JPS589389A - 発光構体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は活性層、該活性層の相対する側にある第１及び
第２の半導体層、該活性層と第１及び第２の半導体層の
相対する側面に接する第３の層から成る発光構造に係る
。

現在考えられている光伝送システムは、一般的に光ファ
イバとよばれるガラス伝送線により、相互に光学的に結
合された光源及び光検出器を使用する。二つの型のデバ
イス、すなわち発光ダイオード及びレーザが、光源の候
補として盛んに検討されてきた。特に高データ速度にお
いて、レーザはより優れたデバイスであると一般に考え
られてきた。

多くの半導体レーザ構造が、そのような光伝送システム
中の光源の候補として考えられてきた。現在、低電流閾
値と高パワまでの安定な動作のため、当業者には埋め込
みへテロ構造（ＢＨ）レーザが、光伝送システム用の第
１の候補と一般に考えられている。Ｂ）（レーザは典型
的な場合、ダブルへテロ構造レーザを成長させ、メサに
エツチングし、第２の成長中半導体材料でメサの側面に
クラッドを作ることにより製作される。得られるレーザ
は両横方向で活性層にキャリヤを閉じ込める屈折率導波
型になっている。そのようなりＨレーザは光灯電流の直
線特性、大形欠陥がない場合のパルス発振に対する安定
性及び光散乱がないことなど好ましい特性を有する。

ＢＨレーザに関する初期の仕事を述べた初期の文献は、
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、第４５
巻、４８９９　−４９０６頁、１９７４年１１月である
。この論文は最近モードの動作を実現したＡＩ！ｘ　Ｇ
ａ１ＸＡＢ−δａＡｓ　ＢＨレーザについて述べている
。

そのよ５な動作は光放射パターンを確実にし。

従ってレーザと光フアイバ間の結合効率が変化しないた
め、好ましい。この動作は活性層とは５パ一セント以上
異なる屈折率を有する材料で囲まれた。好ましくは高さ
及び幅とも、４μｍ以下の非常に狭くかつ薄い活性領域
を用いることにより得られた。この寸法に対する制約に
より、レーザを信頼性よく作ることが現実的でなく、か
つ低いパワー特性をもたらしてしまう。

埋め込み光ガイド（ＢＯＧ　）を有するＢＨし−ザとよ
ばれるレーザ構造については、アプライド・フィジック
ス・レターズ、３５゜５１３−５１６頁、１９７９年１
０月１日に述べられている。このデバイスは接合面に垂
直なニアフィールドパターンを広げ、光学薄膜中へ結合
できるパワを増すため、活性層に隣接した導波層を用い
ている。このデバイスは４μｍ　もの広いストライプを
使用することもできる。そのような大きさは、埋め込み
層が導波層に非常に近い屈折率をもつ場合にのみ得られ
る。

現在の技術を代表するＢＨレーザは、埋め込み光ガイド
（ＢＯＧ　）レーザであり、それについてはたとえばア
イ・イーイーイー・ジャーナル・オブ・カンタム・エレ
クトロニクス。

ＱＥ−１６，２０５−２１４頁、１９８０年２月に述べ
られている。このレーザは受動光導波路を取り入れ、高
い微分量子効率、低いファーフィールド広がり及び高い
光破損限界を有するレーザになっている。ＢＯＧレーザ
ストライプ幅１μｍ当り１０緘という低い間室を達成し
ている。

多くの目的に適してはいるが、上で述べたＢＯＧレーザ
は厳密さを有する製作工程を含むという欠点をもつ。第
２の成長又は再成長に対して最小限の制約が加わるだけ
であるため、多モード導波路を有するＢＨ又はＢＯ（）
レーザを成長させることは比較的容易であるが、単一モ
ード又は基本横モードの利得を有するＢＨ又はＢＯ（）
レーザを作ることは難しい。基本横モードの利得は組成
９寸法等に対し厳密な条件を要求せずに、他のモードよ
りかなり大きいものである。ＢＨ及びＢＯＧレーザにお
いて、所望の低モード動作は第２成長又は外部クラッド
層の屈折率を、メサ層の実効的屈折率よりほんの少し小
さく選ぶことにより得られる。これは再成長層の組成に
。

