JPS5867074A - 半導体構造物の製法 - Google Patents
半導体構造物の製法Info
- Publication number
- JPS5867074A JPS5867074A JP57168674A JP16867482A JPS5867074A JP S5867074 A JPS5867074 A JP S5867074A JP 57168674 A JP57168674 A JP 57168674A JP 16867482 A JP16867482 A JP 16867482A JP S5867074 A JPS5867074 A JP S5867074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- substrate
- reactant
- elements
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000201976 Polycarpon Species 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJGLBXPPKOQIR-UHFFFAOYSA-N [Ar].[Si](Cl)(Cl)(Cl)Cl Chemical compound [Ar].[Si](Cl)(Cl)(Cl)Cl JUJGLBXPPKOQIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000037351 starvation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
太陽電池に使用するケイ素は化学蒸着法（ＯＶＤ ）例
えばシランの分解、又は昇温下で四塩化ケイ素と水素又
は金属蒸気とを直接反応させる（ ＯＶＤ ）こと１こ
より製造できるＯしかしこれらの製法により製造される
ケイ素は結晶の配向が無秩序な多結晶質であるため、太
陽電池上に注ぐ入射光に対し多くの結晶粒界が垂直であ
り、加えて化学蒸着法により製造される蒸着層は、局部
的温度差及び反応体濃度によりケイ素蒸着速度が変化す
るため、厚さが不均一である。さらに化学蒸留法の解決
困難な問題点はケイ素が基材上だけに蒸着するのではな
く、反応器壁にも蒸着するため材料物質を浪費し製造コ
ストを高くすることである。
えばシランの分解、又は昇温下で四塩化ケイ素と水素又
は金属蒸気とを直接反応させる（ ＯＶＤ ）こと１こ
より製造できるＯしかしこれらの製法により製造される
ケイ素は結晶の配向が無秩序な多結晶質であるため、太
陽電池上に注ぐ入射光に対し多くの結晶粒界が垂直であ
り、加えて化学蒸着法により製造される蒸着層は、局部
的温度差及び反応体濃度によりケイ素蒸着速度が変化す
るため、厚さが不均一である。さらに化学蒸留法の解決
困難な問題点はケイ素が基材上だけに蒸着するのではな
く、反応器壁にも蒸着するため材料物質を浪費し製造コ
ストを高くすることである。
上記のような問題点の若干はケイ素を溶融金属上に蒸着
することにより解決されており、この溶融金属の１つは
溶解した亜鉛であり、この溶解した亜鉛は溶融金属上で
四塩化ケイ素ガスと反応して塩化亜鉛を造り、塩化亜鉛
を蒸発させてケイ素を溶融金属上に蒸着する（米国特許
第＠ＪＪ！Ｊ６り号）。この方法は反応器壁へのケイ素
の蒸着を防止し、より均一な厚さのケイ素が得られ、ケ
イ素が柱状１こ成長するため、結晶粒界は光雨及び入射
光に垂直である。
することにより解決されており、この溶融金属の１つは
溶解した亜鉛であり、この溶解した亜鉛は溶融金属上で
四塩化ケイ素ガスと反応して塩化亜鉛を造り、塩化亜鉛
を蒸発させてケイ素を溶融金属上に蒸着する（米国特許
第＠ＪＪ！Ｊ６り号）。この方法は反応器壁へのケイ素
の蒸着を防止し、より均一な厚さのケイ素が得られ、ケ
イ素が柱状１こ成長するため、結晶粒界は光雨及び入射
光に垂直である。
この製法は化学蒸着法を改善するものであるが、平板状
ケイ素ＯＩｌ法に限定される。さら１ここの方法は、溶
融金属中の亜鉛が欠乏してくるから亜鉛を補充しなけれ
ばならないという点で制御問題を生ずる。
ケイ素ＯＩｌ法に限定される。さら１ここの方法は、溶
融金属中の亜鉛が欠乏してくるから亜鉛を補充しなけれ
ばならないという点で制御問題を生ずる。
この発明の目的は先行技術の問題点を解決した方法を提
供するものである。
供するものである。
この発明は広義には、反応式：
％式％
（式中、Ｍは周期表■族、■族及びＶ族の元素及びこれ
らの元素の混合物からなる群から選択され、Ｘは塩素、
臭素及びヨウ素からなる群から独立に選択され、Ｒは水
素並びに周期表■族及び■族の原子番号が３０までの元
