JPS59147541A - Ecl logical circuit - Google Patents

Ecl logical circuit

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JPS59147541A
JPS59147541A JP2066583A JP2066583A JPS59147541A JP S59147541 A JPS59147541 A JP S59147541A JP 2066583 A JP2066583 A JP 2066583A JP 2066583 A JP2066583 A JP 2066583A JP S59147541 A JPS59147541 A JP S59147541A
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JP
Japan
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voltage
circuit
current
current source
ecl
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Application number
JP2066583A
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Japanese (ja)
Inventor
Kunitoshi Aono
邦年 青野
Haruyasu Yamada
山田 晴保
Kenichi Hasegawa
謙一 長谷川
Toshiki Mori
俊樹 森
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To keep the logical amplitude constant by applying negative feedback control to the current of a current source of a logical circuit depending on the fluctuation of logical amplitude. CONSTITUTION:A block 1 surrounded by dotted lines is a 3-input NAND circuit stacked longitudinally in three stages with emitter coupled logical ECL gates and consists of transistors (TRs)T1-T6. A TRT10 and a resistor R6 in a block 3 surrounded by dotted lines 3 constitute a current source, and the same voltage Vc as the base voltage of a TRT7 of the current source of the block 1 is applied to the base of the TRT10 to form a current mirror circuit, and the current of the current source flows to a resistor R7 via TRsT11, T12, and T13. Reference voltages VL, VM and VN are applied respectively to the TRs. Then, resistors R8, R9, TRsT14 and T15 constitute a differential amplifier and the current value of the current source is applied with negative feedback to be controlled by an output voltage of the amplifier.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路化するECL論理回路に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an ECL logic circuit that is implemented as a semiconductor integrated circuit.

従来例の構成とその問題点 半導体集積回路は最近ますます高集積化、高速化される
傾向にあり、ECL論理回路による半導体集積回路にお
いてもこの傾向は顕著である。
Conventional Structures and Problems Semiconductor integrated circuits have recently become more highly integrated and faster, and this trend is also noticeable in semiconductor integrated circuits based on ECL logic circuits.

ECL論理回路においては、TTL論理回路等2ページ 他の論理回路に比べ、論理振幅が小さい為回路素子の特
性の変動、電源電圧の変動等の影響を受は易く、誤動作
の原因となる。また高集積化した場合にはいっそう歩留
りが低下する。
Since the ECL logic circuit has a smaller logic amplitude than other logic circuits such as TTL logic circuits, it is more susceptible to changes in the characteristics of circuit elements, power supply voltage, etc., which can cause malfunctions. Furthermore, when the integration is increased, the yield is further reduced.

以下に従来のECL論理回路の回路構成例について第1
図とともに説明する。
Below is a first example of the circuit configuration of a conventional ECL logic circuit.
This will be explained with figures.

第1図において点線で囲ったブロック1の回路は、EC
Lゲート回路の1例であり、ECLゲートを3段縦積み
する事により3人力のNAND回路を構成している。こ
こで、T1とT2. T3  とT41  T5 とT
6  はそれぞれECLゲートを構成する1対のトラン
ジスタであり、それぞれのEOLゲートには、入力信号
A、B、Cが各々印加され、基準電圧Vll I  v
、 l  vLとそれぞれ比較される。
The circuit of block 1 surrounded by a dotted line in FIG.
This is an example of an L gate circuit, and a three-person NAND circuit is constructed by vertically stacking three ECL gates. Here, T1 and T2. T3 and T41 T5 and T
6 is a pair of transistors each forming an ECL gate, and input signals A, B, and C are applied to each EOL gate, and a reference voltage Vll I v
, l vL, respectively.