非常に厳密な制約を課す。たとえば、２−３μｍ幅のＢ
ＯＧレーザの場合、　Ａｊ’ｚＧａｌ　−１Ａｓ＋又は
第２の成長層のＸは、メサ層の場合Ｘの実効値（Ｘｅｆ
ｆ　）　　よりわずか１ないし２パーセントだけ大きく
しなければならない。

Ｘｅｆｆ　は中央メサの層の寸法及び組成の関数である
から、これらの層は同様の許容度しかもってはならない
ことになる。屈折率ルの変化の割合はＸの変化の割合の
約１Ａである。

すなわち、ｎが１パーセント変化するとき。

Ｘは５パーセントだけ変化する。

本発明に従うと、これらの問題は以下のものから成る発
光構造で解決される。すなわち１活性層、該活性層の相
対する側面上の第１及び第２の半導体層、該活性層及び
第１．第２半導体層の相対する側面と接する第６の層か
ら成り、該活性層は第１及び第２の半導体層の禁制帯よ
り小さな禁制帯を有し、該第３の半導体層は活制層の屈
折率より少くとも約４パーセントだけ小さい屈折率を有
することを特徴とする。

出願人は厳密な製作工程を用いることなく。

単一モード埋め込みへテロ構造レーザが作れることを見
出した。厳密な製作工程がなく。

成長が簡単になるのは９寸法及び組成の注意深い制御に
より単一モード構造を成長させようとするのではなく、
メサ及び埋め込み層間に大きな屈折率段差を生じる組成
の埋め込み層を成長させることにより、多モード導波路
を形成することによる。メサ壁の屈折率不連続及び荒さ
は損失を生じ、モード数を急激に増し、最低モード動作
を実効的に生ずる。

第１図は一般的に（１００）と印した本発明のデバイス
を示す。このデバイスは基板（１）及び該基板上に配置
された第１のクラッド層（３）、第１の導波層（５）、
活性層（７）、第２の導波層（９）及び第２のクラッド
層（１１）から成る。

層（３，５，７３９）及び（１１）により形成されるメ
サは、一般に（１１０）と印した層内に埋め込まれ、そ
の層は図示されているように層Ｃ３ｓ　５，７ｙ　９）
及び（１１）と基板（１）の相対する側面と接している
。層（１１０）は更に層（１９Ｌ層（２１）及び層（２
３）から成る。

層（１１）および層（２３）上に配置されて。

拡散層（１３）及び金属層（１５）及び（１７）がある
。層（２５）は層（３）及び（１９）と相対する基板（
１）の表面上に配置されている。明瞭にするために、デ
バイスの要素の寸法は。

実際の比率とは異っている。活性層は層（３）及び（１
１）、層（５）及び（９）より小さな禁制帯を有し、メ
サ層と層（１１０）間には大きな屈折率の不連続がある
。層（１１０）の屈折率はメサ層の実効的屈折率より、
一般に少くとも４パーセント小さい。

屈折率の不連続さは後に述べるように損失の原因となり
、それは急速にモード数を増加させ、最低次モードの動
作に対する選択機構を生ずる。このことは実際のデバイ
ス製作では満すことが困難な活性層の最大寸法や埋め込
み層組成に対する厳密な制約なしに、達成できる。

基板（１）及び層（３）及び（５）は第１の伝導形な有
し９層（９）及び（１１）は第２の伝導形を有し。

従ってｐｎ　　接合が活性層中に形成される。活性層は
いずれの伝導形でもよい。層（２１）は第２の伝導形を
、また層（１９）及び（２３）は第１の伝導形を有する
。好ましい実施例において、第１の伝導形はル形で第２
の伝導形はｐ形である。

半導体材料は夏−ｖ族元素から成るグループから選択し
てよい。たとえば、　Ａ＃ｚＧａ１ｘＡｓ又はＩ　ｎ　
ＧａＡ　ｓ　Ｐが使用できる。好ましい実施例において
、半導体層はＡ７ｘＧａｔ　−ｘＡｓ　　から成り。

