JPS59139004A - マイクロプリズム用原板の製造方法 - Google Patents
マイクロプリズム用原板の製造方法Info
- Publication number
- JPS59139004A JPS59139004A JP1418383A JP1418383A JPS59139004A JP S59139004 A JPS59139004 A JP S59139004A JP 1418383 A JP1418383 A JP 1418383A JP 1418383 A JP1418383 A JP 1418383A JP S59139004 A JPS59139004 A JP S59139004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- microprism
- etching
- original plate
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/04—Prisms
- G02B5/045—Prism arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Viewfinders (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はいわゆる１眼レフカメラ或いはビデオカメラ等
の光学ファインダーの測距離用の焦点板或いは固体撮像
装置に配置されるマイクロ集光レンズ等に用いるマイク
ロプリズムを得るためのマイクロプリズム用原板の製造
方法に係わる。
の光学ファインダーの測距離用の焦点板或いは固体撮像
装置に配置されるマイクロ集光レンズ等に用いるマイク
ロプリズムを得るためのマイクロプリズム用原板の製造
方法に係わる。
背景技術とその問題点
１眼し７カメラやビデオカメラの光学ファインダーの測
距離用にマイクロプリズム焦点板が用いられるものが考
えられている。この焦点板は一定の傾角をもつ微小プリ
ズム素体となる多数の鐘体が一面に敷設されてなるもの
でこのような構成による場合、空中像でピント合せをす
ることなく光束を有効に活用でき、このため視野が暗く
なることなく測距前精度が高いという利点がある。
距離用にマイクロプリズム焦点板が用いられるものが考
えられている。この焦点板は一定の傾角をもつ微小プリ
ズム素体となる多数の鐘体が一面に敷設されてなるもの
でこのような構成による場合、空中像でピント合せをす
ることなく光束を有効に活用でき、このため視野が暗く
なることなく測距前精度が高いという利点がある。
また、固体撮像装置においてその固体撮像板上における
微小レンズを各絵素に対応して形成し、集光することで
実効的な開口率を高め感度の向上を図るようにしたもの
が考えられている。
微小レンズを各絵素に対応して形成し、集光することで
実効的な開口率を高め感度の向上を図るようにしたもの
が考えられている。
このような焦点板としての或いは集光レンズとしてのマ
イクロプリズムはいずれもそのプリズム素体として３次
元的高精度の微糺・クターン加工技術を必要とするもの
である。
イクロプリズムはいずれもそのプリズム素体として３次
元的高精度の微糺・クターン加工技術を必要とするもの
である。
通常とのねマイクロプリズムを得るには最終的に得るマ
イクロプリズムの凹凸、すなわち各微細のマイクロプリ
ズム素体に対応する凹凸を有する金型を機械加工によっ
て形成し、この金型によってプラスチック板をプレス加
工して得るという方法が採られる。ところが通常この金
型においては、そのプリズム素体を形成する凹凸のピッ
チを充分小さく形成することができず、またその傾角す
なわち例えば錐体状凹凸の底角（底辺に対する傾斜角）
θは１５°〜２００となシ、底角θが７°前後というよ
うな上述した焦点板或いは集光プリズムとしてのマイク
ロプリズムにおいて要求される小さい角度のものが得ら
れず、またそのピッチも充分小さいものが得られないと
いう欠点がある。
イクロプリズムの凹凸、すなわち各微細のマイクロプリ
ズム素体に対応する凹凸を有する金型を機械加工によっ
て形成し、この金型によってプラスチック板をプレス加
工して得るという方法が採られる。ところが通常この金
型においては、そのプリズム素体を形成する凹凸のピッ
チを充分小さく形成することができず、またその傾角す
なわち例えば錐体状凹凸の底角（底辺に対する傾斜角）
θは１５°〜２００となシ、底角θが７°前後というよ
うな上述した焦点板或いは集光プリズムとしてのマイク
ロプリズムにおいて要求される小さい角度のものが得ら
れず、またそのピッチも充分小さいものが得られないと
いう欠点がある。
発明の目的
本発明においては簡単な方法によって最終的に充分小さ
い傾角すなわち底角θ、例えば７°前後以下の例えば６
°を有するマイクロプリズムを得ることのできるマイク
ロプリズム用原板の製造方法を提供するものである。
い傾角すなわち底角θ、例えば７°前後以下の例えば６
°を有するマイクロプリズムを得ることのできるマイク
ロプリズム用原板の製造方法を提供するものである。
発明の概要
本発明ｔこおいては、５ＩＯ２に対し０んＰをドープし
