JPS5862544A - Device for checking foreign matter - Google Patents

Device for checking foreign matter

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JPS5862544A
JPS5862544A JP16144181A JP16144181A JPS5862544A JP S5862544 A JPS5862544 A JP S5862544A JP 16144181 A JP16144181 A JP 16144181A JP 16144181 A JP16144181 A JP 16144181A JP S5862544 A JPS5862544 A JP S5862544A
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JP
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light
foreign matter
light receiving
scattered light
foreign
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JP16144181A
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Shoichi Tanimoto
昭一 谷元
Kazunori Imamura
今村 和則
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
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    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect whether foreign matters are adhered on the obverse side of a substance to be checked or on the reverse side thereof by a device wherein the scattered lights are photoelectrically detected on both sides of the checked substance to check the presence of foreign matters based on the difference between both the detected photoelectric signals. CONSTITUTION:Photoelectric signals detected by a photoreceiving unit A become almost same in their levels for foreign matters (i) and (j). But a partial scattered light 1b generated from the foreign matter (i) reaches a photoreceiving unit B after passing through a glass plate 5a. The intensity of the scattered light 1b is generally smaller than that of a scattered light 1b, but photoelectric signals in some degree are generated in both photoreceiving units A and B due to attachment of the foreign matter (i). Meanwhile, the scattered light from the foreign matter (j) attached onto a shielding portion 5b will not reach the photoreceiving unit B. Thus, by measuring the photoelectric signals from both photoreceiving units A and B, it can be judged whether the foreign matter is adhered on the transparent portion or on the shielding portion.

Description

【発明の詳細な説明】 □ 本発明は、微小なゴミ等の異−を検出する装置′に
関し□、譬にIuI用フォトマスク、レティクル等の基
板上に付−した14物の検i装装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] □ The present invention relates to a device for detecting abnormalities such as minute dust. Regarding.

L81用フォトマ□スクやしエバを製造する過程におい
て、レティクル、マスク等に異物が付着することが60
.これらの−物は、製造されたマスク、ウェハの欠陥の
原因となる。
In the process of manufacturing photomasks for L81, foreign matter may adhere to the reticle, mask, etc.60
.. These substances cause defects in manufactured masks and wafers.

轡に、縮小投影型のバタニン焼付は装置において、この
欠陥は各マスク、ウェハの全チンの欠−として現われる
ため製造工程 にお込て厳重に検査する必要がある。このため、一般に
は目視による異物検査を行なうまとが考えられるがこの
方法は通常、検査か何時間にもおよび、作業者の疲労を
訪い、検量率の低減を招いてしfう。
On the other hand, defects in reduction projection type baton printing appear in the equipment as defects in all parts of each mask and wafer, so strict inspection is required during the manufacturing process. For this reason, it is generally considered appropriate to carry out a visual inspection for foreign substances, but this method usually takes many hours to carry out the inspection, resulting in operator fatigue and a reduction in the calibration rate.

そこで、近年、マスクやレティクルに付着した異物のみ
をレーザビーム等を照射して自動的に検出する装置が種
々考えられている。
Therefore, in recent years, various devices have been developed that automatically detect foreign particles attached to a mask or reticle by irradiating them with a laser beam or the like.

例えばマスクやレティクルに鋸厘にレーザビームを照射
し、その元スポットを2次元的に走査する。このとき、
マスクヤレテイクル上のパターンエツジ(クロム等の遮
光部のエツジ)からの散乱ftは指向性が強く、異物か
らの散乱光は無指向に発生する。そこでこれら□の散乱
光を弁別するように光電検出して、光スポットの走査位
置からマスクやレティクル上との部分に異物が付着して
いるのかを検査する装置が知られている。ところが、こ
の装置では、マスクやレティクルの全面を元スポットで
走査するので、小さ去異物を精度よく検出するために元
スポットの径を小さくすれはそれだけ検査時間が長くな
るという問題がさらKこの装置では、異物がクロム等の
遮光部の上に付着して゛いるのか、ガラス面(光透過部
)の上に付着しているのか、また、光透過部上に付着し
九異物でも、それが被検査物のレーザ光入射側の面に付
着しているのか、その裏面に付着しているのかを区別し
たりすること岬の、いわゆる異物の付着状態を検査する
ことができなかつ友。
For example, a mask or reticle is irradiated with a laser beam, and the original spot is scanned two-dimensionally. At this time,
Scattered light from pattern edges (edges of light-shielding parts such as chrome) on the mask defect has strong directivity, while scattered light from foreign objects occurs non-directionally. Therefore, an apparatus is known that performs photoelectric detection to discriminate these square scattered lights and inspects whether foreign matter is attached to the mask or reticle from the scanning position of the light spot. However, since this device scans the entire surface of the mask or reticle with the original spot, there is an additional problem that the smaller the diameter of the original spot in order to accurately detect small particles, the longer the inspection time. Then, whether the foreign matter is attached to the light-shielding part such as chrome or the glass surface (light-transmitting part), and even if it is attached to the light-transmitting part, is it covered? It is difficult to inspect the state of adhesion of foreign matter, such as distinguishing whether it is attached to the surface of the object to be inspected on which the laser beam enters or whether it is attached to the back surface.