基板（１）及び（７）の場合Ｘ−Ｏで９層（３）及びα
υの場合、３０１層（５）及び（９）の場合、１５１層
（１９゜２１）及び（２３）の場合、６５である。層（
３）及び（５）はル形で９層（７，９）及びαυはｐ形
であった。層（１９）及び（２３）はル形で９層（２１
）は５ｐ形であった。

本発明のレーザは周知の二段階液相エピタキシープロセ
スを修正する２とにより製作すると便利であり、そのプ
ロセスについてはＡｌＸＧａ、−エＡ８　　レーザの製
作を参照して述べる。

第１の段階において、所望のレーザ構造が成長され、エ
ピタキシャル層の全厚は典型的な場合、約４μｍである
。メサな形成するために基板までエピタキシャル層をエ
ッチすることが必要で９周知のように適当な結晶方向に
向けたマスクを用いて１図示された形状のメサが生ずる
。４μｍの上部幅を有するメサを形成するために、１２
μ扉幅のストライプマスクを用いた。マスクの幅は一般
にメサの狭い部分の約３倍の幅をもつ。適当なエッチャ
ントは２４℃における１Ｈ２ｓＯ４：　Ｈ２Ｏ２（３０
パーセント）：Ｈ２Ｏ−１：８：１０である。

狭いくびれたメサを生ずるためにストライプは＜１１０
＞又は＜ｏｏτ〉方向に向け、活性層におけるメサの幅
は、以下で述べる理由により一般に６μｍ以下である。

エツチングは透明フォトレジストマスクを通して、メサ
の最上面の幅を観測することにより、モニタすると便利
である。たとえば、リプレー１３５０Ｊフオトレジスト
マスクを用いてもよい。このプロセスは過剰のエツチン
グによるメサ最上面の幅のある程度のふらつきを伴い、
基板中にエッチされた所望のメサを容易に形成する。視
察の後、メサ最上面の幅は一般に１＋Ｄｆｉ＊の距離で
わずかに変化し１幅の最大変化は典型的には約０．３μ
ｍであることがわかった。一方１本明細書中でＡと呼ぶ
各メサ側壁界面の位置の平均二乗振幅は、約０．１μｍ
であった。フォトレジストマスクは市販のフォトレジス
ト除去剤で除去され９次に最後の洗浄工程で、それ自身
の醸化物が試料表面上に成長された。次に、エビタキシ
ャヤ再成長により１層（１９，２１）及び（２６）を成
長させた。再成長工程の前に、水酸化アンモニウムと水
の同じ割合の混合物中に、短時間浸すことにより、酸化
物を除去した。

ここで述べた荒削りエッチを用いる別の方、法は、荒削
りマスクすなわちその幅にふらつきをもつストライプマ
スクを用いることである。メサエッチングはまた以下の
ように進めてもよい。約１００μ脇の距離に渡り約２８
０μｍの距離だけ離して、上部クラッド層が最初に選択
的に除去され、１００μｍの受動領域中の再成長及び浄
化の後、受動領域中にミラーを有するレーザが形成され
る。これはへテロ構造表面中に露出された５μｍ及び１
００μｍの寸法を有するスリットを残すマスク使用によ
り実現される。スリットを通して上部クラッドが活性層
まで選択的に除去される。

次に表面が洗浄され、ストライプマスクがエツチングさ
れたスリット上に重畳され、メサエッチングが実行され
る。

メサにクラッドを形成する便利な組成、すなわち層（１
１０）を形成するのに便利な組成はｓ　）Ｊ！　−６５
Ｇａ　、３５　Ａｓ　　である。なぜならば、メサ構造
の実効的なＸ値より少くとも約２０パーセント大きいＸ
の値を有する任意のｋｌ！ｙＧａ　１−ｘＡ　Ｂ　組成
を用いることができるが。

