JPS589844A - 赤外光フアイバ - Google Patents
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- JPS589844A JPS589844A JP56105571A JP10557181A JPS589844A JP S589844 A JPS589844 A JP S589844A JP 56105571 A JP56105571 A JP 56105571A JP 10557181 A JP10557181 A JP 10557181A JP S589844 A JPS589844 A JP S589844A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の利用分野
本発明は、赤外光を透過する光ファイバの構造及び製造
方法に関するものである・ 従来、光７アイパは石英ガラス系の材料から作製されて
いた。しかし、石英ガラス系の材料ではその格子振動吸
収によって波長２μｍ根度までの光のみ透過し、それ以
上長い波長の光はほとんど吸収されてしまう欠点があっ
た。したがって、たとえはレーザメスやレーザ溶接に用
いられるαｈレーザからの波長１０．６μｍの光などは
石英ガラス系のファイバでは伝送出来ない。このことか
ら、波長２μｍから２０μｍ程度までの光が透過する材
料の探索が行なわれ、その一つとして、カルコゲナイド
ガラスがこれら波長域での材料として有望視されている
。たとえば、Ａ’８ガラスからなる７アイパ（Ｉｎｆｒ
ａｒｅｄ ｐｈｙｓｊｃｓ、 ５． Ｐ、 ６９−８０
（１９６５））また、Ｇｅ−Ｐ−８ガラスからなるファ
イバ（昭和５５年度電子通信学会光・電波部門全国大会
予稿集３５８）が作製されている。
方法に関するものである・ 従来、光７アイパは石英ガラス系の材料から作製されて
いた。しかし、石英ガラス系の材料ではその格子振動吸
収によって波長２μｍ根度までの光のみ透過し、それ以
上長い波長の光はほとんど吸収されてしまう欠点があっ
た。したがって、たとえはレーザメスやレーザ溶接に用
いられるαｈレーザからの波長１０．６μｍの光などは
石英ガラス系のファイバでは伝送出来ない。このことか
ら、波長２μｍから２０μｍ程度までの光が透過する材
料の探索が行なわれ、その一つとして、カルコゲナイド
ガラスがこれら波長域での材料として有望視されている
。たとえば、Ａ’８ガラスからなる７アイパ（Ｉｎｆｒ
ａｒｅｄ ｐｈｙｓｊｃｓ、 ５． Ｐ、 ６９−８０
（１９６５））また、Ｇｅ−Ｐ−８ガラスからなるファ
イバ（昭和５５年度電子通信学会光・電波部門全国大会
予稿集３５８）が作製されている。
およびＰなどの金属等の粉末を出発原料とし、長時間そ
れらを溶融して作製している。したがって、金属等粉末
原料中に含まれる不純物がカラス中に摩り込まれ、光伝
送損失が大きくなる欠点がある。
れらを溶融して作製している。したがって、金属等粉末
原料中に含まれる不純物がカラス中に摩り込まれ、光伝
送損失が大きくなる欠点がある。
また、溶融中に不純物が混入する機会も多い。さらに、
金属等粉末を溶融し均質化するためにはかなりの時間を
かける必要がある。以上のように１従来の方法には問題
点があった。
金属等粉末を溶融し均質化するためにはかなりの時間を
かける必要がある。以上のように１従来の方法には問題
点があった。
１＋、赤外光を伝送させるため、ＫＦｔ８−ｓ（ＴｔＢ
ｒ 、 ＴｔＩ ） （Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｉ、
ｅｔｔ。
ｒ 、 ＴｔＩ ） （Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｉ、
ｅｔｔ。
ａ ａ 、 ｐ 、 ２８−２９（１９７ｇ））やｃｌ