そこで、本発明の目的は、被検査物上に付着した異物を
高速に検出すると共に、異物の付着状態を高速に検査で
きる異物検査装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a foreign matter inspection device that can detect foreign matter adhering to an object to be inspected at high speed, and can quickly inspect the state of adhesion of foreign matter.

この目的を達成する丸め本発明の異物検査装置は次のよ
うな構成となっている。即ち、本発明の装置は、光透過
性を有する被検査物の一方の面を元ビームで走査し、被
検査物から生じる光情報に基づいて、付着した14智の
有無を検査する装置において、前記一方の面を見込み、
諌一方の面側に出射する散乱光を受光するように配置し
た第1光電手段と;被検査物を透過し−た元ビームが出
射する他方の面を見込み、該他方の甲側に出射する散乱
光を受光するよう9.に配置し喪@2手段〒−2と;前
記嬉l5jl12ft電手段の両手段信号を比較して、
異物の付着状−に応じた検出信号を発生する検出装置と
を備えている。 、  。
The foreign matter inspection device of the present invention that achieves this purpose has the following configuration. That is, the apparatus of the present invention is an apparatus that scans one surface of a light-transmitting object to be inspected with an original beam and inspects the presence or absence of attached 14-chip based on optical information generated from the object to be inspected. Looking at the one side,
A first photoelectric means arranged to receive scattered light emitted from one side; 9. To receive scattered light. Compare the signals of both the means of mourning@2 means 〒-2 and;
and a detection device that generates a detection signal in accordance with the state of adhesion of foreign matter. , .

本発明の詳細な説明する前に、被@食物に元ビームを照
射し九とき、異物の付着状態に応じて生じる散、乱光の
様子をIl!1.2.3図により説明する。岡、ここで
光ビームは被検査物上を斜入射で照射する、ものとする
。こテ゛らの散乱″−&″。j″等′1′)遮光部から
の数7乱光との分、離を良くするためである。
Before explaining the present invention in detail, let us explain how the light scatters and scatters when the original beam is irradiated onto the food, depending on the state of adhesion of foreign matter. This will be explained with reference to Figure 1.2.3. Here, it is assumed that the light beam illuminates the object to be inspected at oblique incidence. The scattering of these items ″−&″. j'', etc. '1') This is to improve separation from the number 7 scattered light from the light shielding part.

第1図は、被検査物としてアスクやレティクル(以下総
称して7オ、トマスクとする。)のパターンが描画さ−
れ丸面に元ビームとしてのレーザ光を照射し、フォトマ
ス2りのガラス板の上に付着した14吻によるレーザ光
の散乱と遮光部の上に付着した異物による散乱の様子を
示したものである。第2図は、ガラス板上に付着し九異
物による散乱と、遮光部のエツジ部による散乱との様子
を示すもので4ある。
Figure 1 shows a pattern of an ask and a reticle (hereinafter collectively referred to as a mask) drawn as an object to be inspected.
A round surface is irradiated with laser light as the original beam, and the scattering of the laser light by the 14 proboscis attached to the glass plate of Photomass 2 and the scattering by foreign matter attached to the light shielding part are shown. It is. FIG. 2 shows the state of scattering due to foreign matter adhering to the glass plate and the scattering due to the edge portion of the light shielding portion.

−第3図は、ガラス板、の透明部の表面と裏面とに付着
した異物による散乱の様子−を示すものアあ、る・  
1 .3第1図において、フォトマスクSのガ、ラスIES
aK密着し下設けられた遮光部sbを設けた面SI (
□以下、この面の、ことをパターン面Siと呼ぶ。)に
斜入、射し九、レーザ光・1は、ガラス板5a又東層光
板5bによって正入射される。*、図中05、レーザ光
1以外の光1束は散、乱、党のみを―わす。第1図にお
いて、集光レゼズと答電素子1、とから成る受光部(4
)はその正反射光を一党する。ようKllわしである。
-Figure 3 shows the state of scattering due to foreign matter adhering to the front and back surfaces of the transparent part of the glass plate.
1. 3 In Fig. 1, the glass and glass IES of photomask S
Surface SI (
□Hereinafter, this surface will be referred to as pattern surface Si. ), the laser beam 1 is incident normally through the glass plate 5a or the east layer light plate 5b. *, 05 in the figure, one beam of light other than laser beam 1 causes only scattering, dispersion, and distortion. In FIG. 1, a light receiving section (4
) reflects the specularly reflected light. I'm Kll.

