JPS59104472A - フラツシユ蒸着方法 - Google Patents
フラツシユ蒸着方法Info
- Publication number
- JPS59104472A JPS59104472A JP21234982A JP21234982A JPS59104472A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- raw material
- evaporation
- cycle
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ないフラッシュ蒸着方法に関するものである。
７ランシュ蒸着とは均一な合金膜と得る蒸着方法である
。例えば、蒸着原料に合金と用いた場合には・合金１／
Ｊ構改元素の蒸着圧は各々異なるため、通常の蒸着法で
得られた蒸着膜は蒸発しやすい元素の順に層？なしてい
る。そこで均一な合金膜と借るには、少量の蒸着原料？
瞬時に蒸発させる、すなわちフランシュさせる必要があ
る。これを行なうのがフラッシュ蒸着である。
。例えば、蒸着原料に合金と用いた場合には・合金１／
Ｊ構改元素の蒸着圧は各々異なるため、通常の蒸着法で
得られた蒸着膜は蒸発しやすい元素の順に層？なしてい
る。そこで均一な合金膜と借るには、少量の蒸着原料？
瞬時に蒸発させる、すなわちフランシュさせる必要があ
る。これを行なうのがフラッシュ蒸着である。
従来のフラッシュ蒸着法においては、蒸発部に供給され
た蒸着原料と瞬時に蒸発させるため・蒸発部の温度が高
く、該蒸発部からのふく射熱による蒸着基板の温度上昇
が著しくなるという欠点があった。したがって、例えば
Ｐｂ合金糸ジョセフンン素子ど配砿基析に接続するはん
だバンプと作製する場合、従来のフラッシュ蒸着法では
、蒸着原料が蒸発部に存在しない場合でも蒸発部は高温
に保持されるため、ふく射熱による素子Ｃｔ）温度上昇
が著しく、素子？破壊するか又ははんだバンプ作製に長
時間と要した。
た蒸着原料と瞬時に蒸発させるため・蒸発部の温度が高
く、該蒸発部からのふく射熱による蒸着基板の温度上昇
が著しくなるという欠点があった。したがって、例えば
Ｐｂ合金糸ジョセフンン素子ど配砿基析に接続するはん
だバンプと作製する場合、従来のフラッシュ蒸着法では
、蒸着原料が蒸発部に存在しない場合でも蒸発部は高温
に保持されるため、ふく射熱による素子Ｃｔ）温度上昇
が著しく、素子？破壊するか又ははんだバンプ作製に長
時間と要した。
丁た、従来の真空蒸着法においては、蒸着膜厚ｍ°は、
蒸着速度及び膜厚？制御するのに使用されるのが一般的
であり、蒸着速度の制御においては、膜厚の増分量？検
出し、設定値とσつ比較から増分量が小ざい場合はざら
に蒸発部を加熱する方法が採られていた。したがって、
膜厚の増分量が設定値よりも小ざい場合に蒸発部の加熱
と中止する使用例はなかった。
蒸着速度及び膜厚？制御するのに使用されるのが一般的
であり、蒸着速度の制御においては、膜厚の増分量？検
出し、設定値とσつ比較から増分量が小ざい場合はざら
に蒸発部を加熱する方法が採られていた。したがって、
膜厚の増分量が設定値よりも小ざい場合に蒸発部の加熱
と中止する使用例はなかった。
本発明は、上記事情と考慮してなされたもので、蒸発部
からのふく射熱と低減するために、蒸着膜厚増分ｉ−を
検出して、その増分量が所定直以下となったとぎに該蒸
発部と一旦停止することと特徴とするものである。
からのふく射熱と低減するために、蒸着膜厚増分ｉ−を
検出して、その増分量が所定直以下となったとぎに該蒸
発部と一旦停止することと特徴とするものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
ｆず、蒸着原料として、融点６０℃のＩｎ−Ｂ１−８ｎ
％合金の直径／ ｍｍ ％長さ５龍のワイヤショッ
トト用意して、これを公知の原料供給方法である円析状
のホルダに装着し、そして該ホルダを回転させて該蒸着
原料ｉ／本づつ蒸発部に供給した。
％合金の直径／ ｍｍ ％長さ５龍のワイヤショッ
トト用意して、これを公知の原料供給方法である円析状
のホルダに装着し、そして該ホルダを回転させて該蒸着
原料ｉ／本づつ蒸発部に供給した。
蒸発部の加熱はモリブデン（ＭＯ）ボート（以下「Ｍｏ
ボート」という）を直接通電加熱する方法を採った。通
電加熱は蒸着原料と連動させ、該原料の供給直前にＭｏ
ボートの温度をｉｇｏｏ℃程度に加熱しておき該原料を
フラッシュ蒸着した。
ボート」という）を直接通電加熱する方法を採った。通
電加熱は蒸着原料と連動させ、該原料の供給直前にＭｏ
ボートの温度をｉｇｏｏ℃程度に加熱しておき該原料を
フラッシュ蒸着した。
蒸着膜厚計により膜厚増分量？検知し、該増分量が設定
値以下になった場合、通電加熱を停止し、１０分間の被
蒸着体の冷却後に再び上記フラッシュ蒸着と行い、この
サイクルと反復してジョセフソン素子チップ上に膜厚２
θμ７１ ｃｖ Ｉｎ−Ｂ１−８ｎ合金より成るはんだ
バンプと形成しｅ。
値以下になった場合、通電加熱を停止し、１０分間の被
蒸着体の冷却後に再び上記フラッシュ蒸着と行い、この
サイクルと反復してジョセフソン素子チップ上に膜厚２
θμ７１ ｃｖ Ｉｎ−Ｂ１−８ｎ合金より成るはんだ
バンプと形成しｅ。
ところで、フラッシュ蒸着法では・蒸着増分量は、蒸着
の初期に急激に増加した後はぼ飽和に達し、蒸着原料の
なくなる直前に急激に低下する。
の初期に急激に増加した後はぼ飽和に達し、蒸着原料の
なくなる直前に急激に低下する。
したがって、本発明の方法では、蒸着原料が蒸発部に存
在しない場合、つまり蒸着増分量が急激に低下するとき
にＭｏボートのみと加熱することがないので、従来法に
比らべて、Ｍｏボートのふく射熱によるチップの可熱が
著しく低減される。
在しない場合、つまり蒸着増分量が急激に低下するとき
にＭｏボートのみと加熱することがないので、従来法に
比らべて、Ｍｏボートのふく射熱によるチップの可熱が
著しく低減される。
これらＶ〕結果、従来の通電加熱制御ヲ行わないフラッ
シュ蒸着方法の場合では・チップの温度上昇が著しいた
め、頻繁に蒸着と中断してチップ？冷却しなければなら
ないがゆえに１時間以上と要した蒸着が、本発明の方法
では、％以下のｔＱ分程度で蒸着が完了する。
シュ蒸着方法の場合では・チップの温度上昇が著しいた
め、頻繁に蒸着と中断してチップ？冷却しなければなら
ないがゆえに１時間以上と要した蒸着が、本発明の方法
では、％以下のｔＱ分程度で蒸着が完了する。
以上説明したように、この発明のフラッシュ蒸着方法は
、蒸着膜厚増分量が所定呟以下となったときに蒸発部の
加熱？−一旦停止るから、蒸発部からのふく射熱と最小
限にすることになり被蒸着体の温度上昇の低減に有効で
ある。
、蒸着膜厚増分量が所定呟以下となったときに蒸発部の
加熱？−一旦停止るから、蒸発部からのふく射熱と最小
限にすることになり被蒸着体の温度上昇の低減に有効で
ある。
また、従来の使用法と異なる蒸着膜厚計による蒸着原料
の検出法によって、蒸発部のいわゆる空ださと防止する
ことかでさ、ふく射熱の低減にきわめて効果がある。
の検出法によって、蒸発部のいわゆる空ださと防止する
ことかでさ、ふく射熱の低減にきわめて効果がある。