素及びこれらの元素の混合物からなる群から選択され、
ｎはＭの原子価、及びｍはｎ／Ｒの原子価である） で表わされる反応により蒸気相をなす反応副生物である
ｍＲＸｇを生ずる条件下で行なって得た固体反応生成物
からなる活性領域を含む、太陽電池のような半導体構造
物の製法番こおいて、上記反応が、上記ｍＲに対し透過
性である不活性基材の存在下で、該不活性基材の片側に
ｍＲの蒸気相が接触し、該不活性基材の反対側に反応体
ＭＸｎの蒸気相が接触し、該不活性基材を透過する吐と
反応体Ｍｉｎとが反応することによって行われ、反応生
成物輩を前記基材の前記反対側に捕集することを特徴と
する半導体構造物の製法１ζ存する。・溶融塩法の利点
をすべて保有し、しかもその問題点を解決した化学蒸着
法が見い出された。この発明による方法において、ケイ
素は不活性基材上に蒸着する。蒸着させる元素又は化合
物を含んだ蒸気を不活性基材の片側に保持し、一方反応
体は基材の反対側から基材を貫いて拡散し、上記の蒸気
と反応し基材上に前記蒸気の蒸着物を形成させる。この
発明方法において固体反応生成物は前記二種の反応種を
分離し、また、反応体の少くとも１種が固体反応生成物
を固体状態で拡散透過することによってのみ反応は進行
することができる。反応条件が好ましい場合例えば昇温
時（拡散を促す）、反応体の連続供給、及び反応生成物
の除去などを行なった場合、反応生成物の鱗片は厚く成
長する。
らの元素の混合物からなる群から選択され、Ｘは塩素、
臭素及びヨウ素からなる群から独立に選択され、Ｒは水
素並びに周期表■族及び■族の原子番号が３０までの元
素及びこれらの元素の混合物からなる群から選択され、
ｎはＭの原子価、及びｍはｎ／Ｒの原子価である） で表わされる反応により蒸気相をなす反応副生物である
ｍＲＸｇを生ずる条件下で行なって得た固体反応生成物
からなる活性領域を含む、太陽電池のような半導体構造
物の製法番こおいて、上記反応が、上記ｍＲに対し透過
性である不活性基材の存在下で、該不活性基材の片側に
ｍＲの蒸気相が接触し、該不活性基材の反対側に反応体
ＭＸｎの蒸気相が接触し、該不活性基材を透過する吐と
反応体Ｍｉｎとが反応することによって行われ、反応生
成物輩を前記基材の前記反対側に捕集することを特徴と
する半導体構造物の製法１ζ存する。・溶融塩法の利点
をすべて保有し、しかもその問題点を解決した化学蒸着
法が見い出された。この発明による方法において、ケイ
素は不活性基材上に蒸着する。蒸着させる元素又は化合
物を含んだ蒸気を不活性基材の片側に保持し、一方反応
体は基材の反対側から基材を貫いて拡散し、上記の蒸気
と反応し基材上に前記蒸気の蒸着物を形成させる。この
発明方法において固体反応生成物は前記二種の反応種を
分離し、また、反応体の少くとも１種が固体反応生成物
を固体状態で拡散透過することによってのみ反応は進行
することができる。反応条件が好ましい場合例えば昇温
時（拡散を促す）、反応体の連続供給、及び反応生成物
の除去などを行なった場合、反応生成物の鱗片は厚く成
長する。
この発明方法によって種々の透過性形状の基材上に蒸着
する−ことができ、あるいは蒸着後蒸着物を除去するこ
とにより種々の形状の蒸着物を造ることができる。加え
てガス状反応体のみを使用するので液体反応体を使用し
た場合の液体反応体の欠乏によって生ずる制御問題を避
けることができる。
する−ことができ、あるいは蒸着後蒸着物を除去するこ
とにより種々の形状の蒸着物を造ることができる。加え
てガス状反応体のみを使用するので液体反応体を使用し
た場合の液体反応体の欠乏によって生ずる制御問題を避
けることができる。
第１図１こおいて、粉末剥離剤−の層を上面に設けた不
活性透過性基材ｌは、蒸着物ダとして蒸着した元素又は
化合物を含む気化化合物Ｊを片側に有し、他の片側に気
化反応体ｊを有する０反応体ｊは不活性透過性基材ｌを
通過して拡散し剥離剤−を通して気化化合物Ｊと反応し
蒸着物参を形成する。
活性透過性基材ｌは、蒸着物ダとして蒸着した元素又は
化合物を含む気化化合物Ｊを片側に有し、他の片側に気
化反応体ｊを有する０反応体ｊは不活性透過性基材ｌを
通過して拡散し剥離剤−を通して気化化合物Ｊと反応し
蒸着物参を形成する。
第２図において、好適にはアルカリ金属又はアルカリ土
類金属の塩の溶融物６は不活性透過性基材りの孔に充填
されており、この基材表面上に薄膜を形成する。溶融塩
は核形成の制御及び蒸着面をより平滑にすることを助成
する。反かのように溶解、拡散する。反応体ｌはさらに
多孔性基材を通して拡散し、蒸着させる元素又は化合物
を含む化合物りと反応し蒸着物１０を形成する〇 この発明方法を使用して蒸着できる化合物及び元素には