が、実際には正反射したレーザ光を入射しないような位
置に配置する。1+受光部(4)は、レーザ光1の照射
部分を斜めに見込むように配置する。これはガラス板S
mのパターン面8゜や遮光部5bの表面の微細な凹凸に
よって生じる散乱光をなるべく受光しないようにするた
めである。さらに、ガラス板51のパターン面S、と反
対側の面81 (以下、裏面s富とする。)側には、集
光レンズと光電素子管含む受光WA (B)が設けられ
る。この受光部(B)は、ガラス板Sa(%にそのパタ
ーン面8.)に対して、受光部(4)と面対称の関係に
配置されており、裏1j S を肯からレーザ光1の照
射部分を斜めに見込んでいる。第1図で、受光部(B)
は、ガラス板5aを直接透過したレーザ光を受光するよ
うに表わしであるが、実際には、直接透過したレーザ光
は受光しないような位置に設ける。すなわち、受光部(
4)、(Inは共に、異物から無指向に発生する散乱f
t、を受光するような位置に配置される。
However, in reality, it is placed at a position where specularly reflected laser light does not enter. The 1+ light receiving section (4) is arranged so as to obliquely look into the area irradiated with the laser beam 1. This is glass plate S
This is to prevent as much as possible from receiving scattered light caused by fine irregularities on the pattern surface 8° of the light shielding portion 5b and the surface of the light shielding portion 5b. Further, on the surface 81 (hereinafter referred to as the back surface) opposite to the pattern surface S of the glass plate 51, a light receiving WA (B) including a condenser lens and a photoelectric element tube is provided. This light receiving part (B) is arranged in a plane symmetrical relationship with the light receiving part (4) with respect to the glass plate Sa (patterned surface 8.), and the laser beam 1 is directed from the back 1j S The irradiated area is viewed diagonally. In Figure 1, the light receiving part (B)
Although it is shown to receive the laser light that directly passes through the glass plate 5a, in reality, it is provided at a position that does not receive the laser light that directly passes through the glass plate 5a. In other words, the light receiving section (
4), (In is the scattering f non-directionally generated from foreign matter)
t, is placed at a position where it receives light.

そこで、図のように、ガラ曵板5aの透過部に付着した
異物iと、11′yt、部5bの上に付着した異物jと
から生じる散乱光のちがいについて説明する。
Therefore, as shown in the figure, the difference between the scattered light generated by the foreign matter i attached to the transparent portion of the ratchet plate 5a and the foreign matter j attached to the portion 11'yt, 5b will be explained.

受光部(A)Kよって検出される光電信号の大きさは、
異物1、Jともはぼ同じになる。それは、異物1%’J
にレーザ光1を照射したとき、異物i1 jの大きさが
共に等しいものであれは、そこで無指向に生じる散乱光
1aの強さも等しくなるからである。ところが、異物量
で生じる一部の散乱光1bはガラス板5aを透過して受
光部(B)に達する。一般に、散乱光1bは散乱光1a
にくらべて小さくなるが、受光部(A)、(B)には異
物lの付着によって、共に何らかの光電信号が発生する
。もちろん、線光11SbK付着した異物jがらの散乱
光は受光部(1)に達しない。
The magnitude of the photoelectric signal detected by the light receiving part (A)K is
Foreign matter 1 and J are almost the same. It is foreign matter 1%'J
This is because when the laser beam 1 is irradiated on the foreign matter i1 and the foreign matter i1 and j have the same size, the intensity of the non-directionally generated scattered light 1a will also be the same. However, some of the scattered light 1b generated by the amount of foreign matter passes through the glass plate 5a and reaches the light receiving section (B). Generally, the scattered light 1b is the scattered light 1a
Although the light receiving portions (A) and (B) are smaller than those shown in FIG. Of course, the scattered light from the foreign matter j adhering to the line light 11SbK does not reach the light receiving part (1).

そこで、受光5cA)とCB)の光電信号を調べること
により、異物が□ガラス板5mの透明部に付着したもの
なのか、11党部5bに付着した、。ア。□□、古9゜
、”et !。
Then, by examining the photoelectric signals of the received light 5cA) and CB), it was determined whether the foreign matter had adhered to the transparent part of the □ glass plate 5m, or whether it had adhered to the 11th part 5b. a. □□, Old 9°, “et!.

ところで、jl光部5bのエツジ部では、がなり指向性
の強い反射光と、無指向性の散乱光とが生じる。そこで
、上記受光S((転)、(I9をエツジ部からの指向性
の強い反射光をさけて散乱光のみを受光するように配置
しても、その散乱光が異物によるものなのか、エツジ部
によるものなのかを判別する必要かめる。このことにつ
いて、第2図に基づいて原理の説明をする。第2図にお
いても、散乱光を受光する受光部は 第1図と同様に配
置する。
By the way, at the edge portion of the jl light section 5b, reflected light with strong bending directionality and scattered light with non-directionality are generated. Therefore, even if the light receivers S((transfer) and (I9) are arranged so as to avoid the highly directional reflected light from the edge portion and receive only the scattered light, it is difficult to determine whether the scattered light is due to foreign matter or not. The principle of this will be explained based on FIG. 2. In FIG. 2, the light receiving section that receives the scattered light is arranged in the same way as in FIG. 1.

