JPS5873145A - 半導体パツケ−ジ - Google Patents
半導体パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS5873145A JPS5873145A JP17185181A JP17185181A JPS5873145A JP S5873145 A JPS5873145 A JP S5873145A JP 17185181 A JP17185181 A JP 17185181A JP 17185181 A JP17185181 A JP 17185181A JP S5873145 A JPS5873145 A JP S5873145A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor package
- package
- temperature
- semiconductor
- semiconductor chip
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
い使用時に高温となる半導体チップの破壊を防止し、動
作信頼性を確保するため、半導体チップの温度の測定、
及び監視を容易ｔこするよう改良された半導体パッケー
ジに関する。
作信頼性を確保するため、半導体チップの温度の測定、
及び監視を容易ｔこするよう改良された半導体パッケー
ジに関する。
従来、各種の半導体パッケージが知られているが、例え
ばリードレ゛ス・チップ・キャリア型は第１図（ａ）に
示す平面図、第１図（ｂ）に示す第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図に明示される構成を有する０同様ｌこ、プラグ
イン・パッケージ型は第２図（ａ）に示す平面図、第２
図（ｂ）に示す第２図ｆａ）のＢ−Ｂｉ断面図に、フラ
ット−パッケージ型は第３図（ａ）に示す平面図、第３
図（ｂ）に示す第３図（ａｌのＣ−Ｃ線断面図に、デュ
アル・インライン・パッケージ型は第４図（ａｌに示す
平面図、第４図（ｂ）に示す第４図（ａ）のＤ−Ｄ線断
面図にそれぞれ明示される構成を備えている。上記各図
に示すように、１は半導体、Ｎ６ツケージ、２はセラミ
ック、ガラスエポキシ等の基材、３は外部端子をなす導
電性パターン、４は外部端子をなす外部ビン、５は外部
端子をなす１３−ド線、６は蓋体、７は導電パッド、８
は半導体チップ、９は金（Ａｕ） 紛、１０は温度セン
サである。
ばリードレ゛ス・チップ・キャリア型は第１図（ａ）に
示す平面図、第１図（ｂ）に示す第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図に明示される構成を有する０同様ｌこ、プラグ
イン・パッケージ型は第２図（ａ）に示す平面図、第２
図（ｂ）に示す第２図ｆａ）のＢ−Ｂｉ断面図に、フラ
ット−パッケージ型は第３図（ａ）に示す平面図、第３
図（ｂ）に示す第３図（ａｌのＣ−Ｃ線断面図に、デュ
アル・インライン・パッケージ型は第４図（ａｌに示す
平面図、第４図（ｂ）に示す第４図（ａ）のＤ−Ｄ線断
面図にそれぞれ明示される構成を備えている。上記各図
に示すように、１は半導体、Ｎ６ツケージ、２はセラミ
ック、ガラスエポキシ等の基材、３は外部端子をなす導
電性パターン、４は外部端子をなす外部ビン、５は外部
端子をなす１３−ド線、６は蓋体、７は導電パッド、８
は半導体チップ、９は金（Ａｕ） 紛、１０は温度セン
サである。
さて、従来から知られている半導体パッケージ１は、半
導体チップ８を保持してこれを保護した・す、半導体チ
ップ８の電気信号線と印刷配線板又は他の回路部品の電
気信号線とを接続したりするほか、半導体チップ８の放
熱効率を改善させる等の機能を備えている。
導体チップ８を保持してこれを保護した・す、半導体チ
ップ８の電気信号線と印刷配線板又は他の回路部品の電
気信号線とを接続したりするほか、半導体チップ８の放
熱効率を改善させる等の機能を備えている。
一方、半導体チップ８は、その動作信頼性を確保するた
めに、使用時には許容温度環境丁番と保持しなければな
らず、また、半導体チ゛ノブ８が搭載されている半導体
パッケージ１を印刷配線板又（ま他の回路部品に取り付
け、取り外ずしする１ども、加熱温度に留意し、高温に
よる半導体チップ８の破壊を防止するようにしなければ
ならない。このため、使用時には必要に応じて、通常は
実装されていない温度測定器を使用中の電子装置内部の
半導体パッケージｌの付近に挿入し、直接に半導体νφ
。
めに、使用時には許容温度環境丁番と保持しなければな
らず、また、半導体チ゛ノブ８が搭載されている半導体
パッケージ１を印刷配線板又（ま他の回路部品に取り付
け、取り外ずしする１ども、加熱温度に留意し、高温に
よる半導体チップ８の破壊を防止するようにしなければ
ならない。このため、使用時には必要に応じて、通常は
実装されていない温度測定器を使用中の電子装置内部の
半導体パッケージｌの付近に挿入し、直接に半導体νφ
。
パッケージ１の温度を測定するか、或いは電子装置周辺
の気温、だけを測定し、この測定値から電子装置の実装
