JPS5914190A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は磁気バブルメモリ装置に係り、特にバブルメモ
リ素子中の谷部に対し局助的な曲内方向の磁場を印加す
ることにより、その動作％性を改善するものである。

（２）技術の背景 バブルメモリは使用分野を広げるため広範囲の温度条件
において安定動作するよう要望されている０ （３）従来技術と問題点 従来、磁気バブルメモリ装置”において、バブルメモリ
素子にくわえられている面内磁界は素子全体に対しての
ものであり、バブルのスタート／ストップ動作の安定化
のために用いらＪするボールド磁界でをンる。

この磁界は従来スタート／ストップ動作罠けのだめのも
ので、方向強さも］！１定されている。

これに力］しパン°ルメモリ素子の各機能部は各々異な
る面内磁界依存性をもっている。

例えばバブル検出に関与するバブル検出−伸長器におい
ては、バブルがストライプ状態にあるため、高温時にな
ると、バブル結晶の特性上飽第１１磁化が減少し、バブ
ルが伸びやすくなり１、からみつくなどの龜動作をおこ
す場合がある。

（４）発明の目的 本発明は」二記従来欠点を解決するもので、バブル素子
に対して局所的に面内磁界の方向・強さを変えるととＩ
ｃよシ印加されない部分の特性を変化させず、劣等外部
分のみの特性を改善しようとするものである。

（５）発明の構成 本発明は上記目的を達成するためバブル発生器、バブル
を格納１７転送するメジャライ／とマイナループ、バブ
ル検出−伸長器、およびバブルの分割・交換等を行なう
各種ケート等を具備したバブルメモリ素子を不し、該素
子全体に印加する回転磁界トバイアス磁界およびバブル
のスタート／ストップ動作を安宇化させる面内磁界にて
バブル駆動を行々う磁気バブルメモリ装置において、前
記面内磁界とけ別に前８Ｕ：素子の局所部分に第２の面
内磁界を印加するようにしたことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ装置を提供するものである。

（６）発明の実施例 上述しノｃようにバブルメモリ素子のも（４装態部はそ
れぞれの面内磁界依存性をもち、その方向強さが必ずし
もスタート／ストップ動作用のホールド磁界と同じでな
い。

このだめ本発明ではバブルメモリ素子の一部分あるいは
数個の部分にのみ局所的ガ面内磁場を印加しするもので
ある。

例えば検出部に対してのみ良り向の面内磁場を印加すれ
ば、−ｈ述した従来の誤動作現象を改善することができ
、又他の部分には影９をＪｉえず索Ｌｆ特性を改善する
ことができる。

第１図Ｖま本発明をバブル検出部に通用した実施例を示
す平面図で、１は書込みメジャーライン、２は読出しメ
ジャーライン、３はマイナーループ、４（弓バブル発生
器、５と５′は交換、分割、切換え等の動作を行なうゲ
ート、６はバブル検出−伸長器、７と８は局部的に面内
磁界を印加するｌこめのループ状導体パターンである。

これら各構成体１〜８は図示せぬバブル結晶上に絶縁物
を介在して被膜形成されており、〕（プルメモリ素子ｆ
構成する０まだ該バブルメモリ素子にはバブル駆動を行
なう回転磁界を発生するＸ。

Ｙコイル、バブルを安定に保持するためのバイアス磁界
を印加するだめの例えば永久磁石が少なくとも具備され
て磁気バブルメモリ素子が構成される０ この際、ホールド磁界は一般にバブルメモリ素子を永久
磁石に対し相対的に傾斜配置することにより、該素子全
面に面内磁界として印加される。

−まだホールド磁界発生用の磁石或はコイルを上記バイ
アス磁界とけ別に設ける場合もある。

発生器、４で発生したバブルはメジャーライン１に転送
さね、ゲート５によってマイナーループ３内に格納され
る。読１出しはゲート５′によりマイナーループ３内か
ら所望バブルをメジャーライン２に読出し、読出された
バブルは該メジャーライン２を転送してバブル検出−伸
長器６によって検出され電気信号に髪゛換される。

この際本発明では検出器−伸長器６の側部のバブルメモ
リ素子上に導体パターン７．８が蒸着等で形成されてい
る。そ１７て、該導体パターン７゜８には、導体でつく
るループ中に生じる磁界が各導体パターン７．８で逆転
するように電流を印加する。この時導体パターン７．８
によって検出−伸長器６部分に面内方向の第２の磁場が
できた状態となる。

面内磁場の方向・強さは、検出器−伸長器のパターン設
計によって差異があるが、この段方向を求めてその方向
に印加する。

第２図は本発明のガｌ果について＝明すＺ、だめの高温
時動作マージン特性であり、縦軸はバイアス磁界ＨＢを
横軸は駆動磁界ＨＤを示１．でいる。

本実験におけるバブルメモリ素子の温度は約８５℃であ
り、実線ＡとＢは従来のバブル安定動作領域を示す特性
曲線である。従来においては図示の通り低バイアス高駆
動値でバブル＋σ工出器が誤動作するため動作領域が狭
くなる欠点があった。

これに対し第１図で説明し７たバブル検出器に局部的な
面内磁界を印加する本実施例では、実線Ｂが点線の如く
ｒＩｉＩ−線状になり、斜線部分の領域が動作領域にな
って動作マージンが改善される。、（７）発明の効果 本発明によれば、バブルメモリ素子の一部、あるいけ数
個の部分の動作マージン特性を改善し、かつ他の良好な
部分の特性を劣化させることなく素子全体の特性を改善
することができ、バブルの使用分野をより広げることが
できるなどその効果は著しいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るバブルメモリ素子を示す平面図、
第２図は温度による動作マージン特性を示す特性図であ
る。 ７．８・・・局部的な面内磁界を与える導体パターン第
　１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）バブル発生器、バブルを格納し転送するメジャラ
   インとマイナループ、バブル検出−伸長器、およびバブ
   ルの分割・交換等を行なう各種ゲート等を具備したバブ
   ルメモリ素子を有し、該素子全体に印加する回転磁界と
   バイアス磁界およびバブルのスタート／スト・プ動作を
   安定化させる面内磁界にてバブル駆動を行なう磁気バブ
   ルメモリ装置において、前記面内磁界とは別知前記素子
   の局所部分に第２の面内磁界を印加するようにしたこと
   を特徴とする磁気バブルメモリ装置。
2. （２）前記局所部分は前記バブル検出−伸長器であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁気バ
   プルメ士り装置。