JPS59128804A - Inter-digital connector - Google Patents
Inter-digital connectorInfo
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- JPS59128804A JPS59128804A JP388383A JP388383A JPS59128804A JP S59128804 A JPS59128804 A JP S59128804A JP 388383 A JP388383 A JP 388383A JP 388383 A JP388383 A JP 388383A JP S59128804 A JPS59128804 A JP S59128804A
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- Japan
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- finger
- fingers
- epitaxial layer
- layer
- terminal
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、モノリシックマイクロ波集積回路を含むマ
イクロ波集積回路に用いるインタディジタル結合器の改
良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION This invention relates to improvements in interdigital couplers for use in microwave integrated circuits, including monolithic microwave integrated circuits.
従来のインタディジタル結合器の構造を第1図及び・第
2図に示す。第1図は斜視図であり、第2図は第1図を
A −A’面で切断した場合の断面図である。第1図中
、(1)は第1の端子、(2)は第2の端子、(3)は
第3の端子、(4)は第4の端子、(5)は第1のター
ミナル線路、(6)は第2のターミナル線路。The structure of a conventional interdigital coupler is shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view, and FIG. 2 is a sectional view of FIG. 1 taken along the plane AA'. In Figure 1, (1) is the first terminal, (2) is the second terminal, (3) is the third terminal, (4) is the fourth terminal, and (5) is the first terminal line. , (6) is the second terminal line.
(7)は第1のフィンガー。(8)は第2のフィンガー
。(7) is the first finger. (8) is the second finger.
(9)はアース面、 QGは誘電体基板である。第1の
ターミナル線路(5)、第2のターミナル線路(6)、
第1のフィンガー(71,第2のフィンガー(8)、ア
ース面(9)は、誘電体基板(I[I上に蒸着等により
金属膜を設けることにより構成する。又第1の端子(1
)は入力端子、第2の端子(21はアイソレーション端
子、第3の端子(3)及び第4の端子(4)は出力端子
である゛。(9) is the ground plane, and QG is the dielectric substrate. A first terminal line (5), a second terminal line (6),
The first finger (71, second finger (8), and ground plane (9) are constructed by providing a metal film on the dielectric substrate (I) by vapor deposition or the like.
) is an input terminal, the second terminal (21 is an isolation terminal, and the third terminal (3) and fourth terminal (4) are output terminals.
第3図は、第1のターミナル線路(5)の偶モード等価
回路図、第4図は第1のターミナル線路(51の奇モー
ド等価回路図である。FIG. 3 is an even mode equivalent circuit diagram of the first terminal line (5), and FIG. 4 is an odd mode equivalent circuit diagram of the first terminal line (51).
第3図において、αl)は偶モード等価ターミナル線路
、 (+2は偶モードインダクタンスLe、 α3は
偶モード容量Ceであり、041は第1のターミナル線
路(5)から第1のフィンガー(7)を見込む偶モード
フィンガーアドミタンスYfeである。又、第4図にお
いて、 +149は奇モード等価ターミナル線路、佃は
奇モードインダクタンスLOt αηは奇モード容量
COであり、a・は第1のターミナル線路(5)から第
1のフィンガー(7)を見込む奇モードフィンガーアド
ミタンスYfoである。In Fig. 3, αl) is the even mode equivalent terminal line, (+2 is the even mode inductance Le, α3 is the even mode capacitance Ce, and 041 is the connection between the first terminal line (5) and the first finger (7). This is the expected even mode finger admittance Yfe.In addition, in Fig. 4, +149 is the odd mode equivalent terminal line, Tsukuda is the odd mode inductance LOt, αη is the odd mode capacitance CO, and a・ is the first terminal line (5). is the odd mode finger admittance Yfo looking into the first finger (7) from .
なお偶モードフィンガーアドミタンス(141,奇モー
ドフィンガーアドミタンス舖は、第1のフィンガー(7
1,第2のフィンガー(8)間の結合により生じるもの
である。Note that even mode finger admittance (141), odd mode finger admittance (141), or first finger (7
This is caused by the bond between the first and second fingers (8).
偶七−ド等価ターミナル線路α11.奇モード等価ター
ミナル線路a5の偶モード特性インピーダンスZce、
奇モード%41インピーダンスZCOは次の式(り2式
(21で与えられる。Even-7-dead equivalent terminal line α11. Even mode characteristic impedance Zce of odd mode equivalent terminal line a5,
The odd mode %41 impedance ZCO is given by the following formula (21).
zQe”5コ;7肥1〒面y ・・・(1)zo。=
j ”o ’ (j ”’O+”fO) −12
1第1図の長さlを1λg(但しλgは伝搬波長)とし
た場合のインタディジタル結合器の結合度にハ上記ノ・
zco、zCOを用いて式(3)で与えられる。zQe” 5 pieces; 7 fertilizers 1〒 side y ... (1) zo.=
j ”o' (j ”'O+”fO) −12
1 The coupling degree of the interdigital coupler when the length l in Fig. 1 is 1λg (where λg is the propagation wavelength) is
It is given by equation (3) using zco and zCO.