それは優れた電流閉じ込め特性をもたらすからである。

優れた電流閉じ込めは、　　ｏｅ　　’″′ｃｐ形に、
またＳｎ　　でｎ形に液相エピタキシーでこの濃度にド
ープすることは非常に困難で。

この組成における成長では多くのｐ−ｎ接合が形成され
る傾向がある。このふるまいを促進するため、ｐ形（０
，１原子パーセントのＧｅ）及びｎ形（０，４原子パー
セントのＳｎ　）　　の両方の層が成長され、冷却速度
は通常の冷却速度の２倍である０、４℃／分まで増加さ
れた。

この成長法は第２の成長又は再成長工程で形成された多
くのｐ−ｎ接合で、優れた再現性のよ〜、・電流閉じ込
めを実現した。

融液の組成は再成長工程でＡＪ、６５Ｇａ、３５Ａ８　
　が成長するよう調整した。試料は成長ボート中に置か
れ、一定の温度（７５０°Ｃ）で第１の融液下に置いた
。ぬれを良くするため。

炉温度を１℃上げ３０分間維持した。得られるメルトバ
ックは約０．２μｍ以下と推測されるが、それはエッチ
された表面を浄化する助けとなり、メサ再成長層界面に
おける非放射性再結合を減す。このメルトバック工程の
後。

炉温度は約１μｍ厚の層を成長させるため。

１分当り０．４℃降下させた。この層はＳｎ　　を０．
４原子パーセントドープしたが、それによってもしメサ
側面がメサ中のｐ形上部クラッド層までぬれ、再成長さ
れるならば、電流はｐ−ｐヘテロ接合よりこのように形
成された１）−ｎヘテロ接合によって、より妨げられる
。

次に、試料は第２のメルトすなわち０．１原子パーセン
トのＧｏ　　を含むｐ形メルト下にスライドされ、約２
μｍの成長の後、もう一つのｎ形（８ｎ０．４原子パー
セント）層が約２μｍの厚さに成長された。再成長工程
を開始させるため、はぼＡ−１、６５、５５ＡＢ　　の
組成を用いるのが有利であることがわかっている。この
組成はぬれがよいという特性をもつため。

たとえ埋め込み層がほぼこの組成をもたない場合でさえ
、このことがあてはまる。

次に、試料は順次陽極酸化することにより表面Ｇａ　小
滴が除かれた。陽極酸化によりＧａは酸化物に変り、そ
れは容易に表面からぬぐいとられる。最初の陽極酸化の
後、それ自身の酸化物はメサの最上部にのみ形成され、
再成長により形成された高抵抗路のため、メサ間にはそ
れ自身の酸化物はほとんど成長しないことが容易にわか
る。

デバイスを貫く垂直導電路のみがメサを貫くから、この
導電路は分離されかつ個々に電気的に接続できるレーザ
の形成に、有効に用いることができる。レーザからレー
ザまでの間隔は、メサを形成するために用いるエツチン
グマスク中のストライプの間隔で決る。

先に述べた１２μｍ幅のストライプマスクを用いた時、
レーザ間の間隔は１５μｍ　にも小さくでき、マスクさ
れたストライプ間のマスクされない間隔が３μｍでも、
メサエッチングを行うのに十分である。

次にデバイスは約０．３μｍの厚さのｐ＋拡散層を形成
するために、短いＺｎ　　拡散を行った。金属部分はｐ
側上では１ｏｏオングストロームのＴｌ　（層（１９）
及び２０００オングストロームのＡｕ　（層（ＩＴＪ）
から成り、ｎ側上では５００オングストロームのＡｕ　
及び１０００オングストロームのＮ１（層（２５）　）
から成る。

メサエッチングに用いたものと同じフォトリングラフィ
技術を用いて、９表面上の金中に１０−２５μｍ幅の窓
がエツチングされ、活性層ルミネセンスの観察が可能に
なった。

５１０℃に短時間加熱することにより、オーム性接触を
形成するために金属部分は合金化され、レーザは通常の
へき開によって形成された。

レーザ構造に用いられるドーパントは、３ｘ　１０１７
／Ｃａ１”の濃度である。名目上の層の厚さは、活性層
０．１５μｍ、導波層０．５　μ７７！　＊上部及び下
部クラッド層は１．５μｍである。第゛１図に示される
レーザは、導波層を省き、単一の導波層のみをもつよ５
にすることによって修正してもよい。他の実施例もまた
構成できる。たとえば、活性層はＩｎＧａＡａＰから成
り。

