JPH08240748A - Memory circuit for optical connector - Google Patents

Memory circuit for optical connector

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Publication number
JPH08240748A
JPH08240748A JP4462295A JP4462295A JPH08240748A JP H08240748 A JPH08240748 A JP H08240748A JP 4462295 A JP4462295 A JP 4462295A JP 4462295 A JP4462295 A JP 4462295A JP H08240748 A JPH08240748 A JP H08240748A
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JP
Japan
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terminal
signal
voltage
optical connector
power supply
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Application number
JP4462295A
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Japanese (ja)
Inventor
Makoto Osawa
誠 大沢
Shigenori Goto
茂則 後藤
Katsuya Yamashita
克也 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Fujikura Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP4462295A priority Critical patent/JPH08240748A/en
Publication of JPH08240748A publication Critical patent/JPH08240748A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide the memory for an optical connector capable of reducing the number of components at a management side without incurring inconvenience of an error, etc., even an EEPROM is used. CONSTITUTION: This circuit constitutes a rectifier circuit, when a signal synthesized so that the voltage of a baseline coincides with the voltage of a VCC signal and the voltage of a top line coincides with the sum voltage between the voltage of the VCC signal and the voltage of the top line of an SCL signal is inputted from a T1 terminal to the circuit, the VCC voltage and the SCL voltage are separated and exracted from this signal to be respectively supplied to the VCC terminal and the SCL terminal of a memory IDM.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ケーブル端部の光コ
ネクタに内蔵されるメモリ回路であって、特にEEPR
OMを用いた光コネクタ用メモリ回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory circuit built in an optical connector at the end of an optical cable, and particularly to an EEPR.
The present invention relates to a memory circuit for an optical connector using an OM.

【0002】[0002]

【従来の技術】光線路網のリアルタイムな通信設備管理
システムとして、線路設備たる光ケーブルに関するファ
イバ種類、収容ユニット番号、ケーブル番号等の設備情
報を記憶させたメモリを各光ケーブルの端部の光コネク
タに搭載しておくとともに、これらの光ケーブルの各端
部が接続される各拠点に監視装置を配置した線路建設・
保守のための高度支援システムが提案されている。
2. Description of the Related Art As a real-time communication equipment management system for optical fiber networks, a memory storing equipment information such as fiber type, accommodating unit number, cable number, etc. relating to an optical cable which is a line equipment is provided in an optical connector at the end of each optical cable. In addition to being installed, a track construction system in which a monitoring device is installed at each base to which each end of these optical cables is connected
An advanced support system for maintenance has been proposed.

【0003】この種のシステムによれば、各拠点の監視
装置が当該拠点に接続された各光コネクタのメモリにア
クセスすることにより、当該拠点を経由して敷設された
各光ファイバの設備情報が読み出される。そして、読み
出された設備情報が専用の通信回線を介して局内に転送
され、局内において、線路設備の管理および保守作業が
行われる。
According to this type of system, the monitoring device of each site accesses the memory of each optical connector connected to the site, so that the facility information of each optical fiber laid via the site can be obtained. Read out. Then, the read equipment information is transferred into the station via a dedicated communication line, and the line equipment is managed and maintained in the station.

【0004】ここで、光コネクタ周辺部の概略構成につ
いて、図10を参照して説明する。この図において、1
はプリント基板であり、表面および裏面に多数のアダプ
タ1a,1a,…が設けられている。ここで、表面に設
けられた各アダプタ1aはこれと同位置の裏面に設けら
れたアダプタに接続されており、これら表裏1対の各ア
ダプタに2本の光ケーブル2の各光コネクタ2aが接続
されることにより、2本の光ケーブル間の接続が為され
るようになっている。
Here, a schematic structure of the peripheral portion of the optical connector will be described with reference to FIG. In this figure, 1
Is a printed circuit board, and a large number of adapters 1a, 1a, ... Are provided on the front and back surfaces. Here, each adapter 1a provided on the front surface is connected to the adapter provided on the back surface at the same position as this, and each optical connector 2a of the two optical cables 2 is connected to each of the pair of front and back adapters. By doing so, the connection between the two optical cables is made.

【0005】また、プリント基板1における各アダプタ
1aの近傍にはジャックJ,J,…が設けられており、
光コネクタ2aがアダプタ1aに接続されると、この光
コネクタ2aに搭載されたメモリ回路IDMの入出力リ
ード端子(図示略)がアダプタ1aのジャックJ,J,
…に接続されるようになっている。なお、メモリIDM
の取付方法としては、光コネクタのハウジングに接着す
る、あるいは、光コネクタ2aのハウジングを十分に大
として当該ハウジング内に組み込む方法が採られてい
る。
Further, jacks J, J, ... Are provided near each adapter 1a on the printed circuit board 1.
When the optical connector 2a is connected to the adapter 1a, the input / output lead terminals (not shown) of the memory circuit IDM mounted on the optical connector 2a are connected to the jacks J, J, of the adapter 1a.
It is designed to be connected to ... The memory IDM
As a method of mounting the optical connector, a method of adhering to the housing of the optical connector or a method of incorporating the housing of the optical connector 2a into the housing so that the housing is sufficiently large is adopted.

【0006】3はアクセス制御回路であり、プリント基
板1に形成された配線および上記ジャックJ,J,…を
介し、プリント基板1の各アダプタ1aに接続された光
コネクタ2aのメモリIDMにアクセスする。4は、こ
の監視装置全体を制御するCPU(中央処理ユニット)
であり、保守局内のホストコンピュータによる制御の
下、アクセス制御回路3を介して上記各光コネクタ2a
に搭載されたメモリIDMにアクセスし、各光ケーブル
2に関する設備情報をホストコンピュータ(図示略)へ
供給する。
An access control circuit 3 accesses the memory IDM of the optical connector 2a connected to each adapter 1a of the printed board 1 through the wiring formed on the printed board 1 and the jacks J, J, .... . 4 is a CPU (central processing unit) that controls the entire monitoring device
Under the control of the host computer in the maintenance station, the above optical connectors 2a are accessed via the access control circuit 3.
The memory IDM installed in the optical disk 2 is accessed to supply equipment information regarding each optical cable 2 to a host computer (not shown).

【0007】上述したように、各光ケーブル2の端部の
光コネクタ2aには、それぞれ、メモリIDMが搭載さ
れており、これらのメモリIDMには、線路設備の管理
および保守作業に必要な情報(それぞれが対応する光ケ
ーブル2の識別情報)が記憶されている。これらのメモ
リIDMとしては、従来より、抵抗アレイ/ヒューズ並
列回路を用いたもの等が知られている。
As described above, the optical connectors 2a at the ends of the optical cables 2 are respectively equipped with the memory IDMs, and these memory IDMs contain information necessary for managing and maintaining the line facilities ( The identification information of the optical cable 2 corresponding to each is stored. As these memory IDMs, those using a resistor array / fuse parallel circuit have been conventionally known.

