JPS59154456A - 光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 - Google Patents
光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法Info
- Publication number
- JPS59154456A JPS59154456A JP2847183A JP2847183A JPS59154456A JP S59154456 A JPS59154456 A JP S59154456A JP 2847183 A JP2847183 A JP 2847183A JP 2847183 A JP2847183 A JP 2847183A JP S59154456 A JPS59154456 A JP S59154456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- powder
- cds
- ions
- soln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法に
関するものであり、特には非常に結晶性が高く、かつ均
一な単一粒子状態にあるCdS(1−X)−Sex固容
体粉体の製造方法に関するものである。
関するものであり、特には非常に結晶性が高く、かつ均
一な単一粒子状態にあるCdS(1−X)−Sex固容
体粉体の製造方法に関するものである。
電子写真用光導電性材料として用いられるCdS(1−
x)・Sexの最も一般的な製造法は、先ず必要に応じ
てCu++、In+++、Cl−等の不廃物イオンを含
有するCd塩水溶液にH2Sを通じて、CdS粉体の沈
殿を得、次いでこのCdS粉体と、セレン粉体及びCd
Se粉体の一方、もしくは両者を混合しこの混合物にC
dCl2、ZnCl2等ハロゲン化物より成る融剤を加
え、高温で焼成する方法が採られている。しかしながら
、この様な従来法においては、CdS粉体とSeもしく
はCdSe粉体との混合が不均一であったり、両者の粒
度に大きな差があると高温で焼成した場合、均一な固容
体とならなかったり、生成したCdS(1−x)・Se
xの粒度分布も広くなり、直径10数ミクロンに及ぶ粒
大な粒子も含まれることがあり、電子写真用光導電性材
料として使用した場合、画質に悪影響を及ぼす。
x)・Sexの最も一般的な製造法は、先ず必要に応じ
てCu++、In+++、Cl−等の不廃物イオンを含
有するCd塩水溶液にH2Sを通じて、CdS粉体の沈
殿を得、次いでこのCdS粉体と、セレン粉体及びCd
Se粉体の一方、もしくは両者を混合しこの混合物にC
dCl2、ZnCl2等ハロゲン化物より成る融剤を加
え、高温で焼成する方法が採られている。しかしながら
、この様な従来法においては、CdS粉体とSeもしく
はCdSe粉体との混合が不均一であったり、両者の粒
度に大きな差があると高温で焼成した場合、均一な固容
体とならなかったり、生成したCdS(1−x)・Se
xの粒度分布も広くなり、直径10数ミクロンに及ぶ粒
大な粒子も含まれることがあり、電子写真用光導電性材
料として使用した場合、画質に悪影響を及ぼす。
本発明は、均一で結晶性が高く、かつ粒度分布の狭いC
dS(1−x)・Sex固溶体粒子の製造方法を提供す
ることを主たる目的とする。
dS(1−x)・Sex固溶体粒子の製造方法を提供す
ることを主たる目的とする。
本発明は、適当な界面活性剤をがんゆうさせたCd++
イオン水溶液を、スプレー塗布装置などによりエアロゾ
ル状態として、H2SとH2Seとの混合雰囲気中に吹
き込むことにより反応させCdSとCdSeとの粒大な
凝集体がなく粒度分布の巾が狭く、かつ完全に均一に混
合された状態の混合物を得る。その後20重量%以上の
融剤を混合し、融剤の融点よりも50℃以上高い温度で
1次焼成し、更に1次焼成温度よりも」低い温度で2次
焼成することを特徴とするものである。
イオン水溶液を、スプレー塗布装置などによりエアロゾ
ル状態として、H2SとH2Seとの混合雰囲気中に吹
き込むことにより反応させCdSとCdSeとの粒大な
凝集体がなく粒度分布の巾が狭く、かつ完全に均一に混
合された状態の混合物を得る。その後20重量%以上の
融剤を混合し、融剤の融点よりも50℃以上高い温度で
1次焼成し、更に1次焼成温度よりも」低い温度で2次
焼成することを特徴とするものである。
すなわち、Cd++イオン水溶液を粒径数ミクロン〜数
十ミクロン程度のエアロゾル粒子として、H2SとH2
Seとの混合雰囲気中に吹き込み反応させることにより
、粒度分布の巾が狭く粗大粒子が少なく、かつCdSと
CdSeとが完全に均一に混合されており、融剤を混合
