JPS5887543A - カメラの自動測距装置 - Google Patents
カメラの自動測距装置Info
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- JPS5887543A JPS5887543A JP18588381A JP18588381A JPS5887543A JP S5887543 A JPS5887543 A JP S5887543A JP 18588381 A JP18588381 A JP 18588381A JP 18588381 A JP18588381 A JP 18588381A JP S5887543 A JPS5887543 A JP S5887543A
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- JP
- Japan
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- light
- intensity
- circuit
- reflected
- signal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はカメラの自動測距装着に関し、特に被写体に光
を投射しその反射光を受光することによりカメラから被
写体までの距離を決定する。いわからの反射光を受光す
る際の反射光強度に大きく左右されることが知られてい
る。すなわち、一定レベルの光を投射する従来の能動W
掬距装曾では被写体がカメラより遠いときその反射光強
1孟低下して測距能力を低下させるし、また被写体が近
距離にあってもその被写体の反射率が低いときKは同様
に反′射強慶が低下して測距能力を低下させる。 かかる測距能力の低下を避けるため、投射光強度を高く
してもよいが、それに伴なって反射光強度が増大し受光
素子の許容範囲を越える恐れがありその測距範囲を狭く
してし、まり。tな、投射光強度を上けると、装置のエ
ネルギー淵を小容量の電池に頼っているこの種の装置に
とって電力消費が多過ぎるという問題もある。 従って5本発明の目的は被写体の遠近にかかわらずある
いは被写体の反射率の高低にかかわらずその測距能力を
一定に維持するカメラの自動測距装置を提供するにある
。 かかる目的を達成するため、本発明によれば。 被写体に光を投射しその反射光を受光することによりカ
メラから被写体までの距離を決定するカメラの自動測距
装置において、受光素子忙入射する被写体からの反射光
の強度によって変化する信号を投光手段へ入力し、該信
号のレベルに応じて。 投光手段の発光強度・を受光素子への入射光強度が所定
レベルになるように制御することを特徴とするカメラの
自動測距装置が提供され、これにより、受光素子への反
射光強■壇写体の遠近あるいは反射基の差の如何にかか
わらず一定にされ、 all距能力の低下がなくなる。 勿論この場合、受光素子の許容範囲を狭めることはなく
、!走電力消費も少ない。 本発明の実施態様によれば、受光素子は、フォトダイオ
ードアレイでもよいが、受光表面に抵抗層を有し且つ該
抵抗層の両側に設けられた電極が反射光の受光点の位置
に従って変化する信号を出力する形式の位置検出素子で
あるのが好ましい。 この場合1位置検出素子の中心が受光光学系の光軸に一
致させられ、#位置検出素子の、投光素子より違い側に
ある電極からの信号が投光手段へ入力されているのが好
ましい、、また、フォトダイオードアレイの場合には、
その最大出力レベルの信号を投光手段へ入力させるのが
好ましい。 以下本発明の実施例について1図面を参照しながら説明
する。第1図は本発明のカメラの自動測距装置を示して
おシ、投光駆動回路1はパルス発振装置を備え投光用発
光素子2から自然光と区別される/々ルス発光し九近赤
外線光が投射される。 光線は投光レンズ3を通って被写体M(距11D、)に
投射され、カメラ(図示せず)上において基線長tだけ
投光レンズから離れた受光レンズ41ζ向けて光線が反
射され、その反射光が受光素子5のm点に至る。 被写体が距1102 にあるNである場合には反射光
は受光素子4のn点に至る。受光素子5は1反射光がm
点に至るかn点に至るかによって異なる電気信号を出力
し、この電気信号が反射光検出回路6により増幅処理さ
れ、更に処理後の信号は距離識別回路7によって、被写
体までの距離DI(ま九は02)が算出される。距離の
算出vk、撮影レンズ制御装置jIt8へ信号が送られ
、撮影レンズ(図示せず)を適当位置へ移動させる。こ
のレンズの移動はモータによって行なうこともできるが
、無限遠ピント位置から近距離ピント位置までシャツタ
レリーズに連動して移動させ、距離信号に応じて所望位