【0008】抵抗アレイ/ヒューズ並列回路において、
1ビットの情報に対応する回路を図11に示す。この図
に示す回路は、所定の電圧Vが印加された抵抗と、この
抵抗に並列に接続されたヒューズとからなり、ヒューズ
の状態(「接続」あるいは「断」)により、1ビットの
情報を保持する。このような回路を複数設けたものが抵
抗アレイ/ヒューズ並列回路であって、通常、上記回路
を10個程度設けてなる。これは、加入者側の接続装置
に用いる光ファイバ用メモリとしては、通常、210(す
なわち4096)通り程度の心数識別能力が必要とされ
るためである。
In the resistor array / fuse parallel circuit,
FIG. 11 shows a circuit corresponding to 1-bit information. The circuit shown in this figure is composed of a resistor to which a predetermined voltage V is applied and a fuse connected in parallel to this resistor. Depending on the state of the fuse (“connected” or “broken”), 1-bit information is stored. Hold. A resistor array / fuse parallel circuit is provided with a plurality of such circuits. Usually, about 10 of the above circuits are provided. This is because the optical fiber memory used for the connection device on the subscriber side usually requires the ability to discriminate the number of hearts of about 2 10 (that is, 4096).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗アレイ
/ヒューズ並列回路からなるメモリIDMは、1ビット
毎に図11に示す構成を必要とするため、メモリ容量を
増大させ難く、各光ファイバ2を識別する以外の機能を
新たに付加することが困難である。ところで、抵抗アレ
イ/ヒューズ並列回路では、ヒューズの状態(「接続」
あるいは「断」)に応じた情報を保持しており、変更す
べき情報を保持しているヒューズが「接続」状態にあれ
ば、当該ヒューズを溶断することにより、保持情報を変
更することができる。しかしながら、この溶断を、光コ
ネクタ2aを基板1から取り外さずに行うことは困難で
あった。すなわち、ヒューズの溶断が行われる光ケーブ
ル2が、一時的にせよ、通信網から外れてしまうという
問題があった。さらに、一度切断されたヒューズを「接
続」状態にすることができないため、保持情報を任意の
情報に変更することができないという欠点があった。
By the way, since the memory IDM composed of the resistance array / fuse parallel circuit requires the configuration shown in FIG. 11 for each bit, it is difficult to increase the memory capacity, and each optical fiber 2 can be formed. It is difficult to add new functions other than identification. By the way, in the resistance array / fuse parallel circuit, the fuse state (“connection”)
Alternatively, if the fuse that holds the information corresponding to the "cut" is held and the fuse holding the information to be changed is in the "connected" state, the held information can be changed by blowing the fuse. . However, it is difficult to perform this fusing without removing the optical connector 2a from the substrate 1. That is, there is a problem in that the optical cable 2 in which the fuse is blown is temporarily disconnected from the communication network. Further, there is a drawback in that the held information cannot be changed to arbitrary information because the fuse once cut cannot be put in the “connected” state.

【0010】こうしたことから、メモリIDMとして、
EEPROM(電気的に消去が可能なプログラマブル読
出し専用メモリ)を用いることが一般的になってきてい
る。しかしながら、EEPROMを用いる場合、メモリ
制御端子(VCC、SCL(同期用クロック)、SDA
(シリアルデータ)、GND)が4端子以上となるた
め、アクセス制御回路3(図10参照)の部品点数が増
大してしまうという問題がある。本発明は、上述した事
情に鑑みて為されたものであり、EEPROMを用いて
も、エラー等の不都合を招致することなく、管理システ
ム側の部品点数を少なくすることができる光コネクタ用
メモリ回路を提供することを目的とする。
From the above, as the memory IDM,
It has become common to use EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). However, when using the EEPROM, memory control terminals (VCC, SCL (synchronization clock), SDA
Since (serial data) and GND) have four or more terminals, there is a problem that the number of parts of the access control circuit 3 (see FIG. 10) increases. The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and even if an EEPROM is used, it is possible to reduce the number of parts on the management system side without incurring inconvenience such as an error and the like. The purpose is to provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の光コネ
クタ用メモリ回路は、光ケーブル端部の光コネクタに搭
載される光コネクタ用メモリ回路であって、前記光ケー
ブル固有の情報を記憶し、電源電圧信号が入力される電
源端子、接地電圧信号が入力される接地端子、同期用パ
ルス信号が入力されるクロック端子、および読み出し/
書き込み動作のための情報が入出力されるデータ入出力
端子を備えたメモリと、前記電源端子および前記クロッ
ク端子に接続され、前記電源電圧信号と前記同期用パル
ス信号との合成信号が入力される第1の端子と、前記接
地端子に接続され、前記接地電圧信号が入力される第2
の端子と、前記データ入出力端子に接続され、前記読み
出し/書き込み動作のための情報を入出力する第3の端
子と、前記第1の端子に入力された前記合成信号から前
記電源電圧信号と前記同期用パルス信号とを分離抽出
し、それぞれ前記電源端子および前記クロック端子へ入
力する分離抽出手段とを具備することを特徴としてい
る。
An optical connector memory circuit according to claim 1 is an optical connector memory circuit mounted on an optical connector at an end of an optical cable, and stores information unique to the optical cable. Power supply terminal to which power supply voltage signal is input, ground terminal to which ground voltage signal is input, clock terminal to which synchronization pulse signal is input, and read / write
A memory having a data input / output terminal for inputting / outputting information for a write operation, and the power supply terminal and the clock terminal are connected, and a composite signal of the power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal is input. A second terminal connected to the first terminal and the ground terminal for receiving the ground voltage signal
And a third terminal connected to the data input / output terminal for inputting / outputting information for the read / write operation, and the power supply voltage signal from the combined signal input to the first terminal. It is characterized by further comprising: a separation / extraction means for separating and extracting the synchronizing pulse signal and inputting to the power supply terminal and the clock terminal, respectively.

【0012】請求項2に記載の光コネクタ用メモリ回路
は、請求項1に記載の光コネクタ用メモリ回路におい
て、前記合成信号は、ベースラインの電圧が前記電源電
圧信号の電圧に一致し、かつ、トップラインの電圧が前
記電源電圧信号の電圧と前記同期用パルス信号のトップ
ラインの電圧との和電圧に一致するよう生成され、前記
分離抽出手段は、ダイオードを用いた整流回路であるこ
とを特徴としている。
An optical connector memory circuit according to a second aspect of the present invention is the optical connector memory circuit according to the first aspect, wherein the synthesized signal has a baseline voltage that matches the voltage of the power supply voltage signal, and The top line voltage is generated so as to match the sum voltage of the power supply voltage signal and the top line voltage of the synchronizing pulse signal, and the separation and extraction means is a rectifier circuit using a diode. It has a feature.

【0013】請求項3に記載の光コネクタ用メモリ回路
は、請求項2に記載の光コネクタ用メモリ回路におい
て、前記分離抽出手段は、前記合成信号および前記接地
電圧信号に基づいて前記電源電圧信号を出力する3端子
レギュレータと、前記合成信号、前記電源電圧信号、お
よび前記接地電圧信号に基づいて同期用パルス信号を出
力するコンパレータと、前記3端子レギュレータの出力
端に一端が接続され、他端には接地電圧信号が印加され
るコンデンサとを具備し、前記3端子レギュレータおよ
び前記コンパレータは、それぞれICチップから構成さ
れることを特徴としている。請求項4に記載の光コネク
タ用メモリ回路は、請求項3に記載の光コネクタ用メモ
リ回路において、前記3端子レギュレータおよび前記コ
ンパレータを、抵抗、トタンジスタ、およびダイオード
から構成することを特徴としている。
An optical connector memory circuit according to a third aspect of the present invention is the optical connector memory circuit according to the second aspect, wherein the separation and extraction means is based on the combined signal and the ground voltage signal. A three-terminal regulator, a comparator that outputs a synchronizing pulse signal based on the combined signal, the power supply voltage signal, and the ground voltage signal, and one end connected to the output end of the three-terminal regulator and the other end. Is provided with a capacitor to which a ground voltage signal is applied, and the three-terminal regulator and the comparator are each composed of an IC chip. An optical connector memory circuit according to a fourth aspect is the optical connector memory circuit according to the third aspect, characterized in that the three-terminal regulator and the comparator are composed of a resistor, a transistor, and a diode.

