JPS59137994A - External memory device for electronic musical instrument - Google Patents

External memory device for electronic musical instrument

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JPS59137994A
JPS59137994A JP58012289A JP1228983A JPS59137994A JP S59137994 A JPS59137994 A JP S59137994A JP 58012289 A JP58012289 A JP 58012289A JP 1228983 A JP1228983 A JP 1228983A JP S59137994 A JPS59137994 A JP S59137994A
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JP
Japan
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voltage
time
musical instrument
electronic musical
power supply
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JP58012289A
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Japanese (ja)
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JPH0230547B2 (en
Inventor
康男 長浜
朗 飯塚
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Nippon Gakki Co Ltd
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Nippon Gakki Co Ltd
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Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、電子楽器本体に対して着脱自在に設けられ
る外部メモリ装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an external memory device that is detachably attached to the main body of an electronic musical instrument.

電子楽器においては、音色スイッチ、効果スイッチ等の
パネル操作子の設定状態あるいは演奏過程等を記録する
ことができるように、着脱自在な外部メモリ装置が設け
られる場合がある。この外部メモリ装置としては、磁気
カード、磁気テープ、磁気バブルメモ!J、DI3FR
OM等が知られているが、特に、他のメモリに比べて周
辺回路が簡単で、かつ安価なものとして、CMOSバッ
テリイバックアップメモリ(以下、CMOSメモリと略
称する)が知られている。
BACKGROUND OF THE INVENTION Electronic musical instruments are sometimes provided with a removable external memory device so that settings of panel operators such as tone switches and effect switches or performance processes can be recorded. Examples of external memory devices include magnetic cards, magnetic tape, and magnetic bubble memos! J, DI3FR
Although OM and the like are known, CMOS battery backup memory (hereinafter abbreviated as CMOS memory) is particularly known as having a simpler peripheral circuit and being cheaper than other memories.

@1図、第2図は各々、従来のCMOSメモリ1の外観
および内部構成を示す図である・第1図において、符号
2は電源ピン、3はチップイネーブルピン、4はアドレ
スピンおよびデータピンであり、これらのピン2〜4が
各々電子楽器本体のコネクタに差込まれる。また、第2
図において、5は0MO8−BAMであり、この0MO
8−RAMの端子Tv 、Tom は各々電源端子およ
びチップイネーブル端子である。なお、この0MO8−
RAMには勿論データ端子、アドレス端子も設けられて
いるが、ここでは図示を省略している。この0MO8−
几AM5は、端子Tomに・Llし諌ル(0■)の電圧
Vanが供給された場合にイネーブル状態、すなわち、
リード/ライト可能状態となり、一方、’H’L/へ/
L/ (2〜5 V ) ノを圧Vomが供給された場
合は、ディスエーブル状態(リード/ライト不能状態)
となる。6は出力電圧VBのバックアップ用電池、7−
8はダイオード、9は抵抗、10は電源電圧安定化用の
コンデンサである。また、11.12は各々ピン2およ
び3と電子楽器本体のコネクタとの接続状態を仮にスイ
ッチによって示したものである。
@Figure 1 and Figure 2 are diagrams showing the external appearance and internal configuration of a conventional CMOS memory 1. In Figure 1, 2 is a power pin, 3 is a chip enable pin, and 4 is an address pin and a data pin. These pins 2 to 4 are each inserted into a connector on the main body of the electronic musical instrument. Also, the second
In the figure, 5 is 0MO8-BAM, and this 0MO
8-RAM terminals Tv and Tom are a power supply terminal and a chip enable terminal, respectively. In addition, this 0MO8-
Of course, the RAM is also provided with data terminals and address terminals, but they are not shown here. This 0MO8-
几AM5 is in the enabled state, that is, when the voltage Van of ・Ll (0■) is supplied to the terminal Tom,
It becomes readable/writable, and on the other hand, 'H'L/to/
If voltage Vom is supplied to L/ (2 to 5 V), it will be in a disabled state (read/write impossible state)
becomes. 6 is a backup battery for output voltage VB, 7-
8 is a diode, 9 is a resistor, and 10 is a capacitor for stabilizing the power supply voltage. Reference numerals 11 and 12 temporarily indicate the connection states between pins 2 and 3 and the connector of the main body of the electronic musical instrument using switches.

