JPS5879220A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPS5879220A JPS5879220A JP56177523A JP17752381A JPS5879220A JP S5879220 A JPS5879220 A JP S5879220A JP 56177523 A JP56177523 A JP 56177523A JP 17752381 A JP17752381 A JP 17752381A JP S5879220 A JPS5879220 A JP S5879220A
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- JP
- Japan
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- film
- liquid crystal
- light
- lambda
- thickness
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レーずＫよる高精度ディスプレイ装置に関
するものである。
するものである。
コンビーータの端末装置に使われるディスプレイ装置は
コンビ＾−夕の大容量と機能の向上によｐ、ますます高
精度の分解能會必要とされている。特に３ンビーータを
用い大画像処理や新聞紙面の編集、Ｌ８Ｉの設計では高
精度でかつ部分的に書き加え可能なディスプレイが望ま
れている。従来から用いられているＣＲＴの分解能を２
０００本以上に上けるととｔｊｌｌ！シ＜、このような
ディスプレイに適した装置は得られていない。退部、こ
のようなディスプレイ装置として液晶ヘレーザで熱書き
込みするブイスプレィが有望視されており、この熱書き
込み液晶ディスプレイについては、例えば雑誌［グロシ
ーディング・オプ・ザ・ニス・アイ・デー（Ｐｒｏｅｅ
ｅｄｉ■ｏｆ ｔｈ＠８．１． Ｄ）Ｊ １０００年１
〜７頁Ｋｌｅ執の論文［レーザ選択液晶投射ディスプレ
イ（ＬＡＳＥＲ−ムＤＤＲＫ８８ＥＤ ＬＩＱＵＩＤ
ＣＲＹＳＴＡＬＰＲＯＪｌｃＣＴＩＯＮ ＤＩ！ＩＰＬ
ＡＹ８）Ｋ 詳しく述べられている。この論文によれ
ｄ％第１図に示すような液晶ライトパルプＩＯＫレーザ
光１による走査で画像を記脅し、投ｉ光１２を入對、反
射させて上記ｉｊ俸をディスプレイすることができる。
コンビ＾−夕の大容量と機能の向上によｐ、ますます高
精度の分解能會必要とされている。特に３ンビーータを
用い大画像処理や新聞紙面の編集、Ｌ８Ｉの設計では高
精度でかつ部分的に書き加え可能なディスプレイが望ま
れている。従来から用いられているＣＲＴの分解能を２
０００本以上に上けるととｔｊｌｌ！シ＜、このような
ディスプレイに適した装置は得られていない。退部、こ
のようなディスプレイ装置として液晶ヘレーザで熱書き
込みするブイスプレィが有望視されており、この熱書き
込み液晶ディスプレイについては、例えば雑誌［グロシ
ーディング・オプ・ザ・ニス・アイ・デー（Ｐｒｏｅｅ
ｅｄｉ■ｏｆ ｔｈ＠８．１． Ｄ）Ｊ １０００年１
〜７頁Ｋｌｅ執の論文［レーザ選択液晶投射ディスプレ
イ（ＬＡＳＥＲ−ムＤＤＲＫ８８ＥＤ ＬＩＱＵＩＤ
ＣＲＹＳＴＡＬＰＲＯＪｌｃＣＴＩＯＮ ＤＩ！ＩＰＬ
ＡＹ８）Ｋ 詳しく述べられている。この論文によれ
ｄ％第１図に示すような液晶ライトパルプＩＯＫレーザ
光１による走査で画像を記脅し、投ｉ光１２を入對、反
射させて上記ｉｊ俸をディスプレイすることができる。
液晶ライトバルブｌＯは、誘電体膜３、アルミ反射膜番
、液晶配向膜８を形成したガラス基盤２と、透明電極膜
６、液晶配向膜８を形成したガラス基盤７とで液晶材Ｓ
をはさんだ構造をもうている・レーザ光１が液晶ツィト
パルプＩＯＫ入射するとレーザ光１が誘電体膜３に＠収
されて熱に変換され、アル電反射ｌＩ［４、液晶配向膜
８を伝わりて液晶材５の温度を上昇させる・液晶材５と
してはスメチッタ液晶が使われ、スメｈり液晶は温ｔを
