JPS59104472A - フラツシユ蒸着方法 - Google Patents
フラツシユ蒸着方法Info
- Publication number
- JPS59104472A JPS59104472A JP21234982A JP21234982A JPS59104472A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP 21234982 A JP21234982 A JP 21234982A JP S59104472 A JPS59104472 A JP S59104472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- raw material
- evaporation
- cycle
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ないフラッシュ蒸着方法に関するものである。
7ランシュ蒸着とは均一な合金膜と得る蒸着方法である
。例えば、蒸着原料に合金と用いた場合には・合金1/
J構改元素の蒸着圧は各々異なるため、通常の蒸着法で
得られた蒸着膜は蒸発しやすい元素の順に層?なしてい
る。そこで均一な合金膜と借るには、少量の蒸着原料?
瞬時に蒸発させる、すなわちフランシュさせる必要があ
る。これを行なうのがフラッシュ蒸着である。
。例えば、蒸着原料に合金と用いた場合には・合金1/
J構改元素の蒸着圧は各々異なるため、通常の蒸着法で
得られた蒸着膜は蒸発しやすい元素の順に層?なしてい
る。そこで均一な合金膜と借るには、少量の蒸着原料?
瞬時に蒸発させる、すなわちフランシュさせる必要があ
る。これを行なうのがフラッシュ蒸着である。
従来のフラッシュ蒸着法においては、蒸発部に供給され
た蒸着原料と瞬時に蒸発させるため・蒸発部の温度が高
く、該蒸発部からのふく射熱による蒸着基板の温度上昇
が著しくなるという欠点があった。したがって、例えば
Pb合金糸ジョセフンン素子ど配砿基析に接続するはん
だバンプと作製する場合、従来のフラッシュ蒸着法では
、蒸着原料が蒸発部に存在しない場合でも蒸発部は高温
に保持されるため、ふく射熱による素子Ct)温度上昇
が著しく、素子?破壊するか又ははんだバンプ作製に長
時間と要した。
た蒸着原料と瞬時に蒸発させるため・蒸発部の温度が高
く、該蒸発部からのふく射熱による蒸着基板の温度上昇
が著しくなるという欠点があった。したがって、例えば
Pb合金糸ジョセフンン素子ど配砿基析に接続するはん
だバンプと作製する場合、従来のフラッシュ蒸着法では
、蒸着原料が蒸発部に存在しない場合でも蒸発部は高温
に保持されるため、ふく射熱による素子Ct)温度上昇
が著しく、素子?破壊するか又ははんだバンプ作製に長
時間と要した。
丁た、従来の真空蒸着法においては、蒸着膜厚m°は、
蒸着速度及び膜厚?制御するのに使用されるのが一般的
であり、蒸着速度の制御においては、膜厚の増分量?検
出し、設定値とσつ比較から増分量が小ざい場合はざら
に蒸発部を加熱する方法が採られていた。したがって、
膜厚の増分量が設定値よりも小ざい場合に蒸発部の加熱
と中止する使用例はなかった。
蒸着速度及び膜厚?制御するのに使用されるのが一般的
であり、蒸着速度の制御においては、膜厚の増分量?検
出し、設定値とσつ比較から増分量が小ざい場合はざら
に蒸発部を加熱する方法が採られていた。したがって、
膜厚の増分量が設定値よりも小ざい場合に蒸発部の加熱
と中止する使用例はなかった。
本発明は、上記事情と考慮してなされたもので、蒸発部
からのふく射熱と低減するために、蒸着膜厚増分i−を
検出して、その増分量が所定直以下となったとぎに該蒸
発部と一旦停止することと特徴とするものである。
からのふく射熱と低減するために、蒸着膜厚増分i−を
検出して、その増分量が所定直以下となったとぎに該蒸
発部と一旦停止することと特徴とするものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
fず、蒸着原料として、融点60℃のIn−B1−8n
%合金の直径/ mm %長さ5龍のワイヤショッ
トト用意して、これを公知の原料供給方法である円析状
のホルダに装着し、そして該ホルダを回転させて該蒸着
原料i/本づつ蒸発部に供給した。
%合金の直径/ mm %長さ5龍のワイヤショッ
トト用意して、これを公知の原料供給方法である円析状
のホルダに装着し、そして該ホルダを回転させて該蒸着
原料i/本づつ蒸発部に供給した。
蒸発部の加熱はモリブデン(MO)ボート(以下「Mo
ボート」という)を直接通電加熱する方法を採った。通
電加熱は蒸着原料と連動させ、該原料の供給直前にMo
ボートの温度をigoo℃程度に加熱しておき該原料を
フラッシュ蒸着した。
ボート」という)を直接通電加熱する方法を採った。通
電加熱は蒸着原料と連動させ、該原料の供給直前にMo
ボートの温度をigoo℃程度に加熱しておき該原料を
フラッシュ蒸着した。
蒸着膜厚計により膜厚増分量?検知し、該増分量が設定
値以下になった場合、通電加熱を停止し、10分間の被
蒸着体の冷却後に再び上記フラッシュ蒸着と行い、この
サイクルと反復してジョセフソン素子チップ上に膜厚2
θμ71 cv In−B1−8n合金より成るはんだ
バンプと形成しe。
値以下になった場合、通電加熱を停止し、10分間の被
蒸着体の冷却後に再び上記フラッシュ蒸着と行い、この
サイクルと反復してジョセフソン素子チップ上に膜厚2
θμ71 cv In−B1−8n合金より成るはんだ
バンプと形成しe。
ところで、フラッシュ蒸着法では・蒸着増分量は、蒸着