しかして、この0MO8メモリ1を電子楽器本体のコネ
クタに差込むと、電子楽器内の電源部から出力される電
源電圧Vp(Vr>Va)がスイッチ11、ピン2、ダ
イオード8を介して0MO8−几AM5の端子Tvへ供
給され(電圧Voo)、また、電子楽器内の制御部から
出力されるチップイネーブル信号CEがスイッチ12、
ピン3を介して端子Tom へ供給される(電圧Van
)。一方、この0MO8メモリ1を電子楽器のコネクタ
から抜くと、スイッチ11.12が共にオフとなり、電
池6の出力電圧Vssがダイオード7を介して、電圧V
oo  として端子Tマへ供給され、また、電圧Woo
 が抵抗9を介して端子rom へ供給される。なお、
周知のように0MO8−BAM5は、リード/ライト処
理を行う場合、端子Tvへ供給される電源電圧Voo 
 が4.5■以上でなければならず、一方、リード/ラ
イト処理を行わない場合は約2■の電源電圧Voo に
よりてデータ保持が可能である。そこで、電圧Vp、V
i+とじて通常5、OV 、 2,2 vが用いられる
When this 0MO8 memory 1 is inserted into the connector of the main body of the electronic musical instrument, the power supply voltage Vp (Vr>Va) output from the power supply section in the electronic musical instrument is applied via the switch 11, pin 2, and diode 8 to the 0MO8- The chip enable signal CE supplied to the terminal Tv of the AM 5 (voltage Voo) and output from the control section within the electronic musical instrument is applied to the switch 12,
is supplied via pin 3 to the terminal Tom (voltage Van
). On the other hand, when this 0MO8 memory 1 is unplugged from the connector of the electronic musical instrument, both switches 11 and 12 are turned off, and the output voltage Vss of the battery 6 is changed to the voltage Vss via the diode 7.
oo to the terminal Tma, and the voltage Woo
is supplied to the terminal ROM through the resistor 9. In addition,
As is well known, 0MO8-BAM5 is connected to the power supply voltage Voo supplied to the terminal Tv when performing read/write processing.
must be 4.5 .mu. or more, and on the other hand, if no read/write processing is performed, data can be retained with a power supply voltage Voo of approximately 2 .mu. Therefore, the voltages Vp, V
5, OV, 2,2 v are usually used as i+.

ところで、電子楽器の演奏においては、上述した0MO
8メモリ1に予めパネル操作子の設定状態等に関するデ
ータを記憶させておき、演奏途中において0M08メモ
リlをコネクタに差込み、即座にその内部のデータを利
用したい場合がある。
By the way, when playing an electronic musical instrument, the above-mentioned 0MO
There may be cases in which it is desired to previously store data regarding the setting states of panel operators in the 8 memory 1, insert the 0M08 memory 1 into the connector during a performance, and use the data therein immediately.

このような場合に最短時間で0MO8メモリ1内のデー
タを利用するにはチップイネーブル信号CEを予め#L
#レベルに保持しておくのが望ましい。
In such a case, in order to use the data in 0MO8 memory 1 in the shortest time, set the chip enable signal CE to #L in advance.
It is desirable to keep it at # level.

しかしながら、上述したCMOFiメモリ1の場合、チ
ップイネーブル信号CF)を予めりLルベルにしておく
と0MO8−RAMS内のデータが破壊される場合があ
る。以下、この理由を説明する・まず、0MO8−RA
Msの特性として次の特性が知られている。
However, in the case of the CMOFi memory 1 described above, if the chip enable signal CF) is set to the L level in advance, the data in 0MO8-RAMS may be destroyed. The reason for this will be explained below. First, 0MO8-RA
The following characteristics are known as the characteristics of Ms.

■ 0M08メモリ1をコネクタに差込む場合において
、電圧Voo が4.5vを越えた時点から所定時間(
例えば、200nse)以上電圧Vowを1H″レベル
に保持しなければならない。電圧Voo が4.5vに
達すると同時に電圧Vow を−L#レベルにすると、
内部のデータが破壊される。
■ When inserting 0M08 memory 1 into the connector, the specified time (
For example, the voltage Vow must be held at the 1H'' level for more than 200nse.If the voltage Vow is set to the -L# level at the same time as the voltage Voo reaches 4.5V,
Internal data will be destroyed.

■ 電圧Voo が4.5v以下の時は電圧Vowを#
Hルベルに保持しなければならない。この条件が破られ
た場合も、内部のデータが破壊される。
■ When the voltage Voo is less than 4.5V, change the voltage Vow to #
Must be held at H level. If this condition is violated, the internal data will also be destroyed.

他方、第3図は信号CBを予め9Lルベルにした状態に
おいで、0MO8メモリ1をコネクタに差込む場合およ
びコネクタから接散る場合における電源電圧v00 (
実IIiりおよびチップイネーブル電圧Van  (破
線)の変化を示す図である・この因において、時刻11
は第2図に示すスイッチ11がオンとされた時刻であり
、電源電圧Vo。
On the other hand, FIG. 3 shows the power supply voltage v00 (
FIG. 12 is a diagram showing changes in the actual temperature and the chip enable voltage Van (dashed line). In this case, at time 11
is the time when the switch 11 shown in FIG. 2 is turned on, and the power supply voltage Vo.