上昇することＫよりてネマチック相、液体層に変化し、
レーザ光１が＄１１除かれ走時に急冷されることにより
て筐体状態のランダムな液晶分子の配内状蓋が凍結され
て散乱核が形成される特性をもつ。この散乱核は投射光
１２［よ）て読みだされ、スクリーン上Ｋ１ｌ１素とし
てディスプレイされる。
、液晶配向膜８を形成したガラス基盤２と、透明電極膜
６、液晶配向膜８を形成したガラス基盤７とで液晶材Ｓ
をはさんだ構造をもうている・レーザ光１が液晶ツィト
パルプＩＯＫ入射するとレーザ光１が誘電体膜３に＠収
されて熱に変換され、アル電反射ｌＩ［４、液晶配向膜
８を伝わりて液晶材５の温度を上昇させる・液晶材５と
してはスメチッタ液晶が使われ、スメｈり液晶は温ｔを
上昇することＫよりてネマチック相、液体層に変化し、
レーザ光１が＄１１除かれ走時に急冷されることにより
て筐体状態のランダムな液晶分子の配内状蓋が凍結され
て散乱核が形成される特性をもつ。この散乱核は投射光
１２［よ）て読みだされ、スクリーン上Ｋ１ｌ１素とし
てディスプレイされる。
散を被によりてｘｏａｍｌＬ度の微小幅０線が形成でき
るので、２インチ角の液晶ライトバルブに轄５ｏｏｏ本
の線が記録されることＫｆｋｇ％従来のＣＲＴ（両極細
管）に比べて非常に高分解能なディスプレイが可能にな
る〇 液晶ライトバルブはレーず光を熱に変換して記録するも
のであるから、ディスプレイの速度、コントラストとア
ルミ反射膜の光の吸収特性とは密接ＫＩＩＩｌｌ連して
いる。このために、上記論文では誘電体膜３がアルミ反
射膜４に対して無反射コート層となっていて、原理的に
特定波長の光の反射１零にすることができる。そのため
に１光はアルζ反射膜でほとんど吸収され、アルミ反射
膜の光吸収率を上けることができる。しかし、誘電体膜
ＫＦｉ屈折率の高い無機の材料（ＺｎＳ、ＡａｚＳＢ等
）′を数１０価の厚みのｎ度でもって蒸着する必要がＴ
ｅ９、高度の蒸着技ＩＩｆｉを必要とする。また、光吸
収ｓを上げるＫは単層の無反射コート層では不十分であ
るので多層膜構成が必要となるが、各層の格子定数を合
わせることが国難で剥離を生じることがあり、信頼性の
点で問題がある。
るので、２インチ角の液晶ライトバルブに轄５ｏｏｏ本
の線が記録されることＫｆｋｇ％従来のＣＲＴ（両極細
管）に比べて非常に高分解能なディスプレイが可能にな
る〇 液晶ライトバルブはレーず光を熱に変換して記録するも
のであるから、ディスプレイの速度、コントラストとア
ルミ反射膜の光の吸収特性とは密接ＫＩＩＩｌｌ連して
いる。このために、上記論文では誘電体膜３がアルミ反
射膜４に対して無反射コート層となっていて、原理的に
特定波長の光の反射１零にすることができる。そのため
に１光はアルζ反射膜でほとんど吸収され、アルミ反射
膜の光吸収率を上けることができる。しかし、誘電体膜
ＫＦｉ屈折率の高い無機の材料（ＺｎＳ、ＡａｚＳＢ等
）′を数１０価の厚みのｎ度でもって蒸着する必要がＴ
ｅ９、高度の蒸着技ＩＩｆｉを必要とする。また、光吸
収ｓを上げるＫは単層の無反射コート層では不十分であ
るので多層膜構成が必要となるが、各層の格子定数を合
わせることが国難で剥離を生じることがあり、信頼性の
点で問題がある。
この発ｖＡは上記の欠点を無くして、光の吸収効率及び
信１１Ｉ性の優れ九液晶ライトパルプを提供することＫ
Ｔｏる〇 この発明によれば、透明基盤と誘電体膜と光反射層と液
晶配向膜と液晶材と液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤
とをＩ［Ｋ構成した熱書き込み液晶２イトバルブにおい
て、誘電体膜が鞠、Ｃａを含むｎ−ＩＶ族化金物半導体
、Ｚｎ％Ｃｄｔ−含むｎ−ｖ族化合物半導体、Ｔｅｌ含
むｎ−ｖｉ族、■−■族化合物半導体およびサーメット
であり、該膜厚が約Ｖ４ｎであること１−特徴とする液
晶ライトバルブが得られる。
信１１Ｉ性の優れ九液晶ライトパルプを提供することＫ
Ｔｏる〇 この発明によれば、透明基盤と誘電体膜と光反射層と液
