JPS59108339A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
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- JPS59108339A JPS59108339A JP57218552A JP21855282A JPS59108339A JP S59108339 A JPS59108339 A JP S59108339A JP 57218552 A JP57218552 A JP 57218552A JP 21855282 A JP21855282 A JP 21855282A JP S59108339 A JPS59108339 A JP S59108339A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は小型でしかも放熱効率の高い目動車用半導体整
流装置とし℃適する半導体整流装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 一般Ｉ：目動車等の車両Ｉ：は、バッテリーを充電する
ための発電機が塔載されている。この発電ｍは一般Ｉ：
三相交流用のものが使用されるため、この発電機で発生
した三相交流は第１図に示すような整流回路Ｉ：より三
相余波整流される。 即チ第１図において１〜３はそれぞれ三相交流発電機の
コイルであり、それらの各一端は共通接続されるｇＩま
た６個のダイオード４ ａ ＠ ４ ｂ ｈ５ｍ、５ｂ
、６ｍ、６ｂは各コイル！〜３に発生ずる交流電圧を全
波整流するためのものであＩ）、３個のダイオード４ａ
ｍ５ａ、６ａのカソード共通接続点はバッチ９−７の正
極側に、また３個のダイオードｊｂ、５ｂ、６ｂのアノ
ード共通接続点は上記バッテリー７の負極側Ｉ：それぞ
れ接続されているａまたダイオード６ａ・ｓａ＋４ｔｈ
のアノードとダイオード６ｂ１５ｂ。 ４ｂのアノードはそれぞれコイル！・３ ｈ ２０）他
端（：接続され、これ（−よ罎）バッテリー１の充電が
行なわれる。 第２因は上記発″ｆｌＬ機の半導体整流装置取付部の断
面構造を示す―図１＝おいてＩＩはケース。 １２ｍ 、１２ｂは半導体整流装置であるＯこの整流装
置１２ｍ、１２ｂはクー２フフ円のスペースに設けられ
、前！６６個のダイオード１４１１１〜６ｍ 、４ｂ〜
６ｂが配設された主に２つの放熱電極板１２．１４から
なる一体化された従来の半導体整流装置であ１）１例え
ば＠３図ないし第５図のようにｍ成されている＠即ち第
３肉。 第４図はそれぞれ異った面の平面図であ０．第５因は第
３Ｎのａ −ａ’線に沿う断面図である。 因Ｉ：おいて１Ｂ、１９．２０は放熱・電極板１３゜１
４と対向Ｔるように設けられた電極導出板。 ２Ｉは絶縁性部材、２２．２３は各放熱電極板’３ｍ１
４それぞれに３個所ずつ設けられる凹部であ曇）、これ
ら各回部２２．２３にダイオード４ａ〜６ａ、４ｂ〜６
ｂが配設されるｏｆ、た２４ｍ、２４ｂ＊２４ｃは電極
導出板１８〜２゜に設けられる入力端子であ１３．この
各入力端子２４８．２４ｂｍ２４Ｇにコイル１〜３それ
ぞれの一端が接続される６２５．２６は直流電圧の出力
端子であＩ】、バッテリー７の主極側及び負極側に接続
される◎絶や幌部材２Ｉは凹部２２．２３に配設された
ダイオードを放熱電極板及び電極導出板の間に封止Ｔる
と共に、これＰ）ｗ軍気的区二絶ｋＴるようにモールド
成型される。 上記のよりなｌｌ！代を有τる従来Ｏ〕半導体整流装置
は、その形状が平面的に広がったものとな醤】、例えば
５０ｄＹ占める大きさとな−Ｊ、また重量も１３３ｇと
車いものになってしまう。このためこの装置をケースＩ
Ｉ内に設ける発電機自体も形状及びｉｔが大きなものＩ
ニなってしまう欠点がある−また第２肉に示す如く発電
ａ！！壁ＩＩには、負極側放熱板Ｉ４を直付はするため
。 発電機への放熱によＩＩ温１ｕ′上昇を押えることがで
きるが、正極側放熱板Ｉ３は絶縁物ｒｓｙ介しての放熱
のため、ダイオード４ ａ ＊ ５ ａ ＊ ６ｍの温
度上昇が大きくなる欠点がある。 このような事情から１次のような小型、軽量で優れた冷
却性能を有す半導体整流装置が開発された。即ちこの装