はこの時刻t、以後コンデンサ10の作用により徐々に
上昇し、時刻t、において4.5■に達し、最終的に5
vとなる・なお、ダイオード8の電圧降下は無視するも
のとする。一方、スイッチ12はスイッチ11がオンと
された後、所定時間T1が経過した時刻t、においてオ
ンとなり、この時刻t、において電圧Vow が9Lル
ベルとなる・ここで、時間T、は第1図に示すピン2と
ピン3との長さが異なっていること醤こより生ずる時間
差であり、CMOSメモリ1をコネクタへ急速に差込む
と時間T、が小となり、ゆっくり差込むと時間TIが大
となる。
At time t, the value gradually increases due to the action of the capacitor 10, reaching 4.5■ at time t, and finally reaches 5.
v・Note that the voltage drop across the diode 8 is ignored. On the other hand, the switch 12 is turned on at time t, when a predetermined time T1 has elapsed after the switch 11 was turned on, and at this time t, the voltage Vow becomes 9L level.Here, the time T is shown in FIG. This is the time difference caused by the difference in length between pins 2 and 3 shown in Figure 2. If the CMOS memory 1 is inserted into the connector quickly, the time T will be small, and if it is inserted slowly, the time TI will be large. Become.

しかして、差込み時において0MO8−BAM。Therefore, 0MO8-BAM when inserted.

5内のデータが破壊されないためには、帥述した■、■
の特性から明らかなように、時刻t、が時刻1.より後
であり、かつ、時刻1.と1mとの時間差T、が200
 n5eeより大でなければならない・しかしながら0
MO8メモリ1をコネクタへ急速に差込んだ場合、ある
いは、0MO8メモリ1かうまく差込めず、短時間以内
に伺回も差込んだり抜いたりした場合蛋こは、上述した
条件を満足し得ない場合が発生し、この場合、0MO8
−RAMs内のデータが破壊されてしまう・なお、時刻
t4はスイッチ12がオフとされた時刻、時刻tlft
スイッチ11がオフとされた時刻であり、この場合(す
なわち、CMO8メモリlを抜取る場合)、電源電圧W
oo が4.5V以下になる時は・電圧volが必ず唄
?レベルにあり、したがりて、データが破壊されること
はない。
In order to prevent the data in 5 from being destroyed, please follow the steps described in ■ and ■.
As is clear from the characteristics of time t, time 1. later than, and at time 1. The time difference T between and 1m is 200
Must be greater than n5ee, but 0
If MO8 memory 1 is inserted into the connector rapidly, or if MO8 memory 1 is not inserted properly and is inserted and removed several times within a short period of time, the above conditions will not be satisfied. A case occurs, in this case, 0MO8
-The data in the RAMs will be destroyed. -The time t4 is the time when the switch 12 is turned off, and the time tlft
This is the time when the switch 11 is turned off, and in this case (that is, when removing the CMO8 memory l), the power supply voltage W
When oo is below 4.5V, does the voltage vol always sing? level and therefore the data will not be destroyed.

このように、第1図および第2図に示す従来の0M08
メモリlは、信号OBをqルベルに保持しておくと、差
込み時において0MO8−凡人M5内のデータが破壊さ
れる恐れがある。そこで、差込み時に電圧Van がゆ
りくり立下るように、0MO8−凡AMsの端子Tom
  および接地間にコンデンサを挿入することが考えら
れる・しかしながら、このコンデンサを挿入すると、抜
取り時における延圧VOI の立上りが遅くなり、この
結果、電源電圧Voo が4.5V以下になりた時、電
圧VOI が朱だ″L#レベルにある場合が生じ、この
場合、データが破壊されてしまう・ 以上のように、従来のcmosメモリ1にありては一信
号clを予め1L#レベルに保持しておくことが不可能
であり、このため、一般に次の様な手段が用いられる。
In this way, the conventional 0M08 shown in FIGS. 1 and 2
If the memory l holds the signal OB at the q level, there is a risk that the data in 0MO8-ordinary person M5 will be destroyed at the time of insertion. Therefore, when plugging in, the terminal Tom of 0MO8-AMs should be
It is possible to insert a capacitor between the ground and ground.However, if this capacitor is inserted, the rise of the rolled rolling force VOI at the time of extraction will be delayed, and as a result, when the power supply voltage Voo becomes 4.5V or less, the voltage There are cases where the VOI is at the red L# level, and in this case, the data is destroyed.As mentioned above, in the conventional CMOS memory 1, one signal CL is held at the 1L# level in advance. Therefore, the following measures are generally used.