【0014】請求項5に記載の光コネクタ用メモリ回路
は、請求項1に記載の光コネクタ用メモリ回路におい
て、前記合成信号は、ベースラインの電圧が前記接地電
圧信号の電圧に一致し、かつ、トップラインの電圧が前
記電源電圧信号のトップラインの電圧と前記同期用パル
ス信号のトップラインの電圧との和電圧に一致するよう
生成され、前記分離抽出手段は、ダイオードおよびコン
デンサからなることを特徴としている。
An optical connector memory circuit according to a fifth aspect of the present invention is the optical connector memory circuit according to the first aspect, wherein the synthesized signal has a baseline voltage that matches the voltage of the ground voltage signal, and The top line voltage is generated so as to match the sum voltage of the top line voltage of the power supply voltage signal and the top line voltage of the synchronizing pulse signal, and the separation and extraction means includes a diode and a capacitor. It has a feature.

【0015】[0015]

【作用】上記構成によれば、第1の端子から電源電圧信
号と同期用パルス信号との合成信号が入力されると、分
離抽出手段が前記合成信号から前記電源電圧信号および
同期用パルス信号を分離抽出し、それぞれをメモリの電
源端子およびクロック端子へ入力する。また、前記メモ
リの接地端子および入出力端子には、それぞれ、第2の
端子からの接地電圧信号、および第3の端子からの読み
出し/書き込み動作のための情報が入(出)力される。
すなわち、前記メモリは、第1〜第3の端子(3つの端
子)から入力される信号(情報)に基づいて作動する。
According to the above construction, when the composite signal of the power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal is input from the first terminal, the separation / extracting means extracts the power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal from the composite signal. Separate and extract, and input each to the power supply terminal and clock terminal of the memory. A ground voltage signal from the second terminal and information for read / write operation from the third terminal are input (output) to the ground terminal and the input / output terminal of the memory, respectively.
That is, the memory operates based on signals (information) input from the first to third terminals (three terminals).

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。本発明の実施例は、後述するように、第
1〜第4実施例に分かれるが、各実施例によるメモリ回
路において共通する基本事項としては、VCC端子(電
源端子)、SCL端子(クロック端子)、SDA端子
(データ入出力端子)、およびVSS端子(接地端子)
を有するEEPROM(電気的に消去が可能なプログラ
マブル読出し専用メモリ)をメモリとして用いる点と、
EEPROMのVCC端子およびSCL端子を合成し
て、メモリ回路全体の端子を3つとしている点が挙げら
れる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As will be described later, the embodiment of the present invention is divided into first to fourth embodiments, but the basic items common to the memory circuits according to the embodiments are the VCC terminal (power supply terminal) and the SCL terminal (clock terminal). , SDA terminal (data input / output terminal), and VSS terminal (ground terminal)
Using an EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) as a memory,
One of the points is that the VCC terminal and the SCL terminal of the EEPROM are combined so that the entire memory circuit has three terminals.

【0017】まず、上述した基本事項に基づいて為され
た本発明の第1実施例について、図1を参照して説明す
る。図1は、本発明の第1実施例による光コネクタ用メ
モリ回路の構成を示す回路図であり、この図に示すよう
に、本実施例による光コネクタ用メモリ回路は、VC
C,SCL,SDA,VSSの4つの端子を有するEE
PROM(例えば、XICOR社製X24C00)をメ
モリIDMとして有する。このメモリIDMは、図示し
た構成の回路を介して、3つの端子T1〜T3(第1〜
第3の端子)に接続されている。
First, a first embodiment of the present invention made on the basis of the above basic matters will be described with reference to FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the optical connector memory circuit according to the present embodiment has a VC
EE having four terminals of C, SCL, SDA, and VSS
It has a PROM (eg, XICOR X24C00) as a memory IDM. This memory IDM has three terminals T1 to T3 (first to first) through a circuit having the illustrated configuration.
Third terminal).

【0018】本実施例による光コネクタ用メモリ回路で
は、ベースラインの電圧がVCC信号(電源電圧信号)
の電圧に一致し、かつ、トップラインの電圧がVCC信
号の電圧とSCL信号(同期用パルス信号)のトップラ
インの電圧との和電圧に一致するよう合成信号を生成
し、この合成信号を端子T1を介して入力することが前
提となっている。このことは、後述する第2,第3実施
例においても同様である。
In the optical connector memory circuit according to the present embodiment, the baseline voltage is the VCC signal (power supply voltage signal).
Of the VCC signal and the sum of the voltage of the VCC signal and the voltage of the SCL signal (pulse signal for synchronization) on the top line, and a combined signal is generated. It is premised on inputting via T1. This also applies to the second and third embodiments described later.

【0019】端子T2およびT3は、それぞれ、接地線
L4およびデータ線L3を介して、メモリIDMのVS
S端子およびSDA端子に直接接続されている。また、
端子T1は、途中にnpn形トランジスタTR1のコレ
クタおよびエミッタが接続された電源線L1を介して、
メモリIDMのVCC端子に接続されるとともに、コン
デンサC1(0.01μF)および抵抗R4(1kΩ)
が設けられたクロック線L2を介してメモリIDMのS
CL端子に接続されている。
The terminals T2 and T3 are connected to the VS of the memory IDM via the ground line L4 and the data line L3, respectively.
It is directly connected to the S terminal and the SDA terminal. Also,
The terminal T1 is connected through a power line L1 to which the collector and emitter of the npn-type transistor TR1 are connected,
The capacitor C1 (0.01 μF) and the resistor R4 (1 kΩ) are connected to the VCC terminal of the memory IDM.
S of the memory IDM via the clock line L2 provided with
It is connected to the CL terminal.

【0020】また、クロック線L2において、コンデン
サC1および抵抗R4の後段(すなわち、メモリIDM
のSCL端子側)には、接続点P1およびP2が設けら
れており、それぞれ、逆方向のダイオードD2および抵
抗R(470kΩ)を介して、接地線L4に接続されて
いる。さらに、接地線L4には、接続点P3,P4がメ
モリIDMのVSS端子側へ順に設けられており、これ
らの接続点P3,P4は、それぞれ、順方向の定電圧ダ
イオードD3(逆方向降伏電圧が5.6V)および抵抗
R5(2kΩ)を介して、電源線L1に接続されてい
る。ただし、定電圧ダイオードD3のカソードは、トラ
ンジスタTR1のベースに接続することにより電源線L
1に接続されている。また、トランジスタTR1のコレ
クタ−ベース間には、抵抗R17(270Ω)が並列接
続されている。
In the clock line L2, the latter stage of the capacitor C1 and the resistor R4 (that is, the memory IDM).
Connection points P1 and P2 are provided on the SCL terminal side of each of the terminals) and are respectively connected to the ground line L4 via the diode D2 and the resistor R (470 kΩ) in the reverse direction. Further, connection points P3 and P4 are sequentially provided on the ground line L4 toward the VSS terminal side of the memory IDM, and these connection points P3 and P4 are respectively connected to the forward voltage regulator diode D3 (reverse breakdown voltage). Is connected to the power supply line L1 via a resistor R5 (2 kΩ). However, the cathode of the constant voltage diode D3 is connected to the base of the transistor TR1 so that the power line L
Connected to 1. A resistor R17 (270Ω) is connected in parallel between the collector and the base of the transistor TR1.