またR1は、出力信号0の論理振幅を得る為の負荷抵抗
であり、トランジスタT7と抵抗R2はECLゲート電
流を供給する定電流源であり、トランジスタT7のベー
スには定電圧V。が印加される。以上[5Lゲートの縦
積みによりNANI)回路を構成する事ができ、出力信
号0が、入力信号3ハ、S 人、B、Cにより 0=A、B、C 二人子B+C として得られる。
Further, R1 is a load resistance for obtaining the logic amplitude of the output signal 0, the transistor T7 and the resistor R2 are a constant current source that supplies the ECL gate current, and a constant voltage V is applied to the base of the transistor T7. is applied. As described above, a [NANI] circuit can be constructed by vertically stacking 5L gates, and the output signal 0 is obtained as 0=A, B, C twin child B+C by input signals 3, S, B, and C.

次に、点線で囲ったブロック20回路は、前記ブロック
1において、定電流源を構成するトランジスタT7のベ
ースに供給する定電圧を発生するバイアス回路である。
Next, a block 20 circuit surrounded by a dotted line is a bias circuit that generates a constant voltage to be supplied to the base of the transistor T7 constituting the constant current source in the block 1.

ここでT8.T、はトランジスタRs +  R41R
5は抵抗であり、T8のコレクタは、R3を介してGN
Dに接地され、エミッタはR4を介して、またベースは
R5を介して定電圧電源Wil+に接続される。そして
T9のコレクタは(1,NDに接地され、ベースは前記
R5とT8のコレクタの接続点に接続され、エミッタは
前記R5とT8のベースの接続点に接続され、該接続点
より前記定電圧Vc を得る。
Here T8. T, is transistor Rs + R41R
5 is a resistor, and the collector of T8 is connected to GN through R3.
D is grounded, the emitter is connected to a constant voltage power supply Wil+ via R4, and the base is connected via R5. The collector of T9 is grounded to (1, ND), the base is connected to the connection point between the collectors of R5 and T8, the emitter is connected to the connection point between the bases of R5 and T8, and the constant voltage is applied from the connection point. Obtain Vc.

以上の様なバイアス回路において定電圧Vc  は、R
3+R4の抵抗比によって決まり、トランジスタのベー
ス、エミッタ間電圧をvBgとすると次式の様になる。
In the bias circuit as described above, the constant voltage Vc is R
It is determined by the resistance ratio of 3+R4, and when the voltage between the base and emitter of the transistor is vBg, it becomes as shown in the following equation.

次に、第1図に示したECL論理回路の論理振幅VLを
求めると次の様になる。まず抵抗R2を流れる電流工2
はVCとR2で求められI2= (Vc−Vn「Vt+
+) / R2(3)となり、VLは vL−■・R1 1 −(Vc −VBK−Vll m ) 、−(4)2 となる。但し、トランジスタの電流増幅率hFI+は十
分大きいものとしている。
Next, the logic amplitude VL of the ECL logic circuit shown in FIG. 1 is determined as follows. First, the current flow through resistor R2 is 2.
is determined by VC and R2, and I2= (Vc-Vn "Vt+
+)/R2(3), and VL becomes vL-■·R1 1 -(Vc-VBK-Vllm), -(4)2. However, the current amplification factor hFI+ of the transistor is assumed to be sufficiently large.

