JPS59127305A - Semiconductive mixture - Google Patents

Semiconductive mixture

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JPS59127305A
JPS59127305A JP266883A JP266883A JPS59127305A JP S59127305 A JPS59127305 A JP S59127305A JP 266883 A JP266883 A JP 266883A JP 266883 A JP266883 A JP 266883A JP S59127305 A JPS59127305 A JP S59127305A
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JP
Japan
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mixture
layer
base polymer
polyolefin
semiconductive
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JP266883A
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Japanese (ja)
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JPH0259564B2 (en
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谷田 光隆
関口 安貞
健二 永井
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 不発I31]は、架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルの升
出外部半郭逝油の材料として用いる牛導篭性混オl物に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Unexploded I31] relates to an oil-containing mixture used as a material for the outer half of a cross-linked polyolefin insulated cable.

従来、架橋ポリオレフィン絶縁ケーフルの押出外部半導
電ノーの材料としては、主にエチレン−匪臥ビニル共虚
合体(gvA)をベースポリマーとし、これに導電性カ
ーボンブラックを混合してなる屁4日物が1更用されて
いる。
Conventionally, the extruded external semiconducting material for crosslinked polyolefin insulating cables has mainly been made of ethylene-vinyl conjugate (gvA) as a base polymer, mixed with conductive carbon black. has been changed once.

一成に、外部半導電鳩は、ケーブルの使用時にはその内
層に形成された絶縁体と密層していることが必璧であシ
、一方端末処理にあたっては、社縁体から容易に剥離で
きることが室まれる。しかるに、従来のEVAをペース
ポリマーとした半導電層にあっては、絶縁体との密盾力
が独過ぎ、剥離が田畑であるという欠点を有していた。
First, when using the cable, it is essential that the external semiconducting layer be in close contact with the insulator formed on the inner layer of the cable, and on the other hand, it must be able to be easily peeled off from the outer layer when processing the terminals. will be in the room. However, the conventional semiconducting layer made of EVA as a pace polymer has the disadvantage that its shielding force with the insulator is too strong and peeling is difficult.

本発明は、上記事情に鑑み、架橋ポリエチレン樹脂、エ
チレン−プロピレンゴム等からなる架橋ポリオレフィン
絶縁体と艮好に密層し、かつiiJ記絶縁体からの剥離
が容易な外部半導電ノーを形成できる半導電性混和物を
提供することを目的としてなされたものでおる。
In view of the above-mentioned circumstances, the present invention is capable of forming an external semiconducting layer which is closely layered with a cross-linked polyolefin insulator made of cross-linked polyethylene resin, ethylene-propylene rubber, etc., and which is easily peeled off from the insulator described in iiJ. It was made for the purpose of providing a semiconductive mixture.

この目的を達成すべく、不発8A省等は8!意(υF死
の結果、ベースポリマーとしてポリアミド樹脂もしくは
ポリアミド樹脂とポリオレフィン佃力aとの混合物を用
いることによシ、架憐ポリオレフィンに対しての剥離性
の良い混和物が得られること卑見い出し、本発明に至っ
た。
In order to achieve this purpose, the Ministry of Unexploded 8A, etc. is 8! As a result of υF death, it was found that by using a polyamide resin or a mixture of a polyamide resin and a polyolefin Tsukuriki a as a base polymer, a mixture with good releasability to a polyolefin can be obtained, This led to the present invention.

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

不発明の千導電性混40物は、ポリアミド樹脂もしくは
ポリアミドat月旨とポリオレフィン拉1月言とのン昆
合9勿をベースポリマーとし、このベースポリマ−1o
oi量部に対して導電性カーボンブラック10〜100
虚一部を混合してなることを特僅とするものである。
The uninvented conductive mixture uses a polyamide resin or a combination of a polyamide resin and a polyolefin resin as a base polymer, and this base polymer
Conductive carbon black 10 to 100 per part of oi
Special feature is that the imaginary part is mixed.

本発明に1史用されるポリアミド樹脂としては、小姑オ
1−IIIFi肋酸の2i体であるダイマー酸((1)
式にその代表的な構造式を示す。)の手品もしくはこの
ダイマー酸にアジビン酸、アゼライン敗、セパチン敏等
の2城基岐を混合したものと、ヘキブメチレンジアミン
等のジアミン類とのl縮合物であって、+均分子骨が1
,000〜100,000より好ましくは3.oOo〜
5 Q、000であるものが好遇であるが、これに限ら
ず他のポリアミド樹脂も使用できる。
As the polyamide resin used in the present invention, dimer acid ((1)
The typical structural formula is shown in the formula. ) or a condensation product of this dimer acid mixed with adipic acid, azelain, cepatine, etc., and diamines such as hexibumethylene diamine, and with a homogeneous molecular bone. 1
,000 to 100,000, preferably 3. oOo~
5 Q,000 is preferred, but other polyamide resins can also be used.

