JPS588486B2 - プログラムカノウナカイセツゴウシ - Google Patents
プログラムカノウナカイセツゴウシInfo
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- JPS588486B2 JPS588486B2 JP49074195A JP7419574A JPS588486B2 JP S588486 B2 JPS588486 B2 JP S588486B2 JP 49074195 A JP49074195 A JP 49074195A JP 7419574 A JP7419574 A JP 7419574A JP S588486 B2 JPS588486 B2 JP S588486B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/091—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect based on magneto-absorption or magneto-reflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/22—Processes or apparatus for obtaining an optical image from holograms
- G03H1/2294—Addressing the hologram to an active spatial light modulator
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明はプログラム可能な回折格子に係り,殊に磁気的
ストライプ・ドメインを支持する能力を有している磁気
材料製のフイルム層と、直交DC磁界成分を発生する手
段であって個別にアドレス可能なセルからなるマトリク
スに配置された手段と、AC磁界を発生する手段とを具
備している、プログラム可能な回折格子に係る。
ストライプ・ドメインを支持する能力を有している磁気
材料製のフイルム層と、直交DC磁界成分を発生する手
段であって個別にアドレス可能なセルからなるマトリク
スに配置された手段と、AC磁界を発生する手段とを具
備している、プログラム可能な回折格子に係る。
デイジタルコンピュータを使用するフーリエ変換技術に
よる如き、例えば航空写真の像処理は従来から周知であ
る.しかし乍ら、斯かる像に関しては高度に洗練された
処理を必要とするので、当該処理を施こすためには不合
理な程長期に亘りコンピュータを作動させねばならない
。
よる如き、例えば航空写真の像処理は従来から周知であ
る.しかし乍ら、斯かる像に関しては高度に洗練された
処理を必要とするので、当該処理を施こすためには不合
理な程長期に亘りコンピュータを作動させねばならない
。
従って、コンピュータ操作を最小化してリアルタイムに
航空写真を処理し得るようになすことが望ましい。
航空写真を処理し得るようになすことが望ましい。
文献「The Ultimate ComputerB
IEEE Spec−trum,第84−91頁(1
972年3月)を参照され度い。
IEEE Spec−trum,第84−91頁(1
972年3月)を参照され度い。
本発明はホログラフ技術を利用して、リアルタイムの光
学的処理システムで像を処理しようとするものである。
学的処理システムで像を処理しようとするものである。
一方、本出願人の出願に係る特願昭46−8344号(
特開昭46−1640号、米国特許第3752563号
)には、磁気フイルムのストライプ・ドメイン間のドメ
イン壁を回折格子として利用する光偏向システムが開示
されている。
特開昭46−1640号、米国特許第3752563号
)には、磁気フイルムのストライプ・ドメイン間のドメ
イン壁を回折格子として利用する光偏向システムが開示
されている。
該システムには、隣接ドメインの分離及び平行ストライ
プ・ドメインの回転可能な配向を変化させる手段が設け
られている。
プ・ドメインの回転可能な配向を変化させる手段が設け
られている。
このシステムは、フィルム面に指向された光線の焦点を
カー効果乃至ファラデイ効果によって制御するのに利用
されている。
カー効果乃至ファラデイ効果によって制御するのに利用
されている。
発明の概要
本発明は上記特願昭46−8344号に係る発明の改良
発明と見做されるべき発明に係るものであって、上記特
許願に開示されているシステムを複数個のストリップラ
イン・アレーを有するシステムに拡張して、フイルムの
各部におけるドメイン壁の分離と配向の制御を個々に且
つ選択的になし得るようにするものである。
発明と見做されるべき発明に係るものであって、上記特
許願に開示されているシステムを複数個のストリップラ
イン・アレーを有するシステムに拡張して、フイルムの
各部におけるドメイン壁の分離と配向の制御を個々に且
つ選択的になし得るようにするものである。
フイルムの各部におけるドメイン壁の分離と配向に関す
るこの選択的制御は間隔と配向とを実際上連続的に変化
させてドメイン壁が任意の形状となるのを可能にする.