以上ECL論理回路の論理振幅をhFKが十分大きいと
して計算し六が、次に、hFIlが低下した場合には、
ブロック1に示した様な、ECLゲート3段縦積みにし
た回路においては、定電流源を構成するトランジスタと
合せて、4個のトランジスタが縦積みされる結果、抵抗
R1を流れる電流工1は、抵抗R2を流れる電流工1に
比べ だけ小さく々っでしまう。すなわち論理振幅vL5、−
2゜ もその比だけ小さく々る。またECLゲートの縦積み段
数がふえると、いっそう論理振幅が小さくなる。さらに
ブロック2に示した様なバイアス回路は、半導体集積回
路においては、数個から数十個の定電流源に、定電圧v
cを供給する必要があり、hFIlが低下すると、ベー
ス電流が増加し、vcの電圧の低下が犬きくなってしま
う。VCの電圧が低下すれば、(4)式に示す様、いっ
そう論理振幅が小さくなってしまう。
The logic amplitude of the ECL logic circuit is calculated above assuming that hFK is sufficiently large.Next, when hFIl decreases,
In a circuit with three stages of ECL gates stacked vertically as shown in Block 1, as a result of four transistors stacked vertically together with the transistor constituting the constant current source, the current flow through resistor R1 is , the current flow through the resistor R2 is smaller than the current 1 flowing through the resistor R2. That is, the logic amplitude vL5, -
2 degrees is also smaller by that ratio. Furthermore, as the number of vertically stacked ECL gates increases, the logic amplitude becomes even smaller. Furthermore, in a semiconductor integrated circuit, a bias circuit like the one shown in Block 2 applies a constant voltage v to several to several dozen constant current sources.
It is necessary to supply c, and when hFIl decreases, the base current increases and the voltage drop of vc becomes more severe. As the voltage of VC decreases, the logic amplitude becomes even smaller, as shown in equation (4).

まだ、第1図に示した従来のECL論理回路において、
電源電圧Vlll+が変動した場合には、(2)式に示
す様に、vcが変動する為、論理振幅も、それにつれて
変動してしまう。
However, in the conventional ECL logic circuit shown in FIG.
When the power supply voltage Vllll+ fluctuates, as shown in equation (2), vc fluctuates, and the logic amplitude also fluctuates accordingly.

以上の様な原因により、論理振幅が小さくなると、信号
のLOWレベルが持ち上がり、基準電圧に近づく為EC
Lゲートがスイッチングできなくなってしまい、回路が
動作しなくなる。以上の様に、従来の[iL論理回路は
、回路素子特性の変動や、電源電圧の変動に対して設計
余裕が小さいものであった。
Due to the reasons mentioned above, when the logic amplitude becomes smaller, the LOW level of the signal rises and approaches the reference voltage, causing the EC
The L gate will no longer be able to switch, and the circuit will no longer operate. As described above, the conventional [iL logic circuit] has a small design margin with respect to variations in circuit element characteristics and variations in power supply voltage.

6ベー、・ 発明の目的 本発明はこのような従来の問題に鑑みECL論理回路の
回路素子の特性変動及び電源電圧特性に対する設計余裕
を大きくする事が出来、同時に、論理振幅を小さくして
高速化を可能とすることの出来るEOL論理回路を提供
することを目的とするものである。
6. Purpose of the Invention In view of these conventional problems, the present invention is capable of increasing the design margin with respect to characteristic fluctuations of circuit elements and power supply voltage characteristics of ECL logic circuits, and at the same time, reduces logic amplitude to achieve high speed. The object of the present invention is to provide an EOL logic circuit that can be used as an EOL logic circuit.

発明の構成 本発明は、ECLゲートの論理振幅が、その電流源の電
流値と負荷抵抗によって決まるECL論理回路において
、基準電圧源とEGLゲートの論理振幅に比例した電圧
を発生する回路と、この電圧と前記基準電圧との電圧差
を増幅する増幅器を有する事により、前記論理振幅の変
動を検出する。
Structure of the Invention The present invention provides an ECL logic circuit in which the logic amplitude of the ECL gate is determined by the current value of the current source and the load resistance, and a circuit that generates a voltage proportional to the logic amplitude of the reference voltage source and the EGL gate; Fluctuations in the logic amplitude are detected by including an amplifier that amplifies the voltage difference between the voltage and the reference voltage.

そして、この増幅器の出力電圧により、前記電流源の電
流値を負帰還制御する事によって、E(iL論理回路の
論理振幅を一定に保つものであり、回路素子の特性の変
動、電源電圧の変動等による回路の誤動作を防止するも
のである。
By using the output voltage of this amplifier to perform negative feedback control on the current value of the current source, the logic amplitude of the E (iL logic circuit) is kept constant, and fluctuations in the characteristics of the circuit elements and fluctuations in the power supply voltage are controlled. This is to prevent circuit malfunctions caused by such factors.