置は、第６ ［７１：示すようにその一方面側が発電機
のケースＩ Ｉ Ｉ：密看固定される例えば銅からなる
基板３Ｉの他方面Ｃ。 ガラスエポキシ或いはポリイミド等の絶縁性樹脂部材３
２を介して銅からなる層３３を熱圧看し、基板３Ｉ上に
、アノードが下問よとなるようにダイオード３４をろう
付は固定し１層３３上に、カソードが下向きとなるよう
にダイオード３５なろう付は同疋し、ダイオード３４の
カソードとダイオード３５のアノードとを電極板３６に
よって接続し、この２個のダイオード３４．３５と電極
板３６からなる組み合わせを３組形成し、これら３つの
各電極板３６に発電機コイル１〜３それぞれの一端を接
続するようにしたものである。 こＱ〕ような装置では基板３１を負極側１層３３１に正
極側とする直流電圧が得られ、形状及びｉｔも比較的小
さく、シ刀１も基板３１か発電機のケースＣ：密看固定
されるためＣ二数熱効果も比較的高い。しかしながら銅
からなる層３３ｔガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁
性樹脂部材３２を介して基板３１１：熱圧看しているた
め。 熱抵抗な下げること（：は限界があ暇」、この結果上記
ダイオード３４．３５間では１０℃以上もの温度差が庄
じることがあった。 〔発明の目的〕 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので。 小型、軽量で放熱効果が高く、また整流、素子が接続固
定される溶射金属層の絶縁性を高めた半導体整流装置を
提供しようとするものである口〔発明の概要〕 本発明は上記目的を達成するため、放熱基板に溶射絶縁
物層、溶射金属層をこの順に形成し。 各整流素子を接続固定Ｔる上記溶射金属層は上記溶射絶
縁物層より小面積となるようにしたものである。 〔発明の実施例〕 以下肉面を参照して本発明の一実施例を説明する・本発
明Ｃ二よる半導体整流装置は、ｆ、ず第７図に示すよう
に四隅にねじによる取付孔４１〜４４が設けられた厚み
が例えば２７〕アルミニウムからなる基板４５の表面を
１例えばサンドブラスト処理によって粗面化する。なお
このサンドブラスト処理は、その後形成される層の密看
強度２大きく左右するため、その条件は慎重に設定Ｔる
必要があ昏」、ここではその表面粗さは１０〜２０１１
ｍにｉｆ７定する０次に粗面化された基板４５の表面に
アルミナ（Ａ／、、（Ｊ、ｌｉ選択的Ｉ：プラズマ溶射
して５０〜１５０μｍの厚みの絶縁物層４６を形成下る
。次に絶縁物層４６及び基板４５の表面に％ｉ ４選択
的にプラズマ溶射して５０〜１５０μｍｌＪ厚みの金属
層４１’ 、 ４１１ 。 ４９を形成することによＩＪ 、電極を兼ねた放熱基板
５Ｋが得られる口この際溶射絶縁物層４６上の溶射金属
層４７は溶射絶縁物層４６よＩ］小面積である。なお金
狐盾４７〜４９の形成には。 プラズマ溶射以外にアーク溶射′、フレーム溶射で行な
うこともできる。 次
流装置とし℃適する半導体整流装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 一般Ｉ：目動車等の車両Ｉ：は、バッテリーを充電する
ための発電機が塔載されている。この発電ｍは一般Ｉ：
三相交流用のものが使用されるため、この発電機で発生
した三相交流は第１図に示すような整流回路Ｉ：より三
相余波整流される。 即チ第１図において１〜３はそれぞれ三相交流発電機の
コイルであり、それらの各一端は共通接続されるｇＩま
た６個のダイオード４ ａ ＠ ４ ｂ ｈ５ｍ、５ｂ
、６ｍ、６ｂは各コイル！〜３に発生ずる交流電圧を全
波整流するためのものであＩ）、３個のダイオード４ａ
ｍ５ａ、６ａのカソード共通接続点はバッチ９−７の正
極側に、また３個のダイオードｊｂ、５ｂ、６ｂのアノ
ード共通接続点は上記バッテリー７の負極側Ｉ：それぞ
れ接続されているａまたダイオード６ａ・ｓａ＋４ｔｈ
のアノードとダイオード６ｂ１５ｂ。 ４ｂのアノードはそれぞれコイル！・３ ｈ ２０）他
端（：接続され、これ（−よ罎）バッテリー１の充電が
行なわれる。 第２因は上記発″ｆｌＬ機の半導体整流装置取付部の断
面構造を示す―図１＝おいてＩＩはケース。 １２ｍ 、１２ｂは半導体整流装置であるＯこの整流装