クラッド及び導波層はＩｎＰから成ってもよい。

加えて９層（１１０）は単一の伝導形のみを有してもよ
い。

導波層をもたないレーザの場合、典型的な電流閾値は７
　ｍＡ　７μｍで、導波層を有するレーザの場合、１０
７７ＬＡ／μｍであった。

損失安定化埋め込み光導波レーザの場合の光対電流関係
は、非常に線形に近く、約５０ないし６０パーセントの
微分量子効率を有した。損失安定化埋め込みへテロ構造
レーザの場合の光対電流関係は、わずかにサブリニアで
約２５−３５パーセントの微分量子効率を有した。この
事実により埋め込み光導波レーザは一般に埋め込みへテ
ロ構造レーザより優れている。

閾値電流の温度依存性はＩｔｈがほぼ８ｍ１）　（Ｔ　
／　Ｔｏ　）　　に等しくなるよ５に合わせることがで
きた。ここで、Ｔが３２５に以下の低温ではＴｏ　−１
６７Ｋで、Ｔが３５０により　高い高温ではＴｏ　＝　
５７　Ｋ　である。損失安定化埋め込みへテロ構造レー
ザのデータも同様であった。ＴＯの急激な変化の正確な
理由は。

完全には理解されていないが、活性ストライプ周辺の電
流伝導の増加によるものと仮定されている。温度に伴う
電流の増加は、はとんどのレーザが動作すると推測され
る温度より高い温度で起る。

損失安定化レーザは１つの縦モードを有する単−横モー
ド又は数個の空間的に近接した縦モードで動作する。し
かし、高電流、一般には２．５Ｉｔｈ以上では、スペク
トルはしばしば広がり、しば↓ば第２の組のモードが現
れる。Ｉｔｈが約２２７７１Ａ　　で第２の組のモード
が約７０鮎で現れる場合、遠視野パターンはスペクトロ
メータを通して測定され、レーザ線には最低次で第１の
励起横モード、　　ＴＥＯｏ及びＴＥ０１　　を伴って
いることがわかった。

ＴＥｏｌ　　モードは高電流で起る。生強度において測
定された全角度は、２１度及び４８度であった。ＴＫｏ
　１　　モードのエネルギーは、　ＴＥｏ。

モードより３５１−’だけフォトンエネルギーが高い。

このことはＴＥｏ　１　　モードの場合の７０７７ＬＡ
　　という閾値より電流が高い時、　ＴＥｏ１モードの
損失はＴＥＯＯモードのそれより大きいことの証拠であ
る。レーザ動作は利得が最大値をとるｈν　の値におい
て起る。電流密度が増すことにより利得が増すにつれ、
利得曲線の最大値は、より高いエネルギーにシフトする
。

層（１１０）と中央メサな形成する層間の少くとも４パ
ーセントの大きな屈折率不連続は、エツチングされたメ
サの粗さとともに。

界面散乱が最初のモードから他のモードへ光を結合させ
た時、損失を生じさせる。第２図の議論から明らかなよ
うに、損失はモード数とともに急速に増加し１選択機構
が生じ、それはレーザな最低次モードで動作さ−せる。

ディー・マーカス（Ｄ　ａＭａｒｃｕｓｅ　、）　　に
よるベル・システム・テクニカル・ジャーナル（Ｂｅ、
１１　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｔｅｏｈｎｉｃａｌ　）　４８　
、　３１８７−３２１５．１９６９年１２月、の論文に
述べられた界面散乱の詳細な理論に従って、界面損失係
数が計算された。散乱損失式は高次モードと同様最低次
モードの場合の散乱損失を計算するために用いられた。

第２図において。

散乱損失はセンナメートルの逆数を単位に垂直にプロッ
トされ、ストライプ幅はμｍ単位で水平にプロットされ
ている。（１，２，３゜４）及び（５）と印された曲線
は、それぞれＴＥｏｏ。