周期表のｍ族、■族及びＶ族の元素が含まれる。ケイ素
、ジルコニウム、ニオブ、スズ、及びホウ素が好適であ
る。ケイ素は太陽電池製造に非常に有用であるので特に
好適である０ 蒸着物を形成する化合物は一般弐ＭＸｎ （式中Ｍは蒸
着した元素又は蒸着した複数元素、Ｘは塩化物、臭化物
、又はヨウ化物）である。蒸着物が元素の代りに化合物
である場合、Ｍは化合物中の元素の適当な混合物である
。
類金属の塩の溶融物６は不活性透過性基材りの孔に充填
されており、この基材表面上に薄膜を形成する。溶融塩
は核形成の制御及び蒸着面をより平滑にすることを助成
する。反かのように溶解、拡散する。反応体ｌはさらに
多孔性基材を通して拡散し、蒸着させる元素又は化合物
を含む化合物りと反応し蒸着物１０を形成する〇 この発明方法を使用して蒸着できる化合物及び元素には
周期表のｍ族、■族及びＶ族の元素が含まれる。ケイ素
、ジルコニウム、ニオブ、スズ、及びホウ素が好適であ
る。ケイ素は太陽電池製造に非常に有用であるので特に
好適である０ 蒸着物を形成する化合物は一般弐ＭＸｎ （式中Ｍは蒸
着した元素又は蒸着した複数元素、Ｘは塩化物、臭化物
、又はヨウ化物）である。蒸着物が元素の代りに化合物
である場合、Ｍは化合物中の元素の適当な混合物である
。
反応体は水素又は周期表のＩ族及び■族の原子番号３０
までの元素が使用できる。好適な反応体はその原子半径
が小さいために基材中を急速に拡散するリチウムである
。水素原料とじてはアンモニアの使用が望ましく、この
理由はアンモニアの分解によって分子状水素に比べ急速
に拡散する原子状水素を発生するためである０反応体Ｒ
と化合物とは下記のように反応して蒸着物Ｍを生成する
： ＭＸｎ −１−ｍＲ−Ｍ −１−ｍＲＸｎ式中ｎはＭの
原子価、ｍはｎ／Ｒの原子価である０基材は製造工程時
に蒸着物中に拡散せず、又は蒸着物と反応しない不活性
材料である０適歯な基材にはグラファイト、ケイ素及び
炭化ケイ素が含まれる０好適な基材はグラファイトであ
り、この理由はグラファイトは高価でなく所定製造条件
下で塩化物及び金属蒸気に対し非反応性であるため゛で
ある。数種の反応体例えばリチウムは、理論的に緻密な
グラファイト中を拡散することができるため、基材は多
孔質である必要はないが、多孔質基材の使用により拡散
を促進し、使用できる反応体の範囲を広げることを可能
とする０実際の多孔度は気孔径が約ｌないしｇｏミクロ
ンの範囲である。蒸着物表面が非常に粗くなるのを避け
るためｌこ気孔の大きさは蒸着物の厚さを越えないよう
にする。気孔が小さい場合は滑らかな蒸着物となるが基
材中の曲がりのために拡散が妨げられる０基材の厚さを
機械的強度に必要な厚さより薄くすることにより不必要
な拡散遮断層の使用を避けられる。基材の大きさ及び幅
は種々のものが使用できる。
までの元素が使用できる。好適な反応体はその原子半径
が小さいために基材中を急速に拡散するリチウムである
。水素原料とじてはアンモニアの使用が望ましく、この
理由はアンモニアの分解によって分子状水素に比べ急速
に拡散する原子状水素を発生するためである０反応体Ｒ
と化合物とは下記のように反応して蒸着物Ｍを生成する
： ＭＸｎ −１−ｍＲ−Ｍ −１−ｍＲＸｎ式中ｎはＭの
原子価、ｍはｎ／Ｒの原子価である０基材は製造工程時
に蒸着物中に拡散せず、又は蒸着物と反応しない不活性
材料である０適歯な基材にはグラファイト、ケイ素及び
炭化ケイ素が含まれる０好適な基材はグラファイトであ
り、この理由はグラファイトは高価でなく所定製造条件
下で塩化物及び金属蒸気に対し非反応性であるため゛で
ある。数種の反応体例えばリチウムは、理論的に緻密な
グラファイト中を拡散することができるため、基材は多
孔質である必要はないが、多孔質基材の使用により拡散
を促進し、使用できる反応体の範囲を広げることを可能
とする０実際の多孔度は気孔径が約ｌないしｇｏミクロ
ンの範囲である。蒸着物表面が非常に粗くなるのを避け
るためｌこ気孔の大きさは蒸着物の厚さを越えないよう
にする。気孔が小さい場合は滑らかな蒸着物となるが基
材中の曲がりのために拡散が妨げられる０基材の厚さを
機械的強度に必要な厚さより薄くすることにより不必要
な拡散遮断層の使用を避けられる。基材の大きさ及び幅
は種々のものが使用できる。
蒸着物を基材から除去する場合には、粉末剥離剤の薄層
を基材に被覆することが好適である。
を基材に被覆することが好適である。
例えばグラファイトは適当な剥離剤となる０しかし好適
な剥離剤は蒸着物成長の種となることから蒸着物となる
元素又は化合物である０さらに単位面積歯りの種の数に
よって蒸着物の結晶寸法を制御することができ、例えば
単位面積歯りの種が多いときは結晶寸法が小さくなり、
単位面積歯りの種が少ないと結晶寸法は大きくなる０剥
