JPS5867077A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS5867077A JPS5867077A JP56166754A JP16675481A JPS5867077A JP S5867077 A JPS5867077 A JP S5867077A JP 56166754 A JP56166754 A JP 56166754A JP 16675481 A JP16675481 A JP 16675481A JP S5867077 A JPS5867077 A JP S5867077A
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置、特に半導体発光装置を製造する
際に用いられるリードフレームの新規な製造方法に関す
る。
際に用いられるリードフレームの新規な製造方法に関す
る。
従来、半導体発光装置の一つであるLEDランプは、リ
ード固定部がセラミック製のリードフレームを用いて製
造されている。とζろがこのセラミック製のリード固定
部は単品としてしかIIL〕扱えず、このためLEDラ
ンプの製造工薯が複雑になって製造コストが高価となる
欠点がある。
ード固定部がセラミック製のリードフレームを用いて製
造されている。とζろがこのセラミック製のリード固定
部は単品としてしかIIL〕扱えず、このためLEDラ
ンプの製造工薯が複雑になって製造コストが高価となる
欠点がある。
そこで最近では、樹脂成型によって多数のリード固定部
管一度にしかも連続した状態で形成することによって、
IIDランプの自動製造に適した構成のリードフレーム
が開発されている。
管一度にしかも連続した状態で形成することによって、
IIDランプの自動製造に適した構成のリードフレーム
が開発されている。
このリードフレームは第1図の平面図に示すように、鉄
製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平
坦な金属細条を打抜き加工またはエツチング加工したも
のである。7a、lbは互いに平行に延長された一対の
リード線支持細条であ夛、この細条1s、Ibの所定位
置には自動製造時に用いられるピッチ送シ用孔2が開孔
されている。上記細条1s、Ib相互間にはこの細条1
5.Ibと直交する方向に2本を1組とするリード線J
a、Jbが豪数組形成されていて、このリード線3m、
3bがアノードリード線およびカソードリード線となる
ものである。
製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平
坦な金属細条を打抜き加工またはエツチング加工したも
のである。7a、lbは互いに平行に延長された一対の
リード線支持細条であ夛、この細条1s、Ibの所定位
置には自動製造時に用いられるピッチ送シ用孔2が開孔
されている。上記細条1s、Ib相互間にはこの細条1
5.Ibと直交する方向に2本を1組とするリード線J
a、Jbが豪数組形成されていて、このリード線3m、
3bがアノードリード線およびカソードリード線となる
ものである。
また上記各組のリード線3m、3bと直交する方向には
、これらリード線Jm、3bの変形を防止するための一
対の橋絡細条4*、4bが所定間隔を保って平行に形成
されている。そしてこのように加工されたリードフレー
ムの、一対の橋絡細条4m、4b相互間の各組のリード
線3th、3bの図中斜線を付して示す2個所を樹脂に
よって結合成型してリード固定部となる2個の単位樹脂
部5h、5bを形成する。この樹脂成型後は、各単位樹
脂部5m、Sa、・・・および各単位樹脂部5b 、
5b 、・・・はそれぞれ−列に配列された状態となる
。次に一列に配列形成された単位樹脂Sh、Sb間の図
中破線を付して示す位置で各組のリード線Ja、jbt
切断することによって、前記リード線支持細条11また
は1bによって支持された二つのリードフれたリードフ
レームを自動製造工程にかけて、各単位樹脂部5&また
は5bの端面から突出している一方のリード線たとえば
、9a上に発光素子Yt′vウントし、次(この素子と
他方のリード@sbとをボンディングワイヤで結線し、
さらに次に発光素子およびボンディングワイヤの保−な
らびに効率良く光を出させるために光透過性のエポキシ
樹脂を用いて単位樹脂部5aまたは5b上にたとえば半