して焼成を行っても粒子の固溶化反応、成長反応が円滑
に進行し、最終的に得られるCdS(1−x)・Sex
固溶体粒子は、組成が均一で結晶性が高く、かつ粒度分
布が狭く粒子間の凝集も少ないものを得ることが可能と
なった。
十ミクロン程度のエアロゾル粒子として、H2SとH2
Seとの混合雰囲気中に吹き込み反応させることにより
、粒度分布の巾が狭く粗大粒子が少なく、かつCdSと
CdSeとが完全に均一に混合されており、融剤を混合
して焼成を行っても粒子の固溶化反応、成長反応が円滑
に進行し、最終的に得られるCdS(1−x)・Sex
固溶体粒子は、組成が均一で結晶性が高く、かつ粒度分
布が狭く粒子間の凝集も少ないものを得ることが可能と
なった。
エアロゾル化には、種々の手法が考えられるが、最も一
般的には通常のスプレー塗布装置を用いるのが開便であ
り、吐出の条件としては内径0.5mm〜1.0mmを
有するノズルを用い、吐出圧1.0■〜10.0■、吐
出量10m1/min〜100m1/minの範囲が良
好である。使用するCd++イオン水溶液濃度としては
、0.1mole/1〜1.0mole/1程度が良好
であり、エアロゾル化の条件によっては、生成したCd
S(1−x)・Sex混合粉体が二次的に凝集すること
があるので、予めCd++イオン水溶液に適量の界面活
性剤を添加して凝集することも有効である。吹き込まれ
る雰囲気としてはH2S/H2Se混合ガス100%雰
囲気ばかりでなく、空気や窒素・アルゴン等の気体で希
釈して用いることも有効である。
般的には通常のスプレー塗布装置を用いるのが開便であ
り、吐出の条件としては内径0.5mm〜1.0mmを
有するノズルを用い、吐出圧1.0■〜10.0■、吐
出量10m1/min〜100m1/minの範囲が良
好である。使用するCd++イオン水溶液濃度としては
、0.1mole/1〜1.0mole/1程度が良好
であり、エアロゾル化の条件によっては、生成したCd
S(1−x)・Sex混合粉体が二次的に凝集すること
があるので、予めCd++イオン水溶液に適量の界面活
性剤を添加して凝集することも有効である。吹き込まれ
る雰囲気としてはH2S/H2Se混合ガス100%雰
囲気ばかりでなく、空気や窒素・アルゴン等の気体で希
釈して用いることも有効である。
なお必要に応じてCd++イオン水溶液は、Cu++、
In+++、Cl−等の不純物イオンを含有してもよい
。
In+++、Cl−等の不純物イオンを含有してもよい
。
また、使用する融剤としては、CdCl2、NaCl、
ZnCl2、KCl等の1つ、あるいは数種類を混合し
たものが好適であり、使用量はCdS・CdSe混合物
に対して20wt%〜65wt%の範囲が好ましい。焼
成温度は、使用する融剤の融点よりも50℃以上高く、
かつ600℃以下の温度が好ましく、融剤と焼成後、再
度結晶性を上げる目的で400℃〜500℃の温度で二
次焼成を行うことが有効である。
ZnCl2、KCl等の1つ、あるいは数種類を混合し
たものが好適であり、使用量はCdS・CdSe混合物
に対して20wt%〜65wt%の範囲が好ましい。焼
成温度は、使用する融剤の融点よりも50℃以上高く、
かつ600℃以下の温度が好ましく、融剤と焼成後、再
度結晶性を上げる目的で400℃〜500℃の温度で二
次焼成を行うことが有効である。
以下に具体的な実施例を示す。
実施例
CdSO40.1mole、CuSO40.2×10−
4mole、In2(SO4)30.2×10−3mo
le、conqHCl14.5ml、conqH2SO
413.0mlを■水に溶解させ500mlとした溶液
(硫酸々性1N、塩酸々性0.1N)とした溶液に、界
面活性剤として商品名:ノニオンOT−221(日本油
脂製:ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート)
を1g混合して充分に撹拌を行った。
4mole、In2(SO4)30.2×10−3mo
le、conqHCl14.5ml、conqH2SO
413.0mlを■水に溶解させ500mlとした溶液
(硫酸々性1N、塩酸々性0.1N)とした溶液に、界
面活性剤として商品名:ノニオンOT−221(日本油
脂製:ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート)
を1g混合して充分に撹拌を行った。
その後、図に示される反応器を用いて反応させた。まず
反応容器8中にボンベ5より硫化水素0.08mole
(1気圧で約1.8l)およびボンベ6よりセレン化水
素0.02mole(1気圧で約0.45l)が供給され、
さらにボンベ4より窒素が供給され、全体で30lに希
釈されている。反応容器中の混合ガスはマントルヒータ