置１２ｍ、１２ｂはクー２フフ円のスペースに設けられ
、前！６６個のダイオード１４１１１〜６ｍ 、４ｂ〜
６ｂが配設された主に２つの放熱電極板１２．１４から
なる一体化された従来の半導体整流装置であ１）１例え
ば＠３図ないし第５図のようにｍ成されている＠即ち第
３肉。 第４図はそれぞれ異った面の平面図であ０．第５因は第
３Ｎのａ −ａ’線に沿う断面図である。 因Ｉ：おいて１Ｂ、１９．２０は放熱・電極板１３゜１
４と対向Ｔるように設けられた電極導出板。 ２Ｉは絶縁性部材、２２．２３は各放熱電極板’３ｍ１
４それぞれに３個所ずつ設けられる凹部であ曇）、これ
ら各回部２２．２３にダイオード４ａ〜６ａ、４ｂ〜６
ｂが配設されるｏｆ、た２４ｍ、２４ｂ＊２４ｃは電極
導出板１８〜２゜に設けられる入力端子であ１３．この
各入力端子２４８．２４ｂｍ２４Ｇにコイル１〜３それ
ぞれの一端が接続される６２５．２６は直流電圧の出力
端子であＩ】、バッテリー７の主極側及び負極側に接続
される◎絶や幌部材２Ｉは凹部２２．２３に配設された
ダイオードを放熱電極板及び電極導出板の間に封止Ｔる
と共に、これＰ）ｗ軍気的区二絶ｋＴるようにモールド
成型される。 上記のよりなｌｌ！代を有τる従来Ｏ〕半導体整流装置
は、その形状が平面的に広がったものとな醤】、例えば
５０ｄＹ占める大きさとな−Ｊ、また重量も１３３ｇと
車いものになってしまう。このためこの装置をケースＩ
Ｉ内に設ける発電機自体も形状及びｉｔが大きなものＩ
ニなってしまう欠点がある−また第２肉に示す如く発電
ａ！！壁ＩＩには、負極側放熱板Ｉ４を直付はするため
。 発電機への放熱によＩＩ温１ｕ′上昇を押えることがで
きるが、正極側放熱板Ｉ３は絶縁物ｒｓｙ介しての放熱
のため、ダイオード４ ａ ＊ ５ ａ ＊ ６ｍの温
度上昇が大きくなる欠点がある。 このような事情から１次のような小型、軽量で優れた冷
却性能を有す半導体整流装置が開発された。即ちこの装
置は、第６ ［７１：示すようにその一方面側が発電機
のケースＩ Ｉ Ｉ：密看固定される例えば銅からなる
基板３Ｉの他方面Ｃ。 ガラスエポキシ或いはポリイミド等の絶縁性樹脂部材３
２を介して銅からなる層３３を熱圧看し、基板３Ｉ上に
、アノードが下問よとなるようにダイオード３４をろう
付は固定し１層３３上に、カソードが下向きとなるよう
にダイオード３５なろう付は同疋し、ダイオード３４の
カソードとダイオード３５のアノードとを電極板３６に
よって接続し、この２個のダイオード３４．３５と電極
板３６からなる組み合わせを３組形成し、これら３つの
各電極板３６に発電機コイル１〜３それぞれの一端を接
続するようにしたものである。 こＱ〕ような装置では基板３１を負極側１層３３１に正
極側とする直流電圧が得られ、形状及びｉｔも比較的小
さく、シ刀１も基板３１か発電機のケースＣ：密看固定
されるためＣ二数熱効果も比較的高い。しかしながら銅
からなる層３３ｔガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁
性樹脂部材３２を介して基板３１１：熱圧看しているた
め。 熱抵抗な下げること（：は限界があ暇」、この結果上記
ダイオード３４．３５間では１０℃以上もの温度差が庄
じることがあった。 〔発明の目的〕 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので。 小型、軽量で放熱効果が高く、また整流、素子が接続固
定される溶射金属層の絶縁性を高めた半導体整流装置を
提供しようとするものである口〔発明の概要〕 本発明は上記目的を達成するため、放熱基板に溶射絶縁
物層、溶射金属層をこの順に形成し。 各整流素子を接続固定Ｔる上記溶射金属層は上記溶射絶
縁物層より小面積となるようにしたものである。 〔発明の実施例〕 以下肉面を参照して本発明の一実施例を説明する・本発
明Ｃ二よる半導体整流装置は、ｆ、ず第７図に示すよう
に四隅にねじによる取付孔４１〜４４が設けられた厚み
が例えば２７〕アルミニウムからなる基板４５の表面を
１例えばサンドブラスト処理によって粗面化する。なお
このサンドブラスト処理は、その後形成される層の密看
強度２大きく左右するため、その条件は慎重に設定Ｔる