球状のレンズ部を形成した螢に一つずつ分離する。
、これらリード線Jm、3bの変形を防止するための一
対の橋絡細条4*、4bが所定間隔を保って平行に形成
されている。そしてこのように加工されたリードフレー
ムの、一対の橋絡細条4m、4b相互間の各組のリード
線3th、3bの図中斜線を付して示す2個所を樹脂に
よって結合成型してリード固定部となる2個の単位樹脂
部5h、5bを形成する。この樹脂成型後は、各単位樹
脂部5m、Sa、・・・および各単位樹脂部5b 、
5b 、・・・はそれぞれ−列に配列された状態となる
。次に一列に配列形成された単位樹脂Sh、Sb間の図
中破線を付して示す位置で各組のリード線Ja、jbt
切断することによって、前記リード線支持細条11また
は1bによって支持された二つのリードフれたリードフ
レームを自動製造工程にかけて、各単位樹脂部5&また
は5bの端面から突出している一方のリード線たとえば
、9a上に発光素子Yt′vウントし、次(この素子と
他方のリード@sbとをボンディングワイヤで結線し、
さらに次に発光素子およびボンディングワイヤの保−な
らびに効率良く光を出させるために光透過性のエポキシ
樹脂を用いて単位樹脂部5aまたは5b上にたとえば半
球状のレンズ部を形成した螢に一つずつ分離する。
上記のような方法によってリードフレームを製造すれば
、自動製造工程を適用してLEDラングを連続的KJl
造することができるために製造コストの大幅な低下が5
1!現できる。ところが前記単位樹脂部5*、S’b間
で各組のリード線3畠、Jbを切断して二つのリードフ
レームを得る際、リード線3m、3bけ第2図の断面図
に示すように単位樹脂部5の端面から突出した構造とま
る。このため第2図に示すように一方のリード線3aの
端面上に発光索子6をマウントすると、点灯時にこのリ
ード線3aの突出部分がどうしても暗部となり、均一な
効率の良い発光状態が得にくいという不都合が生じる。
、自動製造工程を適用してLEDラングを連続的KJl
造することができるために製造コストの大幅な低下が5
1!現できる。ところが前記単位樹脂部5*、S’b間
で各組のリード線3畠、Jbを切断して二つのリードフ
レームを得る際、リード線3m、3bけ第2図の断面図
に示すように単位樹脂部5の端面から突出した構造とま
る。このため第2図に示すように一方のリード線3aの
端面上に発光索子6をマウントすると、点灯時にこのリ
ード線3aの突出部分がどうしても暗部となり、均一な
効率の良い発光状態が得にくいという不都合が生じる。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的とすところは、自動製造工程が適用可能
でありしたがって半導体装置を安価に製造することがで
きると共に5点灯時に暗部が生ぜず均一な効率の良い発
光状態を得ることができる半導体装置を製造できる半導
体装置用リードフレームの製造方法を提供することにあ
る。
あり、その目的とすところは、自動製造工程が適用可能
でありしたがって半導体装置を安価に製造することがで
きると共に5点灯時に暗部が生ぜず均一な効率の良い発
光状態を得ることができる半導体装置を製造できる半導
体装置用リードフレームの製造方法を提供することにあ
る。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。こ
のリードフレームは前記第1図の場合と同様、まず第3
図に示すように鉄製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.
5 mmの細長い平坦な金属細条を打抜き加工またはエ
ツチング加工して、ピッチ送り用孔2が開孔された一対
のリード線支持細条1 m 、 1 b、複数組のリー
ド線、9a、Jbおよび一対の橋絡細条4m、4bそれ
ぞれを形成する。次に樹脂を導びくケ゛′戸ト部分が上
記一対の橋絡細条4m、4b相互間のほぼ中央部となる
ように設定したトランスファモールド用金型に上記リー
ドフレームをセットし、熱硬化性の白色樹脂たとえば不
飽和ポリエステル樹脂を用いて、第4図に示すように一
対の橋絡細条4m、4b相互間の各組のリード線3a。
のリードフレームは前記第1図の場合と同様、まず第3
図に示すように鉄製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.