１３ｒ、ＣｒＩ（電子通信学会、１子エレクトロニクス
研究会、ｏｑｇｓｏ−９６、ｐ、２５−３０（１９８０
）） ７にどの結晶をファイバコアに用いた７アイパも
作製されている。材料がガラス、結晶にかかわらずコア
はまわりのクラッドより屈折率の高い材料で構成され、
コアとクラッドの間での光の全反射を利用して光を伝送
させる構成をとっている。しかしながら、コア材料の光
の吸収によって、例えばＣｏｔレーザ光のような１００
ワツト（Ｗ）という大出力光が伝搬する時には、材料自
身が１００〜４００Ｃといつ九高温に達する。このため
、材料の熱破壊をおこしたりして機械的な強度が劣化す
るという現象が生じていた。また光フアイバ端面での、
例えば微小なゴミなどによったり、微小なコア端面の凹
凸による光の散乱のため、特に端面での発熱が大きく、
その保護にｔｉｔ特に注意が払われていた。このため入
力光パワーには制約があった。
１３ｒ、ＣｒＩ（電子通信学会、１子エレクトロニクス
研究会、ｏｑｇｓｏ−９６、ｐ、２５−３０（１９８０
）） ７にどの結晶をファイバコアに用いた７アイパも
作製されている。材料がガラス、結晶にかかわらずコア
はまわりのクラッドより屈折率の高い材料で構成され、
コアとクラッドの間での光の全反射を利用して光を伝送
させる構成をとっている。しかしながら、コア材料の光
の吸収によって、例えばＣｏｔレーザ光のような１００
ワツト（Ｗ）という大出力光が伝搬する時には、材料自
身が１００〜４００Ｃといつ九高温に達する。このため
、材料の熱破壊をおこしたりして機械的な強度が劣化す
るという現象が生じていた。また光フアイバ端面での、
例えば微小なゴミなどによったり、微小なコア端面の凹
凸による光の散乱のため、特に端面での発熱が大きく、
その保護にｔｉｔ特に注意が払われていた。このため入
力光パワーには制約があった。
本発明の目的は、発熱の間趙を解決した光ファイバの構
造を提供し上述のようなカルコゲナイドガラスファイバ
作製上の問題点すなわち不純物混入と長時間溶融Ｏ問題
を解決し、低損失の赤外光用ファイバを作製することの
できる赤外７アイパの製造方法を提供することにある。
造を提供し上述のようなカルコゲナイドガラスファイバ
作製上の問題点すなわち不純物混入と長時間溶融Ｏ問題
を解決し、低損失の赤外光用ファイバを作製することの
できる赤外７アイパの製造方法を提供することにある。
上記の目的のための本発明の赤外ファイバの特徴とする
ところは、出発原料として金属のハロゲン化物または水
素化物、およびＳｓ ８ｃｍ ’ｌ’ｅよりなるカルコ
ゲン元素のハロゲン化物または水素化物を用い、これら
の出発原料を含んでなるものをガラス管内に導入し、加
熱するととＫよって管内に前記の金属とＳ、８ｅまたｔ
′ｉＴｅとの化合物を堆積し、つぎにガラス管を中空に
線引することによりカルコゲナイドガラス層が中空ファ
イバの内壁に形成された赤外透過ガラス中空ファイバと
することにある。中空ファイバに乾燥空気や赤外透過の
液体を注入してもよい。このような本発明方法によれば
、従来の問題点である発熱によるカラス破壊の問題がな
く高い光エネルギーを伝送することができ、不純物の混
入のおそれがなく、長時間溶融を盛装とすることなく、
高性能の赤外ファイバを製造することができる。
ところは、出発原料として金属のハロゲン化物または水
素化物、およびＳｓ ８ｃｍ ’ｌ’ｅよりなるカルコ
ゲン元素のハロゲン化物または水素化物を用い、これら
の出発原料を含んでなるものをガラス管内に導入し、加
熱するととＫよって管内に前記の金属とＳ、８ｅまたｔ
′ｉＴｅとの化合物を堆積し、つぎにガラス管を中空に
線引することによりカルコゲナイドガラス層が中空ファ
イバの内壁に形成された赤外透過ガラス中空ファイバと
することにある。中空ファイバに乾燥空気や赤外透過の
