JPS59103391A - 超伝導回路基板連結法 - Google Patents
超伝導回路基板連結法Info
- Publication number
- JPS59103391A JPS59103391A JP57212960A JP21296082A JPS59103391A JP S59103391 A JPS59103391 A JP S59103391A JP 57212960 A JP57212960 A JP 57212960A JP 21296082 A JP21296082 A JP 21296082A JP S59103391 A JPS59103391 A JP S59103391A
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- Japan
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- superconductor
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- connection
- circuit board
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- Pending
Links
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- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超伝導体層を右する超伝導体回路基板上に、
他の超伝導体層を右りる超伝導体回路基板が、その後者
の超伝導体回路基板の超伝導体層を半田バンブを介して
前者の超伝導体回路基板超伝導体層に連結させて、装架
されている構成の超伝導回路装置を組立構成Jる場合に
適用して好適な、超伝導回路基板連結法に関する。
他の超伝導体層を右りる超伝導体回路基板が、その後者
の超伝導体回路基板の超伝導体層を半田バンブを介して
前者の超伝導体回路基板超伝導体層に連結させて、装架
されている構成の超伝導回路装置を組立構成Jる場合に
適用して好適な、超伝導回路基板連結法に関する。
超伝導体層を有する超伝導体回路基板上に、他の超伝導
体層を有する超伝導体回路基板が、その後牝の超伝導体
回路基板の超伝導体層を半田バンブを介して前者の超伝
導体回路基板超伝導体層に連結させて、装架されている
構成の超伝導回路装置において、その超伝導体回路基板
が有する超伝導体層は、種々の理由で、ニオブでなるの
が普通である。
体層を有する超伝導体回路基板が、その後牝の超伝導体
回路基板の超伝導体層を半田バンブを介して前者の超伝
導体回路基板超伝導体層に連結させて、装架されている
構成の超伝導回路装置において、その超伝導体回路基板
が有する超伝導体層は、種々の理由で、ニオブでなるの
が普通である。
このような、超伝導体回路基板が右する超伝導体層がニ
オブでなるという、超(ム導回路装置を組立構成Jる場
合、次の超伝導回路基板連結法を適用することが、従来
提案されている。
オブでなるという、超(ム導回路装置を組立構成Jる場
合、次の超伝導回路基板連結法を適用することが、従来
提案されている。
りなわら、各別に用意された二Aゾでなる第1及び第2
の超伝導体層をそれぞれ有する第1及び第2の超伝導体
回路基板を、それら第1及び第2の超伝導体層の上に予
めそれぞれ第1及び第2の中間層を介して設i」た第′
1及び第2の半田バンブを熔融連結ざUることによって
、連結させるという、超伝導回路基板連結法を適用する
ことが、提案されている。
の超伝導体層をそれぞれ有する第1及び第2の超伝導体
回路基板を、それら第1及び第2の超伝導体層の上に予
めそれぞれ第1及び第2の中間層を介して設i」た第′
1及び第2の半田バンブを熔融連結ざUることによって
、連結させるという、超伝導回路基板連結法を適用する
ことが、提案されている。
どころC′、このような超伝導回路基板連結法においで
、その第1及び第2の中間層を、種々の理由でパラジウ
ムでなる層としていた。
、その第1及び第2の中間層を、種々の理由でパラジウ
ムでなる層としていた。
しかしながら、パラジウムでは超伝導体層でないため、
信号伝送に問題があった。
信号伝送に問題があった。
よって、本発明は、上述した問題を解決した新奇な、超
伝導回路基板連結法を提案けんとするしのであり、以下
詳述りるところl)+ +ろ明らかとなるC′あろう。
伝導回路基板連結法を提案けんとするしのであり、以下
詳述りるところl)+ +ろ明らかとなるC′あろう。
第1図及び第2図に示−づ−ように予め各別に用意され
たニオブでなる第1及び第2の超伝導1木層1及び1′
をそれぞれ有する第1及び第2の超伝導体回路基板A及
びA′を、それら超伝導体層1及び1′上に予めそれぞ
れ第1及び第2の中間層3及び3′を介して設()た第
1及び第2の半1flバンプ5及び5′によって熔も)
1;連結させる。なお、4及び4′は半田バンブ5及び
5′を制限している絶縁層である。
たニオブでなる第1及び第2の超伝導1木層1及び1′
をそれぞれ有する第1及び第2の超伝導体回路基板A及
びA′を、それら超伝導体層1及び1′上に予めそれぞ
れ第1及び第2の中間層3及び3′を介して設()た第
1及び第2の半1flバンプ5及び5′によって熔も)
1;連結させる。なお、4及び4′は半田バンブ5及び
5′を制限している絶縁層である。
この場合、中間層3及び3′を窒化ニオブでなる層とす
る。
る。
以上が、本発明による超伝導回路基板連結法の一例であ
るが、このような方法ににれば、中間層3及び3′が、
窒化ニオブでなる層であり、そしてそれが中間層である
ので、信号伝送に問題がない。
るが、このような方法ににれば、中間層3及び3′が、
窒化ニオブでなる層であり、そしてそれが中間層である
ので、信号伝送に問題がない。
また、中間層5及び5′と半田バンブ5及び5′どの接
続強度が、中間層5及び5′がパラジウムでなる場合(
0,、2Kg/n+n+’以下、半田バンブ5及び5′
が上述しlJと同様の場合)に比し格段的に強い(2K
u /mm’ 、但し半日1バンブ5融点が60°Cの
51%I n’ −3381−16%3nである場合)
ので、超伝導体回路基板A及びA′を強固に連結り−る
ことかできる。
続強度が、中間層5及び5′がパラジウムでなる場合(
0,、2Kg/n+n+’以下、半田バンブ5及び5′
が上述しlJと同様の場合)に比し格段的に強い(2K