ー3によって60℃に保たれている。
反応容器8中にボンベ5より硫化水素0.08mole
(1気圧で約1.8l)およびボンベ6よりセレン化水
素0.02mole(1気圧で約0.45l)が供給され、
さらにボンベ4より窒素が供給され、全体で30lに希
釈されている。反応容器中の混合ガスはマントルヒータ
ー3によって60℃に保たれている。
この混合ガス中に上記Cd++イオン含有原液1を内径
0.5mmのノズル2より吐出圧2.0■、吐出量50
ml/minでスプレーする。その結果CdS、CdS
eの混合物7が反応容器8の底部に生じた。その後生成
したCdS・CdSe混合物を反応器より取り出し水及
びメタノールで充分に洗浄し、70℃で一晩乾燥した。
0.5mmのノズル2より吐出圧2.0■、吐出量50
ml/minでスプレーする。その結果CdS、CdS
eの混合物7が反応容器8の底部に生じた。その後生成
したCdS・CdSe混合物を反応器より取り出し水及
びメタノールで充分に洗浄し、70℃で一晩乾燥した。
乾燥後、沈殿物400gに対して、CdCl280gと
NaCl120gとを加え、充分に混合した後、すり合
わせフタ付き石英ルツボに充填し、530℃で30分間
焼成し、焼成後室温まで放冷後水洗・脱イオン処理を行
い乾燥し、再度450℃で1時間焼成した。放冷後、洗
液の電導度が1μυ/cm以下となるまで水洗・脱イオ
ン処理を行い脱水乾燥した。
NaCl120gとを加え、充分に混合した後、すり合
わせフタ付き石英ルツボに充填し、530℃で30分間
焼成し、焼成後室温まで放冷後水洗・脱イオン処理を行
い乾燥し、再度450℃で1時間焼成した。放冷後、洗
液の電導度が1μυ/cm以下となるまで水洗・脱イオ
ン処理を行い脱水乾燥した。
このCdS(1−x)・Sex粉体をSEMで観察する
と、表面が滑らかで、粒径が2.0μ〜5.0μ程度に
そろった、非常に均一な固溶体粒子になっていることが
認められた。その後、このCdS(1−x)・Sex粉
体を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体糸樹脂〔VMCH
(商品名):UCC製〕を結着剤としてアルミ基板上に
40μの厚さで塗布し、更に、上に厚さ30μの絶縁層
を設けて測定用感光体とした。この感光体を、一次帯電
(+)→AC除電同時像露光→全面露光を基本プロセス
とする複写機を用いて画像を評価したところ、画質、特
にはハーフトーンの再現性に優れ、また電位シフトも小
さいことが認められた。
と、表面が滑らかで、粒径が2.0μ〜5.0μ程度に
そろった、非常に均一な固溶体粒子になっていることが
認められた。その後、このCdS(1−x)・Sex粉
体を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体糸樹脂〔VMCH
(商品名):UCC製〕を結着剤としてアルミ基板上に
40μの厚さで塗布し、更に、上に厚さ30μの絶縁層
を設けて測定用感光体とした。この感光体を、一次帯電
(+)→AC除電同時像露光→全面露光を基本プロセス
とする複写機を用いて画像を評価したところ、画質、特
にはハーフトーンの再現性に優れ、また電位シフトも小
さいことが認められた。
図は、本発明の実施のための反応装置の組合わせの一例
である。 符号1はCd++イオン含有原液、2はスプレーノズル
、3はマントルヒーター、4は窒素ボンベ、5は硫化水
素ボンベ、6はセレン化水素ボンベ、7は生成CdS・
CdSe、8は反応容器を示す。 出願人キャノン株式会社 代理人弁理士狩野■
である。 符号1はCd++イオン含有原液、2はスプレーノズル
、3はマントルヒーター、4は窒素ボンベ、5は硫化水
素ボンベ、6はセレン化水素ボンベ、7は生成CdS・
CdSe、8は反応容器を示す。 出願人キャノン株式会社 代理人弁理士狩野■
Claims (1)
- (1)Cd++イオン水溶液中に界面活性剤を含有させ
、それをエアロゾル状にして、H2SとH2Seとの混
合雰囲気中に吹き込んで反応させCdS、CdSe混合
粉体を得、この混合物に、20重量%以上65重量%以
下の融剤を混合し、融剤の融点よりも50℃以上高い温
度で1次焼成し、更に1次焼成温度より低い温度で2次
焼成することを特徴とする光導電性硫セレン化カドミウ