種々形状でのドメイン壁配置が種々の像処理機能をもた
らすのである。
るこの選択的制御は間隔と配向とを実際上連続的に変化
させてドメイン壁が任意の形状となるのを可能にする.
種々形状でのドメイン壁配置が種々の像処理機能をもた
らすのである。
好適な実施例の説明
第1図には、本発明を具体化する電気的に変更できる回
折格子10の透視図が示されている。
折格子10の透視図が示されている。
格子10は、プレーナ表面から近い方から挙げられた以
下のコンポーネント部品から成る。
下のコンポーネント部品から成る。
(a) X及びY方向磁界発生用の、夫々X及びY素
子のプレーナ・マトリクス・アレイ12、それらの素子
の各々は平行なストリツプライン13の一組から成って
いる; X素子ストリップラインはY素子ストリップラインに重
ねて直角に置かれており、その結果X及びY素子に接続
される電流によって格子10の表面全体に直角なX及び
Y方向磁界が発生する。
子のプレーナ・マトリクス・アレイ12、それらの素子
の各々は平行なストリツプライン13の一組から成って
いる; X素子ストリップラインはY素子ストリップラインに重
ねて直角に置かれており、その結果X及びY素子に接続
される電流によって格子10の表面全体に直角なX及び
Y方向磁界が発生する。
その様な素子は誘電体基板を被覆しダブル・カッパ−(
a double copper)から、周知の化学
的エツチングの方法によって形成されてもよい。
a double copper)から、周知の化学
的エツチングの方法によって形成されてもよい。
(b) X及びY素子のマトリクス・アレイの或る関
連したX,Y素子へ夫々のX及びYの選択ラインを結合
するため多層印刷回路板構造から成る相互交叉マトリク
ス14。
連したX,Y素子へ夫々のX及びYの選択ラインを結合
するため多層印刷回路板構造から成る相互交叉マトリク
ス14。
(C) ストリップラインに一番近いフイルム18の
一側にデポジットされたオプテイカル・ミラー16。
一側にデポジットされたオプテイカル・ミラー16。
(d) 前述のE . J . Torok他による
特許出願の中で論じられている様な、例えばYIGクリ
スタルのストライプ・ドメイン・フイルム層18.フイ
ルム層18は格子10のプレーナ寸法全体に亘ってむし
ろ連続的な層である。
特許出願の中で論じられている様な、例えばYIGクリ
スタルのストライプ・ドメイン・フイルム層18.フイ
ルム層18は格子10のプレーナ寸法全体に亘ってむし
ろ連続的な層である。
そしてその個個の部分は、事実、ストライプ・ドメイン
の分離と方位がフイルム上のDC磁界の強さと方向に変
化を与えることによって変えられる処のオプテイカル・
セルを形成するためにアレイ12の重ねられたX及びY
素子と夫々関連している。
の分離と方位がフイルム上のDC磁界の強さと方向に変
化を与えることによって変えられる処のオプテイカル・
セルを形成するためにアレイ12の重ねられたX及びY
素子と夫々関連している。
フイルム層18に於けるヒステリシスは同時に格子10
の面に対して直角をなして向けられるACテイツクル(
tickle )磁界によって消去される。
の面に対して直角をなして向けられるACテイツクル(
tickle )磁界によって消去される。
特に第2図には、重ねて結合されたX素子22及びY素
子24に特に誘導的に結合される処の第1図のフイルム
層18の部分であるフイルム26、単一の重ねられるX
素子22及びY素子24によって形成される典型的なオ
プテイカル・セル20が示されている。
子24に特に誘導的に結合される処の第1図のフイルム
層18の部分であるフイルム26、単一の重ねられるX
素子22及びY素子24によって形成される典型的なオ
プテイカル・セル20が示されている。
更に第2図には、夫々関連したX方向磁界Hx及びY方
向磁界HYを発生させるためX素子22及びY素子24
に結合されるX及びY選択電流源である処の電流信号源
23及び25が示されている。
向磁界HYを発生させるためX素子22及びY素子24
に結合されるX及びY選択電流源である処の電流信号源
23及び25が示されている。
