JPS5885501A - Square varistor - Google Patents

Square varistor

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Publication number
JPS5885501A
JPS5885501A JP56184597A JP18459781A JPS5885501A JP S5885501 A JPS5885501 A JP S5885501A JP 56184597 A JP56184597 A JP 56184597A JP 18459781 A JP18459781 A JP 18459781A JP S5885501 A JPS5885501 A JP S5885501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
varistor
rectangular
oxide
zinc oxide
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP56184597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
高見 昭宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56184597A priority Critical patent/JPS5885501A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は角形バリスタ、特に小形でリード線なしのいわ
ゆるチップ形のバリスタに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a rectangular varistor, particularly a so-called chip-shaped varistor which is small and has no lead wires.

近年、酸化亜鉛に微附の酸化ビスマス等の金属酸化物を
添加して、焼結させた電圧非直線抵抗体(バリスタ)が
開発され、その優れた電圧非直線係数、大きな→ノーー
ジ銅m特性を利用して、種々の電子機器を誘導雷等の異
常電圧から保護する役割のために数多く使われている。
In recent years, a voltage nonlinear resistor (varistor) has been developed that is made by adding a small amount of metal oxide such as bismuth oxide to zinc oxide and sintering it. It is widely used to protect various electronic devices from abnormal voltages such as induced lightning.

他方、最近の技術動向を見ると電子機器の小形化、軽量
化か進み、部品の高密度実装化が急速な進歩を見せてい
る。
On the other hand, looking at recent technological trends, electronic devices are becoming smaller and lighter, and the high-density packaging of components is rapidly progressing.

そのため各種電子部品に対しても小形化の要求は強く、
その動向として角形チップと小形棒状のメルフ形への2
方向へ進みつつある。
Therefore, there is a strong demand for miniaturization of various electronic components.
The trend is toward square chips and small rod-like melf-shaped chips.
It's moving in that direction.

本発明はこれらの技術動向にかんがみ、性能の優れた角
形チップバリスタを提供しようとするものである。
In view of these technological trends, the present invention aims to provide a rectangular chip varistor with excellent performance.

従来から酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする電圧非直線
抵抗体で、角板形のバリスタは試みられてきた。それは
第1図に小すように酸化亜鉛を主成分とする角板形の電
圧非直線抵抗体1の端面から相対向する面上に一対の銀
電極2a、2bを形成させたものである。第2図はこの
角板形バリスタの断面図であるか、一般に酸化亜鉛を主
成分とする電圧非直線抵抗体は微細構造的には低抵抗の
酸化亜鉛粒子の回りを尚抵抗の粒界層かとり囲む網目状
構造になっており、バリスタ電圧は電極間の粒界層の直
列数に比例する。そのため、この角板形バリスタにおい
て、電流が素子表面ではなく、素子内部を通るようにす
るためには、第2図で素子厚みtlが素子表面1−の電
極21L、2b間の距離t2よりも小さいことが必要と
なる。これを満足しないと電流は素子表面を流れ、その
場合電流密度か非常に高いものになり、少しの電流で劣
化するという現象を示す。しかもt2〉tlの場合でも
、この角板のバリスタとしての有効長さはt3となり非
常に短かく、角板の大部分がバリスタとしての機能を果
たしていないことになる。また、t2)t+という限度
があるならば角板の形状が限定された時、必然的に素子
厚みtlが限定されることになり、あまりバリスタ電圧
の高い素子ができないことになる。
Conventionally, attempts have been made to create a rectangular plate-shaped varistor using a voltage nonlinear resistor whose main component is zinc oxide (ZnO). As shown in FIG. 1, a pair of silver electrodes 2a and 2b are formed on faces facing each other from the end face of a rectangular plate-shaped voltage nonlinear resistor 1 whose main component is zinc oxide. Figure 2 is a cross-sectional view of this rectangular plate-shaped varistor.In general, a voltage nonlinear resistor whose main component is zinc oxide has a fine structure in which a grain boundary layer of low resistance is formed around the zinc oxide particles. The varistor voltage is proportional to the number of grain boundary layers in series between the electrodes. Therefore, in this square plate-shaped varistor, in order for the current to pass through the inside of the element instead of through the element surface, the element thickness tl must be smaller than the distance t2 between the electrodes 21L and 2b on the element surface 1- in Fig. 2. It needs to be small. If these conditions are not met, current will flow on the surface of the element, in which case the current density will be extremely high, and a small amount of current will cause deterioration. Moreover, even if t2>tl, the effective length of this square plate as a varistor is t3, which is very short, and most of the square plate does not function as a varistor. Furthermore, if there is a limit of t2)t+, when the shape of the square plate is limited, the element thickness tl will inevitably be limited, and an element with a very high varistor voltage cannot be produced.