密度や冷却装置の能力などを考慮した上で、間接的に半
導体パッケージ１の温度を測定していた。また、半導体
パッケージｌの着脱時゛には、加熱に使用する蒸気温度
を適宜制御して行なうことが必要であった。
の気温、だけを測定し、この測定値から電子装置の実装
密度や冷却装置の能力などを考慮した上で、間接的に半
導体パッケージ１の温度を測定していた。また、半導体
パッケージｌの着脱時゛には、加熱に使用する蒸気温度
を適宜制御して行なうことが必要であった。
前述したように、従来の半導体パッケージ１は、半導体
パッケージｌと半導体チップ８とは直接接触された状聾
にあるにもかかわらず、半導体チップ８の温度測定に利
用することは極めて困難であった。そして、温度測定器
又は温度センサを半導体パッケージ１１に近づけて行な
う直接測定では、使用中の半導体チップ８が半導体パッ
ケージ１周辺の空気の流れを妨げて、使用環境条件を変
化させてしまう恐れがあった。また、間接測定の場合で
は、測定温度精度が悪い上に、冷却ファン等の故障のよ
うな半導体チップ８付近の異常状轢を発見することがで
きないなどの欠点があった。
パッケージｌと半導体チップ８とは直接接触された状聾
にあるにもかかわらず、半導体チップ８の温度測定に利
用することは極めて困難であった。そして、温度測定器
又は温度センサを半導体パッケージ１１に近づけて行な
う直接測定では、使用中の半導体チップ８が半導体パッ
ケージ１周辺の空気の流れを妨げて、使用環境条件を変
化させてしまう恐れがあった。また、間接測定の場合で
は、測定温度精度が悪い上に、冷却ファン等の故障のよ
うな半導体チップ８付近の異常状轢を発見することがで
きないなどの欠点があった。
本発明は、上述の′ような欠点を除去するために発明さ
れたものであり、半導体チップを収容した半導体パッケ
ージにおいて、該半導体パッケージ内部又は表面に温度
センサを搭載し、該温度センサをして、これと別に設け
た温度測定用電気回路等の他の電気回路に接続するため
の外部端子を、前記半導体パッケージに設ｉｆてなる構
成を有してなり、半導体チップの温度を、極めて正確に
測定又は監視できるようにしてなる半導体パッケージを
提供することを目的とする。
れたものであり、半導体チップを収容した半導体パッケ
ージにおいて、該半導体パッケージ内部又は表面に温度
センサを搭載し、該温度センサをして、これと別に設け
た温度測定用電気回路等の他の電気回路に接続するため
の外部端子を、前記半導体パッケージに設ｉｆてなる構
成を有してなり、半導体チップの温度を、極めて正確に
測定又は監視できるようにしてなる半導体パッケージを
提供することを目的とする。
以下、図面に基づき本発明を実施例によって詳細に説明
する。第１図（Ｃ）は本発明の一実施例であるリードレ
ス・チップ・キャリア型の半導体ツク°ノケージを示す
第′１図（ｂ）と同様な断面図であり、同じく第２図（
ｃ）は本発明の他の実施例であるプラグイン・パッケー
ジ型の半導体パッケージを示す己２図ｔｂ＞と同様な断
面図、第３図（ｃ）は本発明の他の実施例であるフラッ
ト・パッケージ型の半導体パッケージを示す第３図（ｂ
）と同様な断面図、第４図（Ｃ）は本発明の他の実施例
であるデュアル・インライン・パッケージ型の半導体パ
ッケージを示す第４図（ｂ）と同様な断面図で、上記各
図とも、同等部分には同一符号を甲いて表示してあり、
その詳しい説明は省略する。上記各実施例において、本
発明の要旨とする構成を説明するに、第１図（Ｃ）ない
し第４図（ｃ）の各断面図に明示されているごとく、半
導体パッケージ１における半導体チップ８の収容されて
いる部分の下方に、温度センサ１０を収容する空間部を
設けである。そして、この空間部には、例えば表面弾性
波素子、熱電対の熱接点などからなる温度センサ１０を
収容し、この温度センサ１０からの電気信号線を、別に
設けた温度測定用電気回路（図示しない）の電気信号線
に接続で大るように、半導体パッケージ１の外部端子３
ないし５に導出接続してなる構成を有している。
する。第１図（Ｃ）は本発明の一実施例であるリードレ
ス・チップ・キャリア型の半導体ツク°ノケージを示す
第′１図（ｂ）と同様な断面図であり、同じく第２図（
ｃ）は本発明の他の実施例であるプラグイン・パッケー
ジ型の半導体パッケージを示す己２図ｔｂ＞と同様な断
面図、第３図（ｃ）は本発明の他の実施例であるフラッ
ト・パッケージ型の半導体パッケージを示す第３図（ｂ
）と同様な断面図、第４図（Ｃ）は本発明の他の実施例
であるデュアル・インライン・パッケージ型の半導体パ
ッケージを示す第４図（ｂ）と同様な断面図で、上記各
図とも、同等部分には同一符号を甲いて表示してあり、
その詳しい説明は省略する。上記各実施例において、本
発明の要旨とする構成を説明するに、第１図（Ｃ）ない
し第４図（ｃ）の各断面図に明示されているごとく、半
導体パッケージ１における半導体チップ８の収容されて
いる部分の下方に、温度センサ１０を収容する空間部を
設けである。そして、この空間部には、例えば表面弾性
波素子、熱電対の熱接点などからなる温度センサ１０を
収容し、この温度センサ１０からの電気信号線を、別に