液体を注入してもよい。このような本発明方法によれば
、従来の問題点である発熱によるカラス破壊の問題がな
く高い光エネルギーを伝送することができ、不純物の混
入のおそれがなく、長時間溶融を盛装とすることなく、
高性能の赤外ファイバを製造することができる。
本発明の作製方法における基本とするところは出発原料
を従来におけるような金属等の粉末とするのでなく、金
属のハロゲン化物または水素化物とする仁とにある。ｔ
＋光ファイバを中空にして、中空導波管におけるＨＥ、
、モードを伝送させることにある。
を従来におけるような金属等の粉末とするのでなく、金
属のハロゲン化物または水素化物とする仁とにある。ｔ
＋光ファイバを中空にして、中空導波管におけるＨＥ、
、モードを伝送させることにある。
高い赤外透過率を得るには、コアを空気にし、クラッド
を屈折率が高く、赤外透過率のよいカルコゲナイドガラ
スで構成すれば上記目的の光ファイバが達成できる。こ
の中空ファイバには多数の擬似伝搬モード（１ｅａｋｙ
モード）が伝搬する。このモードは、コアの屈折率が高
い従来の光７アイパとは違って、伝送損失を生じながら
伝搬する波テする。仁の中で蛾低次のモード（Ｈｇｔｔ
モードと呼ぶ）は、この伝送損失がもつとも小さい。仁
のモードの伝送損失は、ベルシステムテクニカルジャー
ナル１９６４年号１７８３ページ（１３ｅｌｌと与えら
れている。ここでｎはガラスの屈折率、λは光の波長、
ａは中空の半径である。式（１）より１ｎ＝Ｖ）の時α
は被小値α＝１．８λ” ／ａ”（ｄＢ）となる、カル
コゲナイドカラスの屈折率は通常ｎ＝２５であり、その
時の伝送損失は２０１λ８／ａ” （ｄＢ）である。
を屈折率が高く、赤外透過率のよいカルコゲナイドガラ
スで構成すれば上記目的の光ファイバが達成できる。こ
の中空ファイバには多数の擬似伝搬モード（１ｅａｋｙ
モード）が伝搬する。このモードは、コアの屈折率が高
い従来の光７アイパとは違って、伝送損失を生じながら
伝搬する波テする。仁の中で蛾低次のモード（Ｈｇｔｔ
モードと呼ぶ）は、この伝送損失がもつとも小さい。仁
のモードの伝送損失は、ベルシステムテクニカルジャー
ナル１９６４年号１７８３ページ（１３ｅｌｌと与えら
れている。ここでｎはガラスの屈折率、λは光の波長、
ａは中空の半径である。式（１）より１ｎ＝Ｖ）の時α
は被小値α＝１．８λ” ／ａ”（ｄＢ）となる、カル
コゲナイドカラスの屈折率は通常ｎ＝２５であり、その
時の伝送損失は２０１λ８／ａ” （ｄＢ）である。
光の波長が１０．６μｍ１１ ＝ ２ ｗｍの時には０
．０２８ｄＢ／ｍの伝送損失とナル。
．０２８ｄＢ／ｍの伝送損失とナル。
これは通常のガラス、結晶にくらぺて充分小さく、光エ
ネルギーの高い伝送路としても充分に使用できる。この
中空ファイバのもう一つの特長は、クラッドに低損失の
カルコゲナイドカラスを使用している点にある＝ファイ
バ内を伝搬する光のエネルギーのほとんどは、中空部分
を通るため、入射のパワーが高くても、クラッドを通る
電磁界は少なく、たとえ１ ｄ Ｂ／ｍの伝送損失がク
ラッドにあっても吸収によるガラスの温度上昇は小さい
。
ネルギーの高い伝送路としても充分に使用できる。この
中空ファイバのもう一つの特長は、クラッドに低損失の
カルコゲナイドカラスを使用している点にある＝ファイ
バ内を伝搬する光のエネルギーのほとんどは、中空部分
を通るため、入射のパワーが高くても、クラッドを通る
電磁界は少なく、たとえ１ ｄ Ｂ／ｍの伝送損失がク
ラッドにあっても吸収によるガラスの温度上昇は小さい
。
本発明を、さらに具体的に、図面を参照して、Ａｌ−８
カラスフアイバを作製する輸曾を例にとって、以下に説
明する。
カラスフアイバを作製する輸曾を例にとって、以下に説
明する。
Ａｌ−８ｊｊラス７アイパを作製する場合は、出発原料