磁界Hx及びHYは、フイルム26に誘導的に結合され
ており、フイルム26の平面上で直交ベクトル磁界HX
及びHYの極性及び大きさのベクトルの合成として生じ
た磁界HRを発生させる。
ており、フイルム26の平面上で直交ベクトル磁界HX
及びHYの極性及び大きさのベクトルの合成として生じ
た磁界HRを発生させる。
この様にしてベクトル磁界HX及びHYの極性及び大き
さを絶えず変化させることによってフイルム26の平面
にあらゆる所望の方向及び大きさのDC合成磁界HR,
を発生させることができる。
さを絶えず変化させることによってフイルム26の平面
にあらゆる所望の方向及び大きさのDC合成磁界HR,
を発生させることができる。
X素子22及びY素子24は、4本の平行線、例えば線
22e,22fに結合される平行な22a,22 b
,22c ,22dから成っているように図示されてい
る。
22e,22fに結合される平行な22a,22 b
,22c ,22dから成っているように図示されてい
る。
更に磁界HX及びHYを与えている間フイルム26のヒ
ステリシスを消去するためにフイルム26の平面に対し
、直角あるいは垂直であるACテイツクル磁界HT.の
源28が示されている。
ステリシスを消去するためにフイルム26の平面に対し
、直角あるいは垂直であるACテイツクル磁界HT.の
源28が示されている。
特に第3図には、フイルム26の平面に於て、同時に供
給されるDC直交磁界HXとHY及びフイルム26の平
面に対し直角に供給されるAC磁界HTの理想的なタイ
ミング図が示されている。
給されるDC直交磁界HXとHY及びフイルム26の平
面に対し直角に供給されるAC磁界HTの理想的なタイ
ミング図が示されている。
示されている如く、各々があらゆる種々の可能な極性及
び大きさであってもよい磁界Hx及びHYは、ほとんど
同時に開始及び終結されてよい。
び大きさであってもよい磁界Hx及びHYは、ほとんど
同時に開始及び終結されてよい。
一方減衰する振幅のACテイツクル磁界HTは磁界HX
及びHYの開始時でのみ起こる。
及びHYの開始時でのみ起こる。
第4図は、関連したベクトル4/a 4/iによって
示される関連したドメイン壁方位が形成されるフイルム
26a−26iのXYアレイから成る格子40の概要図
である。
示される関連したドメイン壁方位が形成されるフイルム
26a−26iのXYアレイから成る格子40の概要図
である。
夫々関連したフイルム26a−26iの夫々に於けるか
ゝるベクトル41a−41iは壁分離を変化させること
によって分離される処の隣接するドメイン壁42,43
44,45のほとんど連続的な曲線に沿って方位づけら
れるものとして示されている。
ゝるベクトル41a−41iは壁分離を変化させること
によって分離される処の隣接するドメイン壁42,43
44,45のほとんど連続的な曲線に沿って方位づけら
れるものとして示されている。
サイズを考慮するために、夫々のフイルム26a−26
iは、隣接する線4 2−4 5間の分離を変化させる
ことによって図で示される夫々のフイルム26a−26
iの壁分離の変化を伴って関連した連続線42−45に
沿って方位づけられている単一のドメイン壁を有するも
のとして説明されている。
iは、隣接する線4 2−4 5間の分離を変化させる
ことによって図で示される夫々のフイルム26a−26
iの壁分離の変化を伴って関連した連続線42−45に
沿って方位づけられている単一のドメイン壁を有するも
のとして説明されている。
フイルム26は格子10の上で連続的に存在し、そして
X及びY素子は限定されている距離をフイルム26から
分離されるので、フイルム26a 26iの夫々の合
成磁界HRは、フイルム26の平面上でならされる。
X及びY素子は限定されている距離をフイルム26から
分離されるので、フイルム26a 26iの夫々の合
成磁界HRは、フイルム26の平面上でならされる。
この様にして、フイルム26a−26iの夫々のドメイ
ン壁方位は,隣接フイルム26a−26iの方位によっ
て影響されて壁間分離が変化する実質的に連続的な曲線
ドメイン壁の形状を発生させ、これらの全ては夫夫関連
