JPS5879220A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPS5879220A JPS5879220A JP56177523A JP17752381A JPS5879220A JP S5879220 A JPS5879220 A JP S5879220A JP 56177523 A JP56177523 A JP 56177523A JP 17752381 A JP17752381 A JP 17752381A JP S5879220 A JPS5879220 A JP S5879220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- light
- lambda
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レーずKよる高精度ディスプレイ装置に関
するものである。
するものである。
コンビーータの端末装置に使われるディスプレイ装置は
コンビ^−夕の大容量と機能の向上によp、ますます高
精度の分解能會必要とされている。特に3ンビーータを
用い大画像処理や新聞紙面の編集、L8Iの設計では高
精度でかつ部分的に書き加え可能なディスプレイが望ま
れている。従来から用いられているCRTの分解能を2
000本以上に上けるととtjll!シ<、このような
ディスプレイに適した装置は得られていない。退部、こ
のようなディスプレイ装置として液晶ヘレーザで熱書き
込みするブイスプレィが有望視されており、この熱書き
込み液晶ディスプレイについては、例えば雑誌[グロシ
ーディング・オプ・ザ・ニス・アイ・デー(Proee
edi■of th@8.1. D)J 1000年1
〜7頁Kle執の論文[レーザ選択液晶投射ディスプレ
イ(LASER−ムDDRK88ED LIQUID
CRYSTALPROJlcCTION DI!IPL
AY8)K 詳しく述べられている。この論文によれ
d%第1図に示すような液晶ライトパルプIOKレーザ
光1による走査で画像を記脅し、投i光12を入對、反
射させて上記ij俸をディスプレイすることができる。
コンビ^−夕の大容量と機能の向上によp、ますます高
精度の分解能會必要とされている。特に3ンビーータを
用い大画像処理や新聞紙面の編集、L8Iの設計では高
精度でかつ部分的に書き加え可能なディスプレイが望ま
れている。従来から用いられているCRTの分解能を2
000本以上に上けるととtjll!シ<、このような
ディスプレイに適した装置は得られていない。退部、こ
のようなディスプレイ装置として液晶ヘレーザで熱書き
込みするブイスプレィが有望視されており、この熱書き
込み液晶ディスプレイについては、例えば雑誌[グロシ
ーディング・オプ・ザ・ニス・アイ・デー(Proee
edi■of th@8.1. D)J 1000年1
〜7頁Kle執の論文[レーザ選択液晶投射ディスプレ
イ(LASER−ムDDRK88ED LIQUID
CRYSTALPROJlcCTION DI!IPL
AY8)K 詳しく述べられている。この論文によれ
d%第1図に示すような液晶ライトパルプIOKレーザ
光1による走査で画像を記脅し、投i光12を入對、反
射させて上記ij俸をディスプレイすることができる。
液晶ライトバルブlOは、誘電体膜3、アルミ反射膜番
、液晶配向膜8を形成したガラス基盤2と、透明電極膜
6、液晶配向膜8を形成したガラス基盤7とで液晶材S
をはさんだ構造をもうている・レーザ光1が液晶ツィト
パルプIOK入射するとレーザ光1が誘電体膜3に@収
されて熱に変換され、アル電反射lI[4、液晶配向膜
8を伝わりて液晶材5の温度を上昇させる・液晶材5と
してはスメチッタ液晶が使われ、スメhり液晶は温tを
上昇することKよりてネマチック相、液体層に変化し、
レーザ光1が$11除かれ走時に急冷されることにより
て筐体状態のランダムな液晶分子の配内状蓋が凍結され
て散乱核が形成される特性をもつ。この散乱核は投射光
12[よ)て読みだされ、スクリーン上K1l1素とし
てディスプレイされる。
、液晶配向膜8を形成したガラス基盤2と、透明電極膜
6、液晶配向膜8を形成したガラス基盤7とで液晶材S
をはさんだ構造をもうている・レーザ光1が液晶ツィト
パルプIOK入射するとレーザ光1が誘電体膜3に@収
されて熱に変換され、アル電反射lI[4、液晶配向膜
8を伝わりて液晶材5の温度を上昇させる・液晶材5と
してはスメチッタ液晶が使われ、スメhり液晶は温tを
上昇することKよりてネマチック相、液体層に変化し、
レーザ光1が$11除かれ走時に急冷されることにより
て筐体状態のランダムな液晶分子の配内状蓋が凍結され
て散乱核が形成される特性をもつ。この散乱核は投射光
12[よ)て読みだされ、スクリーン上K1l1素とし
てディスプレイされる。
散を被によりてxoamlL度の微小幅0線が形成でき
るので、2インチ角の液晶ライトバルブに轄5ooo本