としてＡ８Ｃｔ、とＨ，Ｓを用いる。この場合、ＡｌＣ
４は常温で液体であるため、第１図に示すように、バブ
ラー２を用いて、バブラー２内ＫＡＩＣ４を入れてＡ「
によりバブリングすることＫ ヨｐ 、Ａ ｒと共に導
入管８を経由してガラス管３内に送シ込まれる。一方、
Ｈ，８は常温で気体であるため、そのｔｔボンベ１から
導入管８を経由してガラス管３内に送り込まれる。すな
わち、ＡｌＣ４とＨｍ＆Ａｒとを混合した原料ガス９が
導入管８を経由してガラス管３内に送り込まれる。
としてＡ８Ｃｔ、とＨ，Ｓを用いる。この場合、ＡｌＣ
４は常温で液体であるため、第１図に示すように、バブ
ラー２を用いて、バブラー２内ＫＡＩＣ４を入れてＡ「
によりバブリングすることＫ ヨｐ 、Ａ ｒと共に導
入管８を経由してガラス管３内に送シ込まれる。一方、
Ｈ，８は常温で気体であるため、そのｔｔボンベ１から
導入管８を経由してガラス管３内に送り込まれる。すな
わち、ＡｌＣ４とＨｍ＆Ａｒとを混合した原料ガス９が
導入管８を経由してガラス管３内に送り込まれる。
つぎに、これらの原料ガスは、ガラス管３中で加熱され
、その結果、熱分解されてカラス管３の内壁面ＫＡＩ−
８として堆積する。このときの加熱の方法は、電気炉に
よってもまたはガスバーナによって４よいが、第１図で
は、ガスバーナ４を用いての加熱が示されている。
、その結果、熱分解されてカラス管３の内壁面ＫＡＩ−
８として堆積する。このときの加熱の方法は、電気炉に
よってもまたはガスバーナによって４よいが、第１図で
は、ガスバーナ４を用いての加熱が示されている。
第１図においては、バーナ４を用いてガラス管３を局所
的に加熱し、それと同時にバーナ４を管の長手方向に移
動して、長手方向に均一の組成、堆積膜厚が得られるよ
うにしである。また、管を回転して周方向に均一な膜を
形成することも可能である。
的に加熱し、それと同時にバーナ４を管の長手方向に移
動して、長手方向に均一の組成、堆積膜厚が得られるよ
うにしである。また、管を回転して周方向に均一な膜を
形成することも可能である。
しかし、このような局所加熱の方法は、加熱方法の一例
であって、その他にも、第２図に示すように、ガラス管
全長にわたってガラス管３を電気炉５を用いて加熱する
方法を用いてもよく、あるいは、第３図に示すように、
原料ガスの熱分解をする加熱部６と、通常この加熱部の
温度より低温にしである堆積部７とを分ける方法を用い
てもよい。いずれの方法においても混合ガスよりなる原
料ガス９は導入管８を経由して、ガラス管３内へ導入さ
れるものである。
であって、その他にも、第２図に示すように、ガラス管
全長にわたってガラス管３を電気炉５を用いて加熱する
方法を用いてもよく、あるいは、第３図に示すように、
原料ガスの熱分解をする加熱部６と、通常この加熱部の
温度より低温にしである堆積部７とを分ける方法を用い
てもよい。いずれの方法においても混合ガスよりなる原
料ガス９は導入管８を経由して、ガラス管３内へ導入さ
れるものである。
以上の方法でＡ ’ｌ −８ガラスを堆積したガラス管
は、従来の石英ガラス系ファイバを線引する方法と同様
な方線で線引する。この時カラス管を中実化しないよう
に加熱温度と線引比を決定しなければならない。このよ
うにして作製した光ファイバは第４図に示すように、カ
ラス管の内壁にＡｌ１−８ガラスをもつ中空ファイバで
ある。
は、従来の石英ガラス系ファイバを線引する方法と同様
な方線で線引する。この時カラス管を中実化しないよう
に加熱温度と線引比を決定しなければならない。このよ
うにして作製した光ファイバは第４図に示すように、カ
ラス管の内壁にＡｌ１−８ガラスをもつ中空ファイバで
ある。
以上においては、出発原料としてＡｌＣ４とＨ２Ｓを主
体として用いた場合についてのみ述べたが、出発原料と
