JPS587178A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS587178A JPS587178A JP56105183A JP10518381A JPS587178A JP S587178 A JPS587178 A JP S587178A JP 56105183 A JP56105183 A JP 56105183A JP 10518381 A JP10518381 A JP 10518381A JP S587178 A JPS587178 A JP S587178A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150092503 batf gene Proteins 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属−絶縁体−金属装置（以下、ＭＩＭ装置）
の非線型特性に基づくマルヂプレクス駆動性能の高い液
晶表示装置に関する。
の非線型特性に基づくマルヂプレクス駆動性能の高い液
晶表示装置に関する。
近年、ドツトマトリクスに代表される、表示情報量の大
きな液晶パネルが要求されている。この要求に答えるへ
く、従来のツィステッドネマチック液晶パネル（以下、
ＴＮ液晶パネル）のマルチブレクス駆動性能の改良が鋭
意なされている。
きな液晶パネルが要求されている。この要求に答えるへ
く、従来のツィステッドネマチック液晶パネル（以下、
ＴＮ液晶パネル）のマルチブレクス駆動性能の改良が鋭
意なされている。
現在のマルチブレクス駆動は、選択されていない画素電
極に印加される電圧の変動を防ぐために電圧平均化法と
いわれる駆動法が主流となっている。第１図は１／３バ
イアス法の波形例である。
極に印加される電圧の変動を防ぐために電圧平均化法と
いわれる駆動法が主流となっている。第１図は１／３バ
イアス法の波形例である。
第１図（α）は走査線にかかる電圧波形、（ｂ）はマ）
ＩＪクス中の液晶画素１を選択した時の信号線にかか
る電圧波形である。この時、同一信号線上の他の液晶画
素には、■ｏ／３の実効値を持つ電圧が印加されている
。同様に他の信号線にも選択画素に応じ変化する電圧波
形が加えられ、走査線の選択時２に信号線も選択されて
いれば■。、信号線が選択されていなければ■。／６、
信号線の選択、非選択によらず走査線が選択されていな
ければ■。／３の電圧が各液晶画素に実効的に印加され
ている。
ＩＪクス中の液晶画素１を選択した時の信号線にかか
る電圧波形である。この時、同一信号線上の他の液晶画
素には、■ｏ／３の実効値を持つ電圧が印加されている
。同様に他の信号線にも選択画素に応じ変化する電圧波
形が加えられ、走査線の選択時２に信号線も選択されて
いれば■。、信号線が選択されていなければ■。／６、
信号線の選択、非選択によらず走査線が選択されていな
ければ■。／３の電圧が各液晶画素に実効的に印加され
ている。
各液晶画素はこれらの４状態を、１回の走査時間にマル
チブレクス駆動の走査線数個選択する。
チブレクス駆動の走査線数個選択する。
ただし走査線は走査時間内に１度しか選択されないので
、各液晶画素は点灯時、■。状態を１回、残りの走査時
間は■。／３状態となり、非点灯時は全走査時間■。／
３状態となる。
、各液晶画素は点灯時、■。状態を１回、残りの走査時
間は■。／３状態となり、非点灯時は全走査時間■。／
３状態となる。
このようにして非点灯の全ｉｉ！ｊ素に印加される実効
電圧は常に一定となる。これを−膜化して、デユーティ
比 １／Ｉｑ（Ｎはマルチブレクス駆動の走査線数）、
Ｖ／１１２バイアス法の場合、点灯画素と非点用画素に
かかる実効電圧は各々（１）式、（２）式となる。
電圧は常に一定となる。これを−膜化して、デユーティ
比 １／Ｉｑ（Ｎはマルチブレクス駆動の走査線数）、
Ｖ／１１２バイアス法の場合、点灯画素と非点用画素に