た場合、これがドープされないものに比して例えば弗化
水素系エツチング液に対するエツチング速度が遅くなる
ことに着目し、更にこのシんの５１０２に対するドーピ
ングはイオン注入法を適用することによってその制御が
自由に行い得ることを利用して５１０２にその膜厚方向
に関してエツチング速度が上層に向って速くなるような
りんＰの濃度分布をイオン注入によって形成してエツチ
ングによって錐体状凹凸を容易正確に形成するようにな
すものである。
た場合、これがドープされないものに比して例えば弗化
水素系エツチング液に対するエツチング速度が遅くなる
ことに着目し、更にこのシんの５１０２に対するドーピ
ングはイオン注入法を適用することによってその制御が
自由に行い得ることを利用して５１０２にその膜厚方向
に関してエツチング速度が上層に向って速くなるような
りんＰの濃度分布をイオン注入によって形成してエツチ
ングによって錐体状凹凸を容易正確に形成するようにな
すものである。
すなわち、本発明においては、例えばシリコンよりなる
基板上に８１０２膜をその基板自体を熱酸化することに
よって或いは５ｉＯ２ＪｉをＣＶＤ法等によってデポジ
ットすることによって形成し、このＳ １０２膜に対し
てシんＰを所要の濃度分布をもってイオン注入して後熱
処理を行い、この５ｉ０２に上にエツチングレジスト膜
を被着形成し、このエツチングレジスト膜に所要のピッ
チ、大きさ、形状をもって多数の窓を穿設し、この窓を
通じてＳ ｉＯ２膜のエツチングを行って、そのエツチ
ング速度の相違によって表面に向って開く例えば四角錐
体状の凹部を形成してこの錐体状凹部が配列された凹凸
が形成されたマイクロプリズム用原板を得、るものであ
る。
基板上に８１０２膜をその基板自体を熱酸化することに
よって或いは５ｉＯ２ＪｉをＣＶＤ法等によってデポジ
ットすることによって形成し、このＳ １０２膜に対し
てシんＰを所要の濃度分布をもってイオン注入して後熱
処理を行い、この５ｉ０２に上にエツチングレジスト膜
を被着形成し、このエツチングレジスト膜に所要のピッ
チ、大きさ、形状をもって多数の窓を穿設し、この窓を
通じてＳ ｉＯ２膜のエツチングを行って、そのエツチ
ング速度の相違によって表面に向って開く例えば四角錐
体状の凹部を形成してこの錐体状凹部が配列された凹凸
が形成されたマイクロプリズム用原板を得、るものであ
る。
尚、このようにして得たマイクロプリズム川原板によっ
てマイクロプリズムを作製するには先ず例えばこのマイ
クロプリズム−用原板上にＮｉ１又はＣｒ等の比較的厚
い金属めっきを施す。このＮｉ、又はＣｒ等の金属めっ
きは、例えば無電解めっきを施して後所秩の厚さに電気
めっきを施すという方法を採るか、或いは原板上にＣｕ
等を蒸着してその表面に４電性を付与させて後に、これ
の上に電気めっきによって所要の厚さのＮｉ或いはＣｒ
のめつき層を形成する。この場合のめつき層の厚さは、
原板の凹凸の深さは例えば１μｍ程度の小さいものであ
るがこれより充分大きな例えば１５．程度の厚さに形成
する。尚、Ｎ１或いはＣｒのめつきに先立って例えはこ
の下地層のＣｕの蒸着膜表面に対して離型処理を施し置
くものとし、これによってこのＮｉ或いはＣｒのめつき
層を原板から剥離して原板の凹凸が転写された凹凸面を
有する金属マスターを得る。そして更にこの金属マスク
に、同様に剥離処理を施して、Ｎｉ ｒ Ｏｒ等の金属
めっきをなし、これを剥離することによって原板と同一
凹凸・やターンを有する型板を得て、この型板によって
例えはアクリル樹脂等のプラスチック板を軟化させた状
態で成型するとかモールド成型してマイクロプリズムを
得るものである。
てマイクロプリズムを作製するには先ず例えばこのマイ
クロプリズム−用原板上にＮｉ１又はＣｒ等の比較的厚
い金属めっきを施す。このＮｉ、又はＣｒ等の金属めっ
きは、例えば無電解めっきを施して後所秩の厚さに電気
めっきを施すという方法を採るか、或いは原板上にＣｕ
等を蒸着してその表面に４電性を付与させて後に、これ
の上に電気めっきによって所要の厚さのＮｉ或いはＣｒ
のめつき層を形成する。この場合のめつき層の厚さは、
原板の凹凸の深さは例えば１μｍ程度の小さいものであ
るがこれより充分大きな例えば１５．程度の厚さに形成
する。尚、Ｎ１或いはＣｒのめつきに先立って例えはこ
の下地層のＣｕの蒸着膜表面に対して離型処理を施し置
くものとし、これによってこのＮｉ或いはＣｒのめつき
層を原板から剥離して原板の凹凸が転写された凹凸面を
有する金属マスターを得る。そして更にこの金属マスク
に、同様に剥離処理を施して、Ｎｉ ｒ Ｏｒ等の金属
めっきをなし、これを剥離することによって原板と同一
凹凸・やターンを有する型板を得て、この型板によって
例えはアクリル樹脂等のプラスチック板を軟化させた状
態で成型するとかモールド成型してマイクロプリズムを
得るものである。
実施例
第１図ないし第４図を参照して本発明によるマイクロプ
リズム用原板の製造方法の一例を説明する。この場合、
第１図に示すように例えばＳｔよシなる基板（１）を用
意し、第２図に示すようにその一工面側を所要の厚さに
熱酸化することによって被エツチング膜となるＳ １０
２膜（２）を形成する。そしてこのＳ ｉ Ｏ２ＢＩＡ