０１．０２，０３及び０４モードを表す。Ａで蝙定され
る幅のふらつきの二乗平均振幅は０．１μｍで、ふらつ
きのコヒーレント長は１０μｍであった。これらの値は
エッチされたメサの概略の測定に基く。層（１１０）は
Ａ１．６５　Ｇａ、３５　Ａｓ組成を有し、中央メサの
実効的な組成はＡＩ！、　１２　Ｇａ、　８８　Ａｓ　
　であった。

この場合、屈折率不連続は約１０パーセントである。二
次モードと一次モードの閾値電流間の計算された違いは
、異なるストライプ幅Ｗに対して２曲線（２）に示され
ている。たとえば、２．５μｍ　という狭い幅の場合、
最低次モードと一次モード間の散乱損失の差は、かなり
太き（、かつ二次モードと一次モード間の閾値電流間の
差もかなり大きいことに注意すべきである。ここで述べ
たような場合、すなわち多くの個別のモードを有するガ
イドの場合、散乱損失の９０パ一セント以上は、光の束
縛モードへの結合の結果であり、残りの損失は連続的な
ものである。従って、第２図に示されるように、損失は
モード数が増すにつれ、またストライプ幅Ｗが減少する
につれ増加する。この効果は活性層（７）をメサの最も
狭い部分に配置し、活性接合の幅をストライプ幅より著
しく小さくシ、それによって更にモードの区別を増すこ
とによって、更に増長される。

第３図は、センチメートルの逆数を単位として散乱損失
を縦軸にとり９層（１１０）のアルミニウム濃度の差を
プ項ットして表わした図である。メサの実効Ａ７　濃度
は、１２であり、一方Ｘｄ　は層（１１０）のＡ７　濃
度を示す。曲線はＷが３μｍ　、　Ａ及びコヒーレント
長は第２図の場合と同じで、それぞれ、１μｍ及び１０
μｍである。従って、Δｘ＝Ｘｄ　　Ｘｅｆｆすなわち
ｘａ　−１２パーセントが４パーセントに等しいかそれ
以上の場合、屈折力不連続が太き（、散乱損失の差に−
よる本質的なモード選択性がある。それに対して１通常
の埋め込みへテロ構造レーザの条件は、αが約４パーセ
ントに等しいかそれより小さいということである。約４
パーセントより大きなΔＸの場合、界面散乱はかなり大
きくなり１通常の埋め込みへテロ構造レーザの単一モー
ドの安定性を増す働きをする。

Ａ及びコヒーレント長の値は、エッチされたメサのミク
ロな視察に基いて選択された。

第２及び第３図中の損失曲線はＡ２　　に比例し。

このパラメータを他に選択する場合には、計算で合わせ
ることができる。もし幅のふらつきが増すと、モード間
の散乱損失の差は増加するであろう。しかし、最低次モ
ードの損失もまた増加し、好ましくないレベルに到達す
るであろう。Ａの最適値もまたレーザ波長に依存する。

散乱損失は波長の４乗の逆数に従って減少し、たとえば
１．３μｍの波長において、より大きなふらつきが望ま
しいか、活性層の幅を減少させることが必要になる可能
性がある。

レーザ電流が閾値以上に増加すると、レーザ動作が最低
次ＴＥｏｏ　　モードで始る。このモー′ドは他のモー
ドよりわずかに高く活性層を占め、より重要なことは損
失が最も低いことである。閾値において、キャリヤ密度
は活性層中で一様であるが、電流が閾値以上に増加し、
刺激放射が強くなるにつれ、ガイドの中央におけるキャ
リヤ密度は最低次モードにおける利得を一定に保つため
減少し、ストライプ端付近のキャリヤ密度は増加するで
あろう。