かかる実効電圧は各々（１）式、（２）式となる。
ＶＯＮとＶ ＯＦＦ の比を最大にするのは０ ＝
Ｊ Ｎ ＋１の１（（ｒであり、その時のｖＯＮ ／
ＶＯＦＦは（３）式で表わされる。
Ｊ Ｎ ＋１の１（（ｒであり、その時のｖＯＮ ／
ＶＯＦＦは（３）式で表わされる。
（３）式かられかるように、走査線数Ｎが増加すると、
Ｖ ＯＮ ／ ＶＯＦＦ比は１に近づく。しかし現状の
ＴＮ液晶パネルの電圧−透過率特性から表示品質が保て
るＮの限界は数十位である。
Ｖ ＯＮ ／ ＶＯＦＦ比は１に近づく。しかし現状の
ＴＮ液晶パネルの電圧−透過率特性から表示品質が保て
るＮの限界は数十位である。
この限界を取り去る方法として、２周波駆動法、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）７トリクス、ＭＯＳトランジスタ
マトリクス、そしてＭ ＩＭ装置等が考案されている。
ランジスタ（ＴＦＴ）７トリクス、ＭＯＳトランジスタ
マトリクス、そしてＭ ＩＭ装置等が考案されている。
この中で、Ｄ 、 Ｒ、１３ａｒａ、ｆｆらによるＭ
Ｉ Ｍ装置を用いた液晶表示パネル（Ｓより工ｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｆ、ｇｅｓ
ｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ ｖｏｌ、
１１．ｐ、 ２００ 、 Ａ、ｐｒｉ１１９８０）は
、製造工程が比較的簡単であり、従来のマルチブレクス
駆動が使用できるといった利点を有している。この場合
のＭ工Ｍ装置の構成は、Ｔａ薄膜−Ｔａ２０．陽極酸化
膜−Ｎｉ−Ｏｒ膜からなっている。追試を行なったとこ
ろ、第２図に示すような非線型特性が得られた。このＭ
工Ｍ装置を流れる電流は、（４）式で与えられる。
Ｉ Ｍ装置を用いた液晶表示パネル（Ｓより工ｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｆ、ｇｅｓ
ｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ ｖｏｌ、
１１．ｐ、 ２００ 、 Ａ、ｐｒｉ１１９８０）は
、製造工程が比較的簡単であり、従来のマルチブレクス
駆動が使用できるといった利点を有している。この場合
のＭ工Ｍ装置の構成は、Ｔａ薄膜−Ｔａ２０．陽極酸化
膜−Ｎｉ−Ｏｒ膜からなっている。追試を行なったとこ
ろ、第２図に示すような非線型特性が得られた。このＭ
工Ｍ装置を流れる電流は、（４）式で与えられる。
ニーに■θｘｐ （βｖ′Ｖ）（４）
Ｋ −−−ｎ ｌ、。 。ｘｐ （−工）ｄ
にＴｄ、 、 Ｓ ： ＋
φ工Ｍ装置の絶縁層の厚さ、および面積 ｎ ：ギャリア密度 ｅ ：電子電荷 φ ：ｌ・ラップレベル深さ ε０ ：真空誘電率 ｌｔ：電子移動ｊＯ に ：ボルツマン定数 Ｔ ：絶対温度 ε１ ：光学的比誘電率（−月２） ０、Ｒ，Ｂａｒａｆｆらの液晶パネルは、第６図に示す
ように、片側の基板にＭＩＭ装置が付設した構成であり
、電気回路−Ｉ−は第４図に示すようなＭＩＭ装Ｍと液
晶層が直列接続された等価回路となっている。このＭ
Ｉ ！、Ｉｆ液晶パネルをマルチブレクス駆動すると、
Ｍ Ｉ Ｍ装置の非線型特性により、液晶層にかかる実
効電ｊ［（の比、Ｖ ＯＮ ／ Ｖ ＯＦＦが太きく得
られる。この結果、走査線数Ｎを２００程度にしても液
晶の０Ｎ−ＯＦＦが可能となっている。
にＴｄ、 、 Ｓ ： ＋
φ工Ｍ装置の絶縁層の厚さ、および面積 ｎ ：ギャリア密度 ｅ ：電子電荷 φ ：ｌ・ラップレベル深さ ε０ ：真空誘電率 ｌｔ：電子移動ｊＯ に ：ボルツマン定数 Ｔ ：絶対温度 ε１ ：光学的比誘電率（−月２） ０、Ｒ，Ｂａｒａｆｆらの液晶パネルは、第６図に示す
ように、片側の基板にＭＩＭ装置が付設した構成であり
、電気回路−Ｉ−は第４図に示すようなＭＩＭ装Ｍと液
晶層が直列接続された等価回路となっている。このＭ