しては上記の物質以外に、Ａ８についてはＡＳＨ，、Ａ
３Ｂｒ、 、 Ａｌｌ１．など、Ｓにツいては８、Ｃ４
，ＳＣｌ２などを用いてもよい。
体として用いた場合についてのみ述べたが、出発原料と
しては上記の物質以外に、Ａ８についてはＡＳＨ，、Ａ
３Ｂｒ、 、 Ａｌｌ１．など、Ｓにツいては８、Ｃ４
，ＳＣｌ２などを用いてもよい。
なお、上記の説明においては、Ａ１１−８ガラスからな
るファイバについてのみ述べたが、本発明の製造方法は
Ａ’Ｓガラスファイバにのみ限定されるものではなく、
他のカルコゲナイドガラスファイバにも当然適用可能で
あるａＡ’ｓガラス以外のカルコゲナイドガラスとして
は、（１３Ｇｅ−８ｂ−８、（２）Ｇｅ−８ｂ−８ｅ
：（３）Ｇｅ −Ａ Ｉ−８富（４）Ｇｅ−Ａｌｌ−８
ｅ ：（５）Ｇｅ−ｓ−ｐ ； および（６）
Ｇ ｅ−８ｅ −ｐなどを挙げることが出来る。
るファイバについてのみ述べたが、本発明の製造方法は
Ａ’Ｓガラスファイバにのみ限定されるものではなく、
他のカルコゲナイドガラスファイバにも当然適用可能で
あるａＡ’ｓガラス以外のカルコゲナイドガラスとして
は、（１３Ｇｅ−８ｂ−８、（２）Ｇｅ−８ｂ−８ｅ
：（３）Ｇｅ −Ａ Ｉ−８富（４）Ｇｅ−Ａｌｌ−８
ｅ ：（５）Ｇｅ−ｓ−ｐ ； および（６）
Ｇ ｅ−８ｅ −ｐなどを挙げることが出来る。
本発明の製造方法が適用可能なカルコゲナイドガラスの
代表的な組成は、８ ｉｔ Ｑｅ、Ａｓ、Ｐｉたは５ｂ
と、ｓ、１３ｅまたはＴｅとを組み合わせたものであり
、両者がそれぞれ複数個の場合でも可能である。また、
上記の元素以外にＣｔ、Ｂｒあるいは■を添加してもよ
い。ただし、本発明の製造方法はこれらの組成にのみ適
用できるだけではなく、上記以外の組成のカルコゲナイ
ドガラスにも適用可能である。
代表的な組成は、８ ｉｔ Ｑｅ、Ａｓ、Ｐｉたは５ｂ
と、ｓ、１３ｅまたはＴｅとを組み合わせたものであり
、両者がそれぞれ複数個の場合でも可能である。また、
上記の元素以外にＣｔ、Ｂｒあるいは■を添加してもよ
い。ただし、本発明の製造方法はこれらの組成にのみ適
用できるだけではなく、上記以外の組成のカルコゲナイ
ドガラスにも適用可能である。
以上説明した本発明による製造方法は、製品に対する不
純物混入の機会が少なく、かつ組成を均一化するための
長時間にわたる溶融を行なう必要がないといつ九長所を
有しており、低損失な光フアイバ作製上極めて有効であ
る。
純物混入の機会が少なく、かつ組成を均一化するための
長時間にわたる溶融を行なう必要がないといつ九長所を
有しており、低損失な光フアイバ作製上極めて有効であ
る。
実施例 ｌ
出発原料における金属化付物としてＧｅＣ４゜８ｂＣ４
を、ｉ九カルコゲン化合物として８ｅ＊Ｃ４を用い、第
５図に示す装置を用い、ＧｅＣ４をバブラー２内に入れ
てＡｒによりパ°ブリングを行い、５ｂＣ４をバブラー
２′内に入れてＡｒＫよシバプリングを行ない、５ｅｔ
Ｃ４をバブラー２“内に入れてＡｒによりバブリングを
行ない、搬送用のＡｒガスに伴なわれたＧｅＣ／、、８
ｂＣム＋８”ｍＣ＆よりなる原料ガス９を導入管８を経
由して外径１４ｗφ１内径１３讃φのＦガラスのガラス
管３内に送り込んだ。ａｅｃ４，５ｂｃｔ、およヒ５ｅ
ＲＣ４はいずれも常温で液体であるので、常温でバブリ
ング出来るものである。この場合、各原料の温度を２０
ＤＫ保持した。原料カスの組成はＡｒのバブリング操作
により、ＧｅＣｌ４が４３ ｍ ｇ ／ ’ ５ＳｂＣ
４が３０ｍｇ／Ｓ、 Ｂｅ、Ｃ１，が１３７ｍｇ／８の
割合になるようにした。
を、ｉ九カルコゲン化合物として８ｅ＊Ｃ４を用い、第
５図に示す装置を用い、ＧｅＣ４をバブラー２内に入れ
てＡｒによりパ°ブリングを行い、５ｂＣ４をバブラー
２′内に入れてＡｒＫよシバプリングを行ない、５ｅｔ
Ｃ４をバブラー２“内に入れてＡｒによりバブリングを