置でその移動を停止させるものでもよlx。 距離識別回路7からの距離信号は、表示装#9にも送ら
れ、例えばファインダ内あるいけカメラの他の場所にそ
の情報を表示することができる。 本発明においては、反射光検出回路6からの信号は投光
強度制御回路10を介して投光躯動回路1へ入力すなわ
ち帰還されている。これにより。 受光素子5への反射fla&が低くなると発光素子20
発光強度が増大し、受光素子への反射光強度が高くなる
と発光素子2の発光強1;減少し、従って受光素子へ反
射光強WLカ一定に維持される。 本発明の自動測距公電に用いられる受光素子は。 ダイオードプレイでもよいが1付蓋検出素子と呼ばれる
半導体素子でもよい、この付蓋検出素子について、第2
図を用いて親羽する。 第2図において1付蓋検出素子は、例えば、P型半導体
で成る抵抗層12とシリコンで成る高抵抗基層13とn
型半導体で成る層14との5層構造の半導体で成り、受
光側となるPill抵抗層12にはその両側にそれぞれ
電極15.16が設けられており、層14には共通電極
17が設けられている。この位置検知素子の作用は次の
通シである。 電極15..16間の距離がしてあり、その間のN11
2の抵抗がRLであり、入射光18の入射位置と電極1
6との間の距離がXであり、その間の層12の抵抗がR
x であるという一般的な場合を想定する。鳩12の光
入射位置で発生した電荷は光の入射エネルギーに比例す
る光電流として紋紙抗層12中を流れる。この電流は各
電極15.16までの抵抗値に逆比例するように分割さ
れ。 各を流が電極15.16に出力される。入射光により生
成された光電流を1゜とじ、電極15゜16から出力さ
れる電流11% I2とすると各電流は次のように表わ
される。 X +、=lox−・・・・・・・・・・・・・・・θ)R
L 抵抗層12は均一であることからその長さと抵抗が比例
しており、これを考慮すれば(1)式及び0式は次のよ
うに味わされる。 となり、AとLが分ればXが求められ、このXが分れば
、第1図に示す基準長tを考慮に入れることで、三角測
量法によシ、被写体までの距m(D。 または02)を算出することができる。 第3図は、受光レンズ4と位置検知素子である受光素子
5との配置を示している。この図から明らかなように、
受光レンズ4の光軸0が位置検知素子の中心線Cと一致
するように配置されている。 この場合一方の電極15は中心@GK対し、発光素子2
の光線から最も離れており、他方の電極16は前記光線
に最も接近するような配電となっている。このような配
tKよシ、被写体M、Nからの反射光は必ず受光素子5
0片側申分(図では右中分)に入射する。すなわち、反
射光の入射位@ m 、 nは常に中心線Cと電極15
との間にある。 無限遠の反射光を考えても入射位置は中心@Cの位置に
あり、図の左側手分に入射することはない。 このことを前記0式において考えると。 L/2≦X≦Lであるから、0≦^≦1 とな抄、反射
位置に従って^は0と1との間を直線的に変化している
ことが分る。しかしながらこの関係は。 反射光の強闇が一定範囲内にあるとき成立するものであ
って、検出素子の許容範囲を越えると成立
を投射しその反射光を受光することによりカメラから被
写体までの距離を決定する。いわからの反射光を受光す
る際の反射光強度に大きく左右されることが知られてい
る。すなわち、一定レベルの光を投射する従来の能動W
掬距装曾では被写体がカメラより遠いときその反射光強
1孟低下して測距能力を低下させるし、また被写体が近
距離にあってもその被写体の反射率が低いときKは同様
に反′射強慶が低下して測距能力を低下させる。 かかる測距能力の低下を避けるため、投射光強度を高く
してもよいが、それに伴なって反射光強度が増大し受光
素子の許容範囲を越える恐れがありその測距範囲を狭く
してし、まり。tな、投射光強度を上けると、装置のエ
ネルギー淵を小容量の電池に頼っているこの種の装置に
とって電力消費が多過ぎるという問題もある。 従って5本発明の目的は被写体の遠近にかかわらずある
いは被写体の反射率の高低にかかわらずその測距能力を
一定に維持するカメラの自動測距装置を提供するにある
。 かかる目的を達成するため、本発明によれば。 被写体に光を投射しその反射光を受光することによりカ
メラから被写体までの距離を決定するカメラの自動測距
装置において、受光素子忙入射する被写体からの反射光
の強度によって変化する信号を投光手段へ入力し、該信
号のレベルに応じて。 投光手段の発光強度・を受光素子への入射光強度が所定
レベルになるように制御することを特徴とするカメラの
自動測距装置が提供され、これにより、受光素子への反
射光強■壇写体の遠近あるいは反射基の差の如何にかか