実施例の説明 7ベー゛ 第2図は本発明によるECL論理回路の一実施例を示す
。説明を容易にする為に、従来例と共通の構成要素の番
号は第1図と同じにしてあり、点線で囲ったブロック1
は第1図と同一のECLゲーl−を3段縦積みにする事
により構成した3人力のNAND回路であり、T1 〜
T6 はトランジスタである。捷だR1け負荷抵抗、ト
ランジスタT7゜抵抗R2け電流源であり、トランジス
タT7のベース電圧はV。である。まだA、B、Cは入
力信号、0は出力信号VH+  VM+  VLはそれ
ぞれ入力信号A、B、Cと比較する基準電圧である。
DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS FIG. 2 shows one embodiment of an ECL logic circuit according to the present invention. For ease of explanation, the numbers of the components common to the conventional example are the same as in Figure 1, and block 1 surrounded by a dotted line
is a three-person NAND circuit constructed by vertically stacking the same ECL game l- in three stages as shown in Fig. 1, and T1 ~
T6 is a transistor. The resistor R1 is a load resistor, the transistor T7 is a current source and the resistor R2 is a current source, and the base voltage of the transistor T7 is V. It is. A, B, and C are input signals, and 0 is an output signal VH+VM+VL is a reference voltage to be compared with input signals A, B, and C, respectively.

次に点線で囲ったブロック3が本発明の重要構成要素で
あり、以下に説明する。トランジスタT、。
Next, block 3 surrounded by a dotted line is an important component of the present invention, and will be explained below. Transistor T.

抵抗R6は電流源であり、T、oのベースは、ブロック
1の電流源のトランジスタT7のベース電圧と同じV。
The resistor R6 is a current source, and the base of T,o is at the same V as the base voltage of the transistor T7 of the current source of block 1.

が供給されており、カレントミラー回路となっており該
電流源の電流は、抵抗R7にトランジスタT111  
T121  T15を介して流れる。またトランジスタ
TN I  T121  THのベースにはそれぞれ前
記基準電圧VL、V、、VHが印加される0寸だ抵抗R
B HR9+  トランジスタT 141 TI5によ
り差動増幅器が構成されており、TI5のベースには、
トランジスタT、6.抵抗R8で発生した基準電圧va
が印加され、T14のベースには、前記R7に発生する
電圧Vbが印加される。前記差動増幅器において誤入力
電圧vbの正相出力がトランジスタT15のコレクタか
ら出力されトランジスタT17のベースに印加される。
is supplied, forming a current mirror circuit, and the current from the current source is passed through the resistor R7 and the transistor T111.
Flows through T121 T15. Furthermore, the bases of the transistors TN I T121 TH are each connected to a 0-dimensional resistor R to which the reference voltages VL, V, , VH are applied.
A differential amplifier is configured by B HR9+ transistor T 141 TI5, and the base of TI5 is
Transistor T, 6. Reference voltage va generated by resistor R8
is applied, and the voltage Vb generated at R7 is applied to the base of T14. In the differential amplifier, the positive phase output of the erroneous input voltage vb is output from the collector of the transistor T15 and applied to the base of the transistor T17.

トランジスタT17゜抵抗R1++  R12は、エミ
ッタフォロア回路であり、且つ前記差動増幅器の出力電
圧がRN I  R12により分圧される。誤抵抗R1
2,R12の接線点の電圧をトランジスタT18.抵抗
R13で構成するエミッタフォロア回路に入力し、誤エ
ミッタフォロア回路の出力電圧をvcとし、前記電流源
にそれぞれ印加している。
The transistor T17° resistor R1++ R12 is an emitter follower circuit, and the output voltage of the differential amplifier is divided by RN I R12. False resistance R1
2, the voltage at the tangent point of R12 is transferred to the transistor T18. The voltage is input to an emitter follower circuit constituted by a resistor R13, and the output voltage of the erroneous emitter follower circuit is set to vc, which is applied to each of the current sources.