(1)  通常は信号CBを1H#レベルに保持してお
き、0MO8−RAM5のリード/ライト処理を行う場
合のみ手動スイッチによりて信号CIを1L#レベルと
する9 (1)QMO8メモリ1が挿入される箇所に蓋をつけ、
また、この蓋が開の時オン、閉の時オフとなるスイッチ
14(@4図参照)を設ける。そして、@4図に示すよ
うに、蓋が開状態にある時は信号Ck1が1H″レベル
に、閉状態にある時は信号C13がtL*レベルになる
ように構成する。このようにすると、0MO8メモリ1
をコネクタに挿入し、蓋を閉めた時始めて信号CEが1
Lルベルとなり、したがって、データ破壊を防ぐことが
できる。
(1) Normally, the signal CB is held at the 1H# level, and only when performing read/write processing of 0MO8-RAM5, the signal CI is set to the 1L# level using a manual switch9 (1) QMO8 memory 1 is inserted Put a lid on the area where the
Further, a switch 14 (see Figure 4) is provided which is turned on when the lid is open and turned off when it is closed. Then, as shown in Figure @4, the signal Ck1 is configured to be at the 1H'' level when the lid is in the open state, and the signal C13 is at the tL* level when the lid is in the closed state. By doing this, 0MO8 memory 1
The signal CE becomes 1 only when the connector is inserted into the connector and the lid is closed.
Therefore, data destruction can be prevented.

しかしながら、上述した(:)あるいは(■)の手段に
よれば、0MO8メモリ1を差込んだ後、何らかの操作
が必要であり、したがうて差込むと同時にデータを使用
することができず、また、信号CEを制御する回路が複
雑になり、コストアップの原因になる。
However, according to the means (:) or (■) described above, some operation is required after inserting the 0MO8 memory 1, and therefore the data cannot be used at the same time as the insertion. The circuit for controlling the signal CE becomes complicated, leading to an increase in cost.

この発明は以上の事情に鑑み、電子楽器本体のコネクタ
に差込むだけで即座に内部のデータを利用することがで
き、かつ、チップイネーブル信号Cgの制御を全く必要
としない電子楽器の外部メモリ装置を提供するもので、
記憶手段(例えば第2図における0MO8−RAM5 
)へ供給される電源電圧が規定電圧(第2図においては
4.5V)に達した時点から一定時間が経過するまでの
間、記憶手段をディスエーブル状態とする制御手段をメ
モリ装置内部に設けたことを特徴としている・以下、図
面を参照しこの発明の一実施例についモリ20(外部メ
モリ装置)の構成を示す図であり、この図において第2
図の各部に対応する部分には同一の符号が付しである。
In view of the above circumstances, the present invention has been devised as an external memory device for an electronic musical instrument, which allows the internal data to be used immediately by simply plugging it into the connector of the electronic musical instrument body, and which does not require any control of the chip enable signal Cg. It provides
Storage means (for example, 0MO8-RAM5 in FIG.
) is provided inside the memory device with a control means for disabling the storage means until a certain period of time has elapsed from the time when the power supply voltage supplied to the memory device reaches a specified voltage (4.5V in FIG. 2).・The following is a diagram showing the configuration of a memory 20 (external memory device) according to an embodiment of the present invention with reference to the drawings.
Components corresponding to those in the figure are given the same reference numerals.

第5図において、電圧Vpは電子楽器本体の1源部から
出力され、る電源電圧であり、この電圧VPとしてはC
A408−RAM5の定格電源電圧5vより高い電圧(
例えば12v)が用いられる。この゛電圧VPはスイッ
チ11を介して電源ピン2へ供給される0ピン2および
接地間には、コンデンサ21および抵抗22.23の直
列回路が各々介挿され、また、ビン2が抵抗24の一端
に接続さnている。抵抗24の他端はツェナー電圧5V
のツェナーダイオード25のカソードおよびダイオード
8のアノードに接続され、ツェナーダイオード25のア
ノードが接地され、ダイオード8のカソードが0MO8
−RAM5の電源端子Tマに接続されている。また、0
MO8−RAM5のチップエネーブル端子Tomにトラ
ンジスタ27のコレクタが接続され、トランジスタ27
のエミッタが接地され、ベースが抵抵抗22.23の各
抵抗値は、ピン2の電圧が約11■に達した時トランジ
スタ27がオン状態となるように設定されている。なお
、電池6、ダイオード7、抵抗9の接続は第2図と同じ
である。
In FIG. 5, voltage Vp is a power supply voltage output from one source of the electronic musical instrument body, and this voltage VP is C
Voltage higher than the rated power supply voltage 5V of A408-RAM5 (
For example, 12v) is used. This voltage VP is supplied to the power supply pin 2 via the switch 11. A series circuit of a capacitor 21 and a resistor 22, 23 is inserted between the 0 pin 2 and the ground. Connected to one end. The other end of the resistor 24 has a Zener voltage of 5V.
The anode of the Zener diode 25 is grounded, and the cathode of the diode 8 is connected to the cathode of the Zener diode 25 and the anode of the diode 8.
- Connected to the power supply terminal T of RAM5. Also, 0
The collector of the transistor 27 is connected to the chip enable terminal Tom of MO8-RAM5, and the transistor 27
The emitter of the transistor 22 and the base of the resistor 22 and 23 are grounded, and the resistance values of the resistors 22 and 23 are set so that the transistor 27 is turned on when the voltage at the pin 2 reaches approximately 11cm. Note that the connections of the battery 6, diode 7, and resistor 9 are the same as in FIG.