斜入射さn九し−ザ元1はフォトマスク5のパターン面
S、で鏡面反射されるが、異物i又は回路パターンとし
ての遮光部5bのエツジ部では散乱される。(正反射光
等は省略してろる5、)M元部5bは層の厚さが0.I
 J1m程度でパターンtlioSl に密層している
光め、ガラス板5aの外部に直接同かう散乱ft、lc
と、ガラス板5aの内部に向って進む散乱光1dとの強
度はほぼ等しくなる。散乱光1dはガラス板5aの内部
を通過後、′IIk面B!より外部に出る。一方、異物
の大きさは数μm以上あり異vBlによって散乱される
光は、異物iが翫面Sl より高く浮き上っている丸め
に向って進む散乱光1・は、面8.の異物量に進む散乱
光1fよ秒も弱い。この傾向はパターン画81に対する
受光部(4)、(鴫の受光方向。仰。を済S<オ。−ヶ
、4□4者。え電信号の大きさの相異として強くなる。
The obliquely incident laser beam 1 is specularly reflected by the pattern surface S of the photomask 5, but is scattered by the foreign matter i or the edge portion of the light shielding portion 5b as a circuit pattern. (Specular reflection light etc. are omitted.) The M base portion 5b has a layer thickness of 0. I
The light densely layered on the pattern tlioSl at about J1m, the same scattering ft, lc directly outside the glass plate 5a.
The intensity of the scattered light 1d and the scattered light 1d traveling toward the inside of the glass plate 5a are almost equal. After the scattered light 1d passes through the inside of the glass plate 5a, the 'IIk plane B! Go outside more. On the other hand, the size of the foreign object is several μm or more, and the light scattered by the foreign object vBl is the scattered light 1, which travels toward the rounded shape where the foreign object i is higher than the rod surface Sl. The scattered light 1f traveling to the amount of foreign matter is also weak. This tendency becomes stronger as the difference in the magnitude of the electric signal increases with respect to the pattern image 81 at the light receiving section (4).

この現象は、面8.に密着した遮光部SbK対して散を
元はllI面波として振舞うが、異物iは上聞に一部し
ているので、自由空間での散乱となり、散乱光がパター
ンEIi81にすれすれの角度で入射すると、反射率が
高くなり、パターン面8.より内部に入る割合が少ない
ことからも説明できる。従ってパターン面8.の儒で散
乱光を受光IB(A)によって検出すると共に、裏面8
曾を通過し九散乱党も同時に受光1ff(B)Kよって
検出し、両者の光量の比が例えば2倍以上あるかどうか
という判定によって、散lLカ異物による□ものか遮光
部5bのエツジ部によるものかを判別することができる
This phenomenon occurs in plane 8. The scattering originally behaves as an llI plane wave with respect to the light shielding part SbK that is in close contact with the surface, but since the foreign object i is partially in the upper surface, it scatters in free space, and the scattered light is incident on the pattern EIi81 at a grazing angle. Then, the reflectance increases and the pattern surface 8. This can also be explained by the fact that the proportion that goes inside is smaller. Therefore, pattern surface 8. At the same time, the scattered light is detected by the light receiving IB (A), and the back side 8
The nine scattered particles that passed through the center are also detected by the light receiving unit 1ff(B)K, and it is determined whether the ratio of the amount of light between the two is, for example, twice or more. It is possible to determine whether the

次に、ガラス板5aの表と裏に付着した異物を判別する
原理について、嬉3図により説明する。この図中、受光
部(A)、(B)は、レーザ光1の照射を受けるフォト
マスク上の部分から後方、すなわちレーザ光1の入射側
に斜めに設けられており、いわゆる異物からの後方散乱
光を受光する。
Next, the principle of discriminating foreign matter adhering to the front and back sides of the glass plate 5a will be explained using Figure 3. In this figure, the light-receiving parts (A) and (B) are provided diagonally backward from the part on the photomask that is irradiated with the laser beam 1, that is, on the incident side of the laser beam 1. Receives scattered light.

ここでは、レーザ光1をフォトマスク5のパターンの形
成されていない側の面、すなわち裏面8.に入射したと
き、裏rjjIS1に付着した異物kによるレーザ光の
散乱と、パターンが形成されている側のパターン面8.
に付着し九異物量による散乱の違いを示している。
Here, the laser beam 1 is applied to the surface of the photomask 5 on which no pattern is formed, that is, the back surface 8. When the laser beam is incident on the back rjjIS1, the laser beam is scattered by the foreign matter k attached to the back side rjjIS1, and the pattern surface 8. on the side where the pattern is formed.
It shows the difference in scattering depending on the amount of foreign matter attached to the surface.