必要があ昏」、ここではその表面粗さは１０〜２０１１
ｍにｉｆ７定する０次に粗面化された基板４５の表面に
アルミナ（Ａ／、、（Ｊ、ｌｉ選択的Ｉ：プラズマ溶射
して５０〜１５０μｍの厚みの絶縁物層４６を形成下る
。次に絶縁物層４６及び基板４５の表面に％ｉ ４選択
的にプラズマ溶射して５０〜１５０μｍｌＪ厚みの金属
層４１’ 、 ４１１ 。 ４９を形成することによＩＪ 、電極を兼ねた放熱基板
５Ｋが得られる口この際溶射絶縁物層４６上の溶射金属
層４７は溶射絶縁物層４６よＩ］小面積である。なお金
狐盾４７〜４９の形成には。 プラズマ溶射以外にアーク溶射′、フレーム溶射で行な
うこともできる。 次
【：放熱基板５Ｉの金属層４８上に３個のダイオード
素子５２ 、５．９ 、５４それぞれのアノードを、絶
縁物層４６の表面に形成された金属層４７上Ｉ：３個の
ダイオード５５．５６．５７のカソードをそれぞれろう
付は固定するとともに、金属層４７上に棒状電極５８の
一端をろう付は固定する・この際棒状電極５８の電極数
Ｉ】出し位置は、整流素子５５〜５７曲の距離の中間１
例えば整流素子５５．５６間の中間としである。一方、
溶射金属層４９上にはキャパシタ用グランド端子ｓｏｙ
設ける◎また隣１１合ったダイオード素子５２のカソー
ドとダイオード素子６５のアノード４．Ｌ字型をなした
電極板５９の水平部分にろう付は固定することにより接
続し、これと同様に隣１３合ったダイオード素子５３の
カソードとダイオード素子５６のアノードを・Ｌ字型を
なした電極板６０の水平部分Ｉ：ろう付は固定すること
≦：よ曇】接続し、隣ＩＪ合ったダイオード素子５４０
カソードとダイオード素子５７のアノードとＶ、Ｌ字型
をなした電極板６Ｉの水平部分Ｉ：ろう付は固定するこ
とにょＩＪ接続して整流回路を形成する。なお８Ｔは第
１図のステータ端子となる部分である０次に第８図に示
す如く棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉを機械的な外
方から保護Ｔるために、アルミニウム或いは合成樹脂か
らなるカバー６２ｆ基板５１に樹脂部材で加熱圧着によ
り固着↑る◎このとき棒状電極５８及び電極板５９．６
０．６１の垂直部分それぞれの一部はカバー６２から出
た状態になる◎更ｆ：棒状電極５８Ｉニ一端が半田付は
固定される平板電極６３及びステータ端子８Ｔに一端が
半田付は固定される平板電極６４を並設一体化したプラ
スチックモールド部品６５を、ケース６２上に設け。 棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉの垂直部分が入るモ
ールド部品の孔は絶縁性の樹脂部材６６によって埋めら
れ、気密封止が行なわれて半導体整流装置が完成する口 このような装置は、基板４５がＩＭ接接電電機ケースＩ
Ｉの内側或いは外側に密肴固定され。 電極板５９〜６Ｉの垂直部分がコイル！、２゜３それぞ
れの一端Ｃ二接続され、また基板４５を負極側、棒状電
極５８を正極側と下る直流電圧が得られる。 上記のように溶射電極構造として１発電機へ取り付ける
ための収り付は面積は２４ｃＪ、ｆ、たその重量も４４
ｇと小型、軽筺にすることができる・しかも基板４５が
発市機のケースに密肴固定されると共Ｉ：絶縁物層４６
及び金属層４７〜４９は溶射によって形Ωにするため、
放熱効果は高いものとなって熱抵抗を低くすることがで
き１例１えは６．４℃／Ｗのものが得られたｒｈまた金
属層４７上に固定されたダイオード素子５５〜５７と金
属層４１〜４９上に固定されたダイオード素子５２〜５
４との間の温度差は５℃以下となることが確認されてい
る・また溶射金属層４７．溶射絶縁物層４６は非常１：
薄く、これらを同じ面積で形成したのでは溶射金属層４
７の絶縁が困難となるが１本発明にあっては第９図に示
される如く溶射金属ｊ−４７を溶射絶縁物層４６よＩ】
小面積としたため、絶縁距離１＜ｔと広くできるため、
溶射金属）−４７の絶縁性が同上するものである口 なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく１例
えば基板４５をアルミニウム以外に。 鉄、銅等でＰｉ”Ｊｒ５ｔ、Ｌ、てもよ＜、！：た溶射
１：よる金職層４７〜４９も銅の他≦：ニッケル等が使