の初期に急激に増加した後はぼ飽和に達し、蒸着原料の
なくなる直前に急激に低下する。
の初期に急激に増加した後はぼ飽和に達し、蒸着原料の
なくなる直前に急激に低下する。
したがって、本発明の方法では、蒸着原料が蒸発部に存
在しない場合、つまり蒸着増分量が急激に低下するとき
にMoボートのみと加熱することがないので、従来法に
比らべて、Moボートのふく射熱によるチップの可熱が
著しく低減される。
在しない場合、つまり蒸着増分量が急激に低下するとき
にMoボートのみと加熱することがないので、従来法に
比らべて、Moボートのふく射熱によるチップの可熱が
著しく低減される。
これらV〕結果、従来の通電加熱制御ヲ行わないフラッ
シュ蒸着方法の場合では・チップの温度上昇が著しいた
め、頻繁に蒸着と中断してチップ?冷却しなければなら
ないがゆえに1時間以上と要した蒸着が、本発明の方法
では、%以下のtQ分程度で蒸着が完了する。
シュ蒸着方法の場合では・チップの温度上昇が著しいた
め、頻繁に蒸着と中断してチップ?冷却しなければなら
ないがゆえに1時間以上と要した蒸着が、本発明の方法
では、%以下のtQ分程度で蒸着が完了する。
以上説明したように、この発明のフラッシュ蒸着方法は
、蒸着膜厚増分量が所定呟以下となったときに蒸発部の
加熱?−一旦停止るから、蒸発部からのふく射熱と最小
限にすることになり被蒸着体の温度上昇の低減に有効で
ある。
、蒸着膜厚増分量が所定呟以下となったときに蒸発部の
加熱?−一旦停止るから、蒸発部からのふく射熱と最小
限にすることになり被蒸着体の温度上昇の低減に有効で
ある。
また、従来の使用法と異なる蒸着膜厚計による蒸着原料
の検出法によって、蒸発部のいわゆる空ださと防止する
ことかでさ、ふく射熱の低減にきわめて効果がある。
の検出法によって、蒸発部のいわゆる空ださと防止する
ことかでさ、ふく射熱の低減にきわめて効果がある。
また、本発明の方法は、例えばマイコン制画によるフラ
ッシュ蒸着の完全自動化におけるはんだバンプ作製等の
高能率な合金厚膜作製に適している。
ッシュ蒸着の完全自動化におけるはんだバンプ作製等の
高能率な合金厚膜作製に適している。
出願人日本電信電話公社
Claims (1)
- 蒸着原料の供給と連動して該原料の蒸発部を加熱し、蒸
N膜厚計の膜厚増分量があらかじめ設定された肢以下に
なった場合に該蒸発部の加熱と停止するまで?蒸着膜)
lサイクルとし、該サイクル?反復すること?特徴とす
るフラッシュ蒸着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21234982A JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21234982A JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104472A true JPS59104472A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16621062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21234982A Pending JPS59104472A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | フラツシユ蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59104472A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1044010C (zh) * | 1991-12-20 | 1999-07-07 | 先进陶瓷公司 | 使用涂敷热解氮化硼的石墨舟的金属电阻加热法 |
WO2006007280A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-19 | Eastman Kodak Company | Vaporizing temperature sensitive materials |
US8932682B2 (en) | 2005-10-13 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a light emitting device |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP21234982A patent/JPS59104472A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1044010C (zh) * | 1991-12-20 | 1999-07-07 | 先进陶瓷公司 | 使用涂敷热解氮化硼的石墨舟的金属电阻加热法 |
WO2006007280A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-19 | Eastman Kodak Company | Vaporizing temperature sensitive materials |
US8932682B2 (en) | 2005-10-13 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a light emitting device |
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