わらず一定にされ、 all距能力の低下がなくなる。 勿論この場合、受光素子の許容範囲を狭めることはなく
、!走電力消費も少ない。 本発明の実施態様によれば、受光素子は、フォトダイオ
ードアレイでもよいが、受光表面に抵抗層を有し且つ該
抵抗層の両側に設けられた電極が反射光の受光点の位置
に従って変化する信号を出力する形式の位置検出素子で
あるのが好ましい。 この場合1位置検出素子の中心が受光光学系の光軸に一
致させられ、#位置検出素子の、投光素子より違い側に
ある電極からの信号が投光手段へ入力されているのが好
ましい、、また、フォトダイオードアレイの場合には、
その最大出力レベルの信号を投光手段へ入力させるのが
好ましい。 以下本発明の実施例について1図面を参照しながら説明
する。第1図は本発明のカメラの自動測距装置を示して
おシ、投光駆動回路1はパルス発振装置を備え投光用発
光素子2から自然光と区別される/々ルス発光し九近赤
外線光が投射される。 光線は投光レンズ3を通って被写体M(距11D、)に
投射され、カメラ(図示せず)上において基線長tだけ
投光レンズから離れた受光レンズ41ζ向けて光線が反
射され、その反射光が受光素子5のm点に至る。 被写体が距1102 にあるNである場合には反射光
は受光素子4のn点に至る。受光素子5は1反射光がm
点に至るかn点に至るかによって異なる電気信号を出力
し、この電気信号が反射光検出回路6により増幅処理さ
れ、更に処理後の信号は距離識別回路7によって、被写
体までの距離DI(ま九は02)が算出される。距離の
算出vk、撮影レンズ制御装置jIt8へ信号が送られ
、撮影レンズ(図示せず)を適当位置へ移動させる。こ
のレンズの移動はモータによって行なうこともできるが
、無限遠ピント位置から近距離ピント位置までシャツタ
レリーズに連動して移動させ、距離信号に応じて所望位
置でその移動を停止させるものでもよlx。 距離識別回路7からの距離信号は、表示装#9にも送ら
れ、例えばファインダ内あるいけカメラの他の場所にそ
の情報を表示することができる。 本発明においては、反射光検出回路6からの信号は投光
強度制御回路10を介して投光躯動回路1へ入力すなわ
ち帰還されている。これにより。 受光素子5への反射fla&が低くなると発光素子20
発光強度が増大し、受光素子への反射光強度が高くなる
と発光素子2の発光強1;減少し、従って受光素子へ反
射光強WLカ一定に維持される。 本発明の自動測距公電に用いられる受光素子は。 ダイオードプレイでもよいが1付蓋検出素子と呼ばれる
半導体素子でもよい、この付蓋検出素子について、第2
図を用いて親羽する。 第2図において1付蓋検出素子は、例えば、P型半導体
で成る抵抗層12とシリコンで成る高抵抗基層13とn
型半導体で成る層14との5層構造の半導体で成り、受
光側となるPill抵抗層12にはその両側にそれぞれ
電極15.16が設けられており、層14には共通電極
17が設けられている。この位置検知素子の作用は次の
通シである。 電極15..16間の距離がしてあり、その間のN11
2の抵抗がRLであり、入射光18の入射位置と電極1
6との間の距離がXであり、その間の層12の抵抗がR
x であるという一般的な場合を想定する。鳩12の光
入射位置で発生した電荷は光の入射エネルギーに比例す
る光電流として紋紙抗層12中を流れる。この電流は各
電極15.16までの抵抗値に逆比例するように分割さ
れ。 各を流が電極15.16に出力される。入射光により生
成された光電流を1゜とじ、電極15゜16から出力さ
れる電流11% I2とすると各電流は次のように表わ
される。 X +、=lox−・・・・・・・・・・・・・・・θ)R
L 抵抗層12は均一であることからその長さと抵抗が比例
しており、これを考慮すれば(1)式及び0式は次のよ
うに味わされる。 となり、AとLが分ればXが求められ、このXが分れば
、第1図に示す基準長tを考慮に入れることで、三角測
量法によシ、被写体までの距m(D。 または02)を算出することができる。 第3図は、受光レンズ4と位置検知素子である受光素子
5との配置を示している。この図から明らかなように、
受光レンズ4の光軸0が位置検知素子の中心線Cと一致
するように配置されている。 この場合一方の電極15は中心@GK対し、発光素子2
の光線から最も離れており、他方の電極16は前記光線
に最も接近するような配電となっている。このような配
tKよシ、被写体M、Nからの反射光は必ず受光素子5
0片側申分(図では右中分)に入射する。すなわち、反
射光の入射位@ m 、 nは常に中心線Cと電極15
との間にある。 無限遠の反射光を考えても入射位置は中心@Cの位置に
あり、図の左側手分に入射することはない。 このことを前記0式において考えると。 L/2≦X≦Lであるから、0≦^≦1 とな抄、反射