レーザ′#、1は裏面8.に対し、斜入射し、一部は反
射し、一部は透過して、パターン面S1に至る。異物k
による散乱j’e1gは受光部(Nによって光電変換さ
れる。:、を九、パターン面S1の透明部分に付着し九
異物iによる散乱光のうち、ガラス板5aの内部を透過
して裏面8.よりレーザ光入射面に散乱光1hとなって
表われたものが受光部(A)によって光電変換される。
Laser '#, 1 is on the back side 8. On the other hand, the light is incident obliquely, part of it is reflected, and part of it is transmitted, reaching the pattern surface S1. foreign object k
The light scattered by j'e1g is photoelectrically converted by the light receiving part (N). Among the light scattered by the foreign matter i that adheres to the transparent part of the pattern surface S1, it passes through the inside of the glass plate 5a and is reflected on the back surface 8. Therefore, the scattered light 1h appearing on the laser beam incident surface is photoelectrically converted by the light receiving section (A).

ところで異物1による散乱光のうち、散乱光1hと、パ
ターン面8.よりガラス板Smの内部には入らない散乱
!Ilとを比較すると、散乱光1hはパターン面81及
び裏面8電による反射損失を受けるので、散乱光11に
比較して強度が弱い。この両者の強度比は受光部(4)
、CB)の散乱光の受光方向を裏m 8 m又はパター
ン面Blに対してすれすれにすればするはと大きくなる
傾向にある。これは光の入射角が大きければ大きいS表
面での反射率が増すという事実に基づく。そこでレーザ
光1のフォトマスク5に対する入射位置を変化させなが
ら、受光部(A)、(B)の出力をモニターすると、第
4図(M)(b)のような信号がそれぞれ得られる。そ
こで嬉4図(a) (b)の縦軸は夫々受光部(A’s
 、as)の受光する散乱光の強さに比例し喪量を、横
軸は、時刻又はレーザスポットのフォトマスク5に対す
る位置を表わすものとする。141w1!lkによるレ
ーザ光の散乱では、第4図における信号波形AI、81
のようになり、その信号の大きさFAIとPH1を比較
すると、FAIの方がFBIの3〜8倍位大きくなり、
異物1による散乱では、信号波形A2、B2のような波
形が得られ、大きさPA2とpBZを比較すると、PH
1,の方がPA2の3〜8倍位大きくなる。従って、散
乱光がある大きさ以上となる時、受光部(4)の受光5
(B)に対する出力比かに倍、例えば2倍り上あれば、
異物はレーザビーム入射軸の裏面S、に付着していると
判断できる。
By the way, among the scattered light by the foreign object 1, the scattered light 1h and the pattern surface 8. Scatter that does not enter the inside of the glass plate Sm! When compared with Il, the scattered light 1h suffers reflection loss due to the pattern surface 81 and the back surface 8, so its intensity is weaker than that of the scattered light 11. The intensity ratio of these two is the light receiving part (4)
, CB), if the receiving direction of the scattered light is made to be close to the back m 8 m or the pattern surface Bl, the light intensity tends to be large. This is based on the fact that the greater the angle of incidence of light, the greater the reflectance on the large S surface. Therefore, by monitoring the outputs of the light receiving sections (A) and (B) while changing the incident position of the laser beam 1 on the photomask 5, signals as shown in FIGS. 4(M) and 4(b) are obtained, respectively. Therefore, the vertical axes in Figure 4 (a) and (b) are the light receiving area (A's).
, as) is proportional to the intensity of the received scattered light, and the horizontal axis represents time or the position of the laser spot with respect to the photomask 5. 141w1! In the scattering of laser light by lk, the signal waveform AI, 81 in FIG.
When comparing the signal magnitudes FAI and PH1, FAI is about 3 to 8 times larger than FBI,
In the scattering by foreign object 1, signal waveforms such as A2 and B2 are obtained, and when comparing the sizes PA2 and pBZ, PH
1 is about 3 to 8 times larger than PA2. Therefore, when the scattered light exceeds a certain level, the light receiving portion 5 of the light receiving portion (4)
If the output ratio to (B) is twice, for example twice,
It can be determined that the foreign matter is attached to the back surface S of the laser beam incident axis.

次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。Next, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

第5図は異物検査装置の第1の実施例を示す斜視図であ
り、第6図は、第5図の一成に適した検出回路の一ガを
、示す回路図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a first embodiment of the foreign matter inspection device, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a detection circuit suitable for the configuration shown in FIG.