以上本発明の一実施例の構成について説明しだが、次に
その動作について説明する。
The configuration of one embodiment of the present invention has been described above, and now its operation will be described.

T7.R2で構成するブロック1の電流源と、Tlo、
T6で構成するブロック2の電流源はカレントミラー構
成であるため、その電流比は常に抵9べ一2゛ 抗比R6:R2となり一定であり、抵抗R7を流れる電
流は、この電流源の電流がブロック1においてECLゲ
ートを縦積みした段数と同一の3個のトランジスタを介
して流れる為、トランジスタの電流増幅率hFlにかか
わらず、ブロック1のECLゲートの負荷抵抗に流れる
電流に常に比例している。その為、ECLゲートの負荷
抵抗R1に発生する論理振幅と抵抗R7に発生する電圧
vbとの比は抵抗R1+  R2r R6+  ’fi
 yで与えられR1・R6二 R2−R7(5) となり、常に一定である。
T7. The current source of block 1 consisting of R2, Tlo,
Since the current source of block 2 consisting of T6 has a current mirror configuration, its current ratio is always constant as a resistor ratio of 9 to 2 (R6:R2), and the current flowing through resistor R7 is the current of this current source. flows through the same three transistors as the number of vertically stacked ECL gates in block 1, so it is always proportional to the current flowing through the load resistance of the ECL gate in block 1, regardless of the current amplification factor hFl of the transistor. There is. Therefore, the ratio of the logic amplitude generated in the load resistance R1 of the ECL gate and the voltage vb generated in the resistance R7 is resistance R1+ R2r R6+ 'fi
It is given by y and is always constant.

次に、この論理振幅に比例した電圧vb は、前記差動
増幅器において、トランジスタTl6(7)ベース、エ
ミッタ間電圧vanを用いて発生させた基準電圧Va 
と電圧比較され、入力電圧vbの正相出力が抵抗R8に
発生し、TDによりエミッタフォロア出力される。そし
て、Tj7のエミッタ電圧がR11r  RI2により
抵抗分割され、Tta及びR15によりエミッタフォロ
ア出力され、この出力電圧vcが、前記電流源を構成す
るトランジスタTjO及び10ベージ T7にそれぞれ供給される。
Next, the voltage vb proportional to this logic amplitude is the reference voltage Va generated using the voltage van between the base and emitter of the transistor Tl6 (7) in the differential amplifier.
A positive phase output of the input voltage vb is generated in the resistor R8, and is outputted as an emitter follower by the TD. Then, the emitter voltage of Tj7 is resistively divided by R11rRI2, and outputted as an emitter follower by Tta and R15, and this output voltage vc is supplied to the transistor TjO and the 10-base transistor T7, which constitute the current source, respectively.