Ｉ ！、Ｉｆ液晶パネルをマルチブレクス駆動すると、
Ｍ Ｉ Ｍ装置の非線型特性により、液晶層にかかる実
効電ｊ［（の比、Ｖ ＯＮ ／ Ｖ ＯＦＦが太きく得
られる。この結果、走査線数Ｎを２００程度にしても液
晶の０Ｎ−ＯＦＦが可能となっている。
このように情報量の大きな表示が可能となるＭ工Ｍ液晶
パネルではあるが、小さな面積に情＠ｌ量を集中させる
ことは極めて難しい。Ｍ工Ｍ液晶パネルの特徴番」、つ
まるところＭ工Ｍ装置の非線形特性による抵Ｄ１４のス
イッチングであり、低抵抗を通しての液晶層への充電と
、液晶層のリークによる放電とを巧妙にコントロールし
ているところにある。第５図はＭ工Ｍ特性（ａ）と液晶
層にかかる電圧の波形（ｂ）を示したものである。Ｍ工
Ｍ液晶パネルに印加する電圧波形は簡単のため（ｃ）の
波形としている。これによると液晶層にかかる電圧は、
まず液晶層の容量ＣＩ・ＣとＭ工Ｍによる容量ＯＭＩＭ
の容量分割された電圧５となり、次にＭ工Ｍ装置の抵抗
と液晶層の抵抗ＲＴ、Ｏによる抵抗分割された電ＩＪ：
、６を極限値とした電圧変化を行なう。この時の時定数
τは ＶＭＴＭ Ｉ Ｍ Ｉ Ｍ装置にｔにかかる電圧で与え
られる。
パネルではあるが、小さな面積に情＠ｌ量を集中させる
ことは極めて難しい。Ｍ工Ｍ液晶パネルの特徴番」、つ
まるところＭ工Ｍ装置の非線形特性による抵Ｄ１４のス
イッチングであり、低抵抗を通しての液晶層への充電と
、液晶層のリークによる放電とを巧妙にコントロールし
ているところにある。第５図はＭ工Ｍ特性（ａ）と液晶
層にかかる電圧の波形（ｂ）を示したものである。Ｍ工
Ｍ液晶パネルに印加する電圧波形は簡単のため（ｃ）の
波形としている。これによると液晶層にかかる電圧は、
まず液晶層の容量ＣＩ・ＣとＭ工Ｍによる容量ＯＭＩＭ
の容量分割された電圧５となり、次にＭ工Ｍ装置の抵抗
と液晶層の抵抗ＲＴ、Ｏによる抵抗分割された電ＩＪ：
、６を極限値とした電圧変化を行なう。この時の時定数
τは ＶＭＴＭ Ｉ Ｍ Ｉ Ｍ装置にｔにかかる電圧で与え
られる。
次にＭＩＭ液晶に印加される７１を庄が０になると、同
様に容置分割された電ＩＦを初期値とし、電圧０を極限
とした電圧変化が生じる。この時の時定数は同じ＜（５
）式で与えられるが、ＲＬａ ＜ ＲＭＩＭとなるので
、近似的には τ＝ （ＯＴ、Ｏ＋ＯＭＴＭ ） Ｔ（ｒ、ａ ・
・・・・（６）で表わせる。
様に容置分割された電ＩＦを初期値とし、電圧０を極限
とした電圧変化が生じる。この時の時定数は同じ＜（５
）式で与えられるが、ＲＬａ ＜ ＲＭＩＭとなるので
、近似的には τ＝ （ＯＴ、Ｏ＋ＯＭＴＭ ） Ｔ（ｒ、ａ ・
・・・・（６）で表わせる。
第６図はＯＭＩＭと０１・Ｃの比が１＝１と１＝１０の
場合の液晶層にかかる電圧波３Ｖを示した図である。こ
れからもわかるように、容置の比を大きくすることによ
って電Ｉ−Ｅが増加する。液晶は実効値応答をするので
簡単には図の面積を考えるとよい。
場合の液晶層にかかる電圧波３Ｖを示した図である。こ
れからもわかるように、容置の比を大きくすることによ
って電Ｉ−Ｅが増加する。液晶は実効値応答をするので
簡単には図の面積を考えるとよい。
このようにＯＭＩＭ トＣ１，Ｏの容１ｆｔ比は液晶に
かかる実効値を大きく変動させる。同時に０Ｎ−ＯＦＦ
実効値比も変動し、最適な素子定数のマツチング状態で
は容量比が大きい程実効値比がとれる。
かかる実効値を大きく変動させる。同時に０Ｎ−ＯＦＦ
実効値比も変動し、最適な素子定数のマツチング状態で
は容量比が大きい程実効値比がとれる。
しかしながら、コンパクトな犬情報伍表示を目的とした
画素サイズの小さなＭＩＭ液晶パネルの場合、製作上の
制約から（ｌ ＭＩＭの小さなＭ工Ｍ装置は実現が困鄭
である。例として、絶縁体にＴａ２Ｏ，を用い、電源室
ｕ：、２０ Ｖで駆動する場合を考える。液晶は比誘電
率が５＝３０程度変化するがｆｆ１ｆ単のため１０とし
、画素面積をＩ Ｘ 、１０−７？７．２ （約０．３