この実施例は、被検査物として、複雑なパターンを有す
るフォトマスクよりも、パターンがない素ガラスや、比
較的単純なパターゴを有するマスクを検査するのに適し
ている、第5図において、被検査物としてのフォトマス
ク5は載物台■の上に周辺部のみを支えられて載置され
る。載置台−は、モータ6と送りネジ等により図中矢印
4のように一次元に移動可能である。ここで、フォトマ
スク5のパターン面を図示の如く座標系xysのX−y
平面として定める。この載置台■の移動量はリニアエン
コーダのような測長器Tによって一定される。一方、レ
ーザ光源・からのレーザ光1は適宜、エキスパンダー(
不図示)や集光レンズ3等の光学部材によって任意のビ
ーム11に変換されて、単位面積あたりの光強度を上げ
る。このレーザ光1は、バイブレータ、ガルバノミラ−
の如き振動鏡を有するスキャナー2によってフォトマス
クs上のX方向の範11L内を走査する。このとき走査
するレーザ光1はフォトマスク5の表面(x−ysFJ
li)K対し?、N、tば入射角70” 〜80゜で斜
めに入射する。従って、レーザ光1のフォトマスクs上
での照射部分は、図中はぼy方向に延びた橢円形状のス
ポットとなる。このため、スキャナー2によってレーザ
光1がフォトマスク5を走査する領域は、X方向に範囲
りでy方向に所定の広がりをもつ帯状の領域となる。実
際にレーザ光1がフォトマスク5の全面を走査するため
に、前述のモータ6も同時に駆動し、レーザft、1の
走査速度よりも小さい速度でフォトマスクSky方向に
移動する。このとき副長器Tは、レーザ光1のフォトマ
スク5上におけるy方向の照射位置に関連した測定値を
出力する。
This embodiment is suitable for inspecting unpatterned plain glass or a mask with a relatively simple pattern rather than a photomask with a complicated pattern. A photomask 5 as an object to be inspected is placed on the stage (2) with only its peripheral portion supported. The mounting table can be moved one-dimensionally as indicated by an arrow 4 in the figure using a motor 6, a feed screw, and the like. Here, the pattern surface of the photomask 5 is
Define as a plane. The amount of movement of this mounting table (2) is fixed by a length measuring device T such as a linear encoder. On the other hand, the laser beam 1 from the laser light source is appropriately transmitted to the expander (
(not shown) and an optical member such as a condensing lens 3, the beam is converted into an arbitrary beam 11 to increase the light intensity per unit area. This laser beam 1 is transmitted through a vibrator, a galvanometer mirror, etc.
An area 11L in the X direction on the photomask s is scanned by a scanner 2 having a vibrating mirror such as the one shown in FIG. At this time, the scanning laser beam 1 is applied to the surface of the photomask 5 (x-ysFJ
li) Against K? , N, and t are obliquely incident at an incident angle of 70" to 80 degrees. Therefore, the irradiated portion of the laser beam 1 on the photomask s becomes a circular spot extending in the y direction in the figure. Therefore, the area where the photomask 5 is scanned by the laser beam 1 by the scanner 2 becomes a band-shaped area with a range in the X direction and a predetermined spread in the y direction.Actually, the laser beam 1 scans the photomask 5. In order to scan the entire surface, the aforementioned motor 6 is also driven at the same time and moves in the photomask Sky direction at a speed lower than the scanning speed of the laser beam 1. At this time, the sub-length device T moves the photomask 5 of the laser beam 1. Output a measurement value related to the irradiation position in the y direction above.

また、フォトマスク5上に付着し九異物からの元情報、
すなわち無指向に生じる散乱光を検出するために受光素
子11.13が設けられている。この受光素子のうち素
子11は、前記受光部(A)に相当し、レーザ光1が照
射されるフォトマスク50表側から生じる散乱光:、I
In addition, original information from nine foreign substances attached to the photomask 5,
That is, light receiving elements 11 and 13 are provided to detect scattered light that occurs non-directionally. Among these light receiving elements, the element 11 corresponds to the light receiving part (A), and the scattered light generated from the front side of the photomask 50 irradiated with the laser beam 1:
.

を受光するように配置され本。−万、受光素子13は、
前記受光部(B)に相当し、裏側から生じる散乱光を受
光するように配置される。
The book is placed so that it receives light. -10,000, the light receiving element 13 is
It corresponds to the light receiving section (B) and is arranged to receive scattered light generated from the back side.

さらに、受光素子11と13の各受光面にはレンズ10
,12によって散乱光が集光される。そしてレンズ10
の光軸はx−y平面に対して斜めになるように、レーザ
光1の走査範囲りのほぼ中央部をフォトマスク5の表側
から見込むように定められる。一方、レンズ120光軸
は、x−1平面に対してレンズ100党軸と面対称にな
るように定められる。また、レンズ10,120各党軸
は走査範囲りの義手方向に対して、斜めになるように、
すなわち、x−z平面に対して小さな角度を成すように
定められている。
Furthermore, a lens 10 is provided on each light receiving surface of the light receiving elements 11 and 13.
, 12, the scattered light is collected. and lens 10
The optical axis is set so as to be oblique with respect to the x-y plane, so that approximately the center of the scanning range of the laser beam 1 is viewed from the front side of the photomask 5. On the other hand, the optical axis of the lens 120 is set to be symmetrical with the optical axis of the lens 100 with respect to the x-1 plane. In addition, the respective axes of the lenses 10 and 120 are arranged obliquely with respect to the direction of the prosthetic hand within the scanning range.
That is, it is determined to form a small angle with respect to the xz plane.

