JPS5887543A - カメラの自動測距装置 - Google Patents

カメラの自動測距装置

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JPS5887543A
JPS5887543A JP18588381A JP18588381A JPS5887543A JP S5887543 A JPS5887543 A JP S5887543A JP 18588381 A JP18588381 A JP 18588381A JP 18588381 A JP18588381 A JP 18588381A JP S5887543 A JPS5887543 A JP S5887543A
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JP
Japan
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light
intensity
circuit
reflected
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP18588381A
Other languages
English (en)
Inventor
Harumi Ogawa
晴巳 小川
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Nitto Optical Co Ltd
Original Assignee
Nitto Optical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5887543A publication Critical patent/JPS5887543A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/30Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はカメラの自動測距装着に関し、特に被写体に光
を投射しその反射光を受光することによりカメラから被
写体までの距離を決定する。いわからの反射光を受光す
る際の反射光強度に大きく左右されることが知られてい
る。すなわち、一定レベルの光を投射する従来の能動W
掬距装曾では被写体がカメラより遠いときその反射光強
1孟低下して測距能力を低下させるし、また被写体が近
距離にあってもその被写体の反射率が低いときKは同様
に反′射強慶が低下して測距能力を低下させる。 かかる測距能力の低下を避けるため、投射光強度を高く
してもよいが、それに伴なって反射光強度が増大し受光
素子の許容範囲を越える恐れがありその測距範囲を狭く
してし、まり。tな、投射光強度を上けると、装置のエ
ネルギー淵を小容量の電池に頼っているこの種の装置に
とって電力消費が多過ぎるという問題もある。 従って5本発明の目的は被写体の遠近にかかわらずある
いは被写体の反射率の高低にかかわらずその測距能力を
一定に維持するカメラの自動測距装置を提供するにある
。 かかる目的を達成するため、本発明によれば。 被写体に光を投射しその反射光を受光することによりカ
メラから被写体までの距離を決定するカメラの自動測距
装置において、受光素子忙入射する被写体からの反射光
の強度によって変化する信号を投光手段へ入力し、該信
号のレベルに応じて。 投光手段の発光強度・を受光素子への入射光強度が所定
レベルになるように制御することを特徴とするカメラの
自動測距装置が提供され、これにより、受光素子への反
射光強■壇写体の遠近あるいは反射基の差の如何にかか
わらず一定にされ、 all距能力の低下がなくなる。 勿論この場合、受光素子の許容範囲を狭めることはなく
、!走電力消費も少ない。 本発明の実施態様によれば、受光素子は、フォトダイオ
ードアレイでもよいが、受光表面に抵抗層を有し且つ該
抵抗層の両側に設けられた電極が反射光の受光点の位置
に従って変化する信号を出力する形式の位置検出素子で
あるのが好ましい。 この場合1位置検出素子の中心が受光光学系の光軸に一
致させられ、#位置検出素子の、投光素子より違い側に
ある電極からの信号が投光手段へ入力されているのが好