【0021】上述した構成において、外部(例えば、図
10のアクセス制御回路3)から端子T1へVCC信号
およびSCL信号を合成した信号、端子T2へVSS信
号(GND信号ともいう)を印加すると、メモリIDM
のVCC端子にはVCC信号、同SCL端子にはSCL
信号、同VSS端子にはVSS信号が供給され、メモリ
IDMが作動可能となる。この状態において、端子T3
を介して、アドレスデータおよび実データからなるSD
A信号(読み出し/書き込み動作のための情報)を入力
すると、メモリIDMのアドレスデータに対応するアド
レスからのデータの読み出し、あるいは、同アドレスへ
の実データの書き込みが行われる。
In the above configuration, when a signal obtained by combining the VCC signal and the SCL signal to the terminal T1 and a VSS signal (also referred to as a GND signal) are applied to the terminal T1 from the outside (for example, the access control circuit 3 in FIG. 10), the memory IDM
VCC signal to the VCC terminal and SCL to the SCL terminal
The signal and the VSS signal are supplied to the VSS terminal, and the memory IDM becomes operable. In this state, the terminal T3
SD consisting of address data and actual data via
When the A signal (information for read / write operation) is input, data is read from an address corresponding to the address data of the memory IDM, or actual data is written to the same address.

【0022】図2は、メモリIDMのVCC,SCL,
VSS端子への入力信号波形、および端子SDAにおけ
る入出力信号波形を示す図であり、この図に示す波形
は、実験により得られたものである。この図に示すよう
に、VCC信号とSCL信号とは適正に分離され、それ
ぞれ、VCC,SCL端子へ入力されている。なお、こ
の図(図4,図5,図7,図9も同様)において、時間
軸方向の最小目盛り単位は100μsである。
FIG. 2 shows the memory IDMs VCC, SCL,
It is a figure which shows the input signal waveform to a VSS terminal, and the input / output signal waveform in terminal SDA. The waveform shown in this figure was obtained by experiment. As shown in this figure, the VCC signal and the SCL signal are properly separated and input to the VCC and SCL terminals, respectively. In this figure (the same applies to FIGS. 4, 5, 7, and 9), the minimum scale unit in the time axis direction is 100 μs.

【0023】上述したように、適正なVCC信号および
SCL信号が得られるため、SDA信号の前半部分FA
によるアドレス選択が正常に行われ、同後半部分BAで
表される実データの書き込み/読み出しが正常に行われ
る。なお、SCL信号のパルス立ち上がり時間tRは9
8nsであり、立ち下がり時間tFは308nsであっ
た。ただし、回路構成要素のパラメータをより適正なも
のとすることにより、パルス立ち上がり時間tRおよび
パルス立ち下がり時間tFを改善することが可能であ
る。また、分離されたVCC信号には、0.2V程度の
リップルが発生しており、最大消費電流は29.2mA
であった。
As described above, since the proper VCC signal and SCL signal are obtained, the first half FA of the SDA signal is obtained.
The address selection is normally performed, and the actual data represented by the latter half portion BA is normally written / read. The pulse rise time tR of the SCL signal is 9
It was 8 ns, and the fall time tF was 308 ns. However, the pulse rise time tR and the pulse fall time tF can be improved by making the parameters of the circuit components more appropriate. Further, the separated VCC signal has a ripple of about 0.2 V, and the maximum current consumption is 29.2 mA.
Met.

【0024】以上説明したように、本発明の第1実施例
による光コネクタ用メモリ回路によれば、3つの端子T
1〜T3のみでEEPROMからなるメモリIDMを駆
動することができる。すなわち、光コネクタ用メモリ回
路外部の部品点数を低減することができる。また、上述
した光コネクタ用メモリ回路は、メモリIDMを除く
と、7個の回路要素から構成可能されている。すなわ
ち、回路構成を簡素とすることができる。
As described above, according to the optical connector memory circuit of the first embodiment of the present invention, the three terminals T are provided.
The memory IDM composed of the EEPROM can be driven only by 1 to T3. That is, it is possible to reduce the number of components outside the optical connector memory circuit. Further, the above-mentioned optical circuit for the optical connector can be configured by seven circuit elements except the memory IDM. That is, the circuit configuration can be simplified.

【0025】次に、本発明の第2実施例について、図3
を参照して説明する。図3は、本発明の第2実施例によ
る光コネクタ用メモリ回路の構成を示す回路図であり、
この図において、図1と共通する部分には同一の符号を
付し、その説明を省略する。この図に示す光コネクタ用
メモリ回路が、図1に示す光コネクタ用メモリ回路と大
きく異なる点は、3端子レギュレータRGおよびコンパ
レータCPを用いて、VCC信号およびSCL信号を分
離するようにした点である。これらの3端子レギュレー
タRGおよびコンパレータCPは、市販のICチップに
より構成されている。
Next, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Will be described with reference to. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a second embodiment of the present invention,
In this figure, parts that are the same as those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted. The optical connector memory circuit shown in this figure is largely different from the optical connector memory circuit shown in FIG. 1 in that a VCC signal and an SCL signal are separated by using a three-terminal regulator RG and a comparator CP. is there. These three-terminal regulator RG and comparator CP are composed of a commercially available IC chip.

【0026】図3に示す光コネクタ用メモリ回路では、
端子T1は、途中に3端子レギュレータRGが接続され
た電源線L1を介して、メモリIDMのVCC端子に接
続されるとともに、抵抗R7(39kΩ)およびコンパ
レータCPが介挿されたクロック線L2を介してメモリ
IDMのSCL端子に接続されている。3端子レギュレ
ータRGは、そのGND端子が接地線L4に接続されて
おり、端子T1側から供給される信号(VCC信号とS
CL信号との合成信号)とGND端子に印加されるGN
D信号の電位差に基づいて、一定電圧の信号(VCC信
号)を出力する。また、コンパレータCPは、非反転入
力端子、反転入力端子、および出力端子を有し、非反転
入力端子が端子T1側、出力端子がメモリIDMのSC
L端子側となるようクロック線L2に介挿されている。
In the optical connector memory circuit shown in FIG. 3,
The terminal T1 is connected to the VCC terminal of the memory IDM via a power supply line L1 to which a three-terminal regulator RG is connected, and a clock line L2 in which a resistor R7 (39 kΩ) and a comparator CP are inserted. Is connected to the SCL terminal of the memory IDM. The GND terminal of the three-terminal regulator RG is connected to the ground line L4, and the signal (VCC signal and S signal supplied from the terminal T1 side is supplied.
(Combined signal with CL signal) and GN applied to GND terminal
A signal of constant voltage (VCC signal) is output based on the potential difference of the D signal. The comparator CP has a non-inverting input terminal, an inverting input terminal, and an output terminal, the non-inverting input terminal is on the terminal T1 side, and the output terminal is the SC of the memory IDM.
It is inserted in the clock line L2 so as to be on the L terminal side.