キャリヤ密度のこの変化は一般に空間ホールバーニング
とよばれ、　ＴＥ０１　　モードにおける利得を増加さ
せ、最終的にはそれをレーザ発振させる。−次及び最低
次モード間の損失差が最大になることで表した最適幅は
、約２μｍないし約３μ扉である。幅は約４μｍを越え
てはならない。この範囲ならば最低次モードの特性が本
質的に劣化する水準まで、損失を増加させることはない
。広いストライプ幅すなわちＷが４μｍ以上の場合、損
失の安定化は弱く、不均一なキャリヤ密度及び結晶欠陥
のような他の効果が閾値のレーザモードを決る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の損失安定化埋め込みへテロ構造レーザ
の断面図。 第２図は本発明のレーザの場合のメサの計算された界面
散乱損失を垂直に１幅を水平にプロットした図。 第３図は本発明のレーザの場合の二つの最低次モードに
対する散乱損失を垂直に、屈折率不連続を水平にプロッ
トした図である。 〔主要部分の符号の説明〕 活性層−−−−−−−−−７ 第１の半導体層−一−６ 第２の半導体層−一−１１ 第６の層−一−−−−−ｉ　ｉ　。 第１の導波層−−−−−５ 第２の導波層−−−−−９ 第１．第２．第３の半導体層−−５，７，９基板−−−
’−−−−−−−１ 出願人　　ウエスターンエレクトリックカムパニー、イ
ンコーポレーテツド

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｔ　活性層、該活性層Ω両側の第１及び第２の半導体層
   、該活性層及び第１及び第２の半導体層の両側面と接す
   る第３の層から成る発光構体において。 該活性層は該第１及び第２の半導体層の禁制帯より小さ
   な禁制帯を有し、該第３の層は活性層の屈折率より少く
   とも約４パーセント小さい屈折率を有する半導体層であ
   ることを特徴とする発光構体。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された発光構体におい
   て、第１及び第２の導波層がそれぞれ該活性層及び該第
   １の半導体層間。 該活性層及び該第２の半導体層間にあることを特徴とす
   る発光構体。 五　特許請求の範囲第１項に記載された発光構体におい
   て。 該層はｌ−Ｖ原材料から成ることを特徴とする発光構体
   。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された発光構体におい
   て。 該半導体はＡｌｘＧａ１−エＡｓ　　から成り、該第６
   の層のＩは該メサのＸｅｆｆ　　より少くとも約２０パ
   ーセント大きいことを特徴とする発光構体。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された発光構体におい
   て。 該活性層は約２．０μｍと３．０μｍとの間の幅を有す
   ることを特徴とする発光構体。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された発光構体におい
   て、該第３の層の該Ｘは約、６５であることを特徴とす
   る発光構体。 ２、特許請求の範囲第６項に記載された発光構体におい
   て。 該第１の層の該Ｘは約、３０であることを特徴とする発
   光構体。 ８、　順次筒１．第２及び第３の半導体層を半導体基板
   上に成長させる工程を含み、該第２の層は該第１及び該
   第３の層の禁制帯より小さな禁制帯を有し、該第２の層
   は活制層であり、該第１．第２及び第３の半導体層の一
   部分を残すことにより１幅にふらつきを有するメサをエ
   ツチングし、該基板を露出する工程及び第４の半導体層
   を成長させる工程が含まれ、該第４の層は該第１゜第２
   及び第３の半導体層の両側面に接することを％轍とする
   少くとも１個の埋め込みダブルへテロ構体の製造方法。 ９　特許請求の範囲第２項に記載された方法において。 該エツチングはマスクを用いることを特徴とする方法。 １０、特許請求の範囲第９ｆｆｌに記載された方法にお
   いて。 該マスクは端部を粗くすることを特徴とする方法。 １ｔ　　特許請求の範囲第９項に記載された方法におい
   て。 少くとも第１及び第２のダブルへテロ構造レーザを製造
   し、該第１及び第２のダブルへテロ構造レーザは約１５
   μｍだけ離間していることを特徴とする方法。 １２、特許請求の範囲第９又は第１１項に記載された方
   法において。 該露出された層の選択された部分を残すため、該第３の
   層をマスクする工程、該活性層を露出するため該第６の
   層をスリット状にエツチングする工程及び該メサエッチ
   ングに先立ち該エツチングされたスリット上にマスクを
   施す工程が更に含まれることを特徴とする方法。