（２Ｊに対してυんＰを５×１０− のドー７．量で
６０ｋｅＶをもってイオン注入する。その後窒素Ｎ２ガ
ス中で１０００℃２０分間の熱処理を行う。
リズム用原板の製造方法の一例を説明する。この場合、
第１図に示すように例えばＳｔよシなる基板（１）を用
意し、第２図に示すようにその一工面側を所要の厚さに
熱酸化することによって被エツチング膜となるＳ １０
２膜（２）を形成する。そしてこのＳ ｉ Ｏ２ＢＩＡ
（２Ｊに対してυんＰを５×１０− のドー７．量で
６０ｋｅＶをもってイオン注入する。その後窒素Ｎ２ガ
ス中で１０００℃２０分間の熱処理を行う。
このようにするとＳｌＯ□膜（２）にこの膜（２）の表
面側に向ってりんＰの濃度が高められたドーピングがな
される。そして第３図に示すようにこの膜（２）上にエ
ツチングレジスト膜（３）例えばフォトレノストを塗布
しこれに露光現像処理を施して所要の形状例えば正方形
のパターンを有する窓（４）を所要の幅及びピッチをも
ってたて、よこに配列穿設する。そしてこの窓（４）を
通じて５ｉｎ２膜（２）に対して例えば弗化水素系エツ
チング液、例えば弗化アンモニウムと弗酸とが１００
： １２（重量部）に選定されたエツチング液によって
ＳｉＯ２膜（２）の表面側からエツチングを行う。この
ようにするとそのエツチングによって５１０２膜（２）
に凹部（５）が形成されるが、この場合Ｓ ｉＯ２膜（
２ンがその表面側においてエツチング速度が速いために
その表面側におけるほど横方向（面方向）へのエツチン
グが大となって断面錐形例えば四角鐘体状の凹部（５）
が形成される。この場合、そのピッチを適当に選定すれ
ばこれらが連続して所要のピッチに形成された鐘体状凹
凸が５ＩＯ２膜（２）に形成される。その後第４図に示
すようにエツチングレジスト膜（３）を除去すれば表面
に錐体状凹凸が形成されたマイクロプリズム用原板（６
）が形成される。このようにして形成された原版（６）
の錐体状凹凸はＳ ｓ Ｏ２に対するｐんＰのドーピン
グの厚さ方向に関する濃度分布を適当に選定することに
よってその凹部（５）の傾斜角θは任意に選ぶことがで
き、例えは目的とする７°前後以下の６°程度にも正確
に選定することができた。
面側に向ってりんＰの濃度が高められたドーピングがな
される。そして第３図に示すようにこの膜（２）上にエ
ツチングレジスト膜（３）例えばフォトレノストを塗布
しこれに露光現像処理を施して所要の形状例えば正方形
のパターンを有する窓（４）を所要の幅及びピッチをも
ってたて、よこに配列穿設する。そしてこの窓（４）を
通じて５ｉｎ２膜（２）に対して例えば弗化水素系エツ
チング液、例えば弗化アンモニウムと弗酸とが１００
： １２（重量部）に選定されたエツチング液によって
ＳｉＯ２膜（２）の表面側からエツチングを行う。この
ようにするとそのエツチングによって５１０２膜（２）
に凹部（５）が形成されるが、この場合Ｓ ｉＯ２膜（
２ンがその表面側においてエツチング速度が速いために
その表面側におけるほど横方向（面方向）へのエツチン
グが大となって断面錐形例えば四角鐘体状の凹部（５）
が形成される。この場合、そのピッチを適当に選定すれ
ばこれらが連続して所要のピッチに形成された鐘体状凹
凸が５ＩＯ２膜（２）に形成される。その後第４図に示
すようにエツチングレジスト膜（３）を除去すれば表面
に錐体状凹凸が形成されたマイクロプリズム用原板（６
）が形成される。このようにして形成された原版（６）
の錐体状凹凸はＳ ｓ Ｏ２に対するｐんＰのドーピン
グの厚さ方向に関する濃度分布を適当に選定することに
よってその凹部（５）の傾斜角θは任意に選ぶことがで
き、例えは目的とする７°前後以下の６°程度にも正確
に選定することができた。
このようにして得た原板（６）によって前述したように
マイクロプリズムを成形するものであるがこのようにし
て最終的に得られたプリズムもまた原板（６）の凹凸が
正確微細に形成され得ることによって同様に所望の雌体
状凹凸が高精度に正確に形成された微小プリズム素体の
配列によるマイクロプリズムを得ることができるもので
ある。
マイクロプリズムを成形するものであるがこのようにし
て最終的に得られたプリズムもまた原板（６）の凹凸が
正確微細に形成され得ることによって同様に所望の雌体
状凹凸が高精度に正確に形成された微小プリズム素体の
配列によるマイクロプリズムを得ることができるもので
ある。
発明の効果
上述したように本発明製法においては、Ｓ１０□に対す
るシんの濃度分布によってそのエツチング速度に変化を
形成するようにするものであって、この場合シんのドー
ピングを特にイオン注入法によったことによってそのシ
んの５ＩＯ２の厚さ方向に関しての濃度分布を任意に正
確に設定し得る。従ってこのＳｌ０２Ｍの厚さ方向に関
して各部のエツチング速度を任意にコントロールするこ
とができ、これによってＳｉＯ□膜（２〕に対するエツ
チングによって形成した錐体状凹部（５）の傾斜角θは
任意に正確に形ｇｆることかでき、これによって最終的
に得るマイクロプリズムのプリズム素体の各傾斜角（底
角）を小なる任意の角度に確実に形成できるものであっ
て、冒頭に述べたような光学ファインタ゛−における焦
点板として或いは撮像体の集光レンズ系として充分用い