ところで、マイクロ波集積回路において、上記インタデ
ィジタル結合器を用いる場合、その結合度を可変する必
要のある場合がある。By the way, when using the above-mentioned interdigital coupler in a microwave integrated circuit, it may be necessary to vary the degree of coupling.
しかし、従来のインタディジタル結合器では。However, in the conventional interdigital coupler.
その結合度を容易に変化させることができない欠点があ
った。There was a drawback that the degree of bonding could not be easily changed.
この発明は、この欠点を除去するために、フィンガーの
下部にエピタキシャル層を設け、対向するフィンガーと
エピタキシャル層の境界面にショットキー接合面とオー
ミック接合面を交互に形成することにより容易に結合度
kを変化させることができるようにしたものである。In order to eliminate this drawback, the present invention provides an epitaxial layer at the bottom of the finger, and forms a Schottky junction surface and an ohmic junction surface alternately at the interface between the opposing finger and the epitaxial layer, thereby easily increasing the degree of bonding. This allows k to be changed.
第5図は、この発明に係るインタディジタル結合器の斜
視図であり、第6図は第5図をA−A’面で切断した断
面図である。FIG. 5 is a perspective view of an interdigital coupler according to the present invention, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA' in FIG.
第6図において、α侵はエピタキシャル層、翰は半絶縁
体基板である。第7図は一対のフィンガ一部分を拡大し
た動作原理説明図である。第7図において、 canは
空乏層、■はバイアス電源でちり。In FIG. 6, alpha layer is an epitaxial layer, and wire is a semi-insulating substrate. FIG. 7 is an enlarged view illustrating the principle of operation of a pair of fingers. In Figure 7, can is the depletion layer, and ■ is the bias power supply and dust.
第1のフィンガー(7)とエピタキシャル層Qlの境界
面にはショットキー接合面を第2のフィンガー(8)と
エピタキシャル層α9の境界面にはオーミック接合面を
形成するものとする。なお、空乏層C!υの拡がりの大
きさはバイアス電源口を調整することによって変化する
。A Schottky junction surface is formed at the interface between the first finger (7) and the epitaxial layer Ql, and an ohmic junction surface is formed at the interface between the second finger (8) and the epitaxial layer α9. Furthermore, the depletion layer C! The magnitude of the spread of υ is changed by adjusting the bias power supply port.
空乏層(21)の拡がりの大きさを変化させると、空乏
層容量が変化し、その結果、第1のフィンガー(7)と
第2のフィンガー(8)間の結合容量が変化する。Changing the extent of the depletion layer (21) changes the depletion layer capacitance, and as a result, the coupling capacitance between the first finger (7) and the second finger (8) changes.
また、その結果釜フィンガーの偶モードフィンガーアド
ミタンスYfe奇モードフィンガーアドミタンスYfo
が変化する。Also, as a result, the even mode finger admittance Yfe of the pot finger and the odd mode finger admittance Yfo
changes.
以上から、バイアス電源@を調整することによってYf
e+ Yfoの大きさを変化させることが可能であり1
式(1)〜式(3)の結果から結合度kを変化させるこ
とができることがわかる。From the above, by adjusting the bias power supply @, Yf
It is possible to change the magnitude of e+ Yfo and 1
It can be seen from the results of equations (1) to (3) that the degree of coupling k can be changed.
なお1以上はフィンガー数が8本でフィンガーの形状が
直線の場合について説明したが、この発明はこれに限ら
ず、フィンガー数が任意であり。Note that the case where the number of fingers is 8 and the shape of the fingers is a straight line has been described for 1 or more, but the present invention is not limited to this, and the number of fingers can be arbitrary.
フィンガーの形状が曲線、折れ曲がり線などの場合に使
用してもよい。It may be used when the shape of the finger is a curved line, a bent line, etc.
以上のように、この発明に係るインクディジタル結合器
では、対向するフィンガー間の印加電圧を変化させるこ
とにより、その結合度を変化させることかできるので、
これをモノリシックマイクロ波集積回路を含むマイクロ
波集積回路に用いると印加電圧を変化させるだけで容易
にその結合容量を可変できる結合器を構成できる利点が
ある。As described above, in the ink digital coupler according to the present invention, the degree of coupling can be changed by changing the applied voltage between the opposing fingers.