晶配向膜と液晶材と液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤
とをＩ［Ｋ構成した熱書き込み液晶２イトバルブにおい
て、誘電体膜が鞠、Ｃａを含むｎ−ＩＶ族化金物半導体
、Ｚｎ％Ｃｄｔ−含むｎ−ｖ族化合物半導体、Ｔｅｌ含
むｎ−ｖｉ族、■−■族化合物半導体およびサーメット
であり、該膜厚が約Ｖ４ｎであること１−特徴とする液
晶ライトバルブが得られる。
以下、この発明について図面を参照しつつ詳しく説明す
る・１に２８は？、Ｏ発明和よる液晶ライトバルブ１１
ｔ−示す％Ｏで、誘電体膜９としてバンドギャップがレ
ーザ記録波長より小さく充分な１収をもうている単体の
無機化合物半導体を用いている。記−レーザ管アルゴン
レーザとすれば、バンドギャップが２．４０ｅＶ以下の
物質を誘電体膜に使え、このような物質として例えば、
鞠、Ｃａｔ−含むｎ−ＩＶ族化合物半導体（ｋｋ２８１
、ＭＵＧ＠、Ｍｇｚ８ｎ、 Ｃａ２８１％Ｃａ２Ｓｎ、
Ｃａ２Ｐｂ ）中Ｚｎ５Ｃｄ を含む■−ｖ族化合
物半導体（ＺｎＡｓ２、Ｚｎ５ＡＢ、ＺｎＳ１ｈＣｄ３
Ａｓ２、ＣｄＳｂ、 ｈ／ｋｓ８ｂｚ ）中Ｔ。
る・１に２８は？、Ｏ発明和よる液晶ライトバルブ１１
ｔ−示す％Ｏで、誘電体膜９としてバンドギャップがレ
ーザ記録波長より小さく充分な１収をもうている単体の
無機化合物半導体を用いている。記−レーザ管アルゴン
レーザとすれば、バンドギャップが２．４０ｅＶ以下の
物質を誘電体膜に使え、このような物質として例えば、
鞠、Ｃａｔ−含むｎ−ＩＶ族化合物半導体（ｋｋ２８１
、ＭＵＧ＠、Ｍｇｚ８ｎ、 Ｃａ２８１％Ｃａ２Ｓｎ、
Ｃａ２Ｐｂ ）中Ｚｎ５Ｃｄ を含む■−ｖ族化合
物半導体（ＺｎＡｓ２、Ｚｎ５ＡＢ、ＺｎＳ１ｈＣｄ３
Ａｓ２、ＣｄＳｂ、 ｈ／ｋｓ８ｂｚ ）中Ｔ。
を含むＩＩ−Ｖｌ族、ｖ−ｖｉ族化合物半導体（ＣｄＴ
ｅ。
ｅ。
８ｂｚＴ＠ｍ ） およびサーメット（Ｃｒ、 Ａ碍
の金属を含むガラス質抵抗膜）が挙げられる。これらの
物質を蒸着もしくはスパッターによって容１ｂＷｃ＃７
ス基盤上に膜として作ることができ、薄膜でレーず光の
強い吸収体となること社、特願昭５５−１８１４９３で
すでに述べられている。十分な徴収を得るには、例え
ばＣｄＴｅを約ｚｏｏｏＸｉ！度蒸着する必要がある。
の金属を含むガラス質抵抗膜）が挙げられる。これらの
物質を蒸着もしくはスパッターによって容１ｂＷｃ＃７
ス基盤上に膜として作ることができ、薄膜でレーず光の
強い吸収体となること社、特願昭５５−１８１４９３で
すでに述べられている。十分な徴収を得るには、例え
ばＣｄＴｅを約ｚｏｏｏＸｉ！度蒸着する必要がある。
この時、ＣｄＴｅ ｌ［は５１４５１の波長に対して約
２−の透過率を示し、アルン膜の５倍にあたる９０−以
上のレーザ光を膜内ＫＷｋ収できる。しかし、０．２＃
ｍの厚みは、液晶ライトバルブが目標としている分解能
の１０μｍに比べて無視できる値ではない・液晶ライト
バルブのコントラストは温度の下降連ｔに依存するので
、熱的絶縁物の光吸収ｊ［は薄い程望ましい０しかし、
光吸収膜は薄くすると光吸収率が低下するのは曳く知ら
れている。とζろが、高屈折率でかつ吸収をもつ誘電体
材料では腹厚會さらに小さくし、）ｌ／４ｎ（λは光の
波長、ｎは屈折率）にすると光の干渉効果により光吸収
率が増加し、単層でも十分な光吸収をもつことがわか２
良。
２−の透過率を示し、アルン膜の５倍にあたる９０−以
上のレーザ光を膜内ＫＷｋ収できる。しかし、０．２＃
ｍの厚みは、液晶ライトバルブが目標としている分解能
の１０μｍに比べて無視できる値ではない・液晶ライト
バルブのコントラストは温度の下降連ｔに依存するので
、熱的絶縁物の光吸収ｊ［は薄い程望ましい０しかし、
光吸収膜は薄くすると光吸収率が低下するのは曳く知ら
れている。とζろが、高屈折率でかつ吸収をもつ誘電体
材料では腹厚會さらに小さくし、）ｌ／４ｎ（λは光の
波長、ｎは屈折率）にすると光の干渉効果により光吸収
率が増加し、単層でも十分な光吸収をもつことがわか２
良。
第３図はこの傾向を示しえもので、横軸ＫＩＲＩＭ、縦
