JPS5867866A - 金属タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
金属タ−ゲツトの製造方法Info
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- JPS5867866A JPS5867866A JP16767681A JP16767681A JPS5867866A JP S5867866 A JPS5867866 A JP S5867866A JP 16767681 A JP16767681 A JP 16767681A JP 16767681 A JP16767681 A JP 16767681A JP S5867866 A JPS5867866 A JP S5867866A
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- JP
- Japan
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- metal
- molten
- target
- melting point
- powder
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属ターゲットの製造方法に関するものであ
る。
る。
金属ターゲットは直流スパッタリング法、高周波スパッ
タリング法などにおいて、被着材料として用いられるも
のであり、通常スパッタリング装置の陰極側に設置され
る。
タリング法などにおいて、被着材料として用いられるも
のであり、通常スパッタリング装置の陰極側に設置され
る。
このように金属ターゲットとしては、ｚｎ−Ｎｉ合金、
Ａ Ｉ −８ｉ合金、あるいはＡＩ−Ｃｕ合金などがあ
り、このうちＺｎ−Ｎｉ合金はりアクティブスパッタリ
ングにより酸化亜鉛の圧電結晶を作成するターゲットと
して用いられ、Ａ Ｉ −８ｉ合金、Ａ Ｉ −Ｃｕ合
金は導電膜を作成するためのターゲットとして用いられ
る。
Ａ Ｉ −８ｉ合金、あるいはＡＩ−Ｃｕ合金などがあ
り、このうちＺｎ−Ｎｉ合金はりアクティブスパッタリ
ングにより酸化亜鉛の圧電結晶を作成するターゲットと
して用いられ、Ａ Ｉ −８ｉ合金、Ａ Ｉ −Ｃｕ合
金は導電膜を作成するためのターゲットとして用いられ
る。
かかる金属ターゲットを作成する方法としては、たとえ
ばｚｎを主体とする７ｎ−Ｎｉ合金については、次のよ
うな方法が取られている。
ばｚｎを主体とする７ｎ−Ｎｉ合金については、次のよ
うな方法が取られている。
つまり、Ｚｎの融点が４２０℃であり、他方Ｎ（の融点
が１４５３℃となっているように、融点がそれぞれ異な
るため、あらかじめＮｉを主体とするＮｔ−Ｚｎの母合
金を用意しておき、この母合金を溶′融させておいて徐
々にｚｎ量を増やし、最終的にはｚｎを主体とする合金
を作成している。
が１４５３℃となっているように、融点がそれぞれ異な
るため、あらかじめＮｉを主体とするＮｔ−Ｚｎの母合
金を用意しておき、この母合金を溶′融させておいて徐
々にｚｎ量を増やし、最終的にはｚｎを主体とする合金
を作成している。
しかしながら、このような手段では、Ｎｉを主体とする
Ｎｉ−Ｚｎ合金からＺｎを主体とするＺｎ−Ｎｉ合金と
するまでに多くの工程数と時間を要し、工業的な生産方
法としてはまだ改善の余地を有するものであった。
Ｎｉ−Ｚｎ合金からＺｎを主体とするＺｎ−Ｎｉ合金と
するまでに多くの工程数と時間を要し、工業的な生産方
法としてはまだ改善の余地を有するものであった。
このことはもちろん、すでに上述したＡｌ−Ｓｉ合金、
Ａ Ｉ −Ｃｕ合金などについてもあてはまる問題であ
った。
Ａ Ｉ −Ｃｕ合金などについてもあてはまる問題であ
った。
したがって、この発明は金属ターゲットを簡便に製造す
ることができる方法を提供せんとするものである。
ることができる方法を提供せんとするものである。
すなわち、この発明の要旨とするところは、あらかじめ
金属を溶融させておき、この溶融金属よりも高い融点を
有する金属粉末を溶融金属に混入させ、そののち冷却す
ることからなることを特徴とする金属ターゲットの製造
方法である。
金属を溶融させておき、この溶融金属よりも高い融点を
有する金属粉末を溶融金属に混入させ、そののち冷却す
ることからなることを特徴とする金属ターゲットの製造
方法である。
ここで、溶融させる対象となる金属としては、加熱によ
り溶融させやすい低融点の金属、たとえば、Ｚｎ、Ａ
Ｉなどが掲げられる。
り溶融させやすい低融点の金属、たとえば、Ｚｎ、Ａ
Ｉなどが掲げられる。
また、この溶融させた金属に加える金属粉末としては、
たとえばＺｎに加える金属粉末としては、たとえば、Ｖ
、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ。
たとえばＺｎに加える金属粉末としては、たとえば、Ｖ