5 mmの細長い平坦な金属細条を打抜き加工またはエ
ツチング加工して、ピッチ送り用孔2が開孔された一対
のリード線支持細条1 m 、 1 b、複数組のリー
ド線、9a、Jbおよび一対の橋絡細条4m、4bそれ
ぞれを形成する。次に樹脂を導びくケ゛′戸ト部分が上
記一対の橋絡細条4m、4b相互間のほぼ中央部となる
ように設定したトランスファモールド用金型に上記リー
ドフレームをセットし、熱硬化性の白色樹脂たとえば不
飽和ポリエステル樹脂を用いて、第4図に示すように一
対の橋絡細条4m、4b相互間の各組のリード線3a。
3bを結6合成型してリード固定部となる単位樹脂部7
を形成する。なおこの単位樹脂部7の形状はその目的に
応じて種々に設定されるが、ここではたとえば第5図に
示すように直径が3mm程変0円筒状に設定される。ま
た第4図および第5図中、各単位樹脂部7を連結してい
る連結樹脂部8け前記ゲート部に残った樹脂が固化した
ものであり、各単位樹脂部7はこの連結樹脂部8を介し
て一体的に連結した状態となっている。次に樹脂成型が
終了したならば、上記各単位樹脂部1を千のはぼ中央部
から上記リード線支持細条18,1bと平行する方向に
ブレードなどで切断してリードフレームを二つに分割す
る。この切断の際、ブレードはほぼ前記連結樹脂部8上
に位置するため、リードフレームの切断と同時に連結樹
脂部8が除去され第6図の斜視図に示すようなリードフ
レームが二つ得られこのようにして得られたリードフレ
ームを用いれば、第1図のものと同様に自動製造工程を
適用してLEDランプを連続的に製造することができる
ために製造コストの大幅な低下が実現できる。しかも第
6図に示すように、リード線3h、3bの端面は単位樹
脂部7の端面とほぼ同一面となるために、この後、第7
図に示すように発光素子6をマウントし、またボンディ
ングワイヤ9によって結線しさらにし/ズ部1〜゛0を
形成して完成されたLEDランプを点灯する場合、前記
突出部分が存在しないので暗部は生ぜず、したがって均
一な効率の良い発光状態が容易に得られる。なお、発光
素子のマウント部およびボンディング部には予め必要に
応じてAuやAgによるメッキが施こされると共にす被
覆が行なわれる。
を形成する。なおこの単位樹脂部7の形状はその目的に
応じて種々に設定されるが、ここではたとえば第5図に
示すように直径が3mm程変0円筒状に設定される。ま
た第4図および第5図中、各単位樹脂部7を連結してい
る連結樹脂部8け前記ゲート部に残った樹脂が固化した
ものであり、各単位樹脂部7はこの連結樹脂部8を介し
て一体的に連結した状態となっている。次に樹脂成型が
終了したならば、上記各単位樹脂部1を千のはぼ中央部
から上記リード線支持細条18,1bと平行する方向に
ブレードなどで切断してリードフレームを二つに分割す
る。この切断の際、ブレードはほぼ前記連結樹脂部8上
に位置するため、リードフレームの切断と同時に連結樹
脂部8が除去され第6図の斜視図に示すようなリードフ
レームが二つ得られこのようにして得られたリードフレ
ームを用いれば、第1図のものと同様に自動製造工程を
適用してLEDランプを連続的に製造することができる
ために製造コストの大幅な低下が実現できる。しかも第
6図に示すように、リード線3h、3bの端面は単位樹
脂部7の端面とほぼ同一面となるために、この後、第7
図に示すように発光素子6をマウントし、またボンディ
ングワイヤ9によって結線しさらにし/ズ部1〜゛0を
形成して完成されたLEDランプを点灯する場合、前記
突出部分が存在しないので暗部は生ぜず、したがって均
一な効率の良い発光状態が容易に得られる。なお、発光
素子のマウント部およびボンディング部には予め必要に
応じてAuやAgによるメッキが施こされると共にす被
覆が行なわれる。
またとの発明は上記実施例に限定されるものではなく、
たとえば単位樹脂部7け熱硬化性樹脂によって形成する
場合(ついて説明したが、これは熱軟化性樹脂を用いる
ようにしてもよい。
たとえば単位樹脂部7け熱硬化性樹脂によって形成する
場合(ついて説明したが、これは熱軟化性樹脂を用いる
ようにしてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、各組のリード線
を樹脂によって結合成型して単位樹脂部を形成し、これ
ら各単位樹脂部をそのほぼ中央部からリード線支持細条
と平行する方向に切断分離するようにしたので、自動製
造工程が適用できしたがって半導体装置を安価に製造す
ることができ、i九す−ド線端面と単位樹脂部の端面と
がは埋同−面と表って点灯時に暗部が生ぜず、均一な効
率の良い発光状態を得ることができる半導体装置を製造
することができる。
を樹脂によって結合成型して単位樹脂部を形成し、これ
ら各単位樹脂部をそのほぼ中央部からリード線支持細条
と平行する方向に切断分離するようにしたので、自動製
造工程が適用できしたがって半導体装置を安価に製造す
ることができ、i九す−ド線端面と単位樹脂部の端面と
がは埋同−面と表って点灯時に暗部が生ぜず、均一な効
率の良い発光状態を得ることができる半導体装置を製造
することができる。
第1図および第2図はそれぞれこの発明の途中経過の段
階で開発された製造方法を説明するための平面図および
断面図、第3図ないし第7図はそれキれこの発明の一実