の線が記録されることKfkg%従来のCRT(両極細
管)に比べて非常に高分解能なディスプレイが可能にな
る〇 液晶ライトバルブはレーず光を熱に変換して記録するも
のであるから、ディスプレイの速度、コントラストとア
ルミ反射膜の光の吸収特性とは密接KIIIll連して
いる。このために、上記論文では誘電体膜3がアルミ反
射膜4に対して無反射コート層となっていて、原理的に
特定波長の光の反射1零にすることができる。そのため
に1光はアルζ反射膜でほとんど吸収され、アルミ反射
膜の光吸収率を上けることができる。しかし、誘電体膜
KFi屈折率の高い無機の材料(ZnS、AazSB等
)′を数10価の厚みのn度でもって蒸着する必要がT
e9、高度の蒸着技IIfiを必要とする。また、光吸
収sを上げるKは単層の無反射コート層では不十分であ
るので多層膜構成が必要となるが、各層の格子定数を合
わせることが国難で剥離を生じることがあり、信頼性の
点で問題がある。
るので、2インチ角の液晶ライトバルブに轄5ooo本
の線が記録されることKfkg%従来のCRT(両極細
管)に比べて非常に高分解能なディスプレイが可能にな
る〇 液晶ライトバルブはレーず光を熱に変換して記録するも
のであるから、ディスプレイの速度、コントラストとア
ルミ反射膜の光の吸収特性とは密接KIIIll連して
いる。このために、上記論文では誘電体膜3がアルミ反
射膜4に対して無反射コート層となっていて、原理的に
特定波長の光の反射1零にすることができる。そのため
に1光はアルζ反射膜でほとんど吸収され、アルミ反射
膜の光吸収率を上けることができる。しかし、誘電体膜
KFi屈折率の高い無機の材料(ZnS、AazSB等
)′を数10価の厚みのn度でもって蒸着する必要がT
e9、高度の蒸着技IIfiを必要とする。また、光吸
収sを上げるKは単層の無反射コート層では不十分であ
るので多層膜構成が必要となるが、各層の格子定数を合
わせることが国難で剥離を生じることがあり、信頼性の
点で問題がある。
この発vAは上記の欠点を無くして、光の吸収効率及び
信11I性の優れ九液晶ライトパルプを提供することK
Toる〇 この発明によれば、透明基盤と誘電体膜と光反射層と液
晶配向膜と液晶材と液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤
とをI[K構成した熱書き込み液晶2イトバルブにおい
て、誘電体膜が鞠、Caを含むn−IV族化金物半導体
、Zn%Cdt−含むn−v族化合物半導体、Tel含
むn−vi族、■−■族化合物半導体およびサーメット
であり、該膜厚が約V4nであること1−特徴とする液
晶ライトバルブが得られる。
信11I性の優れ九液晶ライトパルプを提供することK
Toる〇 この発明によれば、透明基盤と誘電体膜と光反射層と液
晶配向膜と液晶材と液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤
とをI[K構成した熱書き込み液晶2イトバルブにおい
て、誘電体膜が鞠、Caを含むn−IV族化金物半導体
、Zn%Cdt−含むn−v族化合物半導体、Tel含
むn−vi族、■−■族化合物半導体およびサーメット
であり、該膜厚が約V4nであること1−特徴とする液
晶ライトバルブが得られる。
以下、この発明について図面を参照しつつ詳しく説明す
る・1に28は?、O発明和よる液晶ライトバルブ11
t−示す%Oで、誘電体膜9としてバンドギャップがレ
ーザ記録波長より小さく充分な1収をもうている単体の
無機化合物半導体を用いている。記−レーザ管アルゴン
レーザとすれば、バンドギャップが2.40eV以下の
物質を誘電体膜に使え、このような物質として例えば、
鞠、Cat−含むn−IV族化合物半導体(kk281
、MUG@、Mgz8n、 Ca281%Ca2Sn、
Ca2Pb )中Zn5Cd を含む■−v族化合
物半導体(ZnAs2、Zn5AB、ZnS1hCd3
As2、CdSb、 h/ks8bz )中T。
る・1に28は?、O発明和よる液晶ライトバルブ11
t−示す%Oで、誘電体膜9としてバンドギャップがレ
ーザ記録波長より小さく充分な1収をもうている単体の
無機化合物半導体を用いている。記−レーザ管アルゴン
レーザとすれば、バンドギャップが2.40eV以下の
物質を誘電体膜に使え、このような物質として例えば、
鞠、Cat−含むn−IV族化合物半導体(kk281
、MUG@、Mgz8n、 Ca281%Ca2Sn、
Ca2Pb )中Zn5Cd を含む■−v族化合
物半導体(ZnAs2、Zn5AB、ZnS1hCd3
As2、CdSb、 h/ks8bz )中T。
を含むII−Vl族、v−vi族化合物半導体(CdT
e。
e。
8bzT@m ) およびサーメット(Cr、 A碍
の金属を含むガラス質抵抗膜)が挙げられる。これらの
物質を蒸着もしくはスパッターによって容1bWc#7
ス基盤上に膜として作ることができ、薄膜でレーず光の
強い吸収体となること社、特願昭55−181493で
すでに述べられている。十分な徴収を得るには、例え