したX及びY素子に結合された、選択電流Ix及び■Y
の夫々の極性及び大きさとに応じて決定される・・・第
2図参照。
ン壁方位は,隣接フイルム26a−26iの方位によっ
て影響されて壁間分離が変化する実質的に連続的な曲線
ドメイン壁の形状を発生させ、これらの全ては夫夫関連
したX及びY素子に結合された、選択電流Ix及び■Y
の夫々の極性及び大きさとに応じて決定される・・・第
2図参照。
第5図を特に参照すると、特にフイルム26eに関して
第4図のドメイン壁43.44の間に存在し得るドメイ
ン壁のある例についての概要図が示されている。
第4図のドメイン壁43.44の間に存在し得るドメイ
ン壁のある例についての概要図が示されている。
第5図には、フイルム26eが、ドメイン壁43と44
との間に別の三つのドメイン壁43a,b,cを有する
ものとして示されており、隣接ドメイン壁間の各ドメイ
ンは、それに関連した磁化ベクトル50,51 ,52
,53を有するものとして示されている。
との間に別の三つのドメイン壁43a,b,cを有する
ものとして示されており、隣接ドメイン壁間の各ドメイ
ンは、それに関連した磁化ベクトル50,51 ,52
,53を有するものとして示されている。
第4図のドメイン壁方位43,45を有するフイルム2
6eは、それらドメイン壁間に第5図に示されているよ
りも多いか或るいは少ない数のドメイン壁を有すること
ができるということが認められるはずである。
6eは、それらドメイン壁間に第5図に示されているよ
りも多いか或るいは少ない数のドメイン壁を有すること
ができるということが認められるはずである。
そして、それは、変化する壁分離及び方向を持ったほと
んど連続的曲線のドメイン壁を示すために提示されてい
る。
んど連続的曲線のドメイン壁を示すために提示されてい
る。
第6図は、プログラム可能な回折格子システム60のブ
ロック図であって、それは格子62のストライプ・ドメ
イン・フイルム層をして壁間分離と方位とが変化する実
質的に連続した曲線ドメイン壁をその中に生ぜしめる。
ロック図であって、それは格子62のストライプ・ドメ
イン・フイルム層をして壁間分離と方位とが変化する実
質的に連続した曲線ドメイン壁をその中に生ぜしめる。
制御器64は、第2及び第3図で詳細に論じられた方法
で、格子62中のXYアレイに於て形成されるオプテイ
カル・セルの夫々に選択された大きさ及び極性のX及び
Y選択電流士IX及び±IYを選択的に連結するために
、Xセレクト66、Yセレクト68及びAC源70を制
御する.かゝるシステムは、オプテイカル・セルのフイ
ルムのXYアレイによって形成されるプレーナ・ストラ
イプ・ドメイン・フイルムに於て、あらゆる所望の形の
ドメイン壁の配置を形成するために夫々対応するオプテ
イカル・セルの各々のフイルム素子の平面に於て、各合
成DC磁界HRの方位、大きさ及び極性を選択的に決定
する。
で、格子62中のXYアレイに於て形成されるオプテイ
カル・セルの夫々に選択された大きさ及び極性のX及び
Y選択電流士IX及び±IYを選択的に連結するために
、Xセレクト66、Yセレクト68及びAC源70を制
御する.かゝるシステムは、オプテイカル・セルのフイ
ルムのXYアレイによって形成されるプレーナ・ストラ
イプ・ドメイン・フイルムに於て、あらゆる所望の形の
ドメイン壁の配置を形成するために夫々対応するオプテ
イカル・セルの各々のフイルム素子の平面に於て、各合
成DC磁界HRの方位、大きさ及び極性を選択的に決定
する。
第6図のシステムは、すべてのオプテイカル・セルに選
択電流が同時に用いられる変化し易い配置で、或いは強
固な保磁性のフイルムが用いられそしてまた選択電流が
夫々のオプテイカル・セルに順次に用いられるような変
化しない配置のどちらかの方法で行われてもよい。
択電流が同時に用いられる変化し易い配置で、或いは強
固な保磁性のフイルムが用いられそしてまた選択電流が
夫々のオプテイカル・セルに順次に用いられるような変
化しない配置のどちらかの方法で行われてもよい。
先のE , J , Torok他による特許出願で論
じられた様に、例えばYIGクリスタルの磁化可能なフ