ｎｒ角）、ギャップを８μｍとするとＱＩ・Ｃは１．
１ ｐ Ｆである。Ｑ ＭＩＭはこれに対し１０分の１
とすると、Ｔａ２Ｏ，ノ厚さを５ｏｏＸとすれば、１φ
ＩＭ装置の面積は２５ Ｉｔ ｍ２となる。
画素サイズの小さなＭＩＭ液晶パネルの場合、製作上の
制約から（ｌ ＭＩＭの小さなＭ工Ｍ装置は実現が困鄭
である。例として、絶縁体にＴａ２Ｏ，を用い、電源室
ｕ：、２０ Ｖで駆動する場合を考える。液晶は比誘電
率が５＝３０程度変化するがｆｆ１ｆ単のため１０とし
、画素面積をＩ Ｘ 、１０−７？７．２ （約０．３
ｎｒ角）、ギャップを８μｍとするとＱＩ・Ｃは１．
１ ｐ Ｆである。Ｑ ＭＩＭはこれに対し１０分の１
とすると、Ｔａ２Ｏ，ノ厚さを５ｏｏＸとすれば、１φ
ＩＭ装置の面積は２５ Ｉｔ ｍ２となる。
画素毎の特性を揃えるためには、この５μ角のＭ工Ｍ装
置を精度よく製作しな＋ｉればならず、現在のフォ）
ＩＪソゲラフイーの技術でも相当に難しいことがわかる
。
置を精度よく製作しな＋ｉればならず、現在のフォ）
ＩＪソゲラフイーの技術でも相当に難しいことがわかる
。
本発明はＭ Ｉ Ｍ装置と直列に、かつ液晶層と並列に
接続された補助容Ｍ （ＯＳ）を設置し、これによりＭ
工Ｍ装置の製作を容易にし、画素の特性が揃った表示品
位の高い液晶表示装置を与えるものである。
接続された補助容Ｍ （ＯＳ）を設置し、これによりＭ
工Ｍ装置の製作を容易にし、画素の特性が揃った表示品
位の高い液晶表示装置を与えるものである。
次に実施例にもとづき本発明を詳説する。
第７図は補助容１ｙ＋としてＢａＴ１０３層を液晶層内
に設着した１画素の模式図である。２がＢａＴｉＯ３層
、６が液晶層である。１のＭＩＭ装置はＴａ及び、Ｔａ
（７）陽極酸化膜で製作されている。ＢａＴ１０３層と
液晶層は厚さ１０ ／ｌ ７ｎであり、Ｂａ、ＴｉＯ３
層は１３ａＴｉＯ，の粉体とンリコン樹脂の混合物をｌ
＠ ０．１５冠でスクリーン印刷し、形成した。ＢａＴ
ｉＯ３粉体の粒径を１０μ程度に揃えられればギヤノブ
の保持機能も合わせ持たせることができる。これにより
ＢａＴｉＯ３層の容量を含む液晶層の等許容量（ｊ Ｌ
Ｏは、液晶だ（づの場合の５〜１０倍に増加した。
に設着した１画素の模式図である。２がＢａＴｉＯ３層
、６が液晶層である。１のＭＩＭ装置はＴａ及び、Ｔａ
（７）陽極酸化膜で製作されている。ＢａＴ１０３層と
液晶層は厚さ１０ ／ｌ ７ｎであり、Ｂａ、ＴｉＯ３
層は１３ａＴｉＯ，の粉体とンリコン樹脂の混合物をｌ
＠ ０．１５冠でスクリーン印刷し、形成した。ＢａＴ
ｉＯ３粉体の粒径を１０μ程度に揃えられればギヤノブ
の保持機能も合わせ持たせることができる。これにより
ＢａＴｉＯ３層の容量を含む液晶層の等許容量（ｊ Ｌ
Ｏは、液晶だ（づの場合の５〜１０倍に増加した。
第８図は、補助合端として粒径約８μ籾のＢ ａ Ｔ’
１０３粉体をＭ Ｉ Ｍ液晶パネルに、ギャップ保持
材を兼ね、散布した例である。この場合、散布偵が多量
であるのと、均πｔに散布するのが難点であるが、本実
施例で目均質に散布されている画素の容■と、はとんど
ＢａＴｉ、Ｏ，粉体の見られない画素の容量比は１：３
程度が得られ、散布による容量の増加がみられた。
１０３粉体をＭ Ｉ Ｍ液晶パネルに、ギャップ保持
材を兼ね、散布した例である。この場合、散布偵が多量
であるのと、均πｔに散布するのが難点であるが、本実
施例で目均質に散布されている画素の容■と、はとんど
ＢａＴｉ、Ｏ，粉体の見られない画素の容量比は１：３
程度が得られ、散布による容量の増加がみられた。
このようにして製作されたＭ工ＩＡ液晶パネルは、１１
５バイアス法、ピーク電圧２０Ｖ、Ｎ＝２００で十分す
ＯＮ −ＯＦ Ｆが可能となった。尚、Ｍ工ＩＡ装置は
Ｔ ａ−Ｔ ａ２０．− Ｔ ａの構造、１０μ、角で
あり、画素面積は［］、 １ ｗｌ、ギヤノブは１ｏμ
ｍである。
５バイアス法、ピーク電圧２０Ｖ、Ｎ＝２００で十分す
ＯＮ −ＯＦ Ｆが可能となった。尚、Ｍ工ＩＡ装置は
