JPS59151106A - 光導波路装置 - Google Patents
光導波路装置Info
- Publication number
- JPS59151106A JPS59151106A JP1612183A JP1612183A JPS59151106A JP S59151106 A JPS59151106 A JP S59151106A JP 1612183 A JP1612183 A JP 1612183A JP 1612183 A JP1612183 A JP 1612183A JP S59151106 A JPS59151106 A JP S59151106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light shielding
- optical
- optical waveguide
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［）Ｉ、明ｏＨ）技術分野］
この発明は、光集積回路を実現するのｆ二好忙１な光導
波略装ｆｌｉ、’ ｌ二関する。
波略装ｆｌｉ、’ ｌ二関する。
し発明の技術的背景］
近時、ガラス又は誘電体等の基板」二に光ｄ！、波Ｉｔ
ｓを設けその基板上に、例え目゛光専波路レンズ等の光
学素子を集積化した光集積回路を実現しようとする試み
が盛んに１行なわれている。
ｓを設けその基板上に、例え目゛光専波路レンズ等の光
学素子を集積化した光集積回路を実現しようとする試み
が盛んに１行なわれている。
第１図はその一例を示すもので、う中＋１表１川波によ
る光波の回折を利用して、ＲＦ信号の周波数スペクトラ
ムの解析を行うｍ４’？＋化ツＵ学式スペクトラムアナ
ライザ装僅の構成図である。
る光波の回折を利用して、ＲＦ信号の周波数スペクトラ
ムの解析を行うｍ４’？＋化ツＵ学式スペクトラムアナ
ライザ装僅の構成図である。
この装メ°Ｃ１基板（υ上Ｃ二屈折率が界、板（１）よ
り大きい圧電性を不する薄膜の光導波路（２）が形成部
ｔ＋１この光導波路（２）の一方の端部には半導体レー
ザ（３）が結合され、他方の端部にはフォトダイオード
アレイ（４）が結合されている。
り大きい圧電性を不する薄膜の光導波路（２）が形成部
ｔ＋１この光導波路（２）の一方の端部には半導体レー
ザ（３）が結合され、他方の端部にはフォトダイオード
アレイ（４）が結合されている。
さらＣ二元導波路（２）には、半導体レーザ（８）から
の光波をコリメートするコリメーションレンズ（５）ト
、これによるコリメート光を回折させるためのｌ１１１
・性表向波電極（０）と、これ【二よる回折光をフーリ
エ変換しフォトダイオードアレイ（４）の少なくとも一
部ｆ二収束するフーリエ変換レンズ（７）が形成されて
いるＯ 即ち、半導体レーザ（８１の出力光は、光導波路（２）
内Ｃ二導かれコリメーションレンズ（６）により平行光
となる。
の光波をコリメートするコリメーションレンズ（５）ト
、これによるコリメート光を回折させるためのｌ１１１
・性表向波電極（０）と、これ【二よる回折光をフーリ
エ変換しフォトダイオードアレイ（４）の少なくとも一
部ｆ二収束するフーリエ変換レンズ（７）が形成されて
いるＯ 即ち、半導体レーザ（８１の出力光は、光導波路（２）
内Ｃ二導かれコリメーションレンズ（６）により平行光
となる。
一方Ｓ解析ずべきＲＦ倍信号必要に応じて増幅された後
、弾性表面波電極（６’ｌ １−印加され、格子状の９
１Ｈｔ性表面波（音響波）が光導波路内を伝搬する。
、弾性表面波電極（６’ｌ １−印加され、格子状の９
１Ｈｔ性表面波（音響波）が光導波路内を伝搬する。
この弾性表面波（音響波）と前記平行光との角度をブラ
ッグ回折が起こるよう５１予め設定しておく。
ッグ回折が起こるよう５１予め設定しておく。
よってＲＦ倍信号周波数の変化に対応して弾性表面波（
音響波）の波長、即ち回折格子の格子間隔が変化し平行
