JPS59104472A - フラツシユ蒸着方法 - Google Patents

フラツシユ蒸着方法

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Publication number
JPS59104472A
JPS59104472A JP21234982A JP21234982A JPS59104472A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
raw material
evaporation
cycle
boat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21234982A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Fujiwara
幸一 藤原
Shigeyuki Tsurumi
重行 鶴見
Yoshiaki Takeuchi
善明 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP21234982A priority Critical patent/JPS59104472A/ja
Publication of JPS59104472A publication Critical patent/JPS59104472A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ないフラッシュ蒸着方法に関するものである。
7ランシュ蒸着とは均一な合金膜と得る蒸着方法である
。例えば、蒸着原料に合金と用いた場合には・合金1/
J構改元素の蒸着圧は各々異なるため、通常の蒸着法で
得られた蒸着膜は蒸発しやすい元素の順に層?なしてい
る。そこで均一な合金膜と借るには、少量の蒸着原料?
瞬時に蒸発させる、すなわちフランシュさせる必要があ
る。これを行なうのがフラッシュ蒸着である。
従来のフラッシュ蒸着法においては、蒸発部に供給され
た蒸着原料と瞬時に蒸発させるため・蒸発部の温度が高
く、該蒸発部からのふく射熱による蒸着基板の温度上昇
が著しくなるという欠点があった。したがって、例えば
Pb合金糸ジョセフンン素子ど配砿基析に接続するはん
だバンプと作製する場合、従来のフラッシュ蒸着法では
、蒸着原料が蒸発部に存在しない場合でも蒸発部は高温
に保持されるため、ふく射熱による素子Ct)温度上昇
が著しく、素子?破壊するか又ははんだバンプ作製に長
時間と要した。
丁た、従来の真空蒸着法においては、蒸着膜厚m°は、
蒸着速度及び膜厚?制御するのに使用されるのが一般的
であり、蒸着速度の制御においては、膜厚の増分量?検
出し、設定値とσつ比較から増分量が小ざい場合はざら
に蒸発部を加熱する方法が採られていた。したがって、
膜厚の増分量が設定値よりも小ざい場合に蒸発部の加熱
と中止する使用例はなかった。
本発明は、上記事情と考慮してなされたもので、蒸発部
からのふく射熱と低減するために、蒸着膜厚増分i−を
検出して、その増分量が所定直以下となったとぎに該蒸
発部と一旦停止することと特徴とするものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
fず、蒸着原料として、融点60℃のIn−B1−8n
  %合金の直径/ mm %長さ5龍のワイヤショッ
トト用意して、これを公知の原料供給方法である円析状
のホルダに装着し、そして該ホルダを回転させて該蒸着
原料i/本づつ蒸発部に供給した。
蒸発部の加熱はモリブデン(MO)ボート(以下「Mo
ボート」という)を直接通電加熱する方法を採った。通
電加熱は蒸着原料と連動させ、該原料の供給直前にMo
ボートの温度をigoo℃程度に加熱しておき該原料を
フラッシュ蒸着した。
蒸着膜厚計により膜厚増分量?検知し、該増分量が設定
値以下になった場合、通電加熱を停止し、10分間の被
蒸着体の冷却後に再び上記フラッシュ蒸着と行い、この
サイクルと反復してジョセフソン素子チップ上に膜厚2
θμ71 cv In−B1−8n合金より成るはんだ
バンプと形成しe。
ところで、フラッシュ蒸着法では・蒸着増分量は、蒸着
の初期に急激に増加した後はぼ飽和に達し、蒸着原料の
なくなる直前に急激に低下する。
したがって、本発明の方法では、蒸着原料が蒸発部に存
在しない場合、つまり蒸着増分量が急激に低下するとき
にMoボートのみと加熱することがないので、従来法に
比らべて、Moボートのふく射熱によるチップの可熱が
著しく低減される。
これらV〕結果、従来の通電加熱制御ヲ行わないフラッ
シュ蒸着方法の場合では・チップの温度上昇が著しいた
め、頻繁に蒸着と中断してチップ?冷却しなければなら
ないがゆえに1時間以上と要した蒸着が、本発明の方法
では、%以下のtQ分程度で蒸着が完了する。
以上説明したように、この発明のフラッシュ蒸着方法は
、蒸着膜厚増分量が所定呟以下となったときに蒸発部の
加熱?−一旦停止るから、蒸発部からのふく射熱と最小
限にすることになり被蒸着体の温度上昇の低減に有効で
ある。
また、従来の使用法と異なる蒸着膜厚計による蒸着原料
の検出法によって、蒸発部のいわゆる空ださと防止する
ことかでさ、ふく射熱の低減にきわめて効果がある。
また、本発明の方法は、例えばマイコン制画によるフラ
ッシュ蒸着の完全自動化におけるはんだバンプ作製等の
高能率な合金厚膜作製に適している。
出願人日本電信電話公社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 蒸着原料の供給と連動して該原料の蒸発部を加熱し、蒸
    N膜厚計の膜厚増分量があらかじめ設定された肢以下に
    なった場合に該蒸発部の加熱と停止するまで?蒸着膜)
    lサイクルとし、該サイクル?反復すること?特徴とす
    るフラッシュ蒸着方法。
JP21234982A 1982-12-03 1982-12-03 フラツシユ蒸着方法 Pending JPS59104472A (ja)

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JPS59104472A true JPS59104472A (ja) 1984-06-16

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1044010C (zh) * 1991-12-20 1999-07-07 先进陶瓷公司 使用涂敷热解氮化硼的石墨舟的金属电阻加热法
WO2006007280A1 (en) * 2004-06-17 2006-01-19 Eastman Kodak Company Vaporizing temperature sensitive materials
US8932682B2 (en) 2005-10-13 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a light emitting device

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WO2006007280A1 (en) * 2004-06-17 2006-01-19 Eastman Kodak Company Vaporizing temperature sensitive materials
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