、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ。
Ｎ ’＋、Ｃｕ、ＡＱ、Ｔｅ、およびＵのうち少なくと
も１種からなる。たとえばＡ１に加える金属粉末として
は、たとえば、Ｓｉ、Ｃｕなどがある。
も１種からなる。たとえばＡ１に加える金属粉末として
は、たとえば、Ｓｉ、Ｃｕなどがある。
このうち、たとえばＺｎ−Ｖ合金ターゲットを用い、リ
アクティブスパッタリング法により■を含有する酸化亜
鉛の圧電結晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性、膜質の改善
に効果がある。
アクティブスパッタリング法により■を含有する酸化亜
鉛の圧電結晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性、膜質の改善
に効果がある。
また、たとえばＺｎ−Ｃｒ合金を用い、リアクティブス
パッタリング法によりＣｒを含有する酸化亜鉛の圧電結
晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性と被着基板との密着性を
改善することができる。
パッタリング法によりＣｒを含有する酸化亜鉛の圧電結
晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性と被着基板との密着性を
改善することができる。
さらに、たとえば１ｎ−Ｎ＋合金ターゲットを用い、リ
アクティブスパッタリング法によりＮ１を含有する酸化
亜鉛の圧電結晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性と被着基板
との密着性を改善することができる。
アクティブスパッタリング法によりＮ１を含有する酸化
亜鉛の圧電結晶膜を形成すると、Ｃ軸配向性と被着基板
との密着性を改善することができる。
このほか、Ｍｎ５Ｆｅ、Ｃ’ｏ’などを含有させること
により、種々の添加効果をもたらす。
により、種々の添加効果をもたらす。
以下、この発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例
まず、ｚｎ金属をその溶融温度である４１９．５８℃よ
り高い温度、たとえば８００℃の温度で溶融させた。次
いでこの溶ｍｚｎ金属を撹拌しながら、Ｎ−ｉ粉末を添
加混入し、溶融７ｎ金属中に均一に分散させた。このと
きのＮ１粉末の混入量はスパッタリング法により酸化亜
鉛の圧電結晶膜を形成したとき、特性改善、つまり、Ｃ
軸配向性と被１１基板との密着性を改善するに適した混
入量である０、０１〜２０．０原子％の範囲になるよう
にすればよい。Ｎ１粉末を混入させたのち冷却すること
により金属ターゲットを得ることができた。このとき冷
却は室温に放置して徐冷するか、あるいは強制的に行っ
てもよい。金属ターゲットの形状は円板、角板、筒状な
どがあるが、所要形状の型を用いることにより任意の形
状のものが得られる。
り高い温度、たとえば８００℃の温度で溶融させた。次
いでこの溶ｍｚｎ金属を撹拌しながら、Ｎ−ｉ粉末を添
加混入し、溶融７ｎ金属中に均一に分散させた。このと
きのＮ１粉末の混入量はスパッタリング法により酸化亜
鉛の圧電結晶膜を形成したとき、特性改善、つまり、Ｃ
軸配向性と被１１基板との密着性を改善するに適した混
入量である０、０１〜２０．０原子％の範囲になるよう
にすればよい。Ｎ１粉末を混入させたのち冷却すること
により金属ターゲットを得ることができた。このとき冷
却は室温に放置して徐冷するか、あるいは強制的に行っ
てもよい。金属ターゲットの形状は円板、角板、筒状な
どがあるが、所要形状の型を用いることにより任意の形
状のものが得られる。
このようにして得られたＺｎ−Ｎｔ金合金らなる金属タ
ーゲットを用い、高周波スパッタリング装置の陰極側に
この金属ターゲットを設置し、スパッタリング装置の真
空槽を一旦、２×１０−８ Ｔｏｒｒ程度の真空度に設
定し、そののちアルゴンと酸素からなる混合気体を真空
度を、１．５ ｘｌｏ−３Ｔｏｒｒとした。そして陰極
側に２ｋｗの電力が印加されるように高周波電源に接続
し、被着基板にＮ１を含有する酸化亜鉛の圧電結晶膜を
作成した。
ーゲットを用い、高周波スパッタリング装置の陰極側に
この金属ターゲットを設置し、スパッタリング装置の真
空槽を一旦、２×１０−８ Ｔｏｒｒ程度の真空度に設
定し、そののちアルゴンと酸素からなる混合気体を真空
度を、１．５ ｘｌｏ−３Ｔｏｒｒとした。そして陰極
側に２ｋｗの電力が印加されるように高周波電源に接続
し、被着基板にＮ１を含有する酸化亜鉛の圧電結晶膜を
作成した。
この圧電結晶膜のスパッタリング速度は２μＩｌｌ／ｈ
ｒであり、この値は従来酸化亜鉛からなるセラミックタ
ーゲットのスパッタリング速度にくらべて約２倍もの速
度であり、また得られた圧電結晶膜につい工も従来と同
様に、Ｃ軸配向性は良好であり、被着基板との密着性も
すぐれたものであった。
ｒであり、この値は従来酸化亜鉛からなるセラミックタ