光の同折角肪が変わる。
音響波）の波長、即ち回折格子の格子間隔が変化し平行
光の同折角肪が変わる。
さら（二この回折光は、フーリエ変換レンズ（７）Ｃ二
よって７オトダイオードアレイ（４）の少なくとも一部
に収束かつ受光されるよう７−リエ変換され、この空間
的７−リエ変換像をＮ’ｒ、み出すことにより未知のＲ
Ｆ倍信号周波紅スペクトラム解析が行われる。
よって７オトダイオードアレイ（４）の少なくとも一部
に収束かつ受光されるよう７−リエ変換され、この空間
的７−リエ変換像をＮ’ｒ、み出すことにより未知のＲ
Ｆ倍信号周波紅スペクトラム解析が行われる。
［背景技術の問題点］
従来、前述の光学式スペクトラムアナライザは仰性表ｉ
Ｉｎ＄ル榊（６）による弾性表面波を効率よく励振し、
半導体レーザ（８）からの光波の伝搬世失を棒力少なく
するため（二、例えばＬｉＮｂ０＄ にオプ酸リチウム
）からなる基板（１）を用いている。
Ｉｎ＄ル榊（６）による弾性表面波を効率よく励振し、
半導体レーザ（８）からの光波の伝搬世失を棒力少なく
するため（二、例えばＬｉＮｂ０＄ にオプ酸リチウム
）からなる基板（１）を用いている。
さらに基板（１）上の光導波路（２）は、例えばＴｉ（
チタン）を熱拡散して形成している。
チタン）を熱拡散して形成している。
また、基板（１）を構成するＬｉＮｂ０Ｂリ−／／ｄ折
率が高いため、コリメーションレンズ（６）およびフー
リエ変換レンズ（７）は一般（二基板に凹状のジオディ
ジツクレンズとしている。
率が高いため、コリメーションレンズ（６）およびフー
リエ変換レンズ（７）は一般（二基板に凹状のジオディ
ジツクレンズとしている。
しかしながら、この構成では光導波路（２）のみでなく
基板（１）自体も光透過性が良くまた屈折率も高いため
、例えは第２図に示すように半纏体レーザ（８）と光４
波路（２）とを光結合する際ｌ二、や導体レーザ（８１
の光が基板（１）内に漏洩することがある。
基板（１）自体も光透過性が良くまた屈折率も高いため
、例えは第２図に示すように半纏体レーザ（８）と光４
波路（２）とを光結合する際ｌ二、や導体レーザ（８１
の光が基板（１）内に漏洩することがある。
マタ、コリメーションレンズ（６ン若しくはフーリエ変
換レンズ（７）の凹状の曲がり都ζ二より、光導・波路
（２）内を伝搬している半導体レーザ（８）の光が基板
（１）内に漏洩することがある。
換レンズ（７）の凹状の曲がり都ζ二より、光導・波路
（２）内を伝搬している半導体レーザ（８）の光が基板
（１）内に漏洩することがある。
このように基板（１）内に漏洩した光波は、基板０）内
を伝搬してフォトダイオードアレイ（４）に到達するこ
とがある。
を伝搬してフォトダイオードアレイ（４）に到達するこ
とがある。
即ち、基板（１）内の漏洩光は、フォトダイオードアレ
イ（４）に雑音成分として受光さｉｌｌ、結果的にＲＦ
倍信号検出する光学式スペクトラム アナライザとして
のダイナミックレンジ、測定分析精度等を著しく劣化さ
せるという間組が生じてぃ１ヒ。
イ（４）に雑音成分として受光さｉｌｌ、結果的にＲＦ
倍信号検出する光学式スペクトラム アナライザとして
のダイナミックレンジ、測定分析精度等を著しく劣化さ
せるという間組が生じてぃ１ヒ。
［発明の目的］
この発明は上述の問題点を考ｂ’Ｌ Ｌでなされ７こも
ので、その目的とするところは、基板内を伝搬する帛洩
光がフォトダイオードアレイに到達するのを防ぐことが
できる簡易で尖用性高く構成された光尋波路装ｆｒ＜を
提供することである。
ので、その目的とするところは、基板内を伝搬する帛洩
光がフォトダイオードアレイに到達するのを防ぐことが
できる簡易で尖用性高く構成された光尋波路装ｆｒ＜を
提供することである。
［発明の４１ｉｔ要］
この発明は光導波路を一方の面に形Ｈ，したＡ（板の他
方の面から光導波路の形Ｊｊ＊、’部若しくは形成部カ
１傍にかけて、朗光ｑ“、′ｉ性を有する遮光体を少な