イルム層18は多数のストライプ・ドメインに於て配列
された磁化を有している。
じられた様に、例えばYIGクリスタルの磁化可能なフ
イルム層18は多数のストライプ・ドメインに於て配列
された磁化を有している。
フイルム18はファラデー効果型のものでもカー効果型
のものであってもよい。
のものであってもよい。
然し乍ら、第5図に於てより詳細に説明された如く、複
数の実質的に平行なストライプ・ドメイン内にその磁化
方向を配列させるような磁化特性を有していなければな
らない。
数の実質的に平行なストライプ・ドメイン内にその磁化
方向を配列させるような磁化特性を有していなければな
らない。
隣接したストライプ・ドメインは夫々ドメイン壁、例え
ば43C、によって分離されており、そしてフイルムの
平面にある角度で、反対方向、上・下、に整列された夫
々の磁化を有しており、それらの平均磁化は、磁化ベク
トル52及び53により示された如くフイルム平面に整
列される。
ば43C、によって分離されており、そしてフイルムの
平面にある角度で、反対方向、上・下、に整列された夫
々の磁化を有しており、それらの平均磁化は、磁化ベク
トル52及び53により示された如くフイルム平面に整
列される。
適当な極性及び大きさの合成DC磁界HR及びフィルム
のドメイン壁に対して直角であるような、同時に生ずる
ACテイツクル磁界HTを供給することによって、スト
ライプ・ドメイン壁方位及び分離は選択的に制御されて
得る。
のドメイン壁に対して直角であるような、同時に生ずる
ACテイツクル磁界HTを供給することによって、スト
ライプ・ドメイン壁方位及び分離は選択的に制御されて
得る。
この様にして、大きさが減少傾向にあるフイルム上の磁
気ベクトルと即ち平行に、合成DC磁界HRを供給する
ことによって壁分離は減少する。
気ベクトルと即ち平行に、合成DC磁界HRを供給する
ことによって壁分離は減少する。
しかし大きさが増加すると壁分離は増加する。
逆に、仮に合成DC磁界HRが、大きさが減少傾向にあ
るフイルム上の磁気ベクトルと反対方向に逆平行である
と、壁分離は増加する。
るフイルム上の磁気ベクトルと反対方向に逆平行である
と、壁分離は増加する。
しかし大きさが増加すると壁分離は減少する。
そして前述の如く合成DC磁界HRの方位は、フイルム
の平面に於てドメイン壁の方位を決定する。
の平面に於てドメイン壁の方位を決定する。
これらの関係を用いると第6図の該システムは格子62
に於ける多くのドメイン壁配置を達成するために用いら
れ得る。
に於ける多くのドメイン壁配置を達成するために用いら
れ得る。
上述された様に,本発明の格子はオプテイカル処理シス
テムに於て用いられることが意図されている.このよう
にして、変化する壁分離及び方位のほとんど連続的な曲
線のドメイン壁の種々な配置の、種々の回折格子配置は
、空中写真或いはレーダ写真のリアル・タイム処理を形
成するために用いられてもよい。
テムに於て用いられることが意図されている.このよう
にして、変化する壁分離及び方位のほとんど連続的な曲
線のドメイン壁の種々な配置の、種々の回折格子配置は
、空中写真或いはレーダ写真のリアル・タイム処理を形
成するために用いられてもよい。
第7a−7f図を参照すると、関連した図と共に示され
た如く、特定のオプテイカル・処理作業を遂行するため
のいくつかの典型的な格子配置が示されている。
た如く、特定のオプテイカル・処理作業を遂行するため
のいくつかの典型的な格子配置が示されている。
本発明は以下の如く実施される。
(1)、プログラム可能な回折格子であって、以下の要
素から成る。
素から成る。
オプテイカル・セルのアレイ、各オプテイカル・セルは
以下を含む。
以下を含む。
プレーナ・ストライプ・ドメイン・フイルム素子、
前記フイルム素子中に、予じめ定められた可変の方位及
び大きさの合成DC磁界を発生するための選択手段、 前記オプテイカル・セルのアレイにAC磁界を誘導的に
結合するための手段、 前記オプテイカル・セルのアレイのフイルム素子中に、
変化する壁分離のほとんど連続的な曲線のドメイン壁の
配置を発生させるため、前記フイルム素子の夫々の平面