そこで、本発明はこれらの欠点を解決し、電極間距離と
素子厚みの従来の考え方に拘束されない、性能の優れた
角形のチップバリスタを提供しようとするものである。
Therefore, the present invention aims to solve these drawbacks and provide a rectangular chip varistor with excellent performance that is not constrained by the conventional concept of the distance between electrodes and the thickness of the element.

その手段として、電圧非直線抵抗体の両端周辺部を高抵
抗体にして、電極間側抗体で構成されているので、電流
は素子内部を流れるようにしたものである。
As a means for this purpose, the voltage nonlinear resistor is made of high resistance materials around both ends, and is composed of antibodies on the side between the electrodes, so that current flows inside the element.

以下、本発明を一実施例を示す軍3図および第4図を用
いて説明する。図で3は酸化亜鉛を主成分とする電圧非
直線抵抗体、4aおよ0・4bはその電圧非直線抵抗体
3の両端周辺部に形成された高抵抗部である。5Nおよ
び6bは端面から相対向する而」−に形成した銀等から
なる一対の電極である。
Hereinafter, the present invention will be explained using FIGS. 3 and 4 showing one embodiment. In the figure, reference numeral 3 denotes a voltage nonlinear resistor whose main component is zinc oxide, and numerals 4a and 0.4b denote high resistance parts formed around both ends of the voltage nonlinear resistor 3. 5N and 6b are a pair of electrodes made of silver or the like and formed opposite to each other from the end faces.

次に、この角形バリスタの製造法に−)いて述へる。ま
す、酸化亜鉛(ZnO)に酸化ヒスマス(B1203)
、酸化コバルト(CO2O3)、酸化マンガン(MnO
2)、酸化アンチモン(Sb203)、酸化ケイ素(S
iO2)をそれぞれ0.01〜2.0モル%、酸化フル
ミ=つL (A120s )を0.0001−0.01
モル%添加し、十分に混合した。次いで、混合体を圧縮
成形し、1100〜1350’Cのt晶度で空気中で焼
成した。次に、この焼結体を切断機を使い角板にした。
Next, a method for manufacturing this rectangular varistor will be described. Hismuth oxide (B1203) in zinc oxide (ZnO)
, cobalt oxide (CO2O3), manganese oxide (MnO
2), antimony oxide (Sb203), silicon oxide (Sb203),
0.01 to 2.0 mol% of iO2) and 0.0001 to 0.01 of oxidized fluorine (A120s), respectively.
% by mole was added and mixed thoroughly. The mixture was then compression molded and calcined in air to a t crystallinity of 1100-1350'C. Next, this sintered body was cut into a square plate using a cutting machine.

このようにして得られたのが電圧非直線抵抗体3である
。次いて、酸化ヒスマス(Bi20s ) 65〜70
wt%、酸化ホウ素(B203)10〜20 wt%、
酸化ケイ素(SiO2)2〜ewt%、酸化銀(Agz
O)2〜6wt%、酸化リチウム(Li20)1〜5w
t%を混合し、1000〜12000Gで溶融し、水中
投下でガラス化し、フリ・ノド化したものに有機バイン
ダーを加えて作成したカラスペーストを」二記焼結体(
電圧非直線抵抗体3)の端面および端面周辺部に塗布し
、800〜9000Cで焼付けた。このようにして形成
されたのか1四抵抗部4&、4bである。次に、銀ベー
ス(・を端面から相対向する而」−に塗布し、800〜
8600Gで焼付けて電極6a、5bを形成して角形バ
リスタを作成した。
The voltage nonlinear resistor 3 was thus obtained. Next, hismuth oxide (Bi20s) 65-70
wt%, boron oxide (B203) 10-20 wt%,
Silicon oxide (SiO2) 2~ewt%, silver oxide (Agz
O) 2-6 wt%, lithium oxide (Li20) 1-5 w
t%, melted at 1,000 to 12,000 G, vitrified by dropping into water, and added an organic binder to the free-glued material.
It was applied to the end face and the periphery of the end face of the voltage non-linear resistor 3) and baked at 800 to 9000C. There are four resistor parts 4&, 4b formed in this way. Next, apply it to the silver base (with ・ facing away from the end surface) and apply 800~
Baking was performed at 8600G to form electrodes 6a and 5b to create a rectangular varistor.

