JPS587055B2 - Gap setting device in proximity aligner - Google Patents

Gap setting device in proximity aligner

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JPS587055B2
JPS587055B2 JP54089434A JP8943479A JPS587055B2 JP S587055 B2 JPS587055 B2 JP S587055B2 JP 54089434 A JP54089434 A JP 54089434A JP 8943479 A JP8943479 A JP 8943479A JP S587055 B2 JPS587055 B2 JP S587055B2
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JP
Japan
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wafer
mask
gap
setting device
gap setting
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JP54089434A
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伸彌 篠山
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Nikon Corp
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Nippon Kogaku KK
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プロキシミテイ・アライナーにおけるギャッ
プ設定装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a gap setting device in a proximity aligner.

半導体装置製造においては、マスクのパターンを半導体
基板(以下ウエハと呼ぶ)面上に塗布された感光剤に転
写することが行われる。
2. Description of the Related Art In manufacturing semiconductor devices, a pattern of a mask is transferred to a photosensitive agent coated on the surface of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer).

この転写方法には種々の方法がとられているが、その内
にマスクとウエハを近接(例えば数μmの間隔をあけて
)させた状態で支持し、マスク上方より紫外線、軟X線
又はイオンビーム等を照射する、いわゆるプロキシミテ
イ法がある。
Various methods are used for this transfer method, but the mask and wafer are supported in close proximity (for example, with a spacing of several μm), and ultraviolet rays, soft X-rays, or ions are emitted from above the mask. There is a so-called proximity method in which a beam or the like is irradiated.

このプロキシミテイ法におけるマスクとウエノ八の間隙
(以下ギャップと呼ぶ)は非常に小さく、所定のギャッ
プを得ることが非常に難しく種々の方法が考案されてい
る。
The gap between the mask and Uenohachi (hereinafter referred to as gap) in this proximity method is very small, and it is very difficult to obtain a predetermined gap, and various methods have been devised.

例えば、第1図に示す機械的基準面を用いた装置がある
For example, there is a device using a mechanical reference surface as shown in FIG.

以下この従来装置を説明する。まず第1図aにおいて、
所定のギャップグに相当する段差1aをもった工具1を
マスクテーブル2に真空吸着固定する。
This conventional device will be explained below. First, in Figure 1a,
A tool 1 having a step 1a corresponding to a predetermined gap is fixed to a mask table 2 by vacuum suction.

ウエハ3をウエハチャック4を介して下方から押しあげ
る機構5で下方から工具1に押しつける。
The wafer 3 is pressed against the tool 1 from below by a mechanism 5 for pushing up from below via a wafer chuck 4.

この状態で−F方から押しあげる機構5を不図示の機構
でクランプする。
In this state, the mechanism 5 pushing up from the -F direction is clamped by a mechanism not shown.

このウエハチャック4の下面は球面座となっているから
、ウエハ3が楔状をしていてもウエハ3の上面は工具1
の面に密着させられる。
Since the lower surface of this wafer chuck 4 is a spherical seat, even if the wafer 3 is wedge-shaped, the upper surface of the wafer 3 is attached to the tool 1.
can be placed in close contact with the surface of the

次に第1図bにおいて、マスクテーブル2と工具1との
間の真空をきって工具1を取り除き、代りにマスク6を
マスクテーブル2の面に真空吸着すると、マスク6とウ
エハ3間に所定のギャップグが得られる。
Next, in FIG. 1b, the vacuum between the mask table 2 and the tool 1 is cut off, the tool 1 is removed, and the mask 6 is vacuum-adsorbed onto the surface of the mask table 2 instead. You can get a gap tag of .

第2図は、他の従来装置の例で、3個のギャップセンサ
ーを用いてマスクとウエハのギヤツプを設定する装置で
ある。
FIG. 2 is an example of another conventional apparatus, which uses three gap sensors to set the gap between the mask and the wafer.

第2図において、ウエハ21はウエハチャック22に真
空吸着保持されている。
In FIG. 2, a wafer 21 is held by a wafer chuck 22 by vacuum suction.

ウエハチャック22は3個のねじ(第2図には23A,
23Bの2個のみ現われている)で支えられている。
The wafer chuck 22 has three screws (23A in FIG.
23B (only two are shown).

ウエハチャック22の高さ及び面方向は、3個のねじに
接続された3個のモータ(図には24A,24Bの2個
のみ現われている)で調整できる。
The height and surface direction of the wafer chuck 22 can be adjusted by three motors (only two motors 24A and 24B are shown in the figure) connected to three screws.