に各合成DC磁界の特に方位と大きさとを決定するため
に前記選択手段を制御する制御手段。
び大きさの合成DC磁界を発生するための選択手段、 前記オプテイカル・セルのアレイにAC磁界を誘導的に
結合するための手段、 前記オプテイカル・セルのアレイのフイルム素子中に、
変化する壁分離のほとんど連続的な曲線のドメイン壁の
配置を発生させるため、前記フイルム素子の夫々の平面
に各合成DC磁界の特に方位と大きさとを決定するため
に前記選択手段を制御する制御手段。
(2)、前記AC磁界が、前記フイルム素子の平面に対
して、ほとんど垂直に方向づけられる処の(1)の格子
。
して、ほとんど垂直に方向づけられる処の(1)の格子
。
(3)、前記AC磁界が、前記合成DC磁界を最初に与
える間、前記フイルム素子のヒステリシスを消去するに
充分な大きさを有する処の(1)の格子1(4)、前記
AC磁界が、前記ドメイン壁に対しほとんど垂直に方向
づけられる処の(1)の格子。
える間、前記フイルム素子のヒステリシスを消去するに
充分な大きさを有する処の(1)の格子1(4)、前記
AC磁界が、前記ドメイン壁に対しほとんど垂直に方向
づけられる処の(1)の格子。
(5)、前記オプテイカル・セルのアレイのフイルム素
子が、連続的な層の個々の部分である処の(1)の格子
。
子が、連続的な層の個々の部分である処の(1)の格子
。
(6)、プログラム可能な回折格子であって、以下の要
素から成る。
素から成る。
X素子を生じるX方向磁界のプレーナ・マトリクス・ア
レイ; Y素子を生じるY方向磁界のプレーナ・マトリクス・ア
レイ; 相互に作用するX及びY方向磁界配置に配列された夫々
の前記X及びY素子の相互に作用するものゝ対; 前記X素子の選択された1つに選択可能な極性及び振幅
のY選択電流を選択的に結合するため、前記Y素子の夫
々に選択的に結合されたY電流源選択手段; 複数の共同プレーナ・ストライプ・ドメイン・フイルム
素子、XYオプテイカル・セルを形成するため前記相互
に作用するX及びY素子の分離した一対にのみ誘導的に
結合された分離したもの; ストライプ・ドメイン・フイルム素子を誘導的に結合さ
れたものX平面に於て、予じめ定められた可変の方位及
び大きさの合成DC磁界HRを発生させるため、前記相
互に作用するX及びY素子の前記対の選択された1つに
選択された極性及び振幅の選択されたX及びY選択電流
を同時に結合するため前記X及びY電流源選択手段を同
時に制御する電流制御手段; 前記複数の共同プレーナ・ストライプ・ドメイン・フイ
ルム素子に於て、ほとんど連続的可変のストライプ・ド
メイン壁分離の選択された配置を発生させるため、前記
XYオプテイカル・セルに誘導的に結合され、そして関
連した合成DC磁界HRと協働するAC磁界手段。
レイ; Y素子を生じるY方向磁界のプレーナ・マトリクス・ア
レイ; 相互に作用するX及びY方向磁界配置に配列された夫々
の前記X及びY素子の相互に作用するものゝ対; 前記X素子の選択された1つに選択可能な極性及び振幅
のY選択電流を選択的に結合するため、前記Y素子の夫
々に選択的に結合されたY電流源選択手段; 複数の共同プレーナ・ストライプ・ドメイン・フイルム
素子、XYオプテイカル・セルを形成するため前記相互
に作用するX及びY素子の分離した一対にのみ誘導的に
結合された分離したもの; ストライプ・ドメイン・フイルム素子を誘導的に結合さ
れたものX平面に於て、予じめ定められた可変の方位及
び大きさの合成DC磁界HRを発生させるため、前記相
互に作用するX及びY素子の前記対の選択された1つに
選択された極性及び振幅の選択されたX及びY選択電流
を同時に結合するため前記X及びY電流源選択手段を同
時に制御する電流制御手段; 前記複数の共同プレーナ・ストライプ・ドメイン・フイ
ルム素子に於て、ほとんど連続的可変のストライプ・ド
メイン壁分離の選択された配置を発生させるため、前記
XYオプテイカル・セルに誘導的に結合され、そして関
連した合成DC磁界HRと協働するAC磁界手段。
(7)、前記AC磁界が、前記フイルム素子の平面に対
して、ほとんど垂直に方向づけられる処の(6)の格子
。