離剤の層の厚さは好適には約ｌないし約１００きクロン
である。
な剥離剤は蒸着物成長の種となることから蒸着物となる
元素又は化合物である０さらに単位面積歯りの種の数に
よって蒸着物の結晶寸法を制御することができ、例えば
単位面積歯りの種が多いときは結晶寸法が小さくなり、
単位面積歯りの種が少ないと結晶寸法は大きくなる０剥
離剤の層の厚さは好適には約ｌないし約１００きクロン
である。
この発明方法において基材を加熱することにより固体基
体及び緻密な反応生成物Ｍを通して反応体の拡散性及び
反応副生物の蒸発性を増大させる。加熱は高周波、放射
線、又は他の適当な方法により行なえる０加熱される基
材の温度は使用する個々の反応体に依存する。この温度
は反応副生物が蒸発するのに充分な高温が必要であり、
この高温により反応は進むが、温度が高過ぎると基材と
蒸着物との相互反応が起こりエネルギーの浪費となる。
体及び緻密な反応生成物Ｍを通して反応体の拡散性及び
反応副生物の蒸発性を増大させる。加熱は高周波、放射
線、又は他の適当な方法により行なえる０加熱される基
材の温度は使用する個々の反応体に依存する。この温度
は反応副生物が蒸発するのに充分な高温が必要であり、
この高温により反応は進むが、温度が高過ぎると基材と
蒸着物との相互反応が起こりエネルギーの浪費となる。
さらに実際の反応に適切な量を蒸発させるために反応体
を十分加熱する必要がある。この目的のためにある種の
反応体例えば四塩化ケイ素では室温で十分である。
を十分加熱する必要がある。この目的のためにある種の
反応体例えば四塩化ケイ素では室温で十分である。
ガス状反応体の流れを増加させるために、非反応性キャ
リアーガス例えばアルゴン又は窒素によってガス状反応
体を導くことが好適である。
リアーガス例えばアルゴン又は窒素によってガス状反応
体を導くことが好適である。
蒸着した物質の結晶寸法を増加させるために減圧状態を
使用してもよい。蒸着物の結晶寸法が小さい場合は蒸着
物が強固となり、一方結晶寸法が大きい場合は太陽電池
用により望ましい。
使用してもよい。蒸着物の結晶寸法が小さい場合は蒸着
物が強固となり、一方結晶寸法が大きい場合は太陽電池
用により望ましい。
この発明方法によって代表的には１時間に付厚さ約ｉ
ｏｏミクロンの蒸着物を蒸着できる。
ｏｏミクロンの蒸着物を蒸着できる。
拡散性を増大させるため）、且つ反応体の流速を高める
。もちろん蒸着物の厚さが増大するに従い蒸着速度は減
少する。太陽電池用に望ましい蒸着物の厚さは少なくと
も約ｔｏｏミクロンである。蒸着は水平、垂直、又は曲
面上表面に行なえる。剥離層を施さなかった蒸着膜は支
持基材用６永久被膜となり、基材に望ましい物理的及び
化学的性質を付与する。
。もちろん蒸着物の厚さが増大するに従い蒸着速度は減
少する。太陽電池用に望ましい蒸着物の厚さは少なくと
も約ｔｏｏミクロンである。蒸着は水平、垂直、又は曲
面上表面に行なえる。剥離層を施さなかった蒸着膜は支
持基材用６永久被膜となり、基材に望ましい物理的及び
化学的性質を付与する。
この発明をさらに実施例に基き説明する。
実施例
グラファイトの方形板ｊ／ｍＸｔ／ｍ（コインチ×コイ
ンチ）厚さＪ、２■（１７１インチ）を炭素粉（ランプ
ブラック）の多孔質薄層／ ０． ／ ｔｘ （タミル
）で覆った。このグラファイト板をこれと同じ寸法でリ
チウム金属（約コ？）を含んだ平板グラファイト容器上
に置くことにより、炭素層を上面に備えたグラファイト
板はリチウム用方形容器のふたとなる。この集合体を石
英反応管中に置き、アルゴンをパージガス流とじ約１０
ＭＨＰ減圧下で電気炉を用い約２００℃に加熱した。次
いで室温上液体Ｓ１α、にアルゴンを吹込んで、生成す
る四塩化ケイ素−アルゴン混合ガスを前記反応器に導入
することにより四塩化炭素を導入した。反応生成物であ
る塩化リチウムは反応器の冷えた部分で白色凝縮物とな
り、ケイ素は上述のリチウム拡散方法１こよりグラファ
イト板上に鱗片として成長するのが認められた。この場
合リチウムはその濃度勾配番こより固体反応生成物中を
通り拡散する。リチウムはケイ素表面に現われ四塩化ケ
イ素と反応してより緻密なケイ素及び蒸発により除去で
きる塩化リチウムを生成する。ケイ素は基材以外反応器
部材のどこにも蒸着せず、このためリチウムが蒸着物又
は反応生成物まで拡散することを可能とする。全反応を
次式に示す： Ｓ埼、 十＠Ｌｉ→Ｓ１＋ダＬ１α 原理的にはこの発明方法により他の鱗片も成長させるこ
とができるが、成長した鱗片は鱗片物質全体を通してリ
チウム又は他の反応体の固体状態拡散が行なわれるのに
適切なものでなければならず、その結果鱗片の成長は続
行することができる。