ましい、、また、フォトダイオードアレイの場合には、
その最大出力レベルの信号を投光手段へ入力させるのが
好ましい。 以下本発明の実施例について1図面を参照しながら説明
する。第1図は本発明のカメラの自動測距装置を示して
おシ、投光駆動回路1はパルス発振装置を備え投光用発
光素子2から自然光と区別される/々ルス発光し九近赤
外線光が投射される。 光線は投光レンズ3を通って被写体M(距11D、)に
投射され、カメラ(図示せず)上において基線長tだけ
投光レンズから離れた受光レンズ41ζ向けて光線が反
射され、その反射光が受光素子5のm点に至る。 被写体が距1102  にあるNである場合には反射光
は受光素子4のn点に至る。受光素子5は1反射光がm
点に至るかn点に至るかによって異なる電気信号を出力
し、この電気信号が反射光検出回路6により増幅処理さ
れ、更に処理後の信号は距離識別回路7によって、被写
体までの距離DI(ま九は02)が算出される。距離の
算出vk、撮影レンズ制御装置jIt8へ信号が送られ
、撮影レンズ(図示せず)を適当位置へ移動させる。こ
のレンズの移動はモータによって行なうこともできるが
、無限遠ピント位置から近距離ピント位置までシャツタ
レリーズに連動して移動させ、距離信号に応じて所望位
置でその移動を停止させるものでもよlx。 距離識別回路7からの距離信号は、表示装#9にも送ら
れ、例えばファインダ内あるいけカメラの他の場所にそ
の情報を表示することができる。 本発明においては、反射光検出回路6からの信号は投光
強度制御回路10を介して投光躯動回路1へ入力すなわ
ち帰還されている。これにより。 受光素子5への反射fla&が低くなると発光素子20
発光強度が増大し、受光素子への反射光強度が高くなる
と発光素子2の発光強1;減少し、従って受光素子へ反
射光強WLカ一定に維持される。 本発明の自動測距公電に用いられる受光素子は。 ダイオードプレイでもよいが1付蓋検出素子と呼ばれる
半導体素子でもよい、この付蓋検出素子について、第2
図を用いて親羽する。 第2図において1付蓋検出素子は、例えば、P型半導体
で成る抵抗層12とシリコンで成る高抵抗基層13とn
型半導体で成る層14との5層構造の半導体で成り、受
光側となるPill抵抗層12にはその両側にそれぞれ
電極15.16が設けられており、層14には共通電極
17が設けられている。この位置検知素子の作用は次の
通シである。 電極15..16間の距離がしてあり、その間のN11
2の抵抗がRLであり、入射光18の入射位置と電極1
6との間の距離がXであり、その間の層12の抵抗がR
x であるという一般的な場合を想定する。鳩12の光
入射位置で発生した電荷は光の入射エネルギーに比例す
る光電流として紋紙抗層12中を流れる。この電流は各
電極15.16までの抵抗値に逆比例するように分割さ
れ。 各を流が電極15.16に出力される。入射光により生
成された光電流を1゜とじ、電極15゜16から出力さ
れる電流11% I2とすると各電流は次のように表わ
される。 X +、=lox−・・・・・・・・・・・・・・・θ)R
L 抵抗層12は均一であることからその長さと抵抗が比例
しており、これを考慮すれば(1)式及び0式は次のよ
うに味わされる。 となり、AとLが分ればXが求められ、このXが分れば
、第1図に示す基準長tを考慮に入れることで、三角測
量法によシ、被写体までの距m(D。 または02)を算出することができる。 第3図は、受光レンズ4と位置検知素子である受光素子
5との配置を示している。この図から明らかなように、
受光レンズ4の光軸0が位置検知素子の中心線Cと一致
するように配置されている。 この場合一方の電極15は中心@GK対し、発光素子2
の光線から最も離れており、他方の電極16は前記光線
に最も接近するような配電となっている。このような配
tKよシ、被写体M、Nからの反射光は必ず受光素子5
0片側申分(図では右中分)に入射する。すなわち、反
射光の入射位@ m 、 nは常に中心線Cと電極15
との間にある。 無限遠の反射光を考えても入射位置は中心@Cの位置に
あり、図の左側手分に入射することはない。 このことを前記0式において考えると。 L/2≦X≦Lであるから、0≦^≦1 とな抄、反射
位置に従って^は0と1との間を直線的に変化している