また、本発明の方法は、例えばマイコン制画によるフラ
ッシュ蒸着の完全自動化におけるはんだバンプ作製等の
高能率な合金厚膜作製に適している。
ッシュ蒸着の完全自動化におけるはんだバンプ作製等の
高能率な合金厚膜作製に適している。
出願人日本電信電話公社
Claims (1)
- 蒸着原料の供給と連動して該原料の蒸発部を加熱し、蒸
Ｎ膜厚計の膜厚増分量があらかじめ設定された肢以下に
なった場合に該蒸発部の加熱と停止するまで？蒸着膜）
ｌサイクルとし、該サイクル？反復すること？特徴とす
るフラッシュ蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21234982A JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21234982A JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104472A true JPS59104472A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16621062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21234982A Pending JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104472A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1044010C (zh) * | 1991-12-20 | 1999-07-07 | 先进陶瓷公司 | 使用涂敷热解氮化硼的石墨舟的金属电阻加热法 |
| WO2006007280A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-19 | Eastman Kodak Company | Vaporizing temperature sensitive materials |
| US8932682B2 (en) | 2005-10-13 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a light emitting device |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP21234982A patent/JPS59104472A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1044010C (zh) * | 1991-12-20 | 1999-07-07 | 先进陶瓷公司 | 使用涂敷热解氮化硼的石墨舟的金属电阻加热法 |
| WO2006007280A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-19 | Eastman Kodak Company | Vaporizing temperature sensitive materials |
| US8932682B2 (en) | 2005-10-13 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2996418A (en) | Method and apparatus for vapor depositing thin films | |
| US5239612A (en) | Method for resistance heating of metal using a pyrolytic boron nitride coated graphite boat | |
| US3046651A (en) | Soldering technique | |
| US3397084A (en) | Method for producing superconductive layers | |
| US2902574A (en) | Source for vapor deposition | |
| US3660158A (en) | Thin film nickel temperature sensor and method of forming | |
| US2844868A (en) | Method of joining refractory metals | |
| JPS59104472A (ja) | フラツシユ蒸着方法 | |
| US6645572B2 (en) | Process for producing a ceramic evaporation boat having an improved initial wetting performance | |
| US3058842A (en) | Evaporation method | |
| RU2142021C1 (ru) | Испарительная лодочка установки взрывного испарения | |
| US4035526A (en) | Evaporated solderable multilayer contact for silicon semiconductor | |
| US3401055A (en) | Vapor depositing solder | |
| CA2271933C (en) | Ceramic evaporation boats having improved initial wetting performance and properties | |
| US4066819A (en) | Method of bonding gold films to non-electrically conducting oxides and product thereby obtained | |
| US3612822A (en) | Evaporation filament assembly | |
| US4390571A (en) | Boatless point source evaporation method | |
| US5671322A (en) | Lateral flash evaporator | |
| US3765939A (en) | Method of coating cathode heaters | |
| US3912462A (en) | Selective dimensional control of fine wire mesh | |
| RU1827399C (ru) | Способ получени покрытий в вакууме | |
| JP2709503B2 (ja) | 半導体素子接続方法 | |
| TW201408797A (zh) | 合金共蒸發材料及應用該合金共蒸發材料進行蒸發鍍膜的方法 | |
| JPS5967654A (ja) | はんだ蒸着装置 | |
| JPH02104647A (ja) | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |