JPS5874356U - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5874356U JPS5874356U JP17039181U JP17039181U JPS5874356U JP S5874356 U JPS5874356 U JP S5874356U JP 17039181 U JP17039181 U JP 17039181U JP 17039181 U JP17039181 U JP 17039181U JP S5874356 U JPS5874356 U JP S5874356U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- layer
- epitaxially grown
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例の断面図である。図中、１は
半導体基板、２は活性層、２ａは発光領域、３はオラツ
ド層、４は電極形成層、５は絶縁層、６はｎ側電極、７
はＡｕ電極層、８はｎ側電極、９は発光窓である。
半導体基板、２は活性層、２ａは発光領域、３はオラツ
ド層、４は電極形成層、５は絶縁層、６はｎ側電極、７
はＡｕ電極層、８はｎ側電極、９は発光窓である。
Claims (1)
- 半導体基板上のエピタキシャル成長層によって形成され
た二重へテロ接合構造と前記エピタキシャル成長層とは
反対側の前記半導体基板表面上に発光窓を有する発光ダ
イオードにおいて、前記エピタキシャル成長層の最上層
が前記発光ダイオードの発５光波長よりも長い吸収端波
長と前記発光波−長に対する吸収長の１７２よりも薄い
厚さと１０１８ＣｒＩｔ−３よりも高い不純物ドーピン
グ濃度を有し、その最上層表面に電極が設けられたこと
を特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039181U JPS5874356U (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039181U JPS5874356U (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874356U true JPS5874356U (ja) | 1983-05-19 |
Family
ID=29962351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17039181U Pending JPS5874356U (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874356U (ja) |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP17039181U patent/JPS5874356U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5874356U (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPS5866661U (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPS63118258U (ja) | ||
| JPS5851455U (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPS58120670U (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5933266U (ja) | 面発光形半導体発光素子 | |
| JPS59140454U (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPH0425255U (ja) | ||
| JPS5941387U (ja) | 発光素子の電極取出構造 | |
| JPS62124867U (ja) | ||
| JPS63178359U (ja) | ||
| JPH0313761U (ja) | ||
| JPS6134757U (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS596859U (ja) | 半導体レ−ザ複合素子 | |
| JPS61151361U (ja) | ||
| JPS59166457U (ja) | 発光ダイオ−ド素子 | |
| JPS63164255U (ja) | ||
| JPS5818356U (ja) | シヨツトキダイオ−ド | |
| JPS58140649U (ja) | 半導体発光ダイオ−ド | |
| JPS6390855U (ja) | ||
| JPS599565U (ja) | ガリウム燐発光ダイオ−ド | |
| JPS60166164U (ja) | シヨツトキバリヤダイオ−ド | |
| JPS58155857U (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6054360U (ja) | 半導体レ−ザ− | |
| JPS5892748U (ja) | 半導体発光装置 |