上記のポリアミド樹脂9市販品の例とじ−C1Milv
ex、パーサロン、パーサミド、マクロメルト(いずれ
もヘンケル日本社製)等乞めげることができる。
Example of the above polyamide resin 9 commercially available product - C1Milv
Ex, Persalon, Persamide, Macromelt (all manufactured by Henkel Japan), etc. are available.

また、ポリオレフィン樹脂としては、ポリエチレン(P
E)、エチレン−プロピレンゴム(FiPM。
In addition, as polyolefin resin, polyethylene (P
E), ethylene-propylene rubber (FiPM).

EPDM)、EVA、エチレン−エチルアクリレート共
重合体(EEA)等かに用できる。
EPDM), EVA, ethylene-ethyl acrylate copolymer (EEA), etc.

上記のポリアミド樹脂の半品もしくは、ポリアミド樹脂
とポリオレフィン141Jvとの混合物によって本発明
のa和物のベースポリマーが形成される。
The base polymer of the ahydrate of the present invention is formed by the half-product of the polyamide resin described above or a mixture of the polyamide resin and polyolefin 141Jv.

ベースポリマーとして混合物を用いる場合には、ポリア
ミド樹脂/ポリオレフィン樹脂の混合比を亘量比で10
/90以上とすることが望ましい。
When using a mixture as the base polymer, the mixing ratio of polyamide resin/polyolefin resin is 10
/90 or more is desirable.

混合比が10790未滴であると、得られる半導電性混
合物と絶縁体との剥離が困難となる。
When the mixing ratio is 10,790, it becomes difficult to separate the obtained semiconductive mixture from the insulator.

上記のベースポリマーにm電性を付与するために冷加さ
れる導電性カーボンブラックとしては、アセチレンブラ
ック、ファーネスプラック等の周知のカーボンブランク
が1史用できる。上記カーボンブラックのベースポリマ
ーに対する混合量は、半導電層に袂求される導電性を考
慮して足められ、通常ベースポリマー100重量部に対
してlO〜°100重量部である。
As the conductive carbon black that is cooled to impart electrical properties to the base polymer, well-known carbon blanks such as acetylene black and furnace plaque can be used. The amount of carbon black to be mixed with the base polymer is determined in consideration of the conductivity required of the semiconductive layer, and is usually 10 to 100 parts by weight per 100 parts by weight of the base polymer.

また、上i己ベースポリマーとカーボンブラックとを混
合してなる半導電性混合物I物には、必要に応じて架橋
ハリ、架倫助剤、老化防止剤等を加えることがでへる。
Moreover, crosslinking firmness, crosslinking aids, anti-aging agents, etc. can be added to the semiconductive mixture I formed by mixing the base polymer and carbon black, if necessary.

’A 4ig Ml」としては、ジクミルノく−オキサ
イド(DOF)、2,5−ジプチル−2,5−ジ(t−
)゛チルパーオキシ)ヘキシン−3等の辿當のA酸化物
架(iiji MIJか好堰に1史用でき、また架倫助
剤としては、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソ
シ7ヌV−ト、m−フェニレンビスマレイミド等が1更
用できる。これらの架価剤及び架橋助剤は、両省を併用
するか、またはいずれかが早独で映出される。また、老
化防止剤としては、4,41−ナオビス(6−t−ブチ
ル−3−メチルフェノール)等が吠用できる。
'A 4ig Ml' includes dicumyl oxide (DOF), 2,5-dipyl-2,5-di(t-
) (Tylperoxy)Hexine-3, etc. can be used in MIJ or Yoshii, and as a linkage aid, triallyl cyanurate, triallyl isocyanurate, m- Phenylene bismaleimide and the like can be used.These crosslinking agents and crosslinking aids can be used in combination, or either one can be used independently.Also, as an anti-aging agent, 4,41- Naobis (6-t-butyl-3-methylphenol) and the like can be used.

し刀・して、上記の各成分を有してなる本発明の千尋電
注混オl物は、架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルの杷琢
体増の表面に形成される外部半導電層の材料として用い
て好適である。上記混和物を用いて外部半導電層を形成
するには、従来方法と同様にして、絶縁層の形成された
tカケ−プルに、通常の押い被榎法を適用して行なうこ
とかでぐる。
Therefore, the Chihiro electropolymer mixture of the present invention containing each of the above-mentioned components can be used as a material for an external semiconductive layer formed on the surface of a loquat layer of a crosslinked polyolefin insulated cable. It is suitable. In order to form an external semiconducting layer using the above-mentioned mixture, it is possible to apply the usual pressing method to the T-caple on which the insulating layer has been formed, in the same manner as the conventional method. Around.