このようにして得た角形バリスタの両端周辺部は、リチ
ウム(Li)原子が酸化亜鉛(ZnO)粒子の中へ拡散
し、原子価制御により高抵抗部(”’10+z〜101
5Ω1cm)が形成されており、第4図に示すように電
極間距離t5が素子厚みt4よりも短かくても電流は素
子表面を流れず、素子内部を流れる・しかもこの場合、
バリスタの有効長さはt6となり、第2図のt3と比へ
て非常に大きくなり、サージ電流が流れた時の耐力も大
きくなる。
In the areas around both ends of the rectangular varistor thus obtained, lithium (Li) atoms diffuse into zinc oxide (ZnO) particles, and high resistance areas (''10+z~101) are formed by valence control.
5Ω1cm), and as shown in FIG. 4, even if the interelectrode distance t5 is shorter than the element thickness t4, the current does not flow on the element surface but inside the element.Moreover, in this case,
The effective length of the varistor is t6, which is much larger than t3 in FIG. 2, and the withstand strength when a surge current flows is also increased.

このように本発明の角形バリスタは、酸化亜鉛を主成分
とする電圧非直線抵抗体が宿命的にかかえていたところ
の電極間距離は索子厚みよりも長くなければならないと
いう制約を破ったもので、今後素子がまずます小形化し
ていく」二で非常に有用なものである。
In this way, the rectangular varistor of the present invention breaks the constraint that the distance between the electrodes must be longer than the thickness of the cord, which is a fateful condition of voltage nonlinear resistors whose main component is zinc oxide. This will be extremely useful as elements become increasingly smaller in the future.

なお、」−記の実施V」ではl@J抵抗部を作るのにリ
チウム(Ll)を用いたが、同じように)京1価制御で
茜抵抗になるものなら何でもよい。例えは、銅(Cu)
でも同様の効果が得られる。また、形成手段としてカラ
スペーストの焼付けを用いたが、これもリチウム(Ll
)か酸化亜鉛(ZnO)粒子の中へ拡散し、旨抵抗体に
するものなら何でもよいことは言うまでもない。
In addition, although lithium (Ll) was used to make the l@J resistance part in "Implementation V" described in "-," any material that can be used as a madder resistor under K1 valence control may be used. For example, copper (Cu)
But you can get the same effect. In addition, we used color paste baking as a forming means, but this is also lithium (Ll).
), or diffuses into zinc oxide (ZnO) particles to form a resistor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来における角形バリスタの斜視図、第2図は
同断面図、第3図は本発明に係る角形バリスクの一実施
例を示す斜視図、第4図は同断面図である。 3・・−電圧非直線抵抗体、4a、4b−・ 高抵抗部
、52L、5b・ ・電極。 代理人の氏名 弁用1士 中 尾 敏 男 ばか1名第
2図 第3図 第4図 f 3−
FIG. 1 is a perspective view of a conventional square varistor, FIG. 2 is a sectional view thereof, FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment of a square varistor according to the present invention, and FIG. 4 is a sectional view thereof. 3...-Voltage nonlinear resistor, 4a, 4b--High resistance part, 52L, 5b... Electrode. Name of agent Benyo 1st person Toshi Nakao Male Baka 1 person Figure 2 Figure 3 Figure 4 f 3-

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする角板状の
電圧非直線抵抗体の両端周辺部に高抵抗部を形成し、端
面から相対向する向上に一対の電極を形成した角形バリ
スタ。
(1) A rectangular varistor in which high resistance parts are formed around both ends of a rectangular plate-shaped voltage nonlinear resistor whose main component is zinc oxide (ZnO), and a pair of electrodes are formed on opposite sides of the end face.
(2)  リチウム(Ll)を含むホウ珪酸ビスマスガ
ラスベース]・を焼付けることにより高抵抗部を形成し
てなる特許請求の範囲第1項記載の角形バリスタ。
(2) A rectangular varistor according to claim 1, wherein the high resistance portion is formed by baking a bismuth borosilicate glass base containing lithium (Ll).
JP56184597A 1981-11-17 1981-11-17 Square varistor Pending JPS5885501A (en)

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ID=16155989

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JP (1) JPS5885501A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59175704A (en) * 1983-03-25 1984-10-04 富士電機株式会社 Voltage nonlinear resistance porcelain
JP2004095739A (en) * 2002-08-30 2004-03-25 Meidensha Corp Method of manufacturing voltage nonlinear resistor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59175704A (en) * 1983-03-25 1984-10-04 富士電機株式会社 Voltage nonlinear resistance porcelain
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