第6図において、受光素子11.13の谷手段信号は、
各々増幅器100,101に入力する。そして増幅され
た光電信号sI)よ2つの比較器103.104の夫々
に入力する・また増幅された光電信号e、は、増幅度に
の、〉 増幅器102を介して比較器104の他方の入力に印加
される。 t#J、受光素子11.13の受光量が等し
いとき、信号@1、・、は共に同一の大きさとなる。さ
らに、比較器103の他方の入力には、スライスレベル
発生器106からのスライス電圧Vsが印加される。
In FIG. 6, the valley means signals of the light receiving elements 11 and 13 are as follows:
The signals are input to amplifiers 100 and 101, respectively. The amplified photoelectric signal sI) is then input to each of the two comparators 103 and 104.The amplified photoelectric signal e is then input to the other input of the comparator 104 via the amplifier 102 at the amplification degree. is applied to t#J, when the amounts of light received by the light receiving elements 11 and 13 are equal, the signals @1, . . . both have the same magnitude. Furthermore, the slice voltage Vs from the slice level generator 106 is applied to the other input of the comparator 103.

そして比較器103.104の各出力はアンド回路10
5に印加する。このスライスレベル発生器106は、ス
キャナー2を振動するための走査信号SCに同期してス
ライス電圧Vjの大きさを変える。これは、レーザ光1
の走査により、受光素子1177・らレーザ光1の照射
位1tまでの距離が変化する、すなわちレンズ10の散
乱光受光の立体角が変化するためである。そこで、走査
に同期して、レーザf、 1の照射位置に応じてスライ
ス電圧vSを可変するように構成する。
And each output of the comparators 103 and 104 is connected to the AND circuit 10.
5. This slice level generator 106 changes the magnitude of the slice voltage Vj in synchronization with the scanning signal SC for vibrating the scanner 2. This is laser beam 1
This is because the scanning changes the distance from the light receiving element 1177 to the irradiation position 1t of the laser beam 1, that is, the solid angle at which the lens 10 receives the scattered light changes. Therefore, in synchronization with scanning, the slice voltage vS is configured to be varied according to the irradiation position of the laser f,1.

この構成において、増幅器102の増幅率に/Ii、1
.5〜2.5の範囲、例えば2に定められている。これ
は、レーザ光10入射側に付着した異物から生じる散乱
光のうち、入射側に生じる散乱光の大きさと、フォトマ
スク5を透過した散乱光の大きさとの比が鮪3図、4図
で説明したように2倍以上になるからである。
In this configuration, the amplification factor of the amplifier 102 is /Ii, 1
.. It is set in the range of 5 to 2.5, for example 2. This is because the ratio of the magnitude of the scattered light generated on the incident side and the magnitude of the scattered light transmitted through the photomask 5 among the scattered light generated from foreign matter attached to the incident side of the laser beam 10 is shown in Figures 3 and 4. This is because, as explained above, it will more than double.

tた、比較器103は、信号e1がスライス電圧vSよ
りも大きいときのみ論理値I’llを出力する。また、
比較、器104は信号e1と信号・、をに倍にしたKe
yを比較して、  。
In addition, the comparator 103 outputs the logical value I'll only when the signal e1 is greater than the slice voltage vS. Also,
Comparison device 104 compares signal e1 and signal .
Compare y and .

・、〉K・、のときのみ論理値「1」を出力する。従っ
て、アンド回路105は比較器103.104の出力が
共に論理値「1」のときのみ、論理値「1」を発生する
It outputs a logical value of "1" only when . . , >K. Therefore, AND circuit 105 generates a logic value "1" only when the outputs of comparators 103 and 104 are both logic value "1".

次に、この実施例の作用、動作を説明する。Next, the function and operation of this embodiment will be explained.

まずJ14物がレーザ光1の入射側の面に付着していた
場合、レーザ光1がその異物のみt照射すると、信号拳
、tよ、スライス電圧vSよりも大きくなり、比較!1
03は論理値1−IJを出力する。また、このとき、・
1〉K・、になり、比較器104も論理値11」を出力
する。このためアンド回路105は論理値11」を発生
する。
First, if a J14 object is attached to the surface on the incident side of the laser beam 1, and if the laser beam 1 irradiates only that foreign object, the signal will become larger than the slice voltage vS, so compare! 1
03 outputs the logical value 1-IJ. Also, at this time...
1>K., and the comparator 104 also outputs the logical value 11. Therefore, the AND circuit 105 generates the logical value 11''.

次に異物が裏面に付着していた場合、レーザ′yf、1
r、i、フォトマスク5に斜入射しでいるから、大部分
がフォトマスク5のガラス面で正反射し、一部が裏面の
異物を照射する。このため、異物からの散乱光のうち、
′受光素子11に達する散乱光は、受光素子13に達す
る散乱光よりも小さな値、すなわち・taX・。
Next, if foreign matter is attached to the back side, the laser ′yf, 1
Since r and i are obliquely incident on the photomask 5, most of the light is specularly reflected by the glass surface of the photomask 5, and a portion of the light irradiates the foreign matter on the back surface. Therefore, among the scattered light from foreign objects,
'The scattered light reaching the light receiving element 11 has a smaller value than the scattered light reaching the light receiving element 13, that is, taX.