ンチ）厚さＪ、２■（１７１インチ）を炭素粉（ランプ
ブラック）の多孔質薄層／ ０． ／ ｔｘ （タミル
）で覆った。このグラファイト板をこれと同じ寸法でリ
チウム金属（約コ？）を含んだ平板グラファイト容器上
に置くことにより、炭素層を上面に備えたグラファイト
板はリチウム用方形容器のふたとなる。この集合体を石
英反応管中に置き、アルゴンをパージガス流とじ約１０
ＭＨＰ減圧下で電気炉を用い約２００℃に加熱した。次
いで室温上液体Ｓ１α、にアルゴンを吹込んで、生成す
る四塩化ケイ素−アルゴン混合ガスを前記反応器に導入
することにより四塩化炭素を導入した。反応生成物であ
る塩化リチウムは反応器の冷えた部分で白色凝縮物とな
り、ケイ素は上述のリチウム拡散方法１こよりグラファ
イト板上に鱗片として成長するのが認められた。この場
合リチウムはその濃度勾配番こより固体反応生成物中を
通り拡散する。リチウムはケイ素表面に現われ四塩化ケ
イ素と反応してより緻密なケイ素及び蒸発により除去で
きる塩化リチウムを生成する。ケイ素は基材以外反応器
部材のどこにも蒸着せず、このためリチウムが蒸着物又
は反応生成物まで拡散することを可能とする。全反応を
次式に示す： Ｓ埼、 十＠Ｌｉ→Ｓ１＋ダＬ１α 原理的にはこの発明方法により他の鱗片も成長させるこ
とができるが、成長した鱗片は鱗片物質全体を通してリ
チウム又は他の反応体の固体状態拡散が行なわれるのに
適切なものでなければならず、その結果鱗片の成長は続
行することができる。
第１ａ！０はこの発明の好適な所定の実施態様に基づい
て被覆した基材の側面断面図、第２図はこの発明の好適
な実施態様に基づいて被覆した基材の側面断面図である
。図中、 ／、？・・不活性透過性基材、ａ・・・剥離剤、３・・
気化化合物、ａ、ｉｏ・・蒸着物、！・・気化反応体、
６・・溶融物、ｇ・・反応体、デ・・化合物。 特許出願人代理人 曽 我 道 照
て被覆した基材の側面断面図、第２図はこの発明の好適
な実施態様に基づいて被覆した基材の側面断面図である
。図中、 ／、？・・不活性透過性基材、ａ・・・剥離剤、３・・
気化化合物、ａ、ｉｏ・・蒸着物、！・・気化反応体、
６・・溶融物、ｇ・・反応体、デ・・化合物。 特許出願人代理人 曽 我 道 照
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 反応式： ＭＸｎ −）−ｍＲ４Ｍ −）−ｍＥ１
ｒ４（式中、Ｍは周期表■族、■族及びＶ族の元素及び
これらの元素の混合物からなる群から選択され、Ｘは塩
素、臭素及びヨウ素からなる群から独立に選択され、Ｒ
は水素並びに周期表Ｔ族及びπ族の原子番号が３０まで
の元素及びこれらの元素の混合物からなる群から選択さ
れ、ｎはＭの原子価、及びｍ ４１ ”／Ｈの原子価で
ある） で表わされる反応により蒸気相をなす反応副生物である
ｍＲＸｒ４ を生ずる条件下で行なって得た固体反応生
成物からなる活性領域を含も太陽電池のような半導体構
造物の製法において、上記反応が、上記顧に対し透過性
である不活性基材の存在下で、該不活性基材の片側に址
の蒸気相が接触し、該不活性基材の反対側に反応体ＭＩ
ｎの蒸気相が接触し、骸不活性基材を透過する址と反応
体ＭＸｎとが反応すること１こよって行われ、反応生成
物証を前記基材の前記反対側番ζ捕集することを特徴と
する半導体構造物の製法。 １ Ｍがケイ素、ジルコニウム、チタン、ニオブ、スズ
、及びホウ素からなる群から選択さ・れる特許請求Ｏ１
［ＷＩｉ第１項記載の製法。 ３ ＭがＢｉである特許請求の範ｌ！Ｉ第１項記載の製
法。 ＠ Ｘがαである特許請求の範囲第１項又は第一項記載
の製法。 よ′ＲがＬｉである特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の製法。 ４ ＭがＢ１、Ｘがα、Ｒが−１、ｎがダ、及びｍが参
である特許請求の範Ｓ第２項ないし第５項のいずれかに
記載の製法。 γ 基材が粉末状輩の層で被覆されたものヲ使用する特
許請求の＊ｒｓ＊ｉ項ないし第６項のいずれかに記載の
裏法◇ ｔ 基材がグラファイトである特許請求の範囲第１項な
いし第７項のいずれかに記載の製法。 ９ グラファイトの気孔寸法が約ｌないし約５θμｍで
ある特許請求の範囲第を項記載の製法。 ／Ｑ ＭＩｎの蒸気及びｍＨの蒸気が基材に不活性キ
ャリアガスによつ°〔輸送される特許請求の範囲第７項
ないし第を項のいずれかに記載の製法０ ／ｌ キャリアガスがアルゴン及び窒素からなる群か
ら選択される特許請求の範囲第１０項記載の製法０
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US307139 | 1981-09-29 | ||