ことが分る。しかしながらこの関係は。 反射光の強闇が一定範囲内にあるとき成立するものであ
って、検出素子の許容範囲を越えると成立
【7ない。 上記のように、入射光は常に、投光素子より遠い側の半
分に入射することから、電極15に出力される電流■1
  は電極16に出力される電流12より大きいか1等
しい(後者の場合は被写体が無限遠にある場合である)
。すなわち。 11≧1□ ・・・・・・・・・・・・[相])である
。 第4図は、第1図の測距装置の詳細f示す回路図である
。発光素子2はトランジスタ20によってオンオフされ
るようになっており、トランジスタ21を介して/臂ル
ス発振器22によって制御されている。すなわち、トラ
ンジスタ2】が導通している場合1発光素子20Fiパ
ルス発振器22からのパルスに従ってノ+ルス発光して
いる。これは受光素子5に入射する光を自然光と区別す
るためのものであり、自然光との区別が行なえる場合に
は/9ルス発光でなくともよい。発光素子の光線は近赤
外線が用いられているが、他の光線でもよいことは勿論
である。 トランジスタ21は、発光素子2の発光強度を制御する
ように作用するもので、エミッタ電流が少ない場合1発
光強度が低くなり、逆の場合に発光強1l−1ttll
b くなる。このトランジスタのエミッタ電流は抵抗2
3を介して送られるペース電流によって制御される。 受光素子である位置検出素子からの電流信号11及び1
□は交流演算増幅器24及び25にそれぞれ入力される
。交流増幅器が用いられたのは、発光素子2がパルス発
光しており、これが自然光と区別されるようになってい
るからであ!7゜自然光との区別ができる限り任意の増
幅器でよい。 電流信号l 及び12 は増幅器24及び250反言 転入力に入力されており、増幅器24及び25のV(@
t  を減少させるように作用し、各増幅器の出力は電
流信号が大きいとき小さい出力となり、逆の場合に大き
い出力となる。増幅器24及び25の出力は抵抗、コン
デンサ及び増幅器で成る積分器26及び27にそれぞれ
入力されて、交流信号が平滑化されr1流レベル信号と
して出方される。 積分器26及び27の出力は、減算回路28及び加算回
路29に入力され9回j828で(+、−+2)の減算
処理が、回路29で(+、 + 12)の加算処理が行
なわれる。そして回路28及び29の出力は除算回路3
oに入力され。 ここで(1,−1□’)/(1,+ 12)の除算処理
が行なわれ、前記した式■によるAIeている。従って
、前述の通υ回路3oの出力から被写体M(着たFiN
)の距離D1(または02)が算出される。 lすなわち回路27.28.29は第1図の距離識別回
路7に相当する。回路30の出力は撮影レンズ制御Ll
装ft8に入力され、レンズを適正位置に置き、また表
示回路9に入力されてその距離を表示する点は、既に第
1図に関連して説明されたのでその説明を省略する。 位置検出素子に関連して述べたように、電流+1は、常
に電流120レベル以上である。また受光素子が過大な
反射光を受光した場合に、それを示すのも電流11であ
る。電流11Fi増幅器24と積分器26とにより、そ
の電流が小さいとき一一■■■■高くなり、このため抵
抗23を介してトランジスタ21のエミッタ電流を多く
流し、発光素子2の発光強裏を増す。すなわち、電流+
1  が小さい場合とは受光素子5への反射光の入射光
強度が低い場合であり、これに応じて発光素子20発光
強IB趨して、発光素子5への受光強度が増すことにな
る。従って、トランジスタ21、抵抗23Fi第1図に
おける投光強度制御回路10に相当して′いる。 更に、この回路を設けたことKより、発光強度が高過ぎ
る場合にそれを抑制することができる。即ち、電流11
 が過大である場合、積分器26の出力は低(■−一な
り、トランジスタ21へのペース電流が少なくなり、そ
のエミッタ電流が少なくなる。 従って発光素子20発光強Ilか低くなり、受光素子へ
の入射光強am少し、電流−11は減少する。 従って、トランジスタ21.抵抗23及び電流1、用の
増幅器24と積分器26は、受光素子への受光強度を一
定レベルに維持するように作用してベルで発光する従来
の投光手段に比し、電力消費を少なくする°ことができ