くともｌ箇所形成した光導波路装置を得るようにしたも
のである。
方の面から光導波路の形Ｊｊ＊、’部若しくは形成部カ
１傍にかけて、朗光ｑ“、′ｉ性を有する遮光体を少な
くともｌ箇所形成した光導波路装置を得るようにしたも
のである。
［発明の効果］
この発明によれば、光導波路を一方の面に形成した基板
の他方の面から光導波路の形成部若しくは形成部近傍Ｃ
かけて遮光特性を有する遮光体を少なくとも１箇所形成
することで、基板内を伝搬する漏洩光がフォトダイオー
ドアレイＣ二到達するのを防ぎ、ＲＦ情号を検出する際
のダイナミックや レンジＶ測定分析積度等が極めて良好な光導波路装置を
得ることができる。
の他方の面から光導波路の形成部若しくは形成部近傍Ｃ
かけて遮光特性を有する遮光体を少なくとも１箇所形成
することで、基板内を伝搬する漏洩光がフォトダイオー
ドアレイＣ二到達するのを防ぎ、ＲＦ情号を検出する際
のダイナミックや レンジＶ測定分析積度等が極めて良好な光導波路装置を
得ることができる。
［発明の実施例］
以下、この発明の第１の実施仲１を巣３Ｌイ１を参照し
て説明する。
て説明する。
＝ｈ ３図にこの実施例１１二よる光学式スペクトラム
アナライザの断ＩＩ′ｄ図を示すものであり、従来装置
と同一の部分にシ１１１１１−の符号を付して示しであ
る。
アナライザの断ＩＩ′ｄ図を示すものであり、従来装置
と同一の部分にシ１１１１１−の符号を付して示しであ
る。
この第１の実施例の特徴とするところは、一方の面（二
元導波路（２）が形成さＩした基Ｑ、 ｆｌ） ｌ二お
けるフォトダイオードアレイ（４）形成部の近傍（−１
基根（１）の他方の面から光導波路（２）の形成部近傍
にか＆−Ｊて遮光特性を有する遮光体（８）を形成【７
た点Ｃ二ある。
元導波路（２）が形成さＩした基Ｑ、 ｆｌ） ｌ二お
けるフォトダイオードアレイ（４）形成部の近傍（−１
基根（１）の他方の面から光導波路（２）の形成部近傍
にか＆−Ｊて遮光特性を有する遮光体（８）を形成【７
た点Ｃ二ある。
この遮光体（８ンは１例えはカッターＣ二よる切削等に
より設けた溝Ｃ二、例えは金利またはり、へ色エボキシ
樹脂畳からなる遮光物置を埋め込んで形成さね７ている
。
より設けた溝Ｃ二、例えは金利またはり、へ色エボキシ
樹脂畳からなる遮光物置を埋め込んで形成さね７ている
。
遮光体（８）の幅は、光をｇ（断する程度で艮く、この
遮光体（８）を、例えば黒色エポキシ仙脂で形成する場
合は、例えば１００μｍ乃至２００μｍ程歴で良い。
遮光体（８）を、例えば黒色エポキシ仙脂で形成する場
合は、例えば１００μｍ乃至２００μｍ程歴で良い。
このような構造を翁するブＬ学式スペクトラムアナライ
ザによれば、例えは半纏体レーザ（６）からの基板（ｎ
内への漏洩光、またはコリメーションレンズ（５）若し
くはフーリエ変換レンズ（７ンの凹状の曲がり部による
基板（１）内への漏洩光を、フォトダイオードアレイ（
４）への到達ｈｊロニ刷光体（８）に上りは１′ｌ完全
（−遮断することがて舊る。
ザによれば、例えは半纏体レーザ（６）からの基板（ｎ
内への漏洩光、またはコリメーションレンズ（５）若し
くはフーリエ変換レンズ（７ンの凹状の曲がり部による
基板（１）内への漏洩光を、フォトダイオードアレイ（
４）への到達ｈｊロニ刷光体（８）に上りは１′ｌ完全
（−遮断することがて舊る。
従って、傅釆の光学式スペクトラムアナラづザの特性感
化の原因である基板（１）円の漏洩光が７オトダイオー
ドアレイ（４）（二到達することが極めて少なくなり、
そのため雑音レベルが社減芒れＲＦ信号の検出感度やダ
イナミックレンジ分解能を大幅に改善することができる
。
化の原因である基板（１）円の漏洩光が７オトダイオー
ドアレイ（４）（二到達することが極めて少なくなり、
そのため雑音レベルが社減芒れＲＦ信号の検出感度やダ
イナミックレンジ分解能を大幅に改善することができる
。