【0027】また、クロック線L2において、抵抗R7
の後段、かつコンパレータCPの前段に設けられた接続
点P5には、抵抗R8(24kΩ)を介して接地線L4
が接続されている。さらに、電源線L1における3端子
レギュレータRGの後段に設けられた接続点P6は、抵
抗R9(8.2kΩ)および抵抗R10(24kΩ)を
介して、接地線L4に接続されている。上記抵抗R9,
R10間の接続点P7は、コンパレータCPの反転入力
端子に接続されている。また、コンパレータCPの出力
端子とメモリIDMのSCL端子との間には接続点P8
が設けられ、この接続点P8と電源線L1の接続点P9
(接続点P6の後段)とが、抵抗R11(2.7kΩ)
を介して接続されている。
Further, in the clock line L2, the resistor R7
At a connection point P5 provided in the subsequent stage and in the previous stage of the comparator CP, a ground line L4 is provided via a resistor R8 (24 kΩ).
Is connected. Further, a connection point P6 provided in the latter stage of the three-terminal regulator RG in the power supply line L1 is connected to the ground line L4 via a resistor R9 (8.2 kΩ) and a resistor R10 (24 kΩ). The resistor R9,
The connection point P7 between R10 is connected to the inverting input terminal of the comparator CP. Further, a connection point P8 is provided between the output terminal of the comparator CP and the SCL terminal of the memory IDM.
Is provided, and a connection point P9 between this connection point P8 and the power supply line L1
(After the connection point P6) is a resistor R11 (2.7 kΩ)
Connected through.

【0028】このような構成によりメモリIDMの各端
子において得られる波形について、図4を参照して説明
する。図4は、本実施例による光コネクタ用メモリ回路
を用いた実験により得られたものである。この図に示す
ように、VCC信号とSCL信号とが分離され、それぞ
れ、VCC,SCL端子へ入力されている。なお、SC
L信号のパルス立ち上がり時間tRは330nsであ
り、立ち下がり時間tFは30nsであった。ただし、
回路構成要素のパラメータをより適正なものとすること
により、パルス立ち上がり時間tRおよびパルス立ち下
がり時間tFを改善することが可能である。また、最大
消費電流は5mAであった。
The waveform obtained at each terminal of the memory IDM with such a configuration will be described with reference to FIG. FIG. 4 is obtained by an experiment using the memory circuit for an optical connector according to this embodiment. As shown in this figure, the VCC signal and the SCL signal are separated and input to the VCC and SCL terminals, respectively. In addition, SC
The pulse rise time tR of the L signal was 330 ns and the fall time tF was 30 ns. However,
By making the parameters of the circuit components more appropriate, it is possible to improve the pulse rise time tR and the pulse fall time tF. The maximum current consumption was 5 mA.

【0029】ところで、図から明らかなように、分離さ
れたVCC信号には、ノイズが発生している。これは、
コンパレータCPが、通常、一定の(パルスでない)信
号を比較するものであり、その応答特性が良すぎるため
に生起する現象である。すなわち、コンパレータCP
が、パルス信号の電圧変化に対して過渡応答していま
い、リップル等のノイズになってしまうのである。この
ため、正常な動作(ここでは、読み出し動作)が行われ
ず、SDAエラーが発生し、図4に示すように、SDA
信号の後半部分BAが無効な信号となってしまうことが
ある。
By the way, as is clear from the figure, noise is generated in the separated VCC signal. this is,
The comparator CP normally compares constant (non-pulse) signals, and is a phenomenon that occurs because its response characteristic is too good. That is, the comparator CP
However, the transient response to the voltage change of the pulse signal does not occur, resulting in noise such as ripples. Therefore, a normal operation (here, a read operation) is not performed, an SDA error occurs, and as shown in FIG.
The latter half BA of the signal may become an invalid signal.

【0030】上記ノイズを除去するために、図3におい
て、3端子レギュレータRGの後段かつ接続点P6の前
段となる電源線L1上の点と、接地線L4とを、コンデ
ンサC2(0.1μF)を介して接続するよう回路を構
成してもよい。この場合、コンパレータCPの応答特性
が悪くなり、図5に示すような信号波形、すなわち、ノ
イズが除去された信号波形が得られた。
In order to remove the above noise, in FIG. 3, a point on the power supply line L1 which is a subsequent stage of the three-terminal regulator RG and a previous stage of the connection point P6 and a ground line L4 are connected to a capacitor C2 (0.1 μF). The circuit may be configured to be connected via. In this case, the response characteristic of the comparator CP was deteriorated, and a signal waveform as shown in FIG. 5, that is, a signal waveform from which noise was removed was obtained.

【0031】以上説明したように、本発明の第2実施例
による光コネクタ用メモリ回路によれば、第1実施例と
同様に、3つの端子T1〜T3のみでメモリIDMを駆
動可能であるとともに、簡素な構成で回路を構成するこ
とができる。さらに、本実施例によれば、第1の実施例
において僅かに存在していたVCC信号のリップルを完
全に除去することができる。また、最大消費電流を極め
て小とすることができる。
As described above, according to the optical connector memory circuit of the second embodiment of the present invention, the memory IDM can be driven by only the three terminals T1 to T3, as in the first embodiment. The circuit can be configured with a simple configuration. Furthermore, according to the present embodiment, it is possible to completely remove the ripple of the VCC signal that was slightly present in the first embodiment. Moreover, the maximum current consumption can be made extremely small.

【0032】次に、本発明の第3実施例について、図6
を参照して説明する。図6は、本発明の第3実施例によ
る光コネクタ用メモリ回路の構成を示す回路図であり、
この図において、図3と共通する部分には同一の符号を
付し、その説明を省略する。この図に示す光コネクタ用
メモリ回路が、図3に示す光コネクタ用メモリ回路と大
きく異なる点は、3端子レギュレータRGおよびコンパ
レータCPをICチップから構成せずに、コンデンサ、
抵抗、トランジスタ、および定電圧ダイオードを用いて
構成した点である。
Next, the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Will be described with reference to. FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a third embodiment of the present invention.
In this figure, parts that are the same as those in FIG. 3 are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted. The optical connector memory circuit shown in this figure is greatly different from the optical connector memory circuit shown in FIG. 3 in that the three-terminal regulator RG and the comparator CP are not composed of an IC chip, but a capacitor,
This is a point that it is configured by using a resistor, a transistor, and a constant voltage diode.

【0033】図6に示す光コネクタ用メモリ回路では、
電源線L1上に、コレクタが端子T1側、かつエミッタ
がメモリIDMのVCC端子側となるnpn形のトラン
ジスタTR2が介挿さている。このトランジスタTR2
のベースは、逆方向の定電圧ダイオードD5(逆方向降
伏電圧が5.6V)を介して接地線L4に接続されてい
る。また、上記トランジスタTR2のコレクタ−ベース
間には、抵抗R16(270Ω)が並列接続されてい
る。
In the optical connector memory circuit shown in FIG.
An npn-type transistor TR2, whose collector is on the terminal T1 side and whose emitter is on the VCC terminal side of the memory IDM, is inserted on the power supply line L1. This transistor TR2
The base of is connected to the ground line L4 through a reverse voltage regulator diode D5 (reverse breakdown voltage is 5.6V). A resistor R16 (270Ω) is connected in parallel between the collector and the base of the transistor TR2.