して、ほとんど垂直に方向づけられる処の(6)の格子
。
(8)、前記フイルム素子が連続的な層の個々の部分で
ある処の(6)の格子。
ある処の(6)の格子。
(9)、磁気的ストライプ・ドメインを支持することの
できる磁性材料のフイルムと、該フイルムにAC磁界を
発生する手段と、該フイルム平面内にDC磁界を発生す
る別個にアドレス可能なセルのマトリクス状に配列され
た手段とを含み、それによって該DC磁界の強度と方位
とが該フイルムの異なる部分に於て変化せしめられて異
なった像転送学格子を発生することができるところの、
プログラム可能な回折格子。
できる磁性材料のフイルムと、該フイルムにAC磁界を
発生する手段と、該フイルム平面内にDC磁界を発生す
る別個にアドレス可能なセルのマトリクス状に配列され
た手段とを含み、それによって該DC磁界の強度と方位
とが該フイルムの異なる部分に於て変化せしめられて異
なった像転送学格子を発生することができるところの、
プログラム可能な回折格子。
(10)上記(9)記載のプログラム可能な回折格子で
あって、上記フイルムが該DC磁界の発生される複数の
セルに亘って連続した一つの磁性層を含んでいるところ
のもの。
あって、上記フイルムが該DC磁界の発生される複数の
セルに亘って連続した一つの磁性層を含んでいるところ
のもの。
(11)上記(9)又は(10)記載のプログラム可能
な回折格子であって、上記AC磁界が該フイルム平面に
実質的に垂直に与えられているところのもの。
な回折格子であって、上記AC磁界が該フイルム平面に
実質的に垂直に与えられているところのもの。
第1図は、本発明のプログラム可能な回折格子の透視図
である。 第2図は、第1図の格子のオプテイカル・セルのXYマ
トリクス・アレイの単一のオプテイカル・セルを図示し
たものである。 第3図は、本発明で用いられる典型的な駆動磁界の波形
及びそのタイミングの図である。 第4図は、典型的なドメイン壁及び磁化ベクトル方位を
もった第1図の格子の9つのオプテイカル・セルのXY
アレイの図である。 第5図は、第4図で概略的に示されたドメイン壁及び磁
化方位をより詳細に説明している第4図の単一のフイル
ム素子の図である。 第6図は,本発明を具体化するプログラム可能な回折格
子のブロック図である。 第7a−7f図は、本発明の格子によって得られるかも
しれない種々の格子の形態の図である。 符号説明、10:格子、12:プレーナ・マトリクス・
アレイ、13:ストリップライン、14:相互交叉マト
リクス、16:オプテイカル・ミラー、18:フイルム
、20:オプテイカル・セル、22:X素子、23,2
5:電流信号源、24:Y素子、26:フイルム、40
:格子、41:ベクトル、42〜45:ドメイン壁、5
0〜53:磁化ベクトル、62:格子、64:制御器、
66:Xセレクト、68:Yセレクト、70:AC源。
である。 第2図は、第1図の格子のオプテイカル・セルのXYマ
トリクス・アレイの単一のオプテイカル・セルを図示し
たものである。 第3図は、本発明で用いられる典型的な駆動磁界の波形
及びそのタイミングの図である。 第4図は、典型的なドメイン壁及び磁化ベクトル方位を
もった第1図の格子の9つのオプテイカル・セルのXY
アレイの図である。 第5図は、第4図で概略的に示されたドメイン壁及び磁
化方位をより詳細に説明している第4図の単一のフイル
ム素子の図である。 第6図は,本発明を具体化するプログラム可能な回折格
子のブロック図である。 第7a−7f図は、本発明の格子によって得られるかも
しれない種々の格子の形態の図である。 符号説明、10:格子、12:プレーナ・マトリクス・
アレイ、13:ストリップライン、14:相互交叉マト
リクス、16:オプテイカル・ミラー、18:フイルム
、20:オプテイカル・セル、22:X素子、23,2
5:電流信号源、24:Y素子、26:フイルム、40
:格子、41:ベクトル、42〜45:ドメイン壁、5
0〜53:磁化ベクトル、62:格子、64:制御器、
66:Xセレクト、68:Yセレクト、70:AC源。
Claims (1)
- 1 磁気的ストライプ・ドメインを支持する能力を有し
