JPS5897800U - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPS5897800U
JPS5897800U JP19120181U JP19120181U JPS5897800U JP S5897800 U JPS5897800 U JP S5897800U JP 19120181 U JP19120181 U JP 19120181U JP 19120181 U JP19120181 U JP 19120181U JP S5897800 U JPS5897800 U JP S5897800U
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JP
Japan
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memory device
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input
input buffers
built
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JP19120181U
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Inventor
市田 憲治
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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  • Static Random-Access Memory (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の一実施例を示し、第2図は本実施例の入
力データ制御回路を示し、第3図は入力バッファ回路を
示し、第4図は本実施例のXデコーダの構成を示すもの
である。 Q2−□+ Q2−2・・・入力データ制御トランジス
タ、3−2.3−3・・・入力バッファ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 論理閾値電圧の異なる2種類の入力バッファーが共通接
    続された入力端子を有し、上記2種類の入力バッファー
    の内輪環閾値電圧の高い方の入力゛バッファーの出力信
    号で複数のアドレスを同時に選択せしめるテスト回路を
    内蔵したことを特徴とするメモリ装置。
JP19120181U 1981-12-22 1981-12-22 メモリ装置 Granted JPS5897800U (ja)

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JP19120181U JPS5897800U (ja) 1981-12-22 1981-12-22 メモリ装置

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JPS5897800U true JPS5897800U (ja) 1983-07-02
JPS6138160Y2 JPS6138160Y2 (ja) 1986-11-04

Family

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009176375A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51147924A (en) * 1975-06-13 1976-12-18 Fujitsu Ltd Memory unit
JPS53132273A (en) * 1977-04-22 1978-11-17 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory device
JPS5585957A (en) * 1978-11-25 1980-06-28 Fujitsu Ltd Logic circuit for test bit selection

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