【0034】また、電源線L1において、トランジスタ
TR2前段に設けられた接続点P10は、抵抗R12
(39kΩ)および抵抗R13(24kΩ)を介して、
接地線L4に接続されている。抵抗R12は、クロック
線L2に介挿されている回路要素であり、クロック線L
2には、抵抗R12に後続して、npn形のトランジス
タTR3、およびpnp形のトランジスタTR5が介挿
されている。抵抗R12はトランジスタTR3のベース
に接続され、当該トランジスタTR3のコレクタは、ト
ランジスタTR5のベースに接続されている。そして、
トランジスタTR5のコレクタは、メモリIDMのSC
L端子に接続されている。
Further, in the power supply line L1, the connection point P10 provided in the preceding stage of the transistor TR2 has a resistor R12.
(39 kΩ) and resistor R13 (24 kΩ)
It is connected to the ground line L4. The resistor R12 is a circuit element inserted in the clock line L2, and is connected to the clock line L2.
An npn-type transistor TR3 and a pnp-type transistor TR5 are inserted in 2 after the resistor R12. The resistor R12 is connected to the base of the transistor TR3, and the collector of the transistor TR3 is connected to the base of the transistor TR5. And
The collector of the transistor TR5 is the SC of the memory IDM.
It is connected to the L terminal.

【0035】上記トランジスタTR3のコレクタは、抵
抗R14(1kΩ)を介して電源線L1の接続点P11
(トランジスタTR2の後段)に接続されている。一
方、トランジスタTR3のエミッタは、抵抗R15
(3.3kΩ)を介して、接地線L4に接続されてい
る。このトランジスタTR3に対向して設けられたnp
n形のトランジスタTR4は、コレクタが接続点P11
の後段に設けられた接続点P12に接続され、エミッタ
が、抵抗R15を介して接地線L4に接続されている。
The collector of the transistor TR3 is connected to the connection point P11 of the power line L1 via the resistor R14 (1 kΩ).
It is connected to (after the transistor TR2). On the other hand, the emitter of the transistor TR3 is the resistor R15.
It is connected to the ground line L4 via (3.3 kΩ). Np provided to face the transistor TR3
The collector of the n-type transistor TR4 has a connection point P11.
It is connected to a connection point P12 provided in the subsequent stage, and the emitter is connected to the ground line L4 via the resistor R15.

【0036】このトランジスタTR4のベースは、逆方
向の定電圧ダイオードD4(逆方向降伏電圧が3.9
V)を介して接地線L4に接続されるとともに、抵抗R
18(270Ω)を介して、電源線L1において接続点
P12の後段に設けられた接続点P19に接続されてい
る。さらに、トランジスタTR5のエミッタは、電源線
L1において、接続点P19後段に設けられた接続点P
20に接続されており、同コレクタは、抵抗R6(1.
8kΩ)を介して接地線L4にも接続されている。
The base of the transistor TR4 has a reverse voltage regulator diode D4 (reverse breakdown voltage of 3.9).
V) and the resistance R
It is connected to the connection point P19 provided in the subsequent stage of the connection point P12 in the power supply line L1 via 18 (270Ω). Further, the emitter of the transistor TR5 has a connection point P provided at a subsequent stage of the connection point P19 in the power supply line L1.
20 is connected to the collector of the resistor R6 (1.
8 kΩ) and is also connected to the ground line L4.

【0037】このような構成によりメモリIDMの各端
子において得られる波形について、図7を参照して説明
する。図7は、本実施例による光コネクタ用メモリ回路
を用いた実験により得られたものである。この図に示す
ように、VCC信号とSCL信号とは適正に分離され、
それぞれ、VCC端子、SCL端子へ入力されている。
上述したように、適正なVCC信号およびSCL信号が
得られるため、SDA信号の前半部分FAによるアドレ
ス選択が正常に行われ、同後半部分BAで表される実デ
ータの書き込み/読み出しが正常に行われる。なお、S
CL信号のパルス立ち上がり時間tRは90nsであ
り、立ち下がり時間tFは119nsであった。また、
分離されたVCC信号には、0.2V程度のリップルが
発生しており、最大消費電流は36.2mAであった。
Waveforms obtained at each terminal of the memory IDM with such a configuration will be described with reference to FIG. FIG. 7 is obtained by an experiment using the memory circuit for an optical connector according to this embodiment. As shown in this figure, the VCC signal and the SCL signal are properly separated,
They are input to the VCC terminal and the SCL terminal, respectively.
As described above, since the proper VCC signal and SCL signal are obtained, the address selection by the first half FA of the SDA signal is normally performed, and the writing / reading of the actual data represented by the latter half BA is normally performed. Be seen. In addition, S
The pulse rise time tR of the CL signal was 90 ns and the fall time tF was 119 ns. Also,
The separated VCC signal had a ripple of about 0.2 V, and the maximum current consumption was 36.2 mA.

【0038】以上説明したように、本発明の第3実施例
による光コネクタ用メモリ回路によれば、第1および第
2実施例と同様に、3つの端子T1〜T3のみでメモリ
IDMを駆動可能である。さらに、本実施例による光コ
ネクタ用メモリ回路によれば、パルス立ち上がり時間t
F,パルス立ち下がり時間tRを、第1および第2実施
例によるものより短縮することもできる。
As described above, according to the memory circuit for an optical connector of the third embodiment of the present invention, the memory IDM can be driven only by the three terminals T1 to T3, as in the first and second embodiments. Is. Furthermore, according to the optical connector memory circuit of this embodiment, the pulse rise time t
The F and pulse fall times tR can be shortened as compared with those in the first and second embodiments.

【0039】次に、本発明の第4実施例について、図8
を参照して説明する。図8は、本発明の第4実施例によ
る光コネクタ用メモリ回路の構成を示す回路図であり、
この図において、図3と共通する部分には同一の符号を
付し、その説明を省略する。この図に示す光コネクタ用
メモリ回路では、ベースラインの電圧がVSS信号の電
圧に一致し、かつ、トップラインの電圧がVCC信号の
トップラインの電圧とSCL信号のトップラインの電圧
との和電圧に一致するよう合成信号を生成し、この合成
信号を端子T1から入力することを前提としており、ダ
イオードおよび平滑コンデンサを用いて、端子T1から
供給される合成信号をVCC信号とSCL信号とに分離
するようにしている。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Will be described with reference to. FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of an optical connector memory circuit according to the fourth embodiment of the present invention.
In this figure, parts that are the same as those in FIG. 3 are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted. In the memory circuit for optical connector shown in this figure, the voltage of the baseline matches the voltage of the VSS signal, and the voltage of the top line is the sum voltage of the top line voltage of the VCC signal and the top line voltage of the SCL signal. It is premised that a combined signal is generated so as to match with, and this combined signal is input from the terminal T1, and a diode and a smoothing capacitor are used to separate the combined signal supplied from the terminal T1 into a VCC signal and an SCL signal. I am trying to do it.

【0040】図6に示す光コネクタ用メモリ回路では、
電源線L1上に、アノードが端子T1側となるダイオー
ドD1と、このダイオードD1のカソード側に接続され
た3端子レギュレータRGとが介挿されている。また、
ダイオードD1のアノード側の電源線L1は、直列接続
された抵抗R3(6.8kΩ)および抵抗R2(4.7
kΩ)を介して接地線L4に接続されている。
In the memory circuit for optical connector shown in FIG.
A diode D1 whose anode is on the terminal T1 side and a three-terminal regulator RG connected to the cathode side of this diode D1 are interposed on the power supply line L1. Also,
The power supply line L1 on the anode side of the diode D1 is connected in series with a resistor R3 (6.8 kΩ) and a resistor R2 (4.7 kΩ).
kΩ) to the ground line L4.