用可能であ１１．溶射時の溶射距離、溶射富圧、゛Ｍ流
等の溶射条件は、溶射する金属の種類に応じて適宜設電
するのが望ましい・ 〔発明の効果〕 以上説明した如（本発明によれは、放熱基板≦二解射絶
縁層、溶射金属Ａ！ｊ’ｖ形成し、七の上に異極性の整
流累子を接続固定するようＩ：（、だので、小型、軽量
で放熱効果？：高くＴることができ、ｆ：た溶射金属層
を溶射絶縁物層よ暖）小面積としたため、溶射金属層の
絶縁性を旨め得る半導体整流、装置が提供できるもので
ある−
素子５２ 、５．９ 、５４それぞれのアノードを、絶
縁物層４６の表面に形成された金属層４７上Ｉ：３個の
ダイオード５５．５６．５７のカソードをそれぞれろう
付は固定するとともに、金属層４７上に棒状電極５８の
一端をろう付は固定する・この際棒状電極５８の電極数
Ｉ】出し位置は、整流素子５５〜５７曲の距離の中間１
例えば整流素子５５．５６間の中間としである。一方、
溶射金属層４９上にはキャパシタ用グランド端子ｓｏｙ
設ける◎また隣１１合ったダイオード素子５２のカソー
ドとダイオード素子６５のアノード４．Ｌ字型をなした
電極板５９の水平部分にろう付は固定することにより接
続し、これと同様に隣１３合ったダイオード素子５３の
カソードとダイオード素子５６のアノードを・Ｌ字型を
なした電極板６０の水平部分Ｉ：ろう付は固定すること
≦：よ曇】接続し、隣ＩＪ合ったダイオード素子５４０
カソードとダイオード素子５７のアノードとＶ、Ｌ字型
をなした電極板６Ｉの水平部分Ｉ：ろう付は固定するこ
とにょＩＪ接続して整流回路を形成する。なお８Ｔは第
１図のステータ端子となる部分である０次に第８図に示
す如く棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉを機械的な外
方から保護Ｔるために、アルミニウム或いは合成樹脂か
らなるカバー６２ｆ基板５１に樹脂部材で加熱圧着によ
り固着↑る◎このとき棒状電極５８及び電極板５９．６
０．６１の垂直部分それぞれの一部はカバー６２から出
た状態になる◎更ｆ：棒状電極５８Ｉニ一端が半田付は
固定される平板電極６３及びステータ端子８Ｔに一端が
半田付は固定される平板電極６４を並設一体化したプラ
スチックモールド部品６５を、ケース６２上に設け。 棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉの垂直部分が入るモ
ールド部品の孔は絶縁性の樹脂部材６６によって埋めら
れ、気密封止が行なわれて半導体整流装置が完成する口 このような装置は、基板４５がＩＭ接接電電機ケースＩ
Ｉの内側或いは外側に密肴固定され。 電極板５９〜６Ｉの垂直部分がコイル！、２゜３それぞ
れの一端Ｃ二接続され、また基板４５を負極側、棒状電
極５８を正極側と下る直流電圧が得られる。 上記のように溶射電極構造として１発電機へ取り付ける
ための収り付は面積は２４ｃＪ、ｆ、たその重量も４４
ｇと小型、軽筺にすることができる・しかも基板４５が
発市機のケースに密肴固定されると共Ｉ：絶縁物層４６
及び金属層４７〜４９は溶射によって形Ωにするため、
放熱効果は高いものとなって熱抵抗を低くすることがで
き１例１えは６．４℃／Ｗのものが得られたｒｈまた金
属層４７上に固定されたダイオード素子５５〜５７と金
属層４１〜４９上に固定されたダイオード素子５２〜５
４との間の温度差は５℃以下となることが確認されてい
る・また溶射金属層４７．溶射絶縁物層４６は非常１：
薄く、これらを同じ面積で形成したのでは溶射金属層４
７の絶縁が困難となるが１本発明にあっては第９図に示
される如く溶射金属ｊ−４７を溶射絶縁物層４６よＩ】
小面積としたため、絶縁距離１＜ｔと広くできるため、
溶射金属）−４７の絶縁性が同上するものである口 なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく１例
えば基板４５をアルミニウム以外に。 鉄、銅等でＰｉ”Ｊｒ５ｔ、Ｌ、てもよ＜、！：た溶射
１：よる金職層４７〜４９も銅の他≦：ニッケル等が使
用可能であ１１．溶射時の溶射距離、溶射富圧、゛Ｍ流
等の溶射条件は、溶射する金属の種類に応じて適宜設電
するのが望ましい・ 〔発明の効果〕 以上説明した如（本発明によれは、放熱基板≦二解射絶
