JPS59138356A - 整流装置 - Google Patents
整流装置Info
- Publication number
- JPS59138356A JPS59138356A JP58013387A JP1338783A JPS59138356A JP S59138356 A JPS59138356 A JP S59138356A JP 58013387 A JP58013387 A JP 58013387A JP 1338783 A JP1338783 A JP 1338783A JP S59138356 A JPS59138356 A JP S59138356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- heat dissipating
- semiconductor element
- conductor
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Synchronous Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
このツろ明は乎杉素子を使用した整流装置の構造に関す
るものである。
るものである。
例えばブラシレス励磁装置は、交が′ｔＦｊ）−＋磁機
と回転整流装置が同一軸上にあって回転し、大形から小
形までの交ｉｆ＋ｔ ｍの励磁装ｍｌとしてスリップリ
ングを使用せずに直流を供給している。この回転整流装
置は半導体（通常はダイオード）、放熱板、ヒユーズな
どの部品や、所要の接続体、支持体？含む多数の装ａｆ
ｔ必要とし、且つ回転中の大きな遠心力にも耐え、さら
にできるだけ小さな構造にまとめる必要がある。
と回転整流装置が同一軸上にあって回転し、大形から小
形までの交ｉｆ＋ｔ ｍの励磁装ｍｌとしてスリップリ
ングを使用せずに直流を供給している。この回転整流装
置は半導体（通常はダイオード）、放熱板、ヒユーズな
どの部品や、所要の接続体、支持体？含む多数の装ａｆ
ｔ必要とし、且つ回転中の大きな遠心力にも耐え、さら
にできるだけ小さな構造にまとめる必要がある。
従来、平形素子を使用し、大形励ｖｉ機用の回転整流装
置の構造として第を図に示すものがあった。
置の構造として第を図に示すものがあった。
ｉｔ図は整流装置の一つの組体（モジュール）ヲ示すも
ので、１１）は平形半導体素子、（２１１８）はこの素
子（１）ヲ挾んで設けられた放熱板、σηはコンデンサ
及びケース、（４）は交流側端子、（５）は放熱板（８
）にボルト＠により取付けられ且つ半導体素子＋１）
ＫスペーサＱＧ を介して押圧力？与えるばね、（６）
はｔ紀ばねをｔ紀放′熱板（８）及び半導体素子（１）
と共に一体に支えてりる絶縁支柱、（７）は直流側端モ
、（８）は半導体素：Ｐ＋１）と１気的に直列に接続さ
れているヒユーズである。そしてｔ紀半導体素子（１）
、放熱板（２１ｔ８）、コンデンサＵ等の組立体はホイ
ール（９）に絶縁物０◆を介して絶縁ボルト（至）で一
定されている。
ので、１１）は平形半導体素子、（２１１８）はこの素
子（１）ヲ挾んで設けられた放熱板、σηはコンデンサ
及びケース、（４）は交流側端子、（５）は放熱板（８
）にボルト＠により取付けられ且つ半導体素子＋１）
ＫスペーサＱＧ を介して押圧力？与えるばね、（６）
はｔ紀ばねをｔ紀放′熱板（８）及び半導体素子（１）
と共に一体に支えてりる絶縁支柱、（７）は直流側端モ
、（８）は半導体素：Ｐ＋１）と１気的に直列に接続さ
れているヒユーズである。そしてｔ紀半導体素子（１）
、放熱板（２１ｔ８）、コンデンサＵ等の組立体はホイ
ール（９）に絶縁物０◆を介して絶縁ボルト（至）で一
定されている。
平形半導体素子（１）は放熱板（２） ＋ａ）を両面に
設け、適当な接触圧力を加えられることにエリ、従来性
用してきたスタッド形ダイオードに比して大１１Ｌ流が
通遥口■能であり、装置を小型化できるといつ利点があ
る。このためにコンデンサＣＩυとげね（５）の間に半
導体素子］１）とその両側に放熱板（２） １８）を設
け）そネヲ一括して絶縁支柱（６）で支持し、ばね（６
）の中央部に挿入されたスペーサαＱの厚みにより調整
したばね圧力で保持する構造を採用している。
設け、適当な接触圧力を加えられることにエリ、従来性
用してきたスタッド形ダイオードに比して大１１Ｌ流が
通遥口■能であり、装置を小型化できるといつ利点があ
る。このためにコンデンサＣＩυとげね（５）の間に半
導体素子］１）とその両側に放熱板（２） １８）を設
け）そネヲ一括して絶縁支柱（６）で支持し、ばね（６
）の中央部に挿入されたスペーサαＱの厚みにより調整
したばね圧力で保持する構造を採用している。
ところで、このような従来のモジュール構造は冷却能力
が大きく実用的であったが、半導体素子がむき出しのま
まであり、汚れが付着しやすく、絶縁力が低下する恐れ
があった。また、絶縁支柱が突出しており、回転による
風損が大きいという欠点があった。
が大きく実用的であったが、半導体素子がむき出しのま
