JPS59118336U - 電力用半導体素子のオンパルス発生回路 - Google Patents

電力用半導体素子のオンパルス発生回路

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JPS59118336U
JPS59118336U JP991683U JP991683U JPS59118336U JP S59118336 U JPS59118336 U JP S59118336U JP 991683 U JP991683 U JP 991683U JP 991683 U JP991683 U JP 991683U JP S59118336 U JPS59118336 U JP S59118336U
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JP
Japan
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power semiconductor
generation circuit
pulse generation
semiconductor devices
pulse
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Pending
Application number
JP991683U
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English (en)
Inventor
一 山田
繁 山本
Original Assignee
株式会社日立製作所
日立エンジニアリング株式会社
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Publication date
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  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は従来の回路図、第４図は本考案の
一実施例の回路図である。 １・・、ｃ’ｒｏ、　２・・・狭幅オン用トランジスタ
、３・・・広幅オン用トランジスタ、４・・・狭幅オン
ゲート電流制限抵抗、５・・・広幅オンゲート電流制限
抵抗、６・・・ダイオード、７・・・ツェナーダイオー
ド、８゜９・・・ベース抵抗、１０・・・ゲート電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電力半導体素子のアノード電圧を検出し、制御オン信号
    とのアンド条件の成立により、前記電力用半導体素子の
    ターンオン時、狭幅オンパルスを供給し、前記電力用半
    導体素子のターンオン後に広幅オンパルスを供給する手
    段と、抵抗と、ダイオードと、ツェナーダイオードと２
    個のトランジスタとで構成されることを特徴とする電力
    用半導体素子のオンパルス発生回路二
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