u /mm’ 、但し半日1バンブ5融点が60°Cの
51%I n’ −3381−16%3nである場合)
ので、超伝導体回路基板A及びA′を強固に連結り−る
ことかできる。
また、超伝導体層2及び2′間の電気的抵抗値の温1衰
特性が、第3図で実線で示すように、第3図で点線で示
す−1中間層3及び3′がパラジウムでなる場合に比し
優れている。イrお、第3図は半田バンブ5及び5′が
上jホした組成を右づる場合の測定結果である。
特性が、第3図で実線で示すように、第3図で点線で示
す−1中間層3及び3′がパラジウムでなる場合に比し
優れている。イrお、第3図は半田バンブ5及び5′が
上jホした組成を右づる場合の測定結果である。
上述したように本発明による超伝導回路基板連結法に1
、れば、中間層3及び3′が窒化ニオブでなるので、中
間層3及び3′と半田バンブ5及び5′どの間の接続強
度が人であり、また、耐酸化性が高いので、超伝導体回
路基板A及びA′の連結吋に表面が酸化されることもな
く、超伝導連結づることができる大なる’l!i徴を有
する。
、れば、中間層3及び3′が窒化ニオブでなるので、中
間層3及び3′と半田バンブ5及び5′どの間の接続強
度が人であり、また、耐酸化性が高いので、超伝導体回
路基板A及びA′の連結吋に表面が酸化されることもな
く、超伝導連結づることができる大なる’l!i徴を有
する。
第1図は、本発明の超伝導回路基板連結法に適用する超
伝導体回路基板を示1路線的断面図である。 第2図は、本発明による超伝う9回路基板連結法を示づ
一路線的断面図である。 第3図は、本発明にJ:る超伝導回路基板連結法の第1
及び第2の超伝導体回路基板の超伝導体層間の電気抵抗
値の温度変化を電気抵抗値20にの値で規格化して示す
図である。 A、A’・・・・・・・・・超伝導体回路基板2.2′
・・・・・・・・・超伝導体層3.3′・・・・・・・
・・中間層 4 ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
lff1 縁 層5.5′・・・・・・・・・半I
LIバンブ出願人 日本電信電話公社 @1 囮 第2図 第3図 020 (屯対 遇7L (Kン 463
伝導体回路基板を示1路線的断面図である。 第2図は、本発明による超伝う9回路基板連結法を示づ
一路線的断面図である。 第3図は、本発明にJ:る超伝導回路基板連結法の第1
及び第2の超伝導体回路基板の超伝導体層間の電気抵抗
値の温度変化を電気抵抗値20にの値で規格化して示す
図である。 A、A’・・・・・・・・・超伝導体回路基板2.2′
・・・・・・・・・超伝導体層3.3′・・・・・・・
・・中間層 4 ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
lff1 縁 層5.5′・・・・・・・・・半I
LIバンブ出願人 日本電信電話公社 @1 囮 第2図 第3図 020 (屯対 遇7L (Kン 463
Claims (1)
- 予め各別に用意されたニオブでなる第1及び第2の超伝
導体層をそれぞれ右Jる第1及び第2の超伝導回路基板
を、それらの第1及び第2の超伝導体層上に予めそれぞ
れ第1及び第2の中間層を介して設()た第1及び第2
の半田バンブを熔融連結させることによって、連結させ
る超伝導体回路基板連結法において、上記第′1及び第
2の中間層を窒化ニオブでなる層とすることを特徴とす
る超伝導回路基板連結法。。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57212960A JPS59103391A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | 超伝導回路基板連結法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57212960A JPS59103391A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | 超伝導回路基板連結法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59103391A true JPS59103391A (ja) | 1984-06-14 |
Family
ID=16631136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57212960A Pending JPS59103391A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | 超伝導回路基板連結法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59103391A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62183574A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導半田バンプ構造 |
CN109792840A (zh) * | 2016-09-15 | 2019-05-21 | 谷歌有限责任公司 | 用于减少量子信号串扰的多层印刷电路板 |
-
1982
- 1982-12-04 JP JP57212960A patent/JPS59103391A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62183574A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導半田バンプ構造 |
CN109792840A (zh) * | 2016-09-15 | 2019-05-21 | 谷歌有限责任公司 | 用于减少量子信号串扰的多层印刷电路板 |
US11197365B2 (en) | 2016-09-15 | 2021-12-07 | Google Llc | Multilayer printed circuit board for reducing quantum signal crosstalk |
CN109792840B (zh) * | 2016-09-15 | 2022-03-04 | 谷歌有限责任公司 | 用于减少量子信号串扰的多层印刷电路板 |
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