位置に従って^は0と1との間を直線的に変化している
ことが分る。しかしながらこの関係は。 反射光の強闇が一定範囲内にあるとき成立するものであ
って、検出素子の許容範囲を越えると成立
【7ない。
上記のように、入射光は常に、投光素子より遠い側の半
分に入射することから、電極15に出力される電流■1
は電極16に出力される電流12より大きいか1等
しい(後者の場合は被写体が無限遠にある場合である)
。すなわち。 11≧1□ ・・・・・・・・・・・・[相])である
。 第4図は、第1図の測距装置の詳細f示す回路図である
。発光素子2はトランジスタ20によってオンオフされ
るようになっており、トランジスタ21を介して/臂ル
ス発振器22によって制御されている。すなわち、トラ
ンジスタ2】が導通している場合1発光素子20Fiパ
ルス発振器22からのパルスに従ってノ+ルス発光して
いる。これは受光素子5に入射する光を自然光と区別す
るためのものであり、自然光との区別が行なえる場合に
は/9ルス発光でなくともよい。発光素子の光線は近赤
外線が用いられているが、他の光線でもよいことは勿論
である。 トランジスタ21は、発光素子2の発光強度を制御する
ように作用するもので、エミッタ電流が少ない場合1発
光強度が低くなり、逆の場合に発光強1l−1ttll
b くなる。このトランジスタのエミッタ電流は抵抗2
3を介して送られるペース電流によって制御される。 受光素子である位置検出素子からの電流信号11及び1
□は交流演算増幅器24及び25にそれぞれ入力される
。交流増幅器が用いられたのは、発光素子2がパルス発
光しており、これが自然光と区別されるようになってい
るからであ!7゜自然光との区別ができる限り任意の増
幅器でよい。 電流信号l 及び12 は増幅器24及び250反言 転入力に入力されており、増幅器24及び25のV(@
t を減少させるように作用し、各増幅器の出力は電
流信号が大きいとき小さい出力となり、逆の場合に大き
い出力となる。増幅器24及び25の出力は抵抗、コン
デンサ及び増幅器で成る積分器26及び27にそれぞれ
入力されて、交流信号が平滑化されr1流レベル信号と
して出方される。 積分器26及び27の出力は、減算回路28及び加算回
路29に入力され9回j828で(+、−+2)の減算
処理が、回路29で(+、 + 12)の加算処理が行
なわれる。そして回路28及び29の出力は除算回路3
oに入力され。 ここで(1,−1□’)/(1,+ 12)の除算処理
が行なわれ、前記した式■によるAIeている。従って
、前述の通υ回路3oの出力から被写体M(着たFiN
)の距離D1(または02)が算出される。 lすなわち回路27.28.29は第1図の距離識別回
路7に相当する。回路30の出力は撮影レンズ制御Ll
装ft8に入力され、レンズを適正位置に置き、また表
示回路9に入力されてその距離を表示する点は、既に第
1図に関連して説明されたのでその説明を省略する。 位置検出素子に関連して述べたように、電流+1は、常
に電流120レベル以上である。また受光素子が過大な
反射光を受光した場合に、それを示すのも電流11であ
る。電流11Fi増幅器24と積分器26とにより、そ
の電流が小さいとき一一■■■■高くなり、このため抵
抗23を介してトランジスタ21のエミッタ電流を多く
流し、発光素子2の発光強裏を増す。すなわち、電流+
1 が小さい場合とは受光素子5への反射光の入射光
強度が低い場合であり、これに応じて発光素子20発光
強IB趨して、発光素子5への受光強度が増すことにな
る。従って、トランジスタ21、抵抗23Fi第1図に
おける投光強度制御回路10に相当して′いる。 更に、この回路を設けたことKより、発光強度が高過ぎ
る場合にそれを抑制することができる。即ち、電流11
が過大である場合、積分器26の出力は低(■−一な
り、トランジスタ21へのペース電流が少なくなり、そ
のエミッタ電流が少なくなる。 従って発光素子20発光強Ilか低くなり、受光素子へ
の入射光強am少し、電流−11は減少する。 従って、トランジスタ21.抵抗23及び電流1、用の
増幅器24と積分器26は、受光素子への受光強度を一
定レベルに維持するように作用してベルで発光する従来
の投光手段に比し、電力消費を少なくする°ことができ
る。 なお第4図の回路では受光素子として位置検出素子が用
いられたが、フォトダイオードアレイを用いてもよい、
この場合には、アレイの内の最大信号を投光駆動回路1
に入力すればよい。これにより、1配した位置検出素子
と一様の作用を得ることができる。 本発明によれに1被写体の遠近ある反射率の変化の如何
にかかわらず、確実に被写体までの距離が測定されるだ