得るマイクロプリズムを偉：実に成形し得る原板を得る
ことができるものである。
るシんの濃度分布によってそのエツチング速度に変化を
形成するようにするものであって、この場合シんのドー
ピングを特にイオン注入法によったことによってそのシ
んの５ＩＯ２の厚さ方向に関しての濃度分布を任意に正
確に設定し得る。従ってこのＳｌ０２Ｍの厚さ方向に関
して各部のエツチング速度を任意にコントロールするこ
とができ、これによってＳｉＯ□膜（２〕に対するエツ
チングによって形成した錐体状凹部（５）の傾斜角θは
任意に正確に形ｇｆることかでき、これによって最終的
に得るマイクロプリズムのプリズム素体の各傾斜角（底
角）を小なる任意の角度に確実に形成できるものであっ
て、冒頭に述べたような光学ファインタ゛−における焦
点板として或いは撮像体の集光レンズ系として充分用い
得るマイクロプリズムを偉：実に成形し得る原板を得る
ことができるものである。
第１図ないし第４図は本発明によるマイクロプリズム用
原板の製法の一例を示す各工程の拡犬略糾、的断面図で
ある。 （１）は基板、（２）はＳ ｉＯ２膜、（３）はエツチ
ングレジスト膜、（５）は錐体状凹部であるＯ 第１図 第２図
原板の製法の一例を示す各工程の拡犬略糾、的断面図で
ある。 （１）は基板、（２）はＳ ｉＯ２膜、（３）はエツチ
ングレジスト膜、（５）は錐体状凹部であるＯ 第１図 第２図
Claims (1)
- 基板上にＳ ｒ ０２膜を形成し、該５Ｉ０２膜にリン
Ｐをイオン注入した後熱処理を行い多数の窓が穿設され
たエツチングレジスト膜を用いて上記５ｌｏ２膜に対す
るエツチングを行い、該ｓｔｏ２ｇに鐘体状凹凸を形成
することを特徴とするマイクロプリズム用原板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1418383A JPS59139004A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | マイクロプリズム用原板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1418383A JPS59139004A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | マイクロプリズム用原板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139004A true JPS59139004A (ja) | 1984-08-09 |
Family
ID=11854017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1418383A Pending JPS59139004A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | マイクロプリズム用原板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010057689A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | 김춘호 | 마이크로 빔 스플리터 제조 방법 |
| US9117967B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-08-25 | El-Seed Corporation | Method of manufacturing glass substrate with concave-convex film using dry etching, glass substrate with concave-convex film, solar cell, and method of manufacturing solar cell |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1418383A patent/JPS59139004A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010057689A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | 김춘호 | 마이크로 빔 스플리터 제조 방법 |
| US9117967B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-08-25 | El-Seed Corporation | Method of manufacturing glass substrate with concave-convex film using dry etching, glass substrate with concave-convex film, solar cell, and method of manufacturing solar cell |
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