次に、上述したCMOSメモリ20の、コネクタへの差
込み、抜取り時の動作を第6因に示す波形因を参照して
説明する。なお、以下の説明に却いてはダイオード7.
8の電圧降下を無視するものとする。第6図に示す各曲
線は各々、ピン2の電圧V人、ツェナーダイオード25
のカソード電圧VD 、ICMO8−RAM5の電源端
子Tvへ印加される電圧Voo  、CMO8=RAM
5(Of−zブイネーブル端子Tom へ印加される電
圧Voi+の変化を示す・ まず、0M08メモリ20を電子楽器本体のコネクタか
ら抜取った状態においては、電圧Vo。
Next, the operation of the above-mentioned CMOS memory 20 when inserted into and removed from the connector will be explained with reference to the waveform factor shown as the sixth factor. Note that, contrary to the following explanation, the diode 7.
8 voltage drop shall be ignored. Each of the curves shown in FIG.
Cathode voltage VD, voltage Voo applied to the power supply terminal Tv of ICMO8-RAM5, CMO8=RAM
5 (showing the change in the voltage Voi+ applied to the Of-z enable terminal Tom) First, when the 0M08 memory 20 is removed from the connector of the main body of the electronic musical instrument, the voltage Vo.

が電池6の電圧2.2■となり、また、トランジスタ2
7がオフ状態にあることから、電圧Vow  も2.2
V(−H“レベル)となる。
becomes voltage 2.2■ of battery 6, and transistor 2
7 is in the off state, the voltage Vow is also 2.2
It becomes V (-H" level).

次に、同図に示す時刻t、において0MO8メモリ20
が電子楽器本体のコネクタに差込まれ、したがって、ス
イッチ11がオンになると、コンデンサ21の作用によ
り電圧VムがOvから徐々に上昇し、これに伴い、電圧
VDも徐々に上昇する。そして、電圧Vnが2.2■を
越えると、ダイオード7が逆バイアスされ、したがって
、以後電圧Woo が電圧Vnと同一になる。電圧■ム
が更に上昇し、5■に達すると、以後ツェナーダイオー
ド25の作用により、電圧Vn、Voo が共に5■に
保持される。また、この時点でトランジスタ27は未だ
オフ状態にあり、したがりて、電圧Vow  も5■と
なる。電圧■ムが更に上昇し、11Vに達すると(時刻
ts)、トランジスタ27がオン状態となる。これによ
り、電圧Vow が0■になり、以後CMO8−几AM
5のリード/ライトが可能になる。
Next, at time t shown in the figure, the 0MO8 memory 20
is inserted into the connector of the main body of the electronic musical instrument, and therefore, when the switch 11 is turned on, the voltage Vm gradually rises from Ov due to the action of the capacitor 21, and accordingly, the voltage VD also gradually rises. Then, when the voltage Vn exceeds 2.2■, the diode 7 is reverse biased, so that the voltage Woo becomes the same as the voltage Vn from now on. When the voltage (2) further increases and reaches 5 (5), voltages Vn and Voo are both maintained at 5 (5) by the action of the Zener diode 25. Furthermore, at this point, the transistor 27 is still in the off state, so the voltage Vow is also 5. When the voltage (2) further increases and reaches 11V (time ts), the transistor 27 is turned on. As a result, the voltage Vow becomes 0■, and henceforth CMO8-几AM
5 can be read/written.