軸（光吸収率をとった４ので゛ある。光吸収膜が厚い時
には十分な光吸収率が得られるが、膜厚１小さくしてい
くと光吸収率は低下する。しかし、さらに膜厚を下けて
いくと光吸収率は再び干渉効果のために上昇し１Ｎ厚が
Ａｙ’４ ｎ付近で最大和なる。その値よりも膜厚管下
けると光吸収率は急速に低下する。この最大籠は例えば
５ｄＴｅ膜では４００１付近の時に得られる。したがり
て、膜厚をＶ４ｎＫすることＫよりて光吸収率を維持し
、かつ膜厚を薄くすることができる。
軸（光吸収率をとった４ので゛ある。光吸収膜が厚い時
には十分な光吸収率が得られるが、膜厚１小さくしてい
くと光吸収率は低下する。しかし、さらに膜厚を下けて
いくと光吸収率は再び干渉効果のために上昇し１Ｎ厚が
Ａｙ’４ ｎ付近で最大和なる。その値よりも膜厚管下
けると光吸収率は急速に低下する。この最大籠は例えば
５ｄＴｅ膜では４００１付近の時に得られる。したがり
て、膜厚をＶ４ｎＫすることＫよりて光吸収率を維持し
、かつ膜厚を薄くすることができる。
膜厚を薄くできることｋよりて、既に述ぺたようにコン
トラストの向上ができる。仁の発明の効果をみるために
、ＣｄＴｅ膜゛を誘電体膜としてｔっ液晶ライトバルブ
を製作した結果を以下に示す。
トラストの向上ができる。仁の発明の効果をみるために
、ＣｄＴｅ膜゛を誘電体膜としてｔっ液晶ライトバルブ
を製作した結果を以下に示す。
ガラス基盤上にスパッターしたＣｄＴｅ１ｌｌの上にア
ル々反射ＩＥｔ−ｓｏｏＸ以上蒸着し、さらＫ ｓｉｏ
膜を１５０！斜め蒸着して液晶配向ｌＩを製作した＠ま
たガラス基盤の上に透明電極を酸化身ンジクム（３６０
Ｘ） で構成し、その上ＫＢｌＯ膜を液晶配向【とじ
て上記膜厚に斜め蒸着した。これらガラス基盤の間Ｋ
１２ ｐ ｍ厚のポリエステル々ルムをスペーサにして
はさみ込み、周囲をトールシールで接着封止した・片面
のガラス基盤にあけられた注入口より、スメクティック
液晶としてｎ−オクチルシアノビフェニール（ｎ−ｏｃ
ｔｙｌｅ７勇ｎｏ ｂｌｐｈｅｎｙｌ ）を温め表から
真空中で注入し、注入口にシリコンで封止した。この様
にして製作した１晶ライトパルプの性能をＣｄＴ・膜の
膜厚ｔ２ｏｏｏＸと４００Ｘの場合について比較したの
が第４図である０館４図はレーザ走査１録速度に対して
、記録線のコントラストを配録パワｉを一定にしてプロ
ットしたものである。破線は膜厚がｚｏｏｏＡ、 ＄１
１１は膜厚−ＩＩ＆ｎｏｏＸｏ場合で、アルゴンレーザ
光（５１４Ｂりが７ｓ＃入射し走時のコントラストを示
している。走査適度が１ｗｋ／Ａのところで両者のコン
トラストを比較すると、約３倍という大幅なコントラス
ト０改豐が得られている。
ル々反射ＩＥｔ−ｓｏｏＸ以上蒸着し、さらＫ ｓｉｏ
膜を１５０！斜め蒸着して液晶配向ｌＩを製作した＠ま
たガラス基盤の上に透明電極を酸化身ンジクム（３６０
Ｘ） で構成し、その上ＫＢｌＯ膜を液晶配向【とじ
て上記膜厚に斜め蒸着した。これらガラス基盤の間Ｋ
１２ ｐ ｍ厚のポリエステル々ルムをスペーサにして
はさみ込み、周囲をトールシールで接着封止した・片面
のガラス基盤にあけられた注入口より、スメクティック
液晶としてｎ−オクチルシアノビフェニール（ｎ−ｏｃ
ｔｙｌｅ７勇ｎｏ ｂｌｐｈｅｎｙｌ ）を温め表から
真空中で注入し、注入口にシリコンで封止した。この様
にして製作した１晶ライトパルプの性能をＣｄＴ・膜の
膜厚ｔ２ｏｏｏＸと４００Ｘの場合について比較したの
が第４図である０館４図はレーザ走査１録速度に対して
、記録線のコントラストを配録パワｉを一定にしてプロ
ットしたものである。破線は膜厚がｚｏｏｏＡ、 ＄１
１１は膜厚−ＩＩ＆ｎｏｏＸｏ場合で、アルゴンレーザ
光（５１４Ｂりが７ｓ＃入射し走時のコントラストを示
している。走査適度が１ｗｋ／Ａのところで両者のコン
トラストを比較すると、約３倍という大幅なコントラス
ト０改豐が得られている。
以上、詳細に説明しえように、仁の発明によれば、誘電
体膜として単層の無機化合働手導体を用いて膜厚を）ｌ