行ない、搬送用のＡｒガスに伴なわれたＧｅＣ／、、８
ｂＣム＋８”ｍＣ＆よりなる原料ガス９を導入管８を経
由して外径１４ｗφ１内径１３讃φのＦガラスのガラス
管３内に送り込んだ。ａｅｃ４，５ｂｃｔ、およヒ５ｅ
ＲＣ４はいずれも常温で液体であるので、常温でバブリ
ング出来るものである。この場合、各原料の温度を２０
ＤＫ保持した。原料カスの組成はＡｒのバブリング操作
により、ＧｅＣｌ４が４３ ｍ ｇ ／ ’ ５ＳｂＣ
４が３０ｍｇ／Ｓ、 Ｂｅ、Ｃ１，が１３７ｍｇ／８の
割合になるようにした。
熱分解は、長手方向Ｋ Ｏ，２ｃｍ ／ ｍの速度で往
復移−する酸水素バーナ４を用い、ガラス管３は４ Ｏ
ｒｐｍの回転速度で回転するようにして行なった。加熱
温度は光パイロメータ（光高温計）で測定した結果５ｏ
ｏｔ：’であった。このバーナ加熱を、長手方向の往復
移動を１ｏｏ回繰り返したのち、温度８００Ｃの電気炉
中で線引し、中空ガラス７アイパの外径４−φ、内径１
．５ ａｍφ、（）ｅ−８ｂ−Ｂｅガラス部の厚みが３
３０μｍの光ファイバが得られた。
復移−する酸水素バーナ４を用い、ガラス管３は４ Ｏ
ｒｐｍの回転速度で回転するようにして行なった。加熱
温度は光パイロメータ（光高温計）で測定した結果５ｏ
ｏｔ：’であった。このバーナ加熱を、長手方向の往復
移動を１ｏｏ回繰り返したのち、温度８００Ｃの電気炉
中で線引し、中空ガラス７アイパの外径４−φ、内径１
．５ ａｍφ、（）ｅ−８ｂ−Ｂｅガラス部の厚みが３
３０μｍの光ファイバが得られた。
このファイバの伝送損失は波長１０．６μｍで０．７ｄ
Ｂ／ｍであり、５０ＷＯＣＯ，Ｌ’−ザ元を入射しても
数十度の温度上昇しかみとめられなかった。したがって
、従来の光ファイバに比べて、高安定で伝送損失の小さ
い赤外ファイバを得ることができた。
Ｂ／ｍであり、５０ＷＯＣＯ，Ｌ’−ザ元を入射しても
数十度の温度上昇しかみとめられなかった。したがって
、従来の光ファイバに比べて、高安定で伝送損失の小さ
い赤外ファイバを得ることができた。
上記の実施例から解るように、本発明の効果は極めて顕
著である。
著である。
第１図はガラス管の局所的な加熱によりガラス管内にカ
ルコゲナイドガラスを堆積させる装置の説明図、第２図
はガラス管を均一的に加熱してガラス管内にカルコゲナ
イドガラスを堆積させる装置の説明図、第３図はガラス
管の加熱が反応部と堆積部との分離された部分よシなる
ガラス管内にカルコゲナイドガラスを堆積させる装置の
説明図、第４図はカラス管内にカルコゲナイドガラス層
を有している中空ファイバの断面図、第５図は第１図と
同じようにガラス管の局所的な加熱によりガラス管内に
カルコゲナイドガラスを堆積させる装置でおるが出発原
料の金属化合物が２ａｌ類、カルコゲン化合物が液体で
あるものの揚台である。 １・・・ボンベ、２−２’ 、２“・・・パフ’５＋、
３・・・ガラス管、４・・・バーナ、５・・・電気炉、
６・・・加熱部、７・・・堆積部、８・・・導入管、９
・・・原料ガス、ｌｏ・・・空気層、１１・・・カルコ
ゲナイドガラス層、１２・・・りｔで 一πｆ：５ ｆ３ １ 旧 皐 ζ 第 ３ 図 ６７ ′ｖｉＪ図 ￥ＪＳ図
ルコゲナイドガラスを堆積させる装置の説明図、第２図
はガラス管を均一的に加熱してガラス管内にカルコゲナ
イドガラスを堆積させる装置の説明図、第３図はガラス
管の加熱が反応部と堆積部との分離された部分よシなる
ガラス管内にカルコゲナイドガラスを堆積させる装置の
説明図、第４図はカラス管内にカルコゲナイドガラス層
を有している中空ファイバの断面図、第５図は第１図と
同じようにガラス管の局所的な加熱によりガラス管内に
カルコゲナイドガラスを堆積させる装置でおるが出発原
料の金属化合物が２ａｌ類、カルコゲン化合物が液体で
あるものの揚台である。 １・・・ボンベ、２−２’ 、２“・・・パフ’５＋、