Ｔ ａ−Ｔ ａ２０．− Ｔ ａの構造、１０μ、角で
あり、画素面積は［］、 １ ｗｌ、ギヤノブは１ｏμ
ｍである。
以上説明したように、本発明によれば画素に対応した等
許容［１０ＬＯの増加が可能となり、従来のＭ 工Ｍ液
晶パネルのＭ 丁Ｍ装置に比べ装置形状の許容最小値を
大きくできる。このため製作が容易になり、Ｍ丁Ｍ装置
の特性を均一に揃う。さらに同一形状のＭ 工Ｍ液晶パ
ネルに実施すると、大きな容量比が簡単に実現され、液
晶層とＭ Ｉ Ｍ装置の素子定数のマツチングが容易に
なるという利点がある。
許容［１０ＬＯの増加が可能となり、従来のＭ 工Ｍ液
晶パネルのＭ 丁Ｍ装置に比べ装置形状の許容最小値を
大きくできる。このため製作が容易になり、Ｍ丁Ｍ装置
の特性を均一に揃う。さらに同一形状のＭ 工Ｍ液晶パ
ネルに実施すると、大きな容量比が簡単に実現され、液
晶層とＭ Ｉ Ｍ装置の素子定数のマツチングが容易に
なるという利点がある。
以−［二の実施例はＢ ａ Ｔ 」、 Ｏｓの大きな比
誘電率を利用したものであるが、本発明はＢ ａ Ｔ
ｉ Ｏ３に何ら限定されるものではなく、液晶の比誘電
率より大きな比誘電率を有する物質ならば応用できるこ
とを示唆している。
誘電率を利用したものであるが、本発明はＢ ａ Ｔ
ｉ Ｏ３に何ら限定されるものではなく、液晶の比誘電
率より大きな比誘電率を有する物質ならば応用できるこ
とを示唆している。
本発明は表示情報量の大きな液晶パネルの分野に、駆動
特性が優れた表示品位の高いＭ工Ｍ液晶パネルを安価に
提供するものと確信する。
特性が優れた表示品位の高いＭ工Ｍ液晶パネルを安価に
提供するものと確信する。
第１図はＶ／３バイアス、マルチブレクス駆動の波形を
示すものである。（α）は走査線にかかる電工波形、（
ｂ）は信号線にかかる電圧波形、（ｃ）は画素１にかか
る電圧波形である。 １・・・・・画素 ２・・・・・・選択時（斜線部） 第２図はＭ工Ｍ装置の特性例を示すものである。 第６図はＭ工Ｍ装置の模式図である。 １・・・・・・上側基板（対向電極側）２・・・・・・
下側基板（ＭＩＭ装置側）３・・・・・・画素 第４図はＭ工Ｍ液晶パネルの等価回路を示すものである
。 第５図はＭＩＭ液晶パネルの動作を表わした図である。 （ａ）はＭ工Ｍ装置の特性、（ｂ）は液晶層にかかる電
圧波形、（ｃ）はＭ工Ｍ液晶パネルに入力する電圧波形
である。 １・・・・・・（ｃ）の６に示す入力電圧に対応した液
晶層にかかる電圧波形 ２・・・・・（１）の４に示す入力電圧に対応した液晶
層にかかる電圧波形 ３．４・・・入力電圧波形 ５・・・・・・容量分割された電圧値 ６・・・・・抵抗分割された電圧値 第６図は容量比を変えた時の液晶層にががる電圧波形を
示したものである。（ａ）は０１１０ ／ ＣＭＩＭが
１の時、（ｂ）はＱ ＬＯ／ Ｑ ＭＩＭが１ｏの時で
ある。 第７図は本発明によるＭＩＭ液晶パネルの１画素周辺の
模式図である。 １・・・・・・Ｍ工Ｍ装置部分 ２・・・・・・Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ，層３・・・・・・
画素電極 第８図は本発明によるＭ工Ｍ液晶パネルの１画素周辺の
模式図である。 １・・・・・・Ｍ工Ｍ装置部分 ２・・・・・・ＢａＴｆ、Ｏ，粒子 ３・・・・・・画素電極 以 上 出廓ｊ人 株式会礼諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
示すものである。（α）は走査線にかかる電工波形、（
ｂ）は信号線にかかる電圧波形、（ｃ）は画素１にかか
る電圧波形である。 １・・・・・画素 ２・・・・・・選択時（斜線部） 第２図はＭ工Ｍ装置の特性例を示すものである。 第６図はＭ工Ｍ装置の模式図である。 １・・・・・・上側基板（対向電極側）２・・・・・・
下側基板（ＭＩＭ装置側）３・・・・・・画素 第４図はＭ工Ｍ液晶パネルの等価回路を示すものである