When this is used in a microwave integrated circuit including a monolithic microwave integrated circuit, there is an advantage that a coupler can be constructed whose coupling capacitance can be easily varied simply by changing the applied voltage.
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のこの種のインクディジタル結合器の構造
を示す斜視図、第2図は、第1図をA−A′ 面で切断
した場合の断面図、第3図、第4図は第1図の等価回路
図、第5図はこの発明に係るインタディジタル結合器の
斜視図、第6図は第5図をA −A” 面で切断した
断面図、第7図は動作原理説明図、である。
図中、(1)は第1の端子、(21は第2の端子、(3
)は第3の端子、(4)は第4の端子、(5)は第1の
ターミナル線路、(6)は第2のターミナル線路、(7
)は第1のフィンガー、(8)は第2のフィンガー、(
9)はアース面、α0は誘電体基板、’Qllは゛偶モ
ード等価ターミナル線路、 (12は偶モードインダク
タンス、03は偶モード、容量、α4は偶モードフィン
ガーアドミタンス、αり゛は奇モード等価ターミナル線
路、 +161は奇モ−ドインダクタンス、aりは奇モ
ード容量、αQは奇モードフィンガーアドミタンス、叫
はエピタキシャル層、(イ)は半絶縁体基板、 Qll
は空乏層、@はバイアスを源である。
なお1図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。
代理人 葛 野 信 −
第 1 図
第2図
□lθ
第3図
第4図
第5図
第6図
〜2θ[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a conventional ink-digital coupler of this type, FIG. 2 is a sectional view taken along the plane A-A' of FIG. 3 and 4 are equivalent circuit diagrams of FIG. 1, FIG. 5 is a perspective view of an interdigital coupler according to the present invention, and FIG. 6 is a sectional view of FIG. 5 taken along the plane A-A''. Figure 7 is an explanatory diagram of the operating principle. In the figure, (1) is the first terminal, (21 is the second terminal, (3
) is the third terminal, (4) is the fourth terminal, (5) is the first terminal line, (6) is the second terminal line, (7
) is the first finger, (8) is the second finger, (
9) is the ground plane, α0 is the dielectric substrate, 'Qll is the even mode equivalent terminal line, (12 is the even mode inductance, 03 is the even mode, capacitance, α4 is the even mode finger admittance, α is the odd mode equivalent terminal line, +161 is odd mode inductance, a is odd mode capacitance, αQ is odd mode finger admittance, y is epitaxial layer, (a) is semi-insulating substrate, Qll
is the depletion layer and @ is the bias source. Note that in FIG. 1, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals. Agent Makoto Kuzuno - Figure 1 Figure 2 □lθ Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 - 2θ
Claims (1)
おいて、対向するフィンガーの下部にエピタキシャル層
を設け、一方のフィンガーとエピタキシャル層の境界面
にはショットキー接合面を。 他方にはオーミック接合面を形成したことを特徴とする
インタディジタル結合器。[Claims] In an interdigital coupler used in a microwave integrated circuit, an epitaxial layer is provided at the bottom of opposing fingers, and a Schottky junction surface is provided at the interface between one of the fingers and the epitaxial layer. An interdigital coupler characterized in that an ohmic junction surface is formed on the other side.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP388383A JPS59128804A (en) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | Inter-digital connector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP388383A JPS59128804A (en) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | Inter-digital connector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59128804A true JPS59128804A (en) | 1984-07-25 |
Family
ID=11569577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP388383A Pending JPS59128804A (en) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | Inter-digital connector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59128804A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0376402A (en) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | Microstrip line device |
JPH04239175A (en) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | Voltage-controlled type directional coupler |
WO2009081179A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Bae Systems Plc | Microwave coupler |
WO2019155869A1 (en) * | 2018-02-07 | 2019-08-15 | 株式会社村田製作所 | Directional coupler and module |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP388383A patent/JPS59128804A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0376402A (en) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | Microstrip line device |
JPH04239175A (en) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | Voltage-controlled type directional coupler |
WO2009081179A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Bae Systems Plc | Microwave coupler |
JP2010506548A (en) * | 2007-12-21 | 2010-02-25 | ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− | Microwave coupler |
JP4908596B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-04-04 | ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− | Microwave coupler |
WO2019155869A1 (en) * | 2018-02-07 | 2019-08-15 | 株式会社村田製作所 | Directional coupler and module |
US11431072B2 (en) | 2018-02-07 | 2022-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Directional coupler and module |
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