ている磁気材料製のフイルム層18と、直交DC磁界成
分(Hx及びHy)を発生する手段であって個別にアド
レス可能なセル20からなるマトリクスに配置された手
段12,22,23,24,25と、AC磁界を発生す
る手段28とを具備しているプログラム可能な回折格子
においてDC磁界成分を発生する上記手段12,22,
23,24,25が各セル20につき当該セルにのみ関
連づけられた2つの電流源23及び25を具備しており
、該電流源の出力電流(±Ix及び±Iy)を強度及び
極性の両者について従って当該電流により発生せしめら
れる直交DC磁界成分(Hx及びHy)の強度及び方法
について選択することができ、これによって各セル20
に印加される生成DC磁界HRを磁気材料製フイルム層
の異なる部分において所望の強度及び方位となして種種
の像転送光学格子を発生させることができ、且つAC磁
界を発生する上記手段28がAC減衰磁界を発生するよ
うに配置されていることを特徴とする、プログラム可能
な回折格子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US375255A US3861784A (en) | 1973-06-29 | 1973-06-29 | Programmable diffraction grating |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5034555A JPS5034555A (ja) | 1975-04-02 |
JPS588486B2 true JPS588486B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=23480155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49074195A Expired JPS588486B2 (ja) | 1973-06-29 | 1974-06-28 | プログラムカノウナカイセツゴウシ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3861784A (ja) |
JP (1) | JPS588486B2 (ja) |
DE (1) | DE2430619A1 (ja) |
FR (1) | FR2235378B1 (ja) |
GB (1) | GB1481841A (ja) |
IT (1) | IT1015253B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4246549A (en) * | 1977-10-04 | 1981-01-20 | Sperry Rand Limited | Magneto-optical phase-modulating devices |
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-
1974
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- 1974-06-25 FR FR7422061A patent/FR2235378B1/fr not_active Expired
- 1974-06-26 DE DE2430619A patent/DE2430619A1/de not_active Ceased
- 1974-06-28 GB GB28822/74A patent/GB1481841A/en not_active Expired
- 1974-06-28 JP JP49074195A patent/JPS588486B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2235378A1 (ja) | 1975-01-24 |
DE2430619A1 (de) | 1975-01-16 |
US3861784A (en) | 1975-01-21 |
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