けでなく1反射光量が過大である場合には投光手段の光
量を減少させるように作用するので1発光素子での無駄
なエネルギーを消費をなくすことができ電力消費が少な
くなる。また。 受光1kが一定であるので、測距範囲が拡大することに
なり、受光回路の信号もほぼ一定であるので複雑な回路
構成が不要になり製造、調整のためのコストを低減でき
る。
分に入射することから、電極15に出力される電流■1
は電極16に出力される電流12より大きいか1等
しい(後者の場合は被写体が無限遠にある場合である)
。すなわち。 11≧1□ ・・・・・・・・・・・・[相])である
。 第4図は、第1図の測距装置の詳細f示す回路図である
。発光素子2はトランジスタ20によってオンオフされ
るようになっており、トランジスタ21を介して/臂ル
ス発振器22によって制御されている。すなわち、トラ
ンジスタ2】が導通している場合1発光素子20Fiパ
ルス発振器22からのパルスに従ってノ+ルス発光して
いる。これは受光素子5に入射する光を自然光と区別す
るためのものであり、自然光との区別が行なえる場合に
は/9ルス発光でなくともよい。発光素子の光線は近赤
外線が用いられているが、他の光線でもよいことは勿論
である。 トランジスタ21は、発光素子2の発光強度を制御する
ように作用するもので、エミッタ電流が少ない場合1発
光強度が低くなり、逆の場合に発光強1l−1ttll
b くなる。このトランジスタのエミッタ電流は抵抗2
3を介して送られるペース電流によって制御される。 受光素子である位置検出素子からの電流信号11及び1
□は交流演算増幅器24及び25にそれぞれ入力される
。交流増幅器が用いられたのは、発光素子2がパルス発
光しており、これが自然光と区別されるようになってい
るからであ!7゜自然光との区別ができる限り任意の増
幅器でよい。 電流信号l 及び12 は増幅器24及び250反言 転入力に入力されており、増幅器24及び25のV(@
t を減少させるように作用し、各増幅器の出力は電
流信号が大きいとき小さい出力となり、逆の場合に大き
い出力となる。増幅器24及び25の出力は抵抗、コン
デンサ及び増幅器で成る積分器26及び27にそれぞれ
入力されて、交流信号が平滑化されr1流レベル信号と
して出方される。 積分器26及び27の出力は、減算回路28及び加算回
路29に入力され9回j828で(+、−+2)の減算
処理が、回路29で(+、 + 12)の加算処理が行
なわれる。そして回路28及び29の出力は除算回路3
oに入力され。 ここで(1,−1□’)/(1,+ 12)の除算処理
が行なわれ、前記した式■によるAIeている。従って
、前述の通υ回路3oの出力から被写体M(着たFiN
)の距離D1(または02)が算出される。 lすなわち回路27.28.29は第1図の距離識別回
路7に相当する。回路30の出力は撮影レンズ制御Ll
装ft8に入力され、レンズを適正位置に置き、また表
示回路9に入力されてその距離を表示する点は、既に第
1図に関連して説明されたのでその説明を省略する。 位置検出素子に関連して述べたように、電流+1は、常
に電流120レベル以上である。また受光素子が過大な
反射光を受光した場合に、それを示すのも電流11であ
る。電流11Fi増幅器24と積分器26とにより、そ
の電流が小さいとき一一■■■■高くなり、このため抵
抗23を介してトランジスタ21のエミッタ電流を多く
流し、発光素子2の発光強裏を増す。すなわち、電流+
1 が小さい場合とは受光素子5への反射光の入射光
強度が低い場合であり、これに応じて発光素子20発光
強IB趨して、発光素子5への受光強度が増すことにな
る。従って、トランジスタ21、抵抗23Fi第1図に
おける投光強度制御回路10に相当して′いる。 更に、この回路を設けたことKより、発光強度が高過ぎ
る場合にそれを抑制することができる。即ち、電流11
が過大である場合、積分器26の出力は低(■−一な
り、トランジスタ21へのペース電流が少なくなり、そ
のエミッタ電流が少なくなる。 従って発光素子20発光強Ilか低くなり、受光素子へ
の入射光強am少し、電流−11は減少する。 従って、トランジスタ21.抵抗23及び電流1、用の
増幅器24と積分器26は、受光素子への受光強度を一
定レベルに維持するように作用してベルで発光する従来
の投光手段に比し、電力消費を少なくする°ことができ
る。 なお第4図の回路では受光素子として位置検出素子が用
いられたが、フォトダイオードアレイを用いてもよい、
この場合には、アレイの内の最大信号を投光駆動回路1
に入力すればよい。これにより、1配した位置検出素子
と一様の作用を得ることができる。 本発明によれに1被写体の遠近ある反射率の変化の如何
にかかわらず、確実に被写体までの距離が測定されるだ