| US06/307,139 US4374163A (en) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | Method of vapor deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867074A true JPS5867074A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=23188410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168674A Pending JPS5867074A (ja) | 1981-09-29 | 1982-09-29 | 半導体構造物の製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4374163A (ja) |
| EP (1) | EP0075902A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5867074A (ja) |
| AU (1) | AU8745282A (ja) |
| ES (1) | ES515992A0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291117A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-11-30 | Heliotronic Forsch & Entwick G Fuer Solarzellen Grundstoffe Mbh | 特に半導体材料の溶融物から凝固層を成長させるための構造化表面を備えた支持体 |
| JP2010530032A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | ナノグラム・コーポレイション | 反応流による無機箔体の析出および合成法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501777A (en) * | 1982-09-22 | 1985-02-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of sealing of ceramic wall structures |
| US4609562A (en) * | 1984-12-20 | 1986-09-02 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate |
| US4767518A (en) * | 1986-06-11 | 1988-08-30 | Westinghouse Electric Corp. | Cermet electrode |
| US5013584A (en) * | 1987-11-20 | 1991-05-07 | Hughes Aircraft Company | Method of reducing the permeability of plastic optical articles |
| US6010750A (en) | 1997-05-08 | 2000-01-04 | Georgia Tech Research Corporation | Method and apparatus for lithiating alloys |
| US6706448B1 (en) | 1999-08-30 | 2004-03-16 | Georgia Tech Research Corp. | Method and apparatus for lithiating alloys |
| US6350623B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-02-26 | California Institute Of Technology | Method of forming intermediate structures in porous substrates in which electrical and optical microdevices are fabricated and intermediate structures formed by the same |
| US6726955B1 (en) * | 2000-06-27 | 2004-04-27 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the crystal structure of polycrystalline silicon |