ウエハチャック22は支持台25との間に張設された引
張ぱね26で下方に引張られている。
The wafer chuck 22 is pulled downward by a tension spring 26 that is stretched between the wafer chuck 22 and the support base 25.

マスク27は、マスクホルダ28に真空吸着固定されて
いる。
The mask 27 is fixed to the mask holder 28 by vacuum suction.

マスクホルダ28はマスクテーブル29に真空吸着固定
されている。
The mask holder 28 is fixed to the mask table 29 by vacuum suction.

マスクホルダ28には、ギヤツプセンサー(図では30
A,30Bの2個のみ現われている)が3個マスク27
を囲むように組込まれており、これによってマスクとウ
エハのギャップが測定できるようになっている。
The mask holder 28 has a gap sensor (30 in the figure).
Only two (A, 30B) appear in the mask 27
This allows the gap between the mask and wafer to be measured.

すなわち、3個のギャップセンサーの値をみながら3個
のモータを制御することによりマスクとウエハのギャッ
プを任意の値に調整することができる。
That is, by controlling the three motors while checking the values of the three gap sensors, the gap between the mask and the wafer can be adjusted to an arbitrary value.

上記した従来装置を使用するに際して次の問題を解決す
る必要がある。
When using the conventional device described above, the following problems need to be solved.

その問題とは、ウエハ表面の平面度が十分に良くないこ
とであり、特に最近の傾向であるウエハの大口径化に伴
いますます悪化してきている。
The problem is that the flatness of the wafer surface is not sufficiently good, and this problem is becoming worse with the recent trend of increasing the diameter of wafers.

このような問題のあるウエハ面上に従来装置を使って転
写を行うと、平面度の差によってギャップに差ができる
ためウエハ全面についてのギャップが正しい値とはなら
ない。
If a conventional apparatus is used to perform transfer onto a wafer surface having such a problem, a difference in the gap will occur due to the difference in flatness, so the gap for the entire surface of the wafer will not be a correct value.

したがって、ウエハ全面について正しく転写ができない
ことになる。
Therefore, the entire surface of the wafer cannot be transferred correctly.

この欠点を避ける方法としては、ウエハの平面度の得ら
れる小領域にわけて、各領域毎に転写をくり返す方法が
とられている。
A method to avoid this drawback is to divide the wafer into small areas where flatness can be obtained and repeat transfer for each area.

しかし、この方法に対しては前述の従来装置は次のよう
な欠点をもつ。
However, with respect to this method, the conventional apparatus described above has the following drawbacks.

すなわち、第1図で示した装置では、転写毎にマスクを
はずして工具をセットしなければならないから手数がか
Xりすぎる。
That is, in the apparatus shown in FIG. 1, the mask must be removed and the tool set for each transfer, which is too time-consuming.

またウエハ面に工具がくり返し接触するからウエハ面に
傷がつきやすい。
In addition, the wafer surface is likely to be scratched because the tool repeatedly contacts the wafer surface.

また、第2図で示した装置では、マスクを囲むようにギ
ャップセンサーを配設してウエハの転写部分の外側でギ
ャップ測定を行っているので、ギャップ設定精度が十分
でない。
Further, in the apparatus shown in FIG. 2, gap sensors are arranged to surround the mask and gap measurement is performed outside the transfer portion of the wafer, so the gap setting accuracy is not sufficient.

また、ウエハの端部に転写を行おうとするとき、ギャッ
プセンサーの1個又は2個がウエハの外側にはみだしギ
ャップの測定ができないという欠点がある。
Another drawback is that when transferring to the edge of the wafer, one or two of the gap sensors protrude outside the wafer, making it impossible to measure the gap.

本発明の目的は、従来装置のこれらの欠点を除いた、ギ
ャップ設定装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a gap setting device which eliminates these drawbacks of conventional devices.

以下、本発明を各実施例を示す第3図、第4図を用いて
説明する。
Hereinafter, the present invention will be explained using FIG. 3 and FIG. 4 showing each embodiment.

第1実施例を示す第3図において、ウエハ31はウエハ
ホルダ32の上面に真空吸着保持されている。
In FIG. 3 showing the first embodiment, a wafer 31 is held on the upper surface of a wafer holder 32 by vacuum suction.

ウエハホルダ32は、Zステージ33、XYステージ3
4の上に組まれており、計算機35の指令によってそれ
ぞれZ方向;X方向;Y方向に移動できる。
The wafer holder 32 has a Z stage 33 and an XY stage 3.
4, and can be moved in the Z direction; X direction; and Y direction, respectively, according to instructions from the computer 35.