次（二、この発明のｖ、２の実施１勾を第４図を参照し
て説明する。
て説明する。
第４図はこの実施例による光学式スペクトラムアナライ
ザの断面図であり、従来装置ｆ＋と同一σ）部分には同
一の符号を付して示しである。
ザの断面図であり、従来装置ｆ＋と同一σ）部分には同
一の符号を付して示しである。
上述の第１の実施例において１１西光体（８）をフ第１
・ダイオードプレイ（７）形成ｐｌｉの近傍に形ｒＪス
したが、この第２の実施例の特徴とするところ仁４゛、
遮光体（８）を図示のごとく基板（１ｌ：おける半導体
レーザ形成部の近傍、若しくけコリメーションレンズ１
５）のフォトダイオードプレイ側近伝、治しくけフーリ
エ変換レンズ（７）の７オトダイオードアレイ側近傍等
にｉ＊）数１＾１所形ｈν、した点にあ４、。
・ダイオードプレイ（７）形成ｐｌｉの近傍に形ｒＪス
したが、この第２の実施例の特徴とするところ仁４゛、
遮光体（８）を図示のごとく基板（１ｌ：おける半導体
レーザ形成部の近傍、若しくけコリメーションレンズ１
５）のフォトダイオードプレイ側近伝、治しくけフーリ
エ変換レンズ（７）の７オトダイオードアレイ側近傍等
にｉ＊）数１＾１所形ｈν、した点にあ４、。
以上、この上９なイ４造におし）でも前述の実施例と同
和その効果をイ（することができＲＦ １ｉ４号（１）
４５ｑ出感度やダイナミックレンジ分解能を犬１１９
４に数個することができる。
和その効果をイ（することができＲＦ １ｉ４号（１）
４５ｑ出感度やダイナミックレンジ分解能を犬１１９
４に数個することができる。
なお、上述のａ３１お工び紀２の央廁令１ｌｌ−おいて
は、遮光体（８１は光導波路（２）に対して垂直に形成
する例を示したが、光導波路（２）（一対してＨ［定の
角度を有するようＣ二形成されていても艮く、さｒ、
ｔ−光の伝搬する方向Ｃ二対してハ［定の角辺を４］゛
するようＣ二形Ｊｉゾさオｔても、同様の効果が得らｔ
Ｌる。
は、遮光体（８１は光導波路（２）に対して垂直に形成
する例を示したが、光導波路（２）（一対してＨ［定の
角度を有するようＣ二形成されていても艮く、さｒ、
ｔ−光の伝搬する方向Ｃ二対してハ［定の角辺を４］゛
するようＣ二形Ｊｉゾさオｔても、同様の効果が得らｔ
Ｌる。
１．た、上述の実施例では遮光体（８）を基板（１）の
他方の面から光導波路（２）の形成部近傍ｆ二かけて形
成したが、基板（］）の他方の面から光導波路＋２＋
にかけてｑ％ ＦＩＩｉ分子二形成しても良いことは明
らかである。
他方の面から光導波路（２）の形成部近傍ｆ二かけて形
成したが、基板（］）の他方の面から光導波路＋２＋
にかけてｑ％ ＦＩＩｉ分子二形成しても良いことは明
らかである。
さらに、実施例で一光字式スペクトラムアナライザにつ
いで説明し、たが、この発明ｔ」その他に光コンボルバ
ーまたに」゛光コリレータ宿・をはじめとする＋山々の
光榊波路装匝の他″性改糾ができることは明らかである
。
いで説明し、たが、この発明ｔ」その他に光コンボルバ
ーまたに」゛光コリレータ宿・をはじめとする＋山々の
光榊波路装匝の他″性改糾ができることは明らかである
。
第１図ｄ、、従来例を示す光学式スペクトラムアナライ
ザ装置の宗［親図、！！；２図は第１図１１示す光学式
スペクトラムアナライザ装置の断面図、第３図はこの発
明の第１の’ｘ１４ Ｍ５例を示す光学式スペクトラム
アナライザの断面図、第４図はこの発明の第２の実施例
を示す光学式スペクトラムアナライザの断面図である。 １・・・基板 ２・・・光導波路３・・・半
導体レーザ ４・・・７オトダイオードアレイ ５・・コリメーションレンズ ６・・弾性表面波電極 ７・・フーリエ変換レンズ ８・・・辿光体代理人 弁
理士 則 近 麿 佑 ほか１名第１図 第２図 第３図
ザ装置の宗［親図、！！；２図は第１図１１示す光学式
スペクトラムアナライザ装置の断面図、第３図はこの発
明の第１の’ｘ１４ Ｍ５例を示す光学式スペクトラム