| US20110113855A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Michael Edward Badding | Analyte Gas Sensors |
| US8512809B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-08-20 | General Electric Company | Method of processing multilayer film |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE626462A (ja) * | 1961-12-26 | |||
| US3211572A (en) * | 1963-03-27 | 1965-10-12 | Cons Astronautics Inc | Coating metal surfaces with refractory metals |
| US3516850A (en) * | 1966-09-16 | 1970-06-23 | Texas Instruments Inc | Process for metal coating a hydrogen permeable material |
| GB1495561A (en) * | 1974-04-01 | 1977-12-21 | Central Electr Generat Board | Blocking of micropores in a structure |
| US3969163A (en) * | 1974-09-19 | 1976-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases |
| US4102767A (en) * | 1977-04-14 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Arc heater method for the production of single crystal silicon |
| FR2407892A1 (fr) * | 1977-11-04 | 1979-06-01 | Rhone Poulenc Ind | Procede de fabrication de silicium pour la conversion photovoltaique |
-
1981
- 1981-09-29 US US06/307,139 patent/US4374163A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-08-20 AU AU87452/82A patent/AU8745282A/en not_active Abandoned
- 1982-09-25 EP EP82108872A patent/EP0075902A3/en not_active Withdrawn
- 1982-09-28 ES ES515992A patent/ES515992A0/es active Granted
- 1982-09-29 JP JP57168674A patent/JPS5867074A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291117A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-11-30 | Heliotronic Forsch & Entwick G Fuer Solarzellen Grundstoffe Mbh | 特に半導体材料の溶融物から凝固層を成長させるための構造化表面を備えた支持体 |
| JP2010530032A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | ナノグラム・コーポレイション | 反応流による無機箔体の析出および合成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0075902A2 (en) | 1983-04-06 |
| US4374163A (en) | 1983-02-15 |
| AU8745282A (en) | 1983-04-14 |
| ES8401680A1 (es) | 1983-12-16 |
| ES515992A0 (es) | 1983-12-16 |