。 第５図はＭＩＭ液晶パネルの動作を表わした図である。 （ａ）はＭ工Ｍ装置の特性、（ｂ）は液晶層にかかる電
圧波形、（ｃ）はＭ工Ｍ液晶パネルに入力する電圧波形
である。 １・・・・・・（ｃ）の６に示す入力電圧に対応した液
晶層にかかる電圧波形 ２・・・・・（１）の４に示す入力電圧に対応した液晶
層にかかる電圧波形 ３．４・・・入力電圧波形 ５・・・・・・容量分割された電圧値 ６・・・・・抵抗分割された電圧値 第６図は容量比を変えた時の液晶層にががる電圧波形を
示したものである。（ａ）は０１１０ ／ ＣＭＩＭが
１の時、（ｂ）はＱ ＬＯ／ Ｑ ＭＩＭが１ｏの時で
ある。 第７図は本発明によるＭＩＭ液晶パネルの１画素周辺の
模式図である。 １・・・・・・Ｍ工Ｍ装置部分 ２・・・・・・Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ，層３・・・・・・
画素電極 第８図は本発明によるＭ工Ｍ液晶パネルの１画素周辺の
模式図である。 １・・・・・・Ｍ工Ｍ装置部分 ２・・・・・・ＢａＴｆ、Ｏ，粒子 ３・・・・・・画素電極 以 上 出廓ｊ人 株式会礼諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 液晶表示パネルを構成する一方の基板の内面に、薄膜素
子として金属−絶縁体−金属装置を形成した液晶表示装
置において、該金属−絶縁体−金属装置に電気的に接続
され、液晶層に接する電極と、対向する基板上に設置さ
れた電極間に補助容量を設置したことを特徴とする液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105183A JPS587178A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105183A JPS587178A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587178A true JPS587178A (ja) | 1983-01-14 |
| JPS6217751B2 JPS6217751B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=14400556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105183A Granted JPS587178A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173728A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Seiko Epson Corp | アクティブデバイス |
| JPH02302734A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-14 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56105183A patent/JPS587178A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173728A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Seiko Epson Corp | アクティブデバイス |
| JPH02302734A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-14 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217751B2 (ja) | 1987-04-20 |
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