帯電粒子抽出デバイスおよびその設計方法 |
US8405043B2 (en) | 2003-10-17 | 2013-03-26 | Fei Company | Charged particle extraction device and method of design there for |
US8653474B2 (en) | 2003-10-17 | 2014-02-18 | Fei Company | Charged particle extraction device and method of design there for |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6363105B2 (ja) | 1988-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5293410A (en) | Neutron generator | |
Gabovich | Liquid-metal ion emitters | |
US2809314A (en) | Field emission ion source | |
US4687938A (en) | Ion source | |
Anders et al. | Characterization of a low-energy constricted-plasma source | |
US3711908A (en) | Method for forming small diameter tips on sintered material cathodes | |
Burdovitsin et al. | Stability of electron beam generation by forevacuum-pressure plasma-cathode electron beam source based on a cathodic arc | |
US20100181493A1 (en) | Ionic emission micronic source | |
Ishikawa et al. | Impregnated‐electrode‐type liquid metal ion source | |
US3436584A (en) | Electron emission source with sharply defined emitting area | |
Frolova et al. | Deuterium ions in vacuum arc plasma with composite gas-saturated zirconium cathode in a magnetic field | |
JPH01157046A (ja) | 真空アークイオン源 | |
JPS59160941A (ja) | イオン源 | |
CN113643950B (zh) | 一种产生掺杂碱金属或卤素的耦合气体团簇离子束的装置和方法 | |
Daley et al. | Indium Ion Source | |
JPS62188127A (ja) | イオン源 | |
Pilz et al. | Polyatomic ions from a high current ion implanter driven by a liquid metal ion source | |
Ishikawa et al. | Impregnated-electrode-type liquid metal ion source | |
Li et al. | Experimental investigation of hybrid-evaporation-glow discharge plasma immersion ion implantation | |
US2897396A (en) | Electron emitting system | |
Ishikawa et al. | Intense metal ion beam formation by an impregnated-electrode-type liquid metal ion source | |
Ishikawa et al. | Intense metal‐ion‐beam production using an impregnated‐electrode‐type liquid‐metal ion source | |
Cocca et al. | Grid controlled plasma electron beam | |
US2677060A (en) | Ion source | |
JPH0369137B2 (ja) |