【0041】さらに、ダイオードD1のカソード側の電
源線L1は、平滑コンデンサとして作動するコンデンサ
C3(1μF)を介して、接地線L4に接続されてい
る。また、電源線L1において、3端子レギュレータR
GとメモリIDMのVCC端子との間の接続点P20
は、コンデンサC4(0.1μF)を介して、接地線L
4に接続されている。
Further, the power source line L1 on the cathode side of the diode D1 is connected to the ground line L4 via a capacitor C3 (1 μF) that operates as a smoothing capacitor. In addition, in the power supply line L1, the three-terminal regulator R
Connection point P20 between G and the VCC terminal of the memory IDM
Is connected to the ground line L via the capacitor C4 (0.1 μF).
4 is connected.

【0042】さらに、本実施例による光コネクタ用メモ
リ回路には、CMOS(complementary metal oxide se
miconductor )等のロジックICによるANDゲートG
Tが設けられており、このANDゲートGTの一方の入
力端子は、上記接続点P20とコンデンサC2との間の
接続点P21に、他方の入力端子は、抵抗R3と抵抗R
2との間の接続点P22に、出力端子は、メモリIDM
のSCL端子に接続されている。また、データ線L3と
接地線L4とは、抵抗R1(100kΩ)を介して接続
されている。
Further, the optical connector memory circuit according to the present embodiment has a CMOS (complementary metal oxide se).
AND gate G by logic IC such as miconductor)
T is provided, one input terminal of the AND gate GT is at a connection point P21 between the connection point P20 and the capacitor C2, and the other input terminal is at a resistance R3 and a resistance R.
At the connection point P22 between the output terminal and the memory IDM
Is connected to the SCL terminal. The data line L3 and the ground line L4 are connected via a resistor R1 (100 kΩ).

【0043】なお、ロジックICによるANDゲートG
Tを介挿したのは、入力信号の電圧が所定のしきい値以
上であれば“H”レベル、同しきい値未満であれば
“L”レベルとなるため、パルス立ち上がり時間tF,
パルス立ち下がり時間tRを大幅に短縮することができ
るためである。また、CMOSを用いたのは、他のTT
L,ECL等に比較して、消費電力を抑制することがで
きるためである。
An AND gate G using a logic IC
T is inserted because the voltage of the input signal is "H" level when the voltage is equal to or higher than a predetermined threshold value, and "L" level when the voltage is less than the threshold value.
This is because the pulse fall time tR can be greatly shortened. Also, CMOS is used for other TT
This is because power consumption can be suppressed as compared with L, ECL, and the like.

【0044】このような構成によりメモリIDMの各端
子において得られる波形について、図9を参照して説明
する。図9は、本実施例による光コネクタ用メモリ回路
を用いた実験により得られたものである。この図に示す
ように、VCC信号とSCL信号とは適正に分離され、
それぞれ、VCC端子、SCL端子へ入力されている。
このように、適正なVCC信号およびSCL信号が得ら
れるため、SDA信号の前半部分FAによるアドレス選
択が正常に行われ、同後半部分BAで表される実データ
の書き込み/読み出しが正常に行われる。なお、SCL
信号のパルス立ち上がり時間tRは10ns以下、立ち
下がり時間tFは10ns以下、最大消費電流は4mA
であった。
Waveforms obtained at each terminal of the memory IDM with such a configuration will be described with reference to FIG. FIG. 9 is obtained by an experiment using the optical connector memory circuit according to the present embodiment. As shown in this figure, the VCC signal and the SCL signal are properly separated,
They are input to the VCC terminal and the SCL terminal, respectively.
As described above, since the proper VCC signal and SCL signal are obtained, the address selection by the first half FA of the SDA signal is normally performed, and the writing / reading of the actual data represented by the latter half BA is normally performed. . In addition, SCL
The pulse rise time tR of the signal is 10 ns or less, the fall time tF is 10 ns or less, and the maximum current consumption is 4 mA.
Met.

【0045】以上説明したように、本発明の第4実施例
による光コネクタ用メモリ回路によれば、第1〜第3実
施例と同様に、3つの端子T1〜T3のみでメモリID
Mを駆動可能である。また、回路を簡素な構成とするこ
とができる。さらに、VCC信号においてリップルが発
生することがない。また、パルス立ち上がり時間tF,
パルス立ち下がり時間tRを、大幅に短縮することもで
きる。さらに、最大消費電流を極めて小とすることがで
きる。
As described above, according to the memory circuit for an optical connector according to the fourth embodiment of the present invention, as in the first to third embodiments, the memory ID is formed only by the three terminals T1 to T3.
M can be driven. In addition, the circuit can have a simple structure. Further, no ripple occurs in the VCC signal. Also, the pulse rise time tF,
The pulse fall time tR can be shortened significantly. Furthermore, the maximum current consumption can be made extremely small.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1の端子から電源電圧信号と同期用パルス信号との合
成信号が入力されると、分離抽出手段が前記合成信号か
ら前記電源電圧信号および同期用パルス信号を分離抽出
し、それぞれをメモリの電源端子およびクロック端子へ
入力する。また、前記メモリの接地端子および入出力端
子には、それぞれ、第2の端子からの接地電圧信号、お
よび第3の端子からの読み出し/書き込み動作のための
情報が入力される。すなわち、前記メモリは、第1〜第
3の端子(3つの端子)から入力される信号/情報に基
づいて作動する。したがって、少なくとも4つ以上の端
子を有するEEPROMをメモリとして用いても、外部
から信号が入力される端子は、第1〜第3の端子(3つ
の端子)であるため、特にエラー等の不都合を招致せず
に、外部の管理システムの部品点数を少なくすることが
できるという効果がある。
As described above, according to the present invention,
When the composite signal of the power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal is input from the first terminal, the separating / extracting means separates and extracts the power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal from the composite signal, and respectively extracts the power supply of the memory. Input to pin and clock pin. A ground voltage signal from the second terminal and information for read / write operation from the third terminal are input to the ground terminal and the input / output terminal of the memory, respectively. That is, the memory operates based on signals / information input from the first to third terminals (three terminals). Therefore, even if an EEPROM having at least four terminals is used as a memory, the terminals to which a signal is input from the outside are the first to third terminals (three terminals), so that inconveniences such as errors are caused. There is an effect that the number of parts of the external management system can be reduced without being invited.

【0047】また、該効果を、簡素な構成により得るこ
とができる(請求項2,3,5)。さらに、基本的な回
路素子のみで回路を構成することができる(請求項2,
4)。また、前記合成信号から分離抽出された前記電源
電圧信号において、リップルが発生することがない(請
求項3,5)。さらに、パルス立ち上がり時間tF,パ
ルス立ち下がり時間tRを大幅に短縮することができる
(請求項5)。
Further, the effect can be obtained with a simple structure (claims 2, 3 and 5). Furthermore, the circuit can be configured with only basic circuit elements (claim 2,
4). Further, no ripple occurs in the power supply voltage signal separated and extracted from the combined signal (claims 3 and 5). Further, the pulse rise time tF and the pulse fall time tR can be greatly shortened (claim 5).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1実施例による光コネクタ用メモ
リ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an optical connector memory circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 同回路により得られた波形を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a waveform obtained by the same circuit.