以上が差込み時における0MO8メモリ20の動作であ
る。以上の動作において、電圧Woo が4.5■に達
した時刻を11 (第6図)とすると、この時刻t、以
前、すなわち電圧Voo が4.5■以下の時は電圧V
ow  が1Hルベルに保たれている・また、この時刻
1.から電圧Vow がOvになる時刻t、までの時間
Tは、電圧■ムが4.5■から11vになるまでの時間
であり、この時間Tはコンデンサ21の容量を調整する
ことにより、2QQnw!c以上とすることが充分可能
である・すなわち、この0MO8メモリ20は、差込み
時において、前述した0MO8−RAM5のデータを破
壊しないための条件■゛、■を共に満足している。
The above is the operation of the 0MO8 memory 20 at the time of insertion. In the above operation, if the time when the voltage Woo reaches 4.5■ is 11 (Fig. 6), then before this time t, that is, when the voltage Voo is 4.5■ or less, the voltage V
ow is maintained at 1H level. Also, at this time 1. The time T from t to the time t when the voltage Vow becomes Ov is the time from 4.5V to 11V. In other words, this 0MO8 memory 20 satisfies both conditions (1) and (2) for not destroying the data in the 0MO8-RAM 5 when inserted.

次に、抜取り時の動作を説明する。いま、第6図に示す
時刻t4において0MO8メモリ20がコネクタから抜
取られ、したがりて、スイッチ11がオフになると、以
後電圧7人がコンデンサ21の作用により徐々にOvま
で低下する・時刻t4よりわずか後の時刻1.において
電圧Vムが11V以下になると、トランジスタ27がカ
ットオフ、する。この時、電圧Voo は未だ5■にあ
り、したがって、トランジスタ27のカットオフにより
磁圧Van が5V(”H’レベル)になる。電圧■ム
が更に下降し、5Vに達すると、以後電圧VD 、 V
oo 、 Voi+ カ°を圧VAあ下illト共に下
降する。そして、′砿圧■ムが2.2vに達すると、ダ
イオード7が順バイアスとなり、以後、電圧Voo。
Next, the operation at the time of extraction will be explained. Now, at time t4 shown in FIG. 6, the 0MO8 memory 20 is removed from the connector, and the switch 11 is turned off. From then on, the voltage 7 gradually decreases to Ov due to the action of the capacitor 21. From time t4 Time slightly later 1. When the voltage Vm becomes 11V or less, the transistor 27 is cut off. At this time, the voltage Voo is still at 5V, so the magnetic pressure Van becomes 5V ("H" level) due to the cut-off of the transistor 27. When the voltage Voo further decreases and reaches 5V, the voltage VD , V
oo, Voi+ The pressure VA is lowered along with the bottom. Then, when the voltage reaches 2.2V, the diode 7 becomes forward biased, and thereafter the voltage Voo.

Vow  が共に2.2vに保持され、また、電圧VA
Vow are both held at 2.2v, and the voltage VA
.

VDは更に下降し、ovに達する。VD further falls and reaches ov.

以上が抜取り時の動作である。以上の動作において、電
圧Voo が4.5v以下になる場合(第6図に示す時
刻t6以降)は、電圧volが唄・レベルとなりており
、したがりて、0MO8−RAM5のデータが破壊され
る恐れは全くない。
The above is the operation during extraction. In the above operation, when the voltage Voo becomes 4.5V or less (after time t6 shown in FIG. 6), the voltage vol is at the song level, and therefore the data in 0MO8-RAM5 is destroyed. There's no fear at all.

このように、第5図に示す0MO8メモリ2゜は、電子
楽器本体のコネクタへ差込むだけで、チップイネーブル
電圧Vow  をovとすることができ、したがって、
差込むと同時に0MO8−凡AM5内のデータを利用す
ることができる。また、第2図におけるチップイネーブ
ル信号CEを利用していないことから明らかなように、
電子楽器側においてチップイネーブル信号1の制御を全
く必要としない。さらに、差込み、抜取り時において0
MO8−B、AMS内のデータが破壊される恐れが全く
ない鳴 なお、上述した実施例においては記憶手段として0MO
8−几AM5を用いているが、この発明は他の種のRA
Mを用いることも勿論可能である。
In this way, the 0MO8 memory 2° shown in FIG. 5 can set the chip enable voltage Vow to ov just by plugging it into the connector of the main body of the electronic musical instrument.
As soon as it is inserted, data in 0MO8-AM5 can be used. Furthermore, as is clear from the fact that the chip enable signal CE in FIG. 2 is not used,
There is no need to control the chip enable signal 1 on the electronic musical instrument side. Furthermore, when inserting or removing the
There is no risk that the data in MO8-B and AMS will be destroyed.In addition, in the above-mentioned embodiment, 0MO is used as the storage means.
Although an 8-liter AM5 is used, this invention is applicable to other types of RAs.
Of course, it is also possible to use M.

また、上述した実施例における0MO8−RAM5のア
ドレス端子(図示は省略している)がオープン状態にな
ると、内部のデータが保障されない。
Furthermore, if the address terminals (not shown) of the 0MO8-RAM5 in the above-described embodiment become open, the internal data is not guaranteed.