ばCdTeを約zoooXi!度蒸着する必要がある。
の金属を含むガラス質抵抗膜)が挙げられる。これらの
物質を蒸着もしくはスパッターによって容1bWc#7
ス基盤上に膜として作ることができ、薄膜でレーず光の
強い吸収体となること社、特願昭55−181493で
すでに述べられている。十分な徴収を得るには、例え
ばCdTeを約zoooXi!度蒸着する必要がある。
この時、CdTe l[は51451の波長に対して約
2−の透過率を示し、アルン膜の5倍にあたる90−以
上のレーザ光を膜内KWk収できる。しかし、0.2#
mの厚みは、液晶ライトバルブが目標としている分解能
の10μmに比べて無視できる値ではない・液晶ライト
バルブのコントラストは温度の下降連tに依存するので
、熱的絶縁物の光吸収j[は薄い程望ましい0しかし、
光吸収膜は薄くすると光吸収率が低下するのは曳く知ら
れている。とζろが、高屈折率でかつ吸収をもつ誘電体
材料では腹厚會さらに小さくし、)l/4n(λは光の
波長、nは屈折率)にすると光の干渉効果により光吸収
率が増加し、単層でも十分な光吸収をもつことがわか2
良。
2−の透過率を示し、アルン膜の5倍にあたる90−以
上のレーザ光を膜内KWk収できる。しかし、0.2#
mの厚みは、液晶ライトバルブが目標としている分解能
の10μmに比べて無視できる値ではない・液晶ライト
バルブのコントラストは温度の下降連tに依存するので
、熱的絶縁物の光吸収j[は薄い程望ましい0しかし、
光吸収膜は薄くすると光吸収率が低下するのは曳く知ら
れている。とζろが、高屈折率でかつ吸収をもつ誘電体
材料では腹厚會さらに小さくし、)l/4n(λは光の
波長、nは屈折率)にすると光の干渉効果により光吸収
率が増加し、単層でも十分な光吸収をもつことがわか2
良。
第3図はこの傾向を示しえもので、横軸KIRIM、縦
軸(光吸収率をとった4ので゛ある。光吸収膜が厚い時
には十分な光吸収率が得られるが、膜厚1小さくしてい
くと光吸収率は低下する。しかし、さらに膜厚を下けて
いくと光吸収率は再び干渉効果のために上昇し1N厚が
Ay’4 n付近で最大和なる。その値よりも膜厚管下
けると光吸収率は急速に低下する。この最大籠は例えば
5dTe膜では4001付近の時に得られる。したがり
て、膜厚をV4nKすることKよりて光吸収率を維持し
、かつ膜厚を薄くすることができる。
軸(光吸収率をとった4ので゛ある。光吸収膜が厚い時
には十分な光吸収率が得られるが、膜厚1小さくしてい
くと光吸収率は低下する。しかし、さらに膜厚を下けて
いくと光吸収率は再び干渉効果のために上昇し1N厚が
Ay’4 n付近で最大和なる。その値よりも膜厚管下
けると光吸収率は急速に低下する。この最大籠は例えば
5dTe膜では4001付近の時に得られる。したがり
て、膜厚をV4nKすることKよりて光吸収率を維持し
、かつ膜厚を薄くすることができる。
膜厚を薄くできることkよりて、既に述ぺたようにコン
トラストの向上ができる。仁の発明の効果をみるために
、CdTe膜゛を誘電体膜としてtっ液晶ライトバルブ
を製作した結果を以下に示す。
トラストの向上ができる。仁の発明の効果をみるために
、CdTe膜゛を誘電体膜としてtっ液晶ライトバルブ
を製作した結果を以下に示す。
ガラス基盤上にスパッターしたCdTe1llの上にア
ル々反射IEt−sooX以上蒸着し、さらK sio
膜を150!斜め蒸着して液晶配向lIを製作した@ま
たガラス基盤の上に透明電極を酸化身ンジクム(360
X) で構成し、その上KBlO膜を液晶配向【とじ
て上記膜厚に斜め蒸着した。これらガラス基盤の間K
12 p m厚のポリエステル々ルムをスペーサにして
はさみ込み、周囲をトールシールで接着封止した・片面
のガラス基盤にあけられた注入口より、スメクティック
液晶としてn−オクチルシアノビフェニール(n−oc
tyle7勇no blphenyl )を温め表から
真空中で注入し、注入口にシリコンで封止した。この様
にして製作した1晶ライトパルプの性能をCdT・膜の
膜厚t2oooXと400Xの場合について比較したの
が第4図である0館4図はレーザ走査1録速度に対して
、記録線のコントラストを配録パワiを一定にしてプロ
ットしたものである。破線は膜厚がzoooA、 $1
11は膜厚−II&nooXo場合で、アルゴンレーザ
光(514Bりが7s#入射し走時のコントラストを示
している。走査適度が1wk/Aのところで両者のコン
トラストを比較すると、約3倍という大幅なコントラス
ト0改豐が得られている。
ル々反射IEt−sooX以上蒸着し、さらK sio
膜を150!斜め蒸着して液晶配向lIを製作した@ま
たガラス基盤の上に透明電極を酸化身ンジクム(360
X) で構成し、その上KBlO膜を液晶配向【とじ
て上記膜厚に斜め蒸着した。これらガラス基盤の間K
12 p m厚のポリエステル々ルムをスペーサにして
はさみ込み、周囲をトールシールで接着封止した・片面
のガラス基盤にあけられた注入口より、スメクティック