【図3】 本発明の第2実施例による光コネクタ用メモ
リ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 同回路により得られた波形の一例を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a waveform obtained by the same circuit.

【図5】 同回路にコンンデンサC2を付加した場合に
得られた波形の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a waveform obtained when a capacitor C2 is added to the same circuit.

【図6】 本発明の第3実施例による光コネクタ用メモ
リ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 同回路により得られた波形の一例を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a waveform obtained by the same circuit.

【図8】 本発明の第3実施例による光コネクタ用メモ
リ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of an optical connector memory circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図9】 同回路により得られた波形の一例を示す図で
ある。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a waveform obtained by the same circuit.

【図10】 一般的な監視装置における光コネクタ2a
周辺の概略構成を示す図である。
FIG. 10 is an optical connector 2a in a general monitoring device.
It is a figure which shows schematic structure of a periphery.

【図11】 抵抗アレイ/ヒューズ並列によるメモリの
一部構成を示す回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a partial configuration of a memory using a resistor array / fuse parallel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C1〜C3……コンデンサ、CP……コンパレータ、D
1,D2……ダイオード、D3〜D5……定電圧ダイオ
ード、IDM……メモリ、L1……電源線、L2……ク
ロック線、L3……データ線、L4……接地線、P1〜
P22……接続点、R,R1〜R17……抵抗、RG…
…3端子レギュレータ、T1〜T3……端子(第1〜第
3の端子)、TR1〜TR5……トランジスタ
C1 to C3 ... Capacitor, CP ... Comparator, D
1, D2 ... Diode, D3 to D5 ... Constant voltage diode, IDM ... Memory, L1 ... Power line, L2 ... Clock line, L3 ... Data line, L4 ... Ground line, P1
P22 ... connection point, R, R1 to R17 ... resistance, RG ...
... 3-terminal regulator, T1 to T3 ... terminals (first to third terminals), TR1 to TR5 ... transistors

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 克也 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsuya Yamashita 1-1-6, Saiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ケーブル端部の光コネクタに搭載され
る光コネクタ用メモリ回路であって、 前記光ケーブル固有の情報を記憶し、電源電圧信号が入
力される電源端子、接地電圧信号が入力される接地端
子、同期用パルス信号が入力されるクロック端子、およ
び読み出し/書き込み動作のための情報が入出力される
データ入出力端子を備えたメモリと、 前記電源端子および前記クロック端子に接続され、前記
電源電圧信号と前記同期用パルス信号との合成信号が入
力される第1の端子と、 前記接地端子に接続され、前記接地電圧信号が入力され
る第2の端子と、 前記データ入出力端子に接続され、前記読み出し/書き
込み動作のための情報を入出力する第3の端子と、 前記第1の端子に入力された前記合成信号から前記電源
電圧信号と前記同期用パルス信号とを分離抽出し、それ
ぞれ前記電源端子および前記クロック端子へ入力する分
離抽出手段とを具備することを特徴とする光コネクタ用
メモリ回路。
1. A memory circuit for an optical connector mounted on an optical connector at an end of an optical cable, wherein information specific to the optical cable is stored and a power supply terminal to which a power supply voltage signal is input and a ground voltage signal are input. A memory having a ground terminal, a clock terminal to which a synchronizing pulse signal is input, and a data input / output terminal to / from which information for read / write operation is input / output; and a memory connected to the power supply terminal and the clock terminal, A first terminal to which a composite signal of a power supply voltage signal and the synchronizing pulse signal is input, a second terminal connected to the ground terminal and to which the ground voltage signal is input, and the data input / output terminal A third terminal connected to input / output information for the read / write operation; and the power supply voltage signal from the composite signal input to the first terminal And a pulse signal period separates and extracts, respectively the power supply terminal and said optical connector for memory circuits, characterized by comprising a separation extraction means to be input to the clock terminal.
【請求項2】 前記合成信号は、ベースラインの電圧が
前記電源電圧信号の電圧に一致し、かつ、トップライン
の電圧が前記電源電圧信号の電圧と前記同期用パルス信
号のトップラインの電圧との和電圧に一致するよう生成
され、 前記分離抽出手段は、ダイオードを用いた整流回路であ
ることを特徴とする請求項1に記載の光コネクタ用メモ
リ回路。
2. The combined signal has a baseline voltage that matches the voltage of the power supply voltage signal, and a top line voltage that is the voltage of the power supply voltage signal and a voltage of the top line of the synchronization pulse signal. 2. The memory circuit for an optical connector according to claim 1, wherein the separation / extraction means is a rectifier circuit using a diode.
【請求項3】 前記分離抽出手段は、 前記合成信号および前記接地電圧信号に基づいて前記電
源電圧信号を出力する3端子レギュレータと、 前記合成信号、前記電源電圧信号、および前記接地電圧
信号に基づいて同期用パルス信号を出力するコンパレー
タと、 前記3端子レギュレータの出力端に一端が接続され、他
端には接地電圧信号が印加されるコンデンサとを具備
し、 前記3端子レギュレータおよび前記コンパレータは、そ
れぞれICチップから構成されることを特徴とする請求
項2に記載の光コネクタ用メモリ回路。
3. The three-terminal regulator that outputs the power supply voltage signal based on the combined signal and the ground voltage signal; and the separation and extraction means, based on the combined signal, the power supply voltage signal, and the ground voltage signal. A comparator for outputting a synchronizing pulse signal, and a capacitor having one end connected to the output terminal of the three-terminal regulator and a ground voltage signal applied to the other end, wherein the three-terminal regulator and the comparator include 3. The optical connector memory circuit according to claim 2, wherein each of them is composed of an IC chip.
【請求項4】 前記3端子レギュレータおよび前記コン
パレータを、抵抗、トタンジスタ、およびダイオードか
ら構成することを特徴とする請求項3に記載の光コネク
タ用メモリ回路。
4. The memory circuit for an optical connector according to claim 3, wherein the three-terminal regulator and the comparator are composed of a resistor, a transistor, and a diode.
【請求項5】 前記合成信号は、ベースラインの電圧が
前記接地電圧信号の電圧に一致し、かつ、トップライン
の電圧が前記電源電圧信号のトップラインの電圧と前記
同期用パルス信号のトップラインの電圧との和電圧に一
致するよう生成され、 前記分離抽出手段は、ダイオードおよびコンデンサから
なることを特徴とする請求項1に記載の光コネクタ用メ
モリ回路。
5. The combined signal has a baseline voltage that matches the voltage of the ground voltage signal, and a top line voltage that is the top line voltage of the power supply voltage signal and a top line of the synchronization pulse signal. 2. The memory circuit for an optical connector according to claim 1, wherein the separation / extraction means is formed so as to match a sum voltage of the voltage and the voltage.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007072742A (en) * 2005-09-07 2007-03-22 Seiko Epson Corp Power supply system, interface device, cable set, plug, control method for power supply system and program therefor
US8353458B2 (en) 2005-09-07 2013-01-15 Seiko Epson Corporation Network system, cable set, and method and program for controlling network system
JP2015153205A (en) * 2014-02-17 2015-08-24 Necフィールディング株式会社 Connector selection instruction device, method and program

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