ーゲットのスパッタリング速度にくらべて約２倍もの速
度であり、また得られた圧電結晶膜につい工も従来と同
様に、Ｃ軸配向性は良好であり、被着基板との密着性も
すぐれたものであった。
したがって、こり金属ターゲラ１〜を用いることにより
、従来のセラミックターゲットを用いる場合にくらべて
生産性が向上し、工業的生産に適したターゲットを提供
することができる。
、従来のセラミックターゲットを用いる場合にくらべて
生産性が向上し、工業的生産に適したターゲットを提供
することができる。
コ（７） ４ｆｆｉ ｈ’、Ａ Ｉ −８＋合金、Ａ
Ｉ −Ｃｕ合金についてもこの発明方法により金属ター
ゲットを簡便に製造することができる。またスパッタリ
ング速度も速くなり、導電膜をすばやく作成づ゛ること
ができる。
Ｉ −Ｃｕ合金についてもこの発明方法により金属ター
ゲットを簡便に製造することができる。またスパッタリ
ング速度も速くなり、導電膜をすばやく作成づ゛ること
ができる。
以上この発明方法によれば、従来のように母合金を用い
て金属ターゲットを製造する場合にくらべて簡単に金属
ターゲットが得られ、金属ターゲットの生産効率を著し
く高めることができるという効果を有するものである。
て金属ターゲットを製造する場合にくらべて簡単に金属
ターゲットが得られ、金属ターゲットの生産効率を著し
く高めることができるという効果を有するものである。
特 許 出 願 人
株式会社 村田製作所
Claims (4)
- （１）あらかじめ金属を溶融させておき、この溶融金属
よりも高い融点を有する金属粉末を溶融金属に混入させ
、そののち冷却することからなることを特徴とする金属
ターゲットの製造方法。 - （２）前記溶融金属はＺｎかうなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の金属ターゲットの製造方
法。 - （３）前記溶融金属よりも高い融点を有する金属粉末は
ＶＳＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ。 Ａａ、ＴｅおよびＵのうち少くとも１種からなることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の金属ターゲ
ットの製造方法。 - （４）前記溶融金属はＺｎからなり、前記溶融金属より
も高い融点を有する金属粉末はＮ１からなることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項（５）前記溶融金属は
Ａ１からなり、前記溶融金属よりも高い融点を有する金
属粉末はＳｉ、Ｃｕのいずれかよりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の金属ターゲットの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16767681A JPS5867866A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 金属タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16767681A JPS5867866A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 金属タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867866A true JPS5867866A (ja) | 1983-04-22 |
Family
ID=15854149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16767681A Pending JPS5867866A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 金属タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280006A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導薄膜製造用ターゲットおよびその製造方法、それを用いた超電導体の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16767681A patent/JPS5867866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280006A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導薄膜製造用ターゲットおよびその製造方法、それを用いた超電導体の製造方法 |
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