| EP0075902A3 (en) | 1984-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3721732A (en) | Method of manufacturing filamentary bodies of circular cross-section consisting of silicon carbide single crystals and filamentary bodies obtained by said method | |
| JPS5867074A (ja) | 半導体構造物の製法 | |
| US4090851A (en) | Si3 N4 Coated crucible and die means for growing single crystalline silicon sheets | |
| KR100343822B1 (ko) | 화학적증착법에유용한탄탈륨및니오븀시약,및상기시약을이용하여피막을침착하는방법 | |
| US4099924A (en) | Apparatus improvements for growing single crystalline silicon sheets | |
| US4915988A (en) | Chemical vapor deposition of group IIA metals and precursors therefor | |
| JP3347327B2 (ja) | 金属蒸着法 | |
| Fix et al. | Titanium nitride thin films: properties and Apcvd synthesis using organometallic precursors | |
| CN110382735A (zh) | 多孔体和其制备方法 | |
| RU2155829C2 (ru) | Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания | |
| TW541352B (en) | Volatile organometallic complexes of lowered reactivity suitable for use in chemical vapor deposition of metal oxide films | |
| JPS61158877A (ja) | セラミツクス多孔質膜の製造方法 | |
| JPH0643248B2 (ja) | 遷移金属ほう化物繊維の製造法 | |
| RU2097452C1 (ru) | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов | |
| Frigo et al. | A method for dosing solid sources for MOVPE: excellent reproducibility of dosimetry from a saturated solution of trimethylindium | |
| KR20040056220A (ko) | 저항가열 보트 및 그 제조방법 | |
| JPH06127923A (ja) | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 | |
| US5298295A (en) | Chemical vapor deposition of metal chalcogenide films | |
| JPH06127922A (ja) | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 | |
| JP2568224B2 (ja) | 気相化学反応原料の供給方法 | |
| JPS6272505A (ja) | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 | |
| US3098741A (en) | Process for effecting crucibleless melting of materials and production of shaped bodies therefrom | |
| JPS61124576A (ja) | 無電解金属付着方法 | |
| JPH0784357B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
| Oota et al. | Vapor phase growth of titania whiskers by hydrolysis of titanium flouride |