ム粉体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847183A JPS59154456A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847183A JPS59154456A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59154456A true JPS59154456A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12249561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2847183A Pending JPS59154456A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59154456A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018139446A1 (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体ナノ粒子製造装置及び半導体ナノ粒子の製造方法 |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP2847183A patent/JPS59154456A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018139446A1 (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体ナノ粒子製造装置及び半導体ナノ粒子の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6041047A (ja) | 堆積膜形成法 | |
GB2155454A (en) | Preparation of chalcogenide alloys | |
JPS59154456A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 | |
JPH1081522A (ja) | 粒子状組成物及びその製造方法 | |
JPS59154457A (ja) | 光導電性硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
JPS59162136A (ja) | 硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
JPS59155853A (ja) | 光導電性硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
KR102651840B1 (ko) | 구형 형상을 갖는 황화물계 고체 전해질의 제조방법 | |
KR102651836B1 (ko) | 황화물계 고체 전해질의 제조방법 | |
JPS59162134A (ja) | 硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
JPS59155854A (ja) | 光導電性硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
JP2014237573A (ja) | 非水系電解質二次電池正極活物質用ニッケルコバルト複合水酸化物の製造方法およびニッケルコバルト複合水酸化物粒子 | |
JPH04278957A (ja) | 電子写真用感光体とその製造方法 | |
JPS58208136A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
KR20240006396A (ko) | 청색발광 나노입자의 제조방법 | |
JPS6117404A (ja) | セレンの製造方法 | |
JPS60127232A (ja) | 電子写真用硫化カドミウム粉体の製造方法 | |
JP3013974B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JPS59162109A (ja) | 電子写真用硫セレン化カドミウム粉体の製造方法 | |
JP3433879B2 (ja) | マグネタイト粒子及びその製造方法 | |
KR20230084686A (ko) | 고순도 황화물계 고체 전해질의 제조방법 | |
JPS59191064A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS58208138A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS59192254A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS59192253A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 |