JPS5873770A - 磁石とコイルの磁場を利用した高能率イオンプレ−テング装置 - Google Patents
磁石とコイルの磁場を利用した高能率イオンプレ−テング装置Info
- Publication number
- JPS5873770A JPS5873770A JP17233881A JP17233881A JPS5873770A JP S5873770 A JPS5873770 A JP S5873770A JP 17233881 A JP17233881 A JP 17233881A JP 17233881 A JP17233881 A JP 17233881A JP S5873770 A JPS5873770 A JP S5873770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- hearth
- vessel
- wall
- beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
放電プラズマを利用するイオンプレーテン装置に於いて
は、そのイオン−コレクター領域(メッキ領域)ではプ
ラズマビームの直径を拡げる必要がある。何故なら従来
のイオンプレーテング装置の様に細いプラズマビームで
はメッキ領域はプラズマの拡散によって拡大されている
のでコレクターへのイオン電流密度の低下が著しく、メ
ッキ効率が悪化する。プラズマビームの直、径を拡げて
おけばプラズマの高密度領域を利用できる。この領域は
電子温度も高くまた陽極近くからイオンが加速されて逆
流するので拡散領域よりイオン電流密度が著しく高い。
は、そのイオン−コレクター領域(メッキ領域)ではプ
ラズマビームの直径を拡げる必要がある。何故なら従来
のイオンプレーテング装置の様に細いプラズマビームで
はメッキ領域はプラズマの拡散によって拡大されている
のでコレクターへのイオン電流密度の低下が著しく、メ
ッキ効率が悪化する。プラズマビームの直、径を拡げて
おけばプラズマの高密度領域を利用できる。この領域は
電子温度も高くまた陽極近くからイオンが加速されて逆
流するので拡散領域よりイオン電流密度が著しく高い。
従ってメッキ効率も飛躍的に改善される。一方陽極を構
成するハースの上では放電パワーを集中させて試料金属
を溶解、蒸発、−イオン化する必要があうo−’c−j
、うし73−□1iゆればな、ない。他にハースを水平
に置く関係上プラズマ電子銃を横の器壁につけてメッキ
領域を大きく確保するにはプラズマビームを90°近く
曲げる必要もある。最後に、メッキ効率を上げるために
は器壁へのプラズマイオンの拡散を抑えてメッキ試料に
イオンを集中させることも重要である。
成するハースの上では放電パワーを集中させて試料金属
を溶解、蒸発、−イオン化する必要があうo−’c−j
、うし73−□1iゆればな、ない。他にハースを水平
に置く関係上プラズマ電子銃を横の器壁につけてメッキ
領域を大きく確保するにはプラズマビームを90°近く
曲げる必要もある。最後に、メッキ効率を上げるために
は器壁へのプラズマイオンの拡散を抑えてメッキ試料に
イオンを集中させることも重要である。
以上の要請に答える高性能イオンプレーテング装置の概
略を図面に示した。放電部の新型陰極は既に特許出願(
54−057395) 済みのものであり、また環状
の永久磁石と空心コイルを組合せて放電プラズマビーム
を短い距離で大直径化する技術も特許出願(55−OQ
5063)%みのものである。図面で今回新しい部分は
ハースの下に強力な永久磁石を置いて局所的に強磁場を
作り、プラズマビームを曲げると同時にハースに収束さ
せていることである。またプラズマの器壁への損失を軽
減するために器壁の近くに7゜局所的に強い磁場をつく
るための磁石を配置していることである。なおハースの
下に置く永久磁石は鉄心入り電磁石でもよいが、真空中
にコイルを入れて電流を導入するのは技術的に非常な困
難を伴う。その点永久磁石は便利であり。
略を図面に示した。放電部の新型陰極は既に特許出願(
54−057395) 済みのものであり、また環状
の永久磁石と空心コイルを組合せて放電プラズマビーム
を短い距離で大直径化する技術も特許出願(55−OQ
5063)%みのものである。図面で今回新しい部分は
ハースの下に強力な永久磁石を置いて局所的に強磁場を
作り、プラズマビームを曲げると同時にハースに収束さ
せていることである。またプラズマの器壁への損失を軽
減するために器壁の近くに7゜局所的に強い磁場をつく
るための磁石を配置していることである。なおハースの
下に置く永久磁石は鉄心入り電磁石でもよいが、真空中
にコイルを入れて電流を導入するのは技術的に非常な困
難を伴う。その点永久磁石は便利であり。
省エネルギー的でもある。
図に於いて、1は通常アルゴンガス導入口。
2は新型陰極、3は第1.、中間電極と環状永久磁石、
4は第2中間電極と空心電磁石コイル、5は放電々源、
6は真空容器、7はハース兼陽極。 8は棒状永久磁石、9は排気ポン゛プ、10は反応用ガ
ス導へ口、11はイオン集積用負バイアス電源、−12
はイオンコレクター、13は永久磁石(NSは極性)、
14はプラズマビーム。 なお新型陰極による放電特性、プラズマの大直径化のた
めの磁場分布については特許出願公報54−05739
5と55−005Q63を参照されたい。 、1:1
4は第2中間電極と空心電磁石コイル、5は放電々源、
6は真空容器、7はハース兼陽極。 8は棒状永久磁石、9は排気ポン゛プ、10は反応用ガ
ス導へ口、11はイオン集積用負バイアス電源、−12
はイオンコレクター、13は永久磁石(NSは極性)、
14はプラズマビーム。 なお新型陰極による放電特性、プラズマの大直径化のた
めの磁場分布については特許出願公報54−05739
5と55−005Q63を参照されたい。 、1:1
Claims (1)
- 永久磁石または鉄心入り電磁石と、空心コイル(の磁場
)を組合せて放電プラズマビームを空間的に拡げ9曲げ
、絞り且つ器壁へのプラズマ損失を軽減したイオンプレ
ーテング装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17233881A JPS5873770A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 磁石とコイルの磁場を利用した高能率イオンプレ−テング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17233881A JPS5873770A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 磁石とコイルの磁場を利用した高能率イオンプレ−テング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5873770A true JPS5873770A (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=15940046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17233881A Pending JPS5873770A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 磁石とコイルの磁場を利用した高能率イオンプレ−テング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5873770A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6347362A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Toobi:Kk | イオンプレ−テイング装置 |
JPS6357768A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-03-12 | Toobi:Kk | 高速移動フイルムの連続的イオンプレ−テイング装置 |
JPS63156536A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-29 | Toobi:Kk | 反応性プラズマビ−ム製膜装置 |
JPH01184273A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Tobi Co Ltd | 反応性プラズマビーム製膜方法とその装置 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP17233881A patent/JPS5873770A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6357768A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-03-12 | Toobi:Kk | 高速移動フイルムの連続的イオンプレ−テイング装置 |
JPH0621349B2 (ja) * | 1986-03-12 | 1994-03-23 | 株式会社ト−ビ | 高速移動フイルムの連続的イオンプレ−テイング装置 |
JPS6347362A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Toobi:Kk | イオンプレ−テイング装置 |
JPH0580555B2 (ja) * | 1986-08-15 | 1993-11-09 | Tobi Co Ltd | |
JPS63156536A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-29 | Toobi:Kk | 反応性プラズマビ−ム製膜装置 |
JPH0757313B2 (ja) * | 1986-12-20 | 1995-06-21 | 株式会社ト−ビ | 反応性プラズマビ−ム製膜装置 |
JPH01184273A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Tobi Co Ltd | 反応性プラズマビーム製膜方法とその装置 |
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