設けた温度測定用電気回路（図示しない）の電気信号線
に接続で大るように、半導体パッケージ１の外部端子３
ないし５に導出接続してなる構成を有している。
このように、本発明に係る半導体パッケージでは、半導
体チップ８を半導体パッケージ１に搭載して使用する場
合、半導・体パッケージ１の外部端子３ないし５に導か
れたセンサ検出電気信号は、別に設けた温度測定用電気
回路に導出されるから、室内の冷房装置の能力不足によ
る室内温度の上昇や、半導体チップ８の搭載されている
カード群の強制空冷ファンの故障、温度分布のむらなど
によって、半導体チップ８が正常に動作することを保証
された許容温度範囲を逸脱することが無いように、半導
体チップ８を確実に監視することができる。
体チップ８を半導体パッケージ１に搭載して使用する場
合、半導・体パッケージ１の外部端子３ないし５に導か
れたセンサ検出電気信号は、別に設けた温度測定用電気
回路に導出されるから、室内の冷房装置の能力不足によ
る室内温度の上昇や、半導体チップ８の搭載されている
カード群の強制空冷ファンの故障、温度分布のむらなど
によって、半導体チップ８が正常に動作することを保証
された許容温度範囲を逸脱することが無いように、半導
体チップ８を確実に監視することができる。
また、半導体チップ８を搭載した半導体パッケージ１を
、印刷配線板又は他の回路部品ｌこハンダ付けなどによ
り取り付け、取り外ずすために加熱する際、半導体パッ
ケージ１の外部端子３１ｉいし５に導かれたセンサ検出
電気信号は、別に設けた温度測定用電気回路に導出され
るから、半導体チップ８の温度が、この半導体チップ８
の破壊しない温度範囲□内にあるか、或いは隣接する半
導体パッケージ１の温度が、ハンダ溶融点温度より充分
に低い値にあるか、などの監視を行ない得る。
、印刷配線板又は他の回路部品ｌこハンダ付けなどによ
り取り付け、取り外ずすために加熱する際、半導体パッ
ケージ１の外部端子３１ｉいし５に導かれたセンサ検出
電気信号は、別に設けた温度測定用電気回路に導出され
るから、半導体チップ８の温度が、この半導体チップ８
の破壊しない温度範囲□内にあるか、或いは隣接する半
導体パッケージ１の温度が、ハンダ溶融点温度より充分
に低い値にあるか、などの監視を行ない得る。
なお、上記各実施例では、半導体パッケージ１は、第４
図（Ｃ）のデュアル・インライン・パッケージ型を除い
て正方形の形状をなし、上面中央部付近に半導体チップ
８が搭載されており、また、第１図（Ｃ）及び第３図（
ｃ）ｌこ示すように、半導体パッケージ１の晋囲面に５
個の外部端子３，５が設けられているものについて述べ
たが、半導体パッケージｌの形状や、外部端子３ないし
５の数や、半導体チップ８の搭載位置は、上記各実施例
に示されたものに限定されるものではなく、さらに、温
度センサ１０の収容位置も適宜に選定できるものである
。
図（Ｃ）のデュアル・インライン・パッケージ型を除い
て正方形の形状をなし、上面中央部付近に半導体チップ
８が搭載されており、また、第１図（Ｃ）及び第３図（
ｃ）ｌこ示すように、半導体パッケージ１の晋囲面に５
個の外部端子３，５が設けられているものについて述べ
たが、半導体パッケージｌの形状や、外部端子３ないし
５の数や、半導体チップ８の搭載位置は、上記各実施例
に示されたものに限定されるものではなく、さらに、温
度センサ１０の収容位置も適宜に選定できるものである
。
以上、詳述したように、本発明の半導体パッケージによ
れば、半導体チップの温度を直接に受けることができる
ように、半導体チップ温度検出用の温度センサを半導体
パッケージに内蔵し、半導体チップ温度による電気信号
を、別に設けた温度測定用電気回路に導いて温度測定を
行なうように構成したものであるから、極めて簡単な構
成ｌこより、半導体チップの使用時の周囲条、件を何等
も實えることなく、半導体チップの温度測定を容枯、か
つ、正確に行ない得る特長がある。これにより、半導体
チップの使用時における動作信頼性を確保でき、半導体
パッケージの着脱時における過加熱による半導体チップ
の破壊を１効的に防止−４にとができるなど、優れた効
果を奏するものである。
れば、半導体チップの温度を直接に受けることができる
ように、半導体チップ温度検出用の温度センサを半導体
パッケージに内蔵し、半導体チップ温度による電気信号
を、別に設けた温度測定用電気回路に導いて温度測定を
行なうように構成したものであるから、極めて簡単な構
成ｌこより、半導体チップの使用時の周囲条、件を何等
も實えることなく、半導体チップの温度測定を容枯、か
つ、正確に行ない得る特長がある。これにより、半導体
チップの使用時における動作信頼性を確保でき、半導体
パッケージの着脱時における過加熱による半導体チップ
の破壊を１効的に防止−４にとができるなど、優れた効
果を奏するものである。
第１図（ａ）は従来例の半導体パッケージを示す平面図
、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａａ！の断面図、第２図（ａ
）ないし第４図（ａ）は他の従来例の半導体パッケージ
を示す平面図、第２図（ｂ）ないし第４！９（ｂｌはそ
の各Ｂ−Ｂ線、０−０線及びＤ−Ｄｉ（７）断ｒｌｌ、
第１図（Ｃ）ないし第４図（Ｃ）は本発明の各実施例で
ある半導体パッケージを示す第１図（ｂ）ないし第４図
（ｂｌと同様な断面図である。 １−−半導体パッケージ、２・・・−セラミック。 ガラスエポキシ等の基材、３，４．５・・・・・・・−
外部端子、６一−−蓋体、７・・・−・・・導電パッド
、８−・・・・−・半導す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相等部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 （０） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第３図 （（］） （ｂ） 第４図 （０） （Ｃ） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 １、事イ・１の表示 特願昭５６−１７１８５１
号３、補正をする者 名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 三菱電機株式会社内 氏 名（６６９９） 弁理士 葛 野 信
−明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第９行目の「９は である。」を
、「９は金（Ａｕ）線である。Ｊに補正する。 （２）明細書第４頁第１３〜１７行目の［前述したよう
に、−であった。」を削除する。 （３） 明細書第４頁第１７行目の「そして、」の次
に、「使用中の温度測定の際、Ｊを挿入する。 （４）明細書第４頁第１９行目の１便用中の半導体チッ
プ８」を、「上記温度測定器又は温度センサ」に補正す
る。 （５）明細書第５頁第４行目と第５行目の間に下記の文
を挿入する。 「さらにまた、半導体パッケージ１の着脱時には、当該
半導体パッケージを固定するハンダを充分浴融させるた
めに、当該半導体パッケージ及びその周辺を加熱し過ぎ
て当該半導体チップ８を破壊してしまい、又は隣接する
半導体パッケージを１６１定しているハンダまでが溶融
し、位置ずれを生じてしまうなどの欠点があった。」 （６） 明細書第９頁第１行目の「す、・・・・も費
」を、「す、半導体チップの通常の取扱い使用時の条件
を何等も変」に補正する。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭ｊ≦−／７／Ｉ！／号３
、補正をする者 代表台片由仁へ部 ４、代理人 Ｓ、補正命令の日付 昭和５７年２月ダ日 乙補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７補正の内容 （１） 明細書第９頁第ｉｏ行目〜第１ｔ行目の［第
２図（ａ）・・・・・・・・・・・・・・・同様な」を
下記の通りに補正する。
、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａａ！の断面図、第２図（ａ
）ないし第４図（ａ）は他の従来例の半導体パッケージ
を示す平面図、第２図（ｂ）ないし第４！９（ｂｌはそ
の各Ｂ−Ｂ線、０−０線及びＤ−Ｄｉ（７）断ｒｌｌ、
第１図（Ｃ）ないし第４図（Ｃ）は本発明の各実施例で
ある半導体パッケージを示す第１図（ｂ）ないし第４図
（ｂｌと同様な断面図である。 １−−半導体パッケージ、２・・・−セラミック。 ガラスエポキシ等の基材、３，４．５・・・・・・・−
外部端子、６一−−蓋体、７・・・−・・・導電パッド
、８−・・・・−・半導す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相等部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 （０） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第３図 （（］） （ｂ） 第４図 （０） （Ｃ） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 １、事イ・１の表示 特願昭５６−１７１８５１
号３、補正をする者 名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 三菱電機株式会社内 氏 名（６６９９） 弁理士 葛 野 信
−明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第９行目の「９は である。」を
、「９は金（Ａｕ）線である。Ｊに補正する。 （２）明細書第４頁第１３〜１７行目の［前述したよう
に、−であった。」を削除する。 （３） 明細書第４頁第１７行目の「そして、」の次
に、「使用中の温度測定の際、Ｊを挿入する。 （４）明細書第４頁第１９行目の１便用中の半導体チッ
プ８」を、「上記温度測定器又は温度センサ」に補正す
る。 （５）明細書第５頁第４行目と第５行目の間に下記の文
を挿入する。 「さらにまた、半導体パッケージ１の着脱時には、当該
半導体パッケージを固定するハンダを充分浴融させるた