縁層、溶射金属Ａ！ｊ’ｖ形成し、七の上に異極性の整
流累子を接続固定するようＩ：（、だので、小型、軽量
で放熱効果？：高くＴることができ、ｆ：た溶射金属層
を溶射絶縁物層よ暖）小面積としたため、溶射金属層の
絶縁性を旨め得る半導体整流、装置が提供できるもので
ある−
第】図は整流回路図、第２因は発電機内の一部概略購成
図、第３図ないし第５図は従来の半導体整流装置な示Ｔ
もので、弗３図、′ＩＪ１４図はそれぞれ平面内、第５
図＃ま七の一部断面図、第６図はこの発明の過程の道中
で開発された半導体整流装置の側面図、第７図、第８図
はそれぞれ本発明の一実施例χ示す斜視図、第９１は同
実施例の効果を示す溶射金鵬層部側面図である。 ４５・・・基板、４６・・・溶射絶縁物層、４７〜４９
・・・溶射金１Ｌ５２〜５７・・・ダイオード素子口出
願人代理人 弁理士 鈴 江 武彦 １１− ■、 Ｕ） あ 、Ｏ Ｅ り 敏 ＋ｒＪ 寸 ρ Ｄ Φ 寸 Ｃ） １２− 第２図 第３図 第 ５ 図 第７図 第８図 第９図 ムＫ ＬＩ＋１ １７ｔ ＱＩＪ Ｑ；ノ
図、第３図ないし第５図は従来の半導体整流装置な示Ｔ
もので、弗３図、′ＩＪ１４図はそれぞれ平面内、第５
図＃ま七の一部断面図、第６図はこの発明の過程の道中
で開発された半導体整流装置の側面図、第７図、第８図
はそれぞれ本発明の一実施例χ示す斜視図、第９１は同
実施例の効果を示す溶射金鵬層部側面図である。 ４５・・・基板、４６・・・溶射絶縁物層、４７〜４９
・・・溶射金１Ｌ５２〜５７・・・ダイオード素子口出
願人代理人 弁理士 鈴 江 武彦 １１− ■、 Ｕ） あ 、Ｏ Ｅ り 敏 ＋ｒＪ 寸 ρ Ｄ Φ 寸 Ｃ） １２− 第２図 第３図 第 ５ 図 第７図 第８図 第９図 ムＫ ＬＩ＋１ １７ｔ ＱＩＪ Ｑ；ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放熱基板の一万面側に選択的に形成される溶射絶縁層の
表面に選択的に溶射金属層を形成し。 この溶射金一層の表ｒＩ［１１−半導体整流素子の一万
極側を接続固定してなり、上記溶射金属層は上記溶射絶
縁層より小面積としたことな特徴とＴる半導体整流装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218552A JPS59108339A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218552A JPS59108339A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108339A true JPS59108339A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16721720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218552A Pending JPS59108339A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108339A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746662A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-17 | Toshiba Corp | Semiconductor rectifier |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57218552A patent/JPS59108339A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746662A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-17 | Toshiba Corp | Semiconductor rectifier |
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