けでなく1反射光量が過大である場合には投光手段の光
量を減少させるように作用するので1発光素子での無駄
なエネルギーを消費をなくすことができ電力消費が少な
くなる。また。 受光1kが一定であるので、測距範囲が拡大することに
なり、受光回路の信号もほぼ一定であるので複雑な回路
構成が不要になり製造、調整のためのコストを低減でき
る。
第1図は本発明の測距装置のブロック図、第2図は位置
検出素子の側面図、第3図は位置検出素子の動作説明図
、第4図は位置検出素子を用いた場合の測距装置の回路
図である。 1・・・投光駆動回路、2・・・発光素子、3・・・投
射レンズ、4・・・受光レンズ、5・・・受光素子、6
・・・反射光検出回路、7・・・距離識別回路、8・・
・撮影レンズ制御装曾、9・・・表示装會、10・・・
投光強賓制御回路、12・・・抵抗層、13・・・基層
、15・・・発光素子より遠い側の電極、16・・・発
光素子に近い側の電極、17・・・共通電極、22・・
・発振器。 篤1図 手 続 補 正 書 昭和 年W7711−4 8 】、事件の表示 昭和j′lp 年%Wfm第1♂6g
g3号2、発明の名称 カメラの自動測距装置3゜補
正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 56 補正命令の日付 自 発 6 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄8、
補正の内容 (1) 明細書第3TR下からj行目に1受元素子1
とあるを「受光素子あるいにそれに連なる信号処理回路
」と訂正する。 (2) 同曹第6頁第1行に1受元素子41とあるを
「受光素子5」と訂正する。 (3)同書第1/頁下から3行ないし2行に1従って、
各増幅器の・・・・・減少させるように作用り、1とあ
るを「従って、信号1□、12は6増llll5の出力
を基準電圧Vrefより減少させる方向に作用し、」と
訂正する。 (4)同書第1.2頁第14を行に@27.28.29
’とあるをr28,29,30Jと訂正する。 (5)同書@/3頁第1〜j行に1また受光素子が・・
・・・電流が小さいとき高くなり、@とあるを次の通り
訂正する。 「またそれ故に、受光素子が過大な反射ft、を受光し
た場合に、受−yt、q子あるいはそれに遅なる信号処
理回路の許容範囲を越えるのは、電fil の方が早
い段階で達する。さて電流1゜が小さい値であるとき、
増幅5241に介して積分量26の出力1高くなり、」 (6)同誓第1弘真第144行に1遠近ある反射率1と
あるを「遠近あるいは反射率」と訂正する。
検出素子の側面図、第3図は位置検出素子の動作説明図
、第4図は位置検出素子を用いた場合の測距装置の回路
図である。 1・・・投光駆動回路、2・・・発光素子、3・・・投
射レンズ、4・・・受光レンズ、5・・・受光素子、6
・・・反射光検出回路、7・・・距離識別回路、8・・
・撮影レンズ制御装曾、9・・・表示装會、10・・・
投光強賓制御回路、12・・・抵抗層、13・・・基層
、15・・・発光素子より遠い側の電極、16・・・発
光素子に近い側の電極、17・・・共通電極、22・・
・発振器。 篤1図 手 続 補 正 書 昭和 年W7711−4 8 】、事件の表示 昭和j′lp 年%Wfm第1♂6g
g3号2、発明の名称 カメラの自動測距装置3゜補
正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 56 補正命令の日付 自 発 6 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄8、
補正の内容 (1) 明細書第3TR下からj行目に1受元素子1
とあるを「受光素子あるいにそれに連なる信号処理回路
」と訂正する。 (2) 同曹第6頁第1行に1受元素子41とあるを
「受光素子5」と訂正する。 (3)同書第1/頁下から3行ないし2行に1従って、
各増幅器の・・・・・減少させるように作用り、1とあ
るを「従って、信号1□、12は6増llll5の出力
を基準電圧Vrefより減少させる方向に作用し、」と
訂正する。 (4)同書第1.2頁第14を行に@27.28.29
’とあるをr28,29,30Jと訂正する。 (5)同書@/3頁第1〜j行に1また受光素子が・・
・・・電流が小さいとき高くなり、@とあるを次の通り
訂正する。 「またそれ故に、受光素子が過大な反射ft、を受光し
た場合に、受−yt、q子あるいはそれに遅なる信号処
理回路の許容範囲を越えるのは、電fil の方が早
い段階で達する。さて電流1゜が小さい値であるとき、
増幅5241に介して積分量26の出力1高くなり、」 (6)同誓第1弘真第144行に1遠近ある反射率1と