まであり、汚れが付着しやすく、絶縁力が低下する恐れ
があった。また、絶縁支柱が突出しており、回転による
風損が大きいという欠点があった。
この発明はと述の点に鑑みてなされたもので、冷、知能
力を落すことなくｔ記欠点を除失したモジュール構造を
提供することを目的としている。以下この発明の一実施
例を＄２図及び＠Ｂ図により説明する。
力を落すことなくｔ記欠点を除失したモジュール構造を
提供することを目的としている。以下この発明の一実施
例を＄２図及び＠Ｂ図により説明する。
第２図は本発明の整流装置のモジュールを示す斜視図で
、四はセラミック容器であり、内部に平形半導体菓子（
１）が収容されている。αＱは座板、（ロ）は貫通導体
、叫は六角ナツトであり、その他の構成は第１図のもの
と同様なので説明を省略する。
、四はセラミック容器であり、内部に平形半導体菓子（
１）が収容されている。αＱは座板、（ロ）は貫通導体
、叫は六角ナツトであり、その他の構成は第１図のもの
と同様なので説明を省略する。
なお、コンデンサ並びにヒユーズは図示を省略している
。＃ＪＬ流は交流源→座板αＱ→放熱板（２）→半導体
素子→放熱板（３）→直流側端子（７）→ヒユーズと流
れ、反対側のモジュール（一点鎖線）ではその逆に流れ
る。
。＃ＪＬ流は交流源→座板αＱ→放熱板（２）→半導体
素子→放熱板（３）→直流側端子（７）→ヒユーズと流
れ、反対側のモジュール（一点鎖線）ではその逆に流れ
る。
このモジュールの断面構造を第３図にｘ１丁。第３図に
おいて、放熱板（２）はその一端が座板αＧに螺層され
ている。一方の放熱板（３）はセラミック製の絶縁谷器
明と締付ボルト四で一体に結合され、セラミック谷′ａ
四はさらに締付ボルト四で放熱板（２）に結合されてい
る。放熱板（３）の中心内周には雌ねじが設けられ、ボ
ルト状の貝両導体ＣＩηが螺挿されている。平形半導体
素子（１）ヲ放熱板（２） ｆ：にセットし）セラミッ
ク容器ａ５との間で締付ボルト０９で固定すれば、半導
体素子（１）は放熱板（２）と貫通導体ｕ１）との間に
挾まれることになる。半導体素子１１）への加圧力は、
貫通導体〔ηの締付けにより調整でき、規定の締付トル
クで締付けた後、例えばまわり止めピンで固定する。直
流側端子（γ）は六角ナツト（ト）で固定する。なお本
ｍ造を回転整流装置ａに使用する場合は、貫通導体等の
荷重が半導体素子に加わることになるので、上記締付け
による加圧力は、停止時及び低速時の低い圧接力を持た
せばよい。
おいて、放熱板（２）はその一端が座板αＧに螺層され
ている。一方の放熱板（３）はセラミック製の絶縁谷器
明と締付ボルト四で一体に結合され、セラミック谷′ａ
四はさらに締付ボルト四で放熱板（２）に結合されてい
る。放熱板（３）の中心内周には雌ねじが設けられ、ボ
ルト状の貝両導体ＣＩηが螺挿されている。平形半導体
素子（１）ヲ放熱板（２） ｆ：にセットし）セラミッ
ク容器ａ５との間で締付ボルト０９で固定すれば、半導
体素子（１）は放熱板（２）と貫通導体ｕ１）との間に
挾まれることになる。半導体素子１１）への加圧力は、
貫通導体〔ηの締付けにより調整でき、規定の締付トル
クで締付けた後、例えばまわり止めピンで固定する。直
流側端子（γ）は六角ナツト（ト）で固定する。なお本
ｍ造を回転整流装置ａに使用する場合は、貫通導体等の
荷重が半導体素子に加わることになるので、上記締付け
による加圧力は、停止時及び低速時の低い圧接力を持た
せばよい。
即ち通常使用時には他の荷重が加わり必要な圧接力が得
られる。冷却性能に関しては、放熱板（２）と共に、貫
通導体ｑηより放熱板（８）に熱が逃げるし、また絶縁
容器（ト）にセラミツフケ使用すね、ば、この熱伝導も
利用できるので、第１図の従来のものと変らないものが
可能である。絶縁容器（至）にはセラミックの代りにガ
ラスエポキシ樹脂など強度の高い絶縁物の使用も可能で
ある。
られる。冷却性能に関しては、放熱板（２）と共に、貫
通導体ｑηより放熱板（８）に熱が逃げるし、また絶縁
容器（ト）にセラミツフケ使用すね、ば、この熱伝導も
利用できるので、第１図の従来のものと変らないものが
可能である。絶縁容器（至）にはセラミックの代りにガ
ラスエポキシ樹脂など強度の高い絶縁物の使用も可能で
ある。
第４図はこの発明の他の実施例を示すもので、第８図の
給付ボルト（４）の代りにセラミック容器Ｑ５と放熱板
（３）の間を金属接層四している。ざらに第８図のボル
トｕｌの代りにナットシ］）をセラミック容器（ト）に
金属接着（財）し、を記ナツト＠を放熱板（２）に螺層
して固定している。なお、金属接着に際し熱膨張差を緩
和させるため、金属接層面に他の金属を挿入することが
望ましい。
給付ボルト（４）の代りにセラミック容器Ｑ５と放熱板
（３）の間を金属接層四している。ざらに第８図のボル
トｕｌの代りにナットシ］）をセラミック容器（ト）に
金属接着（財）し、を記ナツト＠を放熱板（２）に螺層
して固定している。なお、金属接着に際し熱膨張差を緩
和させるため、金属接層面に他の金属を挿入することが