る。 なお第4図の回路では受光素子として位置検出素子が用
いられたが、フォトダイオードアレイを用いてもよい、
この場合には、アレイの内の最大信号を投光駆動回路1
に入力すればよい。これにより、1配した位置検出素子
と一様の作用を得ることができる。 本発明によれに1被写体の遠近ある反射率の変化の如何
にかかわらず、確実に被写体までの距離が測定されるだ
けでなく1反射光量が過大である場合には投光手段の光
量を減少させるように作用するので1発光素子での無駄
なエネルギーを消費をなくすことができ電力消費が少な
くなる。また。 受光1kが一定であるので、測距範囲が拡大することに
なり、受光回路の信号もほぼ一定であるので複雑な回路
構成が不要になり製造、調整のためのコストを低減でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の測距装置のブロック図、第2図は位置
検出素子の側面図、第3図は位置検出素子の動作説明図
、第4図は位置検出素子を用いた場合の測距装置の回路
図である。 1・・・投光駆動回路、2・・・発光素子、3・・・投
射レンズ、4・・・受光レンズ、5・・・受光素子、6
・・・反射光検出回路、7・・・距離識別回路、8・・
・撮影レンズ制御装曾、9・・・表示装會、10・・・
投光強賓制御回路、12・・・抵抗層、13・・・基層
、15・・・発光素子より遠い側の電極、16・・・発
光素子に近い側の電極、17・・・共通電極、22・・
・発振器。 篤1図 手  続  補  正  書 昭和  年W7711−4 8 】、事件の表示 昭和j′lp 年%Wfm第1♂6g
g3号2、発明の名称  カメラの自動測距装置3゜補
正をする者 事件との関係  出願人 4、代理人 56  補正命令の日付  自  発 6 7、補正の対象  明細書の発明の詳細な説明の欄8、
補正の内容 (1)  明細書第3TR下からj行目に1受元素子1
とあるを「受光素子あるいにそれに連なる信号処理回路
」と訂正する。 (2)  同曹第6頁第1行に1受元素子41とあるを
「受光素子5」と訂正する。 (3)同書第1/頁下から3行ないし2行に1従って、
各増幅器の・・・・・減少させるように作用り、1とあ
るを「従って、信号1□、12は6増llll5の出力
を基準電圧Vrefより減少させる方向に作用し、」と
訂正する。 (4)同書第1.2頁第14を行に@27.28.29
’とあるをr28,29,30Jと訂正する。 (5)同書@/3頁第1〜j行に1また受光素子が・・
・・・電流が小さいとき高くなり、@とあるを次の通り
訂正する。 「またそれ故に、受光素子が過大な反射ft、を受光し
た場合に、受−yt、q子あるいはそれに遅なる信号処
理回路の許容範囲を越えるのは、電fil  の方が早
い段階で達する。さて電流1゜が小さい値であるとき、
増幅5241に介して積分量26の出力1高くなり、」 (6)同誓第1弘真第144行に1遠近ある反射率1と
あるを「遠近あるいは反射率」と訂正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 被写体に光を投射しその反射光を受光することに
    よりカメラから被写体までの距離を決定するカメラの自
    動測距装置において、受光素子に入射する被写体からの
    反射光の強度によって変化する信号を投光手段へ入力し
    、受光素子への入射強度が所定レベルになるように、前
    記信号のレベルに応じて投光手段の発光強度を制御する
    ことを特徴とするカメラの自動測距装f1r、。 26  受光素子が受光面に抵抗層を有し且つ紋紙抗層
    の両側に設けられた電極が1反射光の受光点の位首に従
    って変化する信号を出力する形式の位置検出素子である
    酌記第1項記載の装置。 S、位置検出素子の中心が受光光学系の光軸に一致して
    おシ、#位置検出素子の、投光素子より遠い側にある電
    極からの信号が投光手段へ入力されている前記#g2項
    記載の装置。 4、 受光素子が7オトダイオードアレイであり。 該アレイの内の最大レベルの信号が投光手段へ入力され
    ている前記第1項記載の・装置う
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