ここで、回路設計時にR7に発生する電圧と、トランジ
スタTjAのVBi+により発生させた電圧vaとを等
しくなるよう回路定数を定めておくと、トランジスタの
hFK等の回路素子の特性の変動、及び電源電圧の変動
により、ECL論理回路の振幅が小さく々れば、比例し
て抵抗R7に発生する電圧vbの電圧が上がり、差動増
幅器の出力電圧も上がりvGの電圧が上がる。vcの電
圧が上がる事により、電流源の電流が増加し、抵抗R7
に発生する電圧vbが下がり、前記基準電圧V、と等し
く々るよう負帰還制御される。vbの電位が下がった時
も同様にVaと等しくなる様負帰還制御される為、EC
L論理回路の論理振幅は、常に一定となる。また、第2
図に示した回路において1つのブロック3の回路にてブ
ロック1の様なKCLゲートの電流源を多数駆動する事
により、各ECLゲートの定電流源のトランジスタのベ
ース電流が増加し、vGの電圧が下げられた場合におい
ても、同様にして、ECLの論理振幅は一定に保たれる
Here, if the circuit constants are determined so that the voltage generated at R7 and the voltage va generated by VBi+ of the transistor TjA are equal when designing the circuit, fluctuations in the characteristics of circuit elements such as hFK of the transistor, and the power supply If the amplitude of the ECL logic circuit becomes smaller due to voltage fluctuations, the voltage vb generated across the resistor R7 increases proportionally, the output voltage of the differential amplifier also increases, and the voltage vG increases. As the voltage of vc increases, the current of the current source increases, and the resistor R7
Negative feedback control is performed so that the voltage vb generated at the voltage Vb decreases and becomes equal to the reference voltage V. When the potential of vb falls, it is also controlled by negative feedback so that it becomes equal to Va, so EC
The logic amplitude of the L logic circuit is always constant. Also, the second
In the circuit shown in the figure, by driving multiple current sources of KCL gates like block 1 in one block 3 circuit, the base current of the transistor of the constant current source of each ECL gate increases, and the voltage of vG increases. Similarly, even when ECL is lowered, the logic amplitude of ECL is kept constant.

11、+、 発明の効果 以上の様に、本発明は、ECL論理回路の電流源の電流
を、論理振幅の変動に応じて負帰還制御する事により、
回路素子特性の変動、電源電圧の変動があった待合にお
いても常に論理振幅を一定に保つ事ができ、回路の設計
余裕を増大させ得るものであり、さらに、論理振幅をよ
り小さくして設計する事も可能となり、E(3L回路の
動作速度を増大させ得るという効果をもつ優れだΣCL
論理回路を実現できるものである。
11.+. Effects of the Invention As described above, the present invention provides negative feedback control of the current of the current source of the ECL logic circuit according to fluctuations in the logic amplitude.
It is possible to always keep the logic amplitude constant even when the circuit element characteristics change or the power supply voltage fluctuates, increasing the design margin of the circuit.Furthermore, it is possible to design with a smaller logic amplitude. This is an excellent ΣCL that has the effect of increasing the operating speed of the E (3L circuit).
It is possible to realize a logic circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来のECL論理回路の構成例、第2図は本
発明によるIIL論理回路の一構成である。 T+o+R6・・・・・・定電流源、T、、R2・・・
・・・定電流源、Rj+R7・・曲・負荷抵抗、T14
1T151′R8lR9・・・・・・差動増幅器、T+
6+  Rho・・・・・・基準電圧源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名c1
’                        
 ”1−−>               タ(ン 識 q 禦
FIG. 1 shows an example of the configuration of a conventional ECL logic circuit, and FIG. 2 shows a configuration of an IIL logic circuit according to the present invention. T+o+R6... Constant current source, T,, R2...
...Constant current source, Rj+R7...Bend/load resistance, T14
1T151'R8lR9...Differential amplifier, T+
6+ Rho...Reference voltage source. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person c1
'
”1--> Ta(n knowledge)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電流源の電流値と負荷抵抗により出力信号の論理振幅を
決めるECL論理回路であって、前記負荷抵抗に発生す
る論理振幅に比例しだ電圧を発生する電圧発生回路と、
この電圧発生回路の出力と所定基準電圧との電圧差を増
幅する増幅器を有し、該増幅器の出力電圧により、前記
電流源の電流値を負帰還制御する事を特徴としだECL
論理回路。
an ECL logic circuit that determines the logic amplitude of an output signal based on a current value of a current source and a load resistance, the voltage generation circuit generating a voltage proportional to the logic amplitude generated in the load resistance;
The ECL is characterized in that it has an amplifier that amplifies the voltage difference between the output of the voltage generating circuit and a predetermined reference voltage, and that the current value of the current source is controlled by negative feedback using the output voltage of the amplifier.
logic circuit.
JP2066583A 1983-02-10 1983-02-10 Ecl logical circuit Pending JPS59147541A (en)

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