これによりeられる′亀カケープルは、通常の団用時に
は絶縁体層と外部半導′電層との密層性が良好に保たれ
、かつ端末処理にあたっては、外部半導電層を絶縁体層
から容易に剥離することができる。従って、使用時にお
ける電気的特性は良好に保たれ、また、端末処理時の作
東性に浚れている。
As a result, the resulting turtle caple maintains good layering properties between the insulator layer and the outer semiconducting layer during normal use, and during terminal treatment, the outer semiconducting layer can be separated from the insulating layer. Can be easily peeled off. Therefore, the electrical characteristics during use are maintained well, and the ease of processing during terminal processing is improved.

次に実施例を示して本発明を史に具体的に欲関する0 〔実施例〕 本発明による半導電性混a’uQ勿を、下六甲に示すN
n l〜5の5+m#の配合をもって調製した。また比
奴のために″子嚢中に示すNcL6.7の2桟類の配合
をもって比奴用の混第1物をV@製した。
Next, examples will be shown to explain the present invention in detail.
Prepared with a 5+m# formulation of nl~5. In addition, a mixed first product for Hinu was made V@ with the composition of the two rods of NcL6.7 shown in the asci.

h面積50−の軟銅捻線にD OP 2 wtφを′ざ
むPEを押出被覆して絶縁体層を形成し、次いで上記の
各混オμ物を押出被覆して外部中導電j−を形成し、7
楓類のケーブルを作成した。なお、架槁処理は6kg/
にiの飽オロ水蒸気中で行なった。
An annealed copper twisted wire with an area of 50-h is coated by extrusion with PE having a width of D OP 2 wtφ to form an insulator layer, and then each of the above mixtures is extruded and coated to form an external and internal conductive layer. ,7
I made a maple cable. In addition, the weight of the frame processing is 6kg/
The experiment was carried out in saturated steam.

上記の7他類のケーブルについて、外部半導電j曽の剥
離に資する力をA11ure  C!55−79  H
llの説桁に粘づいて測廻した。その結果を表中に台伊
て示す。
For the above 7 other types of cables, the force contributing to the peeling of the external semiconducting conductor is A11ure C! 55-79H
I took measurements based on the theory of ll. The results are shown in the table.

衣 注)配合比は重、lii都 中4,4′−チオビス(6−t−ブチル−3−メチルフ
ェノール)表中に示すように、本発明による混オロ物を
用い、て外部半導電層を形成したケーブルは、それらの
外部半導′一層を0.5〜1.5 kl?/ o、 5
インチ程度の力で剥離することができ、従来のものに相
当する比柩例NQ6.7に収べて剥離が容易であること
が確認された。
Note) The blending ratio is 4,4'-thiobis(6-t-butyl-3-methylphenol) as shown in the table. Cables formed with 0.5 to 1.5 kl of their outer semiconductor layer / o, 5
It was confirmed that peeling could be performed with a force of about an inch, and that peeling was easy within comparison example NQ6.7, which corresponds to the conventional one.

以上の説明から明らかなように、本発明による半導電性
混オロ物は、架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルの外部半
導電層の材料として用いることにより、外部半4電層を
絶縁体から容易に剥離することができ、端末処理の作業
性に区れたグープルを得ることができるという効果を有
する。
As is clear from the above description, when the semiconducting mixture according to the present invention is used as a material for the outer semiconducting layer of a crosslinked polyolefin insulated cable, the outer semiconducting layer can be easily peeled off from the insulator. This has the effect that it is possible to obtain a group that is distinguished by the workability of terminal processing.

田願人腺f′WL線株式会社Taganjinden f'WL Line Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ポリアミド牧(sjbもしくはポリアミ ド但(カ旨と
ポリオレフィン切崩との混合物をベースポリマーとし、
このベースポリマー100ii部に対して導電性カーボ
ンブラック10〜100ii部を混合してなることを符
偵とする半導電性混和物。
The base polymer is a mixture of polyamide (sjb) or polyamide (sjb) and polyolefin cutting.
A semiconductive mixture comprising 10 to 100 parts of conductive carbon black mixed with 100 parts of this base polymer.
JP266883A 1983-01-11 1983-01-11 Semiconductive mixture Granted JPS59127305A (en)

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JPH0259564B2 JPH0259564B2 (en) 1990-12-12

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