望ましい。
以ｔのよう７２構成を有する本発明においては、冷却性
能を損なわずに半導体を覆うことができ、汚損による絶
縁世上の恐れがなくなった。またモジュールの部品を円
副に近い形で構成でき、回転中の風損も小さくできる。
能を損なわずに半導体を覆うことができ、汚損による絶
縁世上の恐れがなくなった。またモジュールの部品を円
副に近い形で構成でき、回転中の風損も小さくできる。
第１図は従来の整流装置のモジュール組立を示すもので
、（イ）は正面図、（ロ）は平面図、第２図はこの発明
の一実施例のモジュールを示す斜視図、第８図（イ）は
第２図のものの正面断面図、′＠３図（ロ）は第２図の
ものの平向図、第４図はこの発明の他の実施例を示す正
１ｍ断面図である。 図中、（１）は平形半導体素子、（２） ＋８）は放熱
板、（γ）は直流側端モ、ｕｅはセラミック容器、ＣＵ
ｔは座板、αηは貫通導体、ａυは六角ナツト、曲（７
）は締付ボルト、Ｑｖはナツト、四は金属Ｗ：着である
。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 （イン
／ｌ／ｌ
２０第４図 ／ｌ
、（イ）は正面図、（ロ）は平面図、第２図はこの発明
の一実施例のモジュールを示す斜視図、第８図（イ）は
第２図のものの正面断面図、′＠３図（ロ）は第２図の
ものの平向図、第４図はこの発明の他の実施例を示す正
１ｍ断面図である。 図中、（１）は平形半導体素子、（２） ＋８）は放熱
板、（γ）は直流側端モ、ｕｅはセラミック容器、ＣＵ
ｔは座板、αηは貫通導体、ａυは六角ナツト、曲（７
）は締付ボルト、Ｑｖはナツト、四は金属Ｗ：着である
。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 （イン
／ｌ／ｌ
２０第４図 ／ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１）第１の放熱板の一面に接触して設けら名、た平形
半導体素子、この平形半導体素−Ｐｔ Ｉｔい一側が上
記放熱板と結合されたほぼ円面状の絶縁容器、このｔ＠
縁答器の他側に結合された第２の放熱板、この第２の放
熱板の中心部に螺挿され、を記乎形半尋体素子と接触し
ている１１ｍ導体を備えたことを特徴とする整流装置。 （２）絶縁容器にセラミックを使用し、絶縁容器と各放
熱板との結合に金属接層を使用したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の整血装置〆ｔ０
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58013387A JPS59138356A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 整流装置 |
| US06/553,395 US4646131A (en) | 1983-01-28 | 1983-11-18 | Rectifier device |
| DE8484300146T DE3466136D1 (de) | 1983-01-28 | 1984-01-10 | Rectifier device |
| EP84300146A EP0115386B1 (en) | 1983-01-28 | 1984-01-10 | Rectifier device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58013387A JPS59138356A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59138356A true JPS59138356A (ja) | 1984-08-08 |
Family
ID=11831682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58013387A Pending JPS59138356A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59138356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129740A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Hitachi Ltd | 車輌用交流発電機 |
-
1983
- 1983-01-28 JP JP58013387A patent/JPS59138356A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129740A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Hitachi Ltd | 車輌用交流発電機 |
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