シタ力って、0MO8−RAM5のアドレス端子は0M
O8メモリ20丙において抵抗を介して接地しておくこ
とが必要である。
As for the power, the address terminals of 0MO8-RAM5 are 0M.
It is necessary to ground the O8 memory 20H via a resistor.

次に、第7図は上述した0MO8メモリ20を使用する
電子楽器の一例を示すブロック図である。
Next, FIG. 7 is a block diagram showing an example of an electronic musical instrument using the 0MO8 memory 20 described above.

この因においてキースイッチ回路30は、鍵盤(図示路
)の各キーのオン/オフ状態を、各キーに対応して設け
られたキースイッチの出力に基づいて検出し、現在オン
状態にあるキーのキーコードKCを楽f(1号形成[3
1および演奏記録・再生制御回路32へ出力する。パネ
ル設定部33は操作パネル面の各操作スイッチ(音色設
定スイッチ、効果設定スイッチ等)の操作状態に対応す
るノ(ネルデータFDを出力する回路であり、出力さ1
.たパネルデータPDは楽音信号形成部31およびプリ
セット制御回路34へ供給される。楽音信号形成部31
はキーコードKCに対応する音高を有し、パネルデータ
PDに対応する楽音態様(音色、効果等)を有する楽音
信号を形成し、サウンドシステム35へ出力する。また
、操作パネル面のプリセットスイッチが操作された時は
、プリセットl1iQ御回路34から出力されるプリセ
ットデータP8Dに対応する楽音態様を有する楽音信号
を形成、出力する。
In this case, the key switch circuit 30 detects the on/off state of each key on the keyboard (path shown) based on the output of the key switch provided corresponding to each key, and detects the on/off state of the key that is currently in the on state. Key code KC to easy f (No. 1 formation [3
1 and the performance recording/playback control circuit 32. The panel setting unit 33 is a circuit that outputs channel data FD corresponding to the operation status of each operation switch (tone setting switch, effect setting switch, etc.) on the operation panel surface, and outputs 1
.. The generated panel data PD is supplied to the musical tone signal forming section 31 and the preset control circuit 34. Musical tone signal forming section 31
forms a musical tone signal having a pitch corresponding to the key code KC and a musical tone mode (timbre, effect, etc.) corresponding to the panel data PD, and outputs it to the sound system 35. Further, when the preset switch on the operation panel is operated, a musical tone signal having a musical tone mode corresponding to the preset data P8D output from the preset l1iQ control circuit 34 is formed and output.

一方、C’M08メモリ20がコネクタに差込まれると
、コネクタ回路36がこれを検知し、信号Pを外部メモ
リR,/W (リード/ライト)制御回路37へ出力す
る。外部メモ°り几/ W fllJ #回路37は、
この信号Pを受け、信号Qをプリセット制御回路34へ
出力する。プリセット制御回路34はこの信号Qを受け
、CMOSメモリ20の0MO8−RAM5内のパネル
データを読出し、プリセットデータP8Dとして楽音信
号形成部31へ出力する。これにより、以後、楽音信号
形成部31において、CM 08− RA M S内の
パネルデータに基づく楽音信号が形成、出力される。演
奏記録・再生制御回路32は、キースイッチ回路30か
ら出力されるキーコードKCを順次内部の几AMに記録
し、この記録したキーコードKCを操作パネル面の操作
スイッチの指示に基づいて順次楽音信号形成部31へ出
力する@また、外部メモ9Ey’W制御回路37の制御
のも゛とに0MO8−RAMS内に記録されているキー
コードを続出し、順次楽音信号形成部31へ出力する。
On the other hand, when the C'M08 memory 20 is inserted into the connector, the connector circuit 36 detects this and outputs a signal P to the external memory R, /W (read/write) control circuit 37. External memory/W fllJ #Circuit 37 is
Upon receiving this signal P, it outputs a signal Q to the preset control circuit 34. The preset control circuit 34 receives this signal Q, reads out the panel data in the 0MO8-RAM5 of the CMOS memory 20, and outputs it to the tone signal forming section 31 as preset data P8D. Thereby, the musical tone signal forming section 31 forms and outputs a musical tone signal based on the panel data in CM08-RAMS. The performance recording/playback control circuit 32 sequentially records the key codes KC output from the key switch circuit 30 in the internal AM, and sequentially records the recorded key codes KC as musical tones based on instructions from the operation switches on the operation panel. Output to signal forming section 31 Also, under the control of external memo 9Ey'W control circuit 37, the key codes recorded in 0MO8-RAMS are successively outputted to tone signal forming section 31.