３・・・ガラス管、４・・・バーナ、５・・・電気炉、
６・・・加熱部、７・・・堆積部、８・・・導入管、９
・・・原料ガス、ｌｏ・・・空気層、１１・・・カルコ
ゲナイドガラス層、１２・・・りｔで 一πｆ：５ ｆ３ １ 旧 皐 ζ 第 ３ 図 ６７ ′ｖｉＪ図 ￥ＪＳ図
Claims (1)
- １、金属のハロゲン化物または水素化物、およびＳ８ｅ
あるいは’］［’ｅのハロゲン化物または水素化物を出
発原料として用い、前記の出発原料を含んだものをガラ
ス管内に導入し、加熱するととＫよってガラス管内に前
記金属のｓ、ｓｅまたはＴＣとの化合・物を堆積し、つ
ぎにこれを中実化することなく線引して中空な光ファイ
バにせしめてなり且つカルコゲナイド系ガラスよりなる
ことを特徴とする赤外光ファイバ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105571A JPS589844A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 赤外光フアイバ |
| DE8282301088T DE3271976D1 (en) | 1981-03-06 | 1982-03-03 | Infrared optical fiber |
| EP82301088A EP0060085B1 (en) | 1981-03-06 | 1982-03-03 | Infrared optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105571A JPS589844A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 赤外光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589844A true JPS589844A (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=14411204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105571A Pending JPS589844A (ja) | 1981-03-06 | 1981-07-08 | 赤外光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589844A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021822A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-02-04 | クセルト セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオ−ニ・エツセ・ピ−・ア− | 赤外における光学的透明性を有する材料の製造方法 |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56105571A patent/JPS589844A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021822A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-02-04 | クセルト セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオ−ニ・エツセ・ピ−・ア− | 赤外における光学的透明性を有する材料の製造方法 |
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