あるを「遠近あるいは反射率」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 被写体に光を投射しその反射光を受光することに
よりカメラから被写体までの距離を決定するカメラの自
動測距装置において、受光素子に入射する被写体からの
反射光の強度によって変化する信号を投光手段へ入力し
、受光素子への入射強度が所定レベルになるように、前
記信号のレベルに応じて投光手段の発光強度を制御する
ことを特徴とするカメラの自動測距装f1r、。 26 受光素子が受光面に抵抗層を有し且つ紋紙抗層
の両側に設けられた電極が1反射光の受光点の位首に従
って変化する信号を出力する形式の位置検出素子である
酌記第1項記載の装置。 S、位置検出素子の中心が受光光学系の光軸に一致して
おシ、#位置検出素子の、投光素子より遠い側にある電
極からの信号が投光手段へ入力されている前記#g2項
記載の装置。 4、 受光素子が7オトダイオードアレイであり。 該アレイの内の最大レベルの信号が投光手段へ入力され
ている前記第1項記載の・装置う
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18588381A JPS5887543A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | カメラの自動測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18588381A JPS5887543A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | カメラの自動測距装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5887543A true JPS5887543A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16178540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18588381A Pending JPS5887543A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | カメラの自動測距装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5887543A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60128412A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Canon Inc | 自動焦点検出装置の発光量制御方法 |
JPS6184617A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Kowa Co | 自動焦点調節装置 |
JPS61109415U (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-11 | ||
US4947202A (en) * | 1988-07-07 | 1990-08-07 | Ricoh Company, Ltd. | Distance measuring apparatus of a camera |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4898826A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-14 | ||
JPS56111838A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-03 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Active distance detecting mechanism of camera |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18588381A patent/JPS5887543A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4898826A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-14 | ||
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