Zステージ、XYステージはそれぞれ不図示のサーボモ
ータでコントロールされている。
The Z stage and the XY stage are each controlled by a servo motor (not shown).

マスク36はマスクホルダ37に真空吸着保持されてい
る。
The mask 36 is held by a mask holder 37 by vacuum suction.

マスクホルダ37はマスクテーブル38に真空吸着保持
されている。
The mask holder 37 is held on the mask table 38 by vacuum suction.

マスクテーブル38に1個のギャップセンサー39が組
み込まれている。
One gap sensor 39 is built into the mask table 38.

以下作動について説明する。The operation will be explained below.

まずZステージ33を一定位置に固定する。First, the Z stage 33 is fixed at a fixed position.

XYステージ34を移動して、ウエハ31をギャップセ
ンサー39の下で走査しウエハ31上の各点の座標(x
,y)に対するウエハの高さ(z)を測定してその値を
計算機35に記憶させる。
The XY stage 34 is moved to scan the wafer 31 under the gap sensor 39, and the coordinates (x
, y) is measured and the value is stored in the computer 35.

次にXYステージ34をマスク36の下に移動してウエ
ハ31面上に塗布された感光剤にマスクのパターンをく
り返し転写をしていくが、そのとき計算機35に記憶し
てあるウエハ31上の各点の座標に対するウエハの高さ
の値に応じてZステージ33をコントロールして、マス
ク36とウエハ31の転写部分のギャップを常に一定に
なるようにする。
Next, the XY stage 34 is moved under the mask 36 and the mask pattern is repeatedly transferred onto the photosensitive agent coated on the wafer 31 surface. The Z stage 33 is controlled according to the value of the height of the wafer with respect to the coordinates of each point, so that the gap between the transferred portion of the mask 36 and the wafer 31 is always constant.

以上の如く作動させて、ウエハ全面にわたり常に一定の
ギャップで転写することができる。
By operating as described above, it is possible to perform transfer over the entire surface of the wafer with a constant gap.

本実施例ではギャップセンサーを1個用いた例を述べた
が、測定の効率をあげるため複数個のセンサーを並べて
使用することも可能である。
In this embodiment, an example using one gap sensor has been described, but it is also possible to use a plurality of sensors in parallel in order to improve measurement efficiency.

第4図は本発明の第2実施例を示す。FIG. 4 shows a second embodiment of the invention.

第3図さの差異は、ギャップセンサがマスクホルダに組
み込まれてマスクの転写領域の中心から、転写領域の幅
Lだけ右側に位置していることである。
The difference between FIG. 3 and FIG. 3 is that the gap sensor is incorporated into the mask holder and is located to the right of the center of the transfer area of the mask by the width L of the transfer area.

同一図番は第3図の部材と同じものである。以下、作動
について説明する。
Identical numbers refer to the same parts as those in FIG. The operation will be explained below.

まず、XYステージ34を制御しウエハ31上の転写し
たい部分を1個のギャップセンサ40の真下にもってく
る。
First, the XY stage 34 is controlled to bring the portion of the wafer 31 to be transferred directly below one gap sensor 40 .

この状態でギャップセンサー40の測定値によって、Z
ステージ33をコントロールし、ギャップを所定の値に
設定する。
In this state, Z is determined by the measurement value of the gap sensor 40.
The stage 33 is controlled and the gap is set to a predetermined value.

次にXYステージ34をLだけ左方に移動してマスク3
6による第1領域の転写を行なう。
Next, move the XY stage 34 to the left by L to remove the mask 3.
Transfer the first area according to step 6.

第1領域の転写が終るとギャップセンサ40の真下に第
2領域がきているので、再びギャップセンサー40の測
定値によってZステージ33をコントロールする。
When the transfer of the first area is completed, the second area is located directly below the gap sensor 40, so the Z stage 33 is controlled again based on the measured value of the gap sensor 40.

次にXYステージ34をLだけ左方へ移動してマスク3
6による第2領域の転写を行う。
Next, move the XY stage 34 to the left by L to remove the mask 3.
Transfer the second area according to step 6.

以下、同様にしてくり返して全領域の転写を行なう。Thereafter, the entire area is transferred in the same manner repeatedly.

第2実施例を用いると、ウエハの千面度についての情報
を計算機35に記憶する必要がないので計算機の容量は
小さくてすむ。
When the second embodiment is used, there is no need to store information about the wafer's 1,000-sided degree in the computer 35, so the capacity of the computer can be small.