この場合、楽音信号形成部31において、演奏記録・再
生制御回路32から出力されるキーコードに基づく楽音
信号が形成、出力される。なお、0MO8−RAM5か
ら読み出されたパネルデータの、楽音信号形成部31へ
の出力は、別途設けたスイッチにより制御してもよい。
In this case, the musical tone signal forming section 31 forms and outputs a musical tone signal based on the key code output from the performance recording/playback control circuit 32. Note that the output of the panel data read from the 0MO8-RAM5 to the musical tone signal forming section 31 may be controlled by a separately provided switch.

以上説明したように、この発明によれば記憶手段(例え
ば、0MO8−RAM)へ供給される電源電圧が規定電
圧をこ違した時点から一定時間が経過するまでの間、記
憶手段をディスエーブル状態とする制御手段(例えば第
5図におけるトランジスタ27、抵抗22.23、コン
デンサ21からなる回路)をメモリ装置内部に設けたの
で、この発明による外部メモリ装置を電子楽器本体のコ
ネクタに差込むだけで、即座に内部のデータを利用する
ことができる利点が得られ、また、電子楽器本体にチッ
プイネーブル端子の電圧を制御する制御回路を設ける必
要がない利点も得られる。
As explained above, according to the present invention, the storage means is disabled for a certain period of time after the power supply voltage supplied to the storage means (for example, 0MO8-RAM) exceeds the specified voltage. Since a control means (for example, a circuit consisting of transistor 27, resistor 22, 23, and capacitor 21 in FIG. 5) is provided inside the memory device, the external memory device according to the present invention can be easily inserted into the connector of the main body of the electronic musical instrument. This has the advantage that internal data can be used immediately, and there is also the advantage that there is no need to provide a control circuit for controlling the voltage of the chip enable terminal in the main body of the electronic musical instrument.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

幀1図および第2図は各々従来の0M08メモリの外観
図および内部構成−、第3図は同CMOf(メモリの特
性を説明するための波形図、@4図は同CM08メモリ
のピン3へ印加される電圧を制御する回路の一例を示す
回路図、第5図はこの発1   明の一実施例の構成を
示す回路図、第6図は同実施例の動作を説明するための
波形図、@7図は同実施例によるCMOSメモリが使用
さn、る電子楽器の一構成例を示すブロック図である。 2・・・・・・電源ビン(′@源大入力端子、5・・・
・・・0MO8−RAM(記憶手段)、6・・・・・・
バックアップ用電池、7,8・・・・・・ダイオード、
21・・・・・・コンデンサ、9.22,23,24・
・・・・・抵抗、25・・・・・・ツェナダイオード、
27・・・・・・トランジスタ。 出願人 日本楽器製造株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 v 第5図 0−
Figures 1 and 2 are an external view and internal configuration of a conventional 0M08 memory, respectively, Figure 3 is a waveform diagram for explaining the characteristics of the CM08 memory, and Figure 4 is a waveform diagram for explaining the characteristics of the CM08 memory. FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a circuit for controlling the applied voltage. FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the invention. FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment. , @7 is a block diagram showing an example of the configuration of an electronic musical instrument in which the CMOS memory according to the same embodiment is used.・
...0MO8-RAM (storage means), 6...
Backup battery, 7, 8...diode,
21... Capacitor, 9.22, 23, 24.
...Resistor, 25 ... Zener diode,
27...Transistor. Applicant: Nippon Musical Instruments Manufacturing Co., Ltd. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 v Figure 5 0-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電子楽器本体に対し着脱自在に構成される外部メモリ装
置において、記憶手段と、バックアップ用電池と、電源
入力端子と、前記電子楽器本体から前記電源入力端へ供
給される電源によって駆動され、時定数回路を有する電
源回路と、前記電源回路の出力電圧が所定値以下の時は
前記バックアップ用電池の出力電圧を前記記憶手段へ供
給し、所定値以上の時は前記電源回路の出力電圧を前記
記憶手段へ供給する切換手段と、前記記憶手段へ供給さ
れる一m源亀圧が順次増加しつつ規定電圧に達した時点
から一定時間が経過するまでの間、前記記憶手段をディ
スエーブル状態とする制御手段とを具備してなる電子楽
器の外部メモリ装置。
An external memory device configured to be detachably attached to the main body of an electronic musical instrument, which is driven by a storage means, a backup battery, a power input terminal, and a power supply supplied from the electronic musical instrument main body to the power input terminal, and has a time constant. a power supply circuit having a circuit; when the output voltage of the power supply circuit is below a predetermined value, the output voltage of the backup battery is supplied to the storage means; when the output voltage of the power supply circuit is below a predetermined value, the output voltage of the power supply circuit is supplied to the storage means; The switching means supplied to the storage means and the storage means are disabled for a period of time from the time when the 1 m source voltage supplied to the storage means gradually increases and reaches a specified voltage until a certain period of time has elapsed. An external memory device for an electronic musical instrument, comprising a control means.
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