／４ｎ Ｋ設定することにより、レーず記録感度の良い
１コントラストの高い液晶２イトパルプ管容易に得られ
る−のである。
体膜として単層の無機化合働手導体を用いて膜厚を）ｌ
／４ｎ Ｋ設定することにより、レーず記録感度の良い
１コントラストの高い液晶２イトパルプ管容易に得られ
る−のである。
第１１１１は従来の液晶ライトバルブを示すＷＪ１菖２
図は本発明和よる液晶ライトパルプを示す図、菖３１ｉ
ｌ＃′ｉ本発Ｑ１１に用いる誘電体膜の特性を示す図、
第４＠は本発ｆ１４による液晶ライトバルブの性能を示
す図である。 図において、１はレーず光、２．７１！ガラス基盤、３
は誘電体膜、４社反射膜、５は液晶材、ＳＦｉ透明電極
ｔ８は液晶配向膜、９は誘電体膜、１２は投射光である
。 第１図 第２図 第 ３ 図 膜厚（Ａ、） ８４図 ５ １０ 走置速度（シＳ）
図は本発明和よる液晶ライトパルプを示す図、菖３１ｉ
ｌ＃′ｉ本発Ｑ１１に用いる誘電体膜の特性を示す図、
第４＠は本発ｆ１４による液晶ライトバルブの性能を示
す図である。 図において、１はレーず光、２．７１！ガラス基盤、３
は誘電体膜、４社反射膜、５は液晶材、ＳＦｉ透明電極
ｔ８は液晶配向膜、９は誘電体膜、１２は投射光である
。 第１図 第２図 第 ３ 図 膜厚（Ａ、） ８４図 ５ １０ 走置速度（シＳ）
Claims (1)
- 透明基盤と誘電体膜と光反射層と液晶配向膜と液晶材と
液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤と’を順に構成した
熱書き込み液晶ライトパルプにおいて、誘電体膜が鞠、
Ｃａを含む■−■族化合物半導体、Ｚｎ、Ｃｄを含む■
−■族化金物半導体、Ｔｅ ｓを含、むＩＩ−Ｖｌ族、
Ｖ−Ｖｌ族化合物半導体およびサーメットのうちの少な
くとも一種類を含む材料で構成され、かつ、該膜厚が／
ｖ４ｎ（λは熱書き込み用光波長、ｎＦｉ屑折率）であ
ること１０黴とする液晶ライトパルプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177523A JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177523A JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879220A true JPS5879220A (ja) | 1983-05-13 |
| JPH0255763B2 JPH0255763B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=16032402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177523A Granted JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108218425A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-29 | 福州大学 | 一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法 |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP56177523A patent/JPS5879220A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108218425A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-29 | 福州大学 | 一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0255763B2 (ja) | 1990-11-28 |
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