以上の如き本発明によれば、ウエハを走査してウエハ上
の各点の高さを測定する測定手段39,40、該ウエハ
上の各点の高さの値を記憶する記憶千段35、マスクの
下までウエハを移動させ、記憶手段の記憶しているウエ
ハ上の各点の高さに応じてマスクとウエハのギャップを
コントロールする移動千段33,34とを設けたから、
ウエハの周辺部でもマスクとウエハのギャップ設定が可
能となり、ウエハ全面についてマスクのパターンの正し
い転写が行われる。
According to the present invention as described above, the measuring means 39 and 40 scan the wafer and measure the height of each point on the wafer, the memory stage 35 stores the height value of each point on the wafer, Because the moving stages 33 and 34 are provided to move the wafer to the bottom of the mask and control the gap between the mask and the wafer according to the height of each point on the wafer stored in the storage means,
It is possible to set the gap between the mask and the wafer even at the periphery of the wafer, and the mask pattern can be correctly transferred over the entire surface of the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、第1の従来例であるギャップ設定装置、第2
図は第2の従来例であるギャップ設定装置を示す。 第3図は本発明の第1実施例、第4図は第2実施例を示
す。 主要部分の符号の説明、31・・・ウエハ、32・・・
ウエハホルダ、33・・・Zステージ}・・・移動手段
、34・・・XYステージ}・・・移動手段、35・・
・計算機・・・記憶手段、36・・・マスク、39,4
0・・・ギャップセンサー・・・測定手段。
FIG. 1 shows a first conventional gap setting device, a second conventional gap setting device,
The figure shows a second conventional example of a gap setting device. FIG. 3 shows a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows a second embodiment. Explanation of symbols of main parts, 31... wafer, 32...
Wafer holder, 33...Z stage}...Movement means, 34...XY stage}...Movement means, 35...
・Calculator...Storage means, 36...Mask, 39,4
0...Gap sensor...Measuring means.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マスクとウエハを近接させた状態で支持し、マスク
上方より紫外線又は軟X線等を照射してマスクのパター
ンをウエハ面上に塗布された感光剤に転写するプロキシ
ミテイ・アライナーにおいて、ウエハを走査してウエハ
上の各点の高さを測定する測定手段、該ウエハ上の各点
の高さの値を記憶する記憶手段、マスクの下までウエハ
を移動させ、前記記憶手段の記憶しているウエハ上の各
点の高さの値に応じてマスクとウエハのギャップをコン
トロールする移動手段とを設けたことを特徴とするギャ
ップ設定装置。 2 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記測定手段をマスクホルダを真空吸着保持す
るマスクテーブル38に少くとも1個組み込んだギャッ
プセンサー39としたことを特徴とするギャップ設定装
置。 3 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記測定手段をマスクを真空吸着保持するマス
クホルダ37にl個組み込んだギャツプセンサー40と
したことを特徴とするギャップ設定装置。 4 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記移動手段はウエハを前記記憶手段の指令に
よってZ方向に移動するZステージとX方向、Y方向に
移動するXYステージとから成ることを特徴とするギャ
ップ設定装置。 5 特許請求の範囲第3項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記ギャップセンサー40を、マスク36の転
写領域の中心と該センサーの中心の距離を前記マスクの
転写領域Lと等しくなる如くマスクホルダ37に組み込
んだことを特徴とするギャップ設定装置。
[Scope of Claims] 1. Proximity technology in which a mask and a wafer are supported in close proximity and the mask pattern is transferred to a photosensitive agent coated on the wafer surface by irradiating ultraviolet rays, soft X-rays, etc. from above the mask. - In the aligner, a measuring means scans the wafer and measures the height of each point on the wafer, a storage means stores the height value of each point on the wafer, moves the wafer to below the mask, and measures the height of each point on the wafer. A gap setting device comprising a moving means for controlling the gap between the mask and the wafer according to the height value of each point on the wafer stored in the storage means. 2. The gap setting device according to claim 1, wherein the measuring means is at least one gap sensor 39 built into the mask table 38 that holds the mask holder by vacuum suction. . 3. The gap setting device according to claim 1, wherein the measuring means is one gap sensor 40 built into a mask holder 37 that holds a mask by vacuum suction. 4. In the gap setting device according to claim 1, the moving means includes a Z stage that moves the wafer in the Z direction according to instructions from the storage means, and an XY stage that moves the wafer in the X and Y directions. A gap setting device featuring: 5. In the gap setting device according to claim 3, the gap sensor 40 is mounted on the mask holder 37 such that the distance between the center of the transfer area of the mask 36 and the center of the sensor is equal to the transfer area L of the mask. A gap setting device characterized in that it is incorporated into.
JP54089434A 1979-07-14 1979-07-14 Gap setting device in proximity aligner Expired JPS587055B2 (en)

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