アナライザの断面図、第４図はこの発明の第２の実施例
を示す光学式スペクトラムアナライザの断面図である。 １・・・基板 ２・・・光導波路３・・・半
導体レーザ ４・・・７オトダイオードアレイ ５・・コリメーションレンズ ６・・弾性表面波電極 ７・・フーリエ変換レンズ ８・・・辿光体代理人 弁
理士 則 近 麿 佑 ほか１名第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）基板の一方の面ｆニラ“Ｃ２Ｈ？Ｊ３１．路が形
成さえした光導波略装的に丸・いて、前記基板の１Ｌｌ
Ｈ方の１ｎＩから前記光導？７ダ路の形成部若しくは形
成部近傍１：かげて前記基本シ内の光を砕断するための
遮九特性を有する編光体が少なくともＩＬｊ”）ｒ形成
されてなることを特徴とする光が波路装置。 - （２） 前Ｍｒ２ ｙ練プ１一体し１、Ｗｉｌ記基板
基板方の面からｆｉｌｉ［シ光専波路の形ｉ７ψ、部若
しく ４７」形成部近傍にかけて設置ｒｙら）１、次桔
１１ニメ奨光９与件を翁する９勿買を埋めることｌ二よ
り形ｂＥされてなることを％作文とする４ｊＦｉＴ届求
の範囲第１ＪＪ″↓河Ｃ帖の光等波路ｈＩ代。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612183A JPS59151106A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光導波路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612183A JPS59151106A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光導波路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151106A true JPS59151106A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=11907677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1612183A Pending JPS59151106A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光導波路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151106A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866447A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-12 | ||
| JPS5615076A (en) * | 1979-07-19 | 1981-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manuacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP1612183A patent/JPS59151106A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866447A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-12 | ||
| JPS5615076A (en) * | 1979-07-19 | 1981-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manuacture of semiconductor device |
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