液晶としてn−オクチルシアノビフェニール(n−oc
tyle7勇no blphenyl )を温め表から
真空中で注入し、注入口にシリコンで封止した。この様
にして製作した1晶ライトパルプの性能をCdT・膜の
膜厚t2oooXと400Xの場合について比較したの
が第4図である0館4図はレーザ走査1録速度に対して
、記録線のコントラストを配録パワiを一定にしてプロ
ットしたものである。破線は膜厚がzoooA、 $1
11は膜厚−II&nooXo場合で、アルゴンレーザ
光(514Bりが7s#入射し走時のコントラストを示
している。走査適度が1wk/Aのところで両者のコン
トラストを比較すると、約3倍という大幅なコントラス
ト0改豐が得られている。
以上、詳細に説明しえように、仁の発明によれば、誘電
体膜として単層の無機化合働手導体を用いて膜厚を)l
/4n K設定することにより、レーず記録感度の良い
1コントラストの高い液晶2イトパルプ管容易に得られ
る−のである。
体膜として単層の無機化合働手導体を用いて膜厚を)l
/4n K設定することにより、レーず記録感度の良い
1コントラストの高い液晶2イトパルプ管容易に得られ
る−のである。
第1111は従来の液晶ライトバルブを示すWJ1菖2
図は本発明和よる液晶ライトパルプを示す図、菖31i
l#′i本発Q11に用いる誘電体膜の特性を示す図、
第4@は本発f14による液晶ライトバルブの性能を示
す図である。 図において、1はレーず光、2.71!ガラス基盤、3
は誘電体膜、4社反射膜、5は液晶材、SFi透明電極
t8は液晶配向膜、9は誘電体膜、12は投射光である
。 第1図 第2図 第 3 図 膜厚(A、) 84図 5 10 走置速度(シS)
図は本発明和よる液晶ライトパルプを示す図、菖31i
l#′i本発Q11に用いる誘電体膜の特性を示す図、
第4@は本発f14による液晶ライトバルブの性能を示
す図である。 図において、1はレーず光、2.71!ガラス基盤、3
は誘電体膜、4社反射膜、5は液晶材、SFi透明電極
t8は液晶配向膜、9は誘電体膜、12は投射光である
。 第1図 第2図 第 3 図 膜厚(A、) 84図 5 10 走置速度(シS)
Claims (1)
- 透明基盤と誘電体膜と光反射層と液晶配向膜と液晶材と
液晶配向膜と透明電極膜と透明基盤と’を順に構成した
熱書き込み液晶ライトパルプにおいて、誘電体膜が鞠、
Caを含む■−■族化合物半導体、Zn、Cdを含む■
−■族化金物半導体、Te sを含、むII−Vl族、
V−Vl族化合物半導体およびサーメットのうちの少な
くとも一種類を含む材料で構成され、かつ、該膜厚が/
v4n(λは熱書き込み用光波長、nFi屑折率)であ
ること10黴とする液晶ライトパルプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56177523A JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56177523A JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5879220A true JPS5879220A (ja) | 1983-05-13 |
JPH0255763B2 JPH0255763B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=16032402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56177523A Granted JPS5879220A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5879220A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108218425A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-29 | 福州大学 | 一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法 |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP56177523A patent/JPS5879220A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108218425A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-29 | 福州大学 | 一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0255763B2 (ja) | 1990-11-28 |
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