施例方法を説明するための平面図および斜視図である。 Ih、lb・・・リード線支持細条、2・・・ピッチ送
り用孔、3 m 、 3 b−リード線、’4 a 、
4 b・・・橋絡細条、6・・・発光素子、7・・・
早位樹脂部。 8・・・連結樹脂部、9・・・ボンディングワイヤ、1
0・・・レンズ部。 出V人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦jII図
階で開発された製造方法を説明するための平面図および
断面図、第3図ないし第7図はそれキれこの発明の一実
施例方法を説明するための平面図および斜視図である。 Ih、lb・・・リード線支持細条、2・・・ピッチ送
り用孔、3 m 、 3 b−リード線、’4 a 、
4 b・・・橋絡細条、6・・・発光素子、7・・・
早位樹脂部。 8・・・連結樹脂部、9・・・ボンディングワイヤ、1
0・・・レンズ部。 出V人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦jII図
Claims (1)
- 一体の細長く平坦な金属細条から平行に延長され九一対
のリード線支持細条およびこの細条の相互間にこれの延
長方向と直交する方向に複数本を一組として複数組のリ
ード線を設けかつこれらのリード線と直交する方向に所
定間隔を保って一対の橋絡細条を設ける工程と、樹脂を
導び〈ゲート部分を上記一対の橋絡細条相互間のほぼ中
央部に設定し、上記各組のリード線を樹脂によって結合
成型して単位樹脂部を形成する1楊と、上記各単位樹脂
部をそのほぼ中央部から上記リード線支持細条と平行す
る方向に切断分割する工程とを具備したことを特徴とす
る半導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56166754A JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56166754A JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5867077A true JPS5867077A (ja) | 1983-04-21 |
JPH0142511B2 JPH0142511B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=15837110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56166754A Granted JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5867077A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241183A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Seikosha Co Ltd | カメラ用受光装置の製造方法 |
EP2791984A4 (en) * | 2011-12-06 | 2015-07-22 | Cree Inc | LIGHT EMITTER DEVICES AND METHOD FOR IMPROVED LIGHTING |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
US10490712B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-11-26 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166754A patent/JPS5867077A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241183A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Seikosha Co Ltd | カメラ用受光装置の製造方法 |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
US10490712B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-11-26 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US11563156B2 (en) | 2011-07-21 | 2023-01-24 | Creeled, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
EP2791984A4 (en) * | 2011-12-06 | 2015-07-22 | Cree Inc | LIGHT EMITTER DEVICES AND METHOD FOR IMPROVED LIGHTING |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0142511B2 (ja) | 1989-09-13 |
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