めに、当該半導体パッケージ及びその周辺を加熱し過ぎ
て当該半導体チップ８を破壊してしまい、又は隣接する
半導体パッケージを１６１定しているハンダまでが溶融
し、位置ずれを生じてしまうなどの欠点があった。」 （６） 明細書第９頁第１行目の「す、・・・・も費
」を、「す、半導体チップの通常の取扱い使用時の条件
を何等も変」に補正する。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭ｊ≦−／７／Ｉ！／号３
、補正をする者 代表台片由仁へ部 ４、代理人 Ｓ、補正命令の日付 昭和５７年２月ダ日 乙補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７補正の内容 （１） 明細書第９頁第ｉｏ行目〜第１ｔ行目の［第
２図（ａ）・・・・・・・・・・・・・・・同様な」を
下記の通りに補正する。
Claims (4)
- （１）半導体チップを収容した半導体パッケージにおい
て、該半導体パッケージ内部又は表面番こ温度センサを
搭載し、該温度センサをして、これと別に設けた温度測
定用電気回路等の他の電気回路に接続するための外部端
子を、前記半導体パッケージに設けたことを特徴とする
半導体パッケージ。 - （２）前記外部端子は、前記半導体パッケージの表面に
導電性パターンで形成してリードレス・チップ・キャリ
ア型としてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体パッ
ケージ。 - （３）前記外部端子は、前記半導体パッケージの一面か
ら垂直に突出形成してプラグイン・パッケージ型として
なる特許請求の範囲第１項記載の半導体パッケージ。 - （４） 前記外部端子は、前記半導体パッケージの１
囲面から水平に突出形成してフラッドパッケージ型とし
てなる特許請求の範囲第１項記載の半導体パッケージ。 １５）前記外部端子は、前記半導体パッケージの対向す
る二面から突出形成してデュアル・インライン・パッケ
ージ型としてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17185181A JPS5873145A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17185181A JPS5873145A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873145A true JPS5873145A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15930945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17185181A Pending JPS5873145A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149844U (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-16 | ||
| US6786639B2 (en) | 2002-08-30 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Device for sensing temperature of an electronic chip |
| WO2018016162A1 (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US10468334B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-11-05 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP17185181A patent/JPS5873145A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149844U (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-16 | ||
| US6786639B2 (en) | 2002-08-30 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Device for sensing temperature of an electronic chip |
| WO2018016162A1 (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US10468334B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-11-05 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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