にたり、比較器104は論理値rOJを出力する。この
ため、このとき・、 ) Vsか成立し、いえよ、−C
,アじ1回□。5□、□10」を発生する。まえ、i1
1元部のエツジ部から散乱光□が生じた場合、第2図に
示した↓うに、受光素子11.13の受光量にはぼ等し
くなるから、・+<X・! となり、比較器104は論
理値「0」を出力する。従ってアンド回路105は論理
値10」を発生する。
The comparator 104 outputs a logical value rOJ. Therefore, at this time...) Vs holds true, no, -C
, Aji once □. 5□, □10" is generated. Mae, i1
When scattered light □ is generated from the edge of the unitary part, the amount of light received by the light receiving elements 11 and 13 is approximately equal to the amount of light received by the light receiving elements 11 and 13, as shown in FIG. Therefore, the comparator 104 outputs the logical value "0". Therefore, the AND circuit 105 generates a logic value of 10.

崗、スライス電圧Vsの大きさは、異物の検知能力に関
連し、スライる電圧Vjが小さければ小さいほど、より
小さな異物の検出が可能となる。
The magnitude of the slicing voltage Vs is related to the foreign object detection ability, and the smaller the slitting voltage Vj is, the smaller the foreign object can be detected.

このように、異物がフォトマスク50表側(レーザ光入
射側)に付着していたときの4、検査結果としてアンド
回路105け論理値「1」を出力する。
In this manner, when foreign matter is attached to the front side (laser light incident side) of the photomask 50, the AND circuit 105 outputs a logic value of "1" as the inspection result.

以上述べた如く本実施例は回路パターン等VCよる散乱
が籾く、大きな異物の積出しか要求されない場合にきわ
めて簡単な構成で、異物の付着状態として、表側と裏側
のどちらの面に付着しているのかを弁別して高速に検査
できる特徴t−備えるものである。
As described above, this embodiment has an extremely simple configuration when scattering by VC such as circuit patterns is high and only large foreign matter is required to be shipped. It is equipped with the feature t- that allows for high-speed inspection by distinguishing whether the

以上はレーザ光を、回路パターンが形成された面側から
入射し、入射した面に付層した異物の検出を行なう場合
について述べたものでめる1、ところで、縮小投影露光
装置に用いられるレティクル、マスクでは、回路パター
ン側に付着した異物だけでなく、裏面のパターンのない
面に付着した異物も転写され−C(〜まうoVIO倍の
縮小1ンズを用いると、転写きれるパターンのない裏面
に付着した異物で転写可能な最小の大きさは、回路パタ
ーンのめる面に付着した異物で転写可能な最小の大きさ
の、長さで約L5倍、面積比で約2倍である。従って裏
面に付着した異物の検出も、必要な感度で行なうことが
必要である。裏面の異物を検出するKは第1の実施例で
説明し友装置において、フォトマスクを裏返した形で使
用すればよい。ところがこのようにしても、複雑なパタ
ーンを有するフォトマスクでは次のような問題が生じる
。即ち、回路パターンのない面側の異物による散乱光の
検出強度と異物の大きさとの関係により、異−め大きさ
を判定しようとする場合、回路パターン向側の異物によ
る散乱光の検出強度と14物の大きさの関係は違ったも
のになるので、異物の大きさの判定に誤りを生じること
になる□。
The above is a description of the case where laser light is incident from the side on which a circuit pattern is formed and foreign matter attached to the incident surface is detected.1.By the way, the reticle used in a reduction projection exposure apparatus With the mask, not only the foreign matter attached to the circuit pattern side but also the foreign matter attached to the back surface without a pattern is transferred. The minimum size that can be transferred with an attached foreign substance is approximately L5 times the length and approximately twice the area ratio of the minimum size that can be transferred with a foreign substance attached to the surface on which the circuit pattern is placed. It is also necessary to detect attached foreign matter with the required sensitivity.K for detecting foreign matter on the back side is explained in the first embodiment, and may be used in a companion device with the photomask turned upside down. However, even with this method, the following problem occurs with a photomask having a complicated pattern. Namely, due to the relationship between the detected intensity of light scattered by a foreign object on the side without a circuit pattern and the size of the foreign object, When trying to judge the size of a foreign object, the relationship between the detected intensity of light scattered by a foreign object on the side facing the circuit pattern and the size of the object will be different, which may lead to errors in determining the size of the foreign object. Naru□.

そればかりか、パターンの遮光部のエツジからの散乱光
の影響によって異物の検出そのものも困難となる。  
   □ 七゛こで、本発明の縞2の実施例を第7〜9図に基づい
て説明する。第7図は、興物検゛査装置の第2の実1I
IAiPIによる斜視図□を示し、第1の実施例と異な
る点は、さらにもう1組の受光部を設は良ことである。
Not only that, but the detection of foreign matter itself becomes difficult due to the influence of scattered light from the edges of the light-shielding portions of the pattern.
□ Seventh embodiment of the stripe 2 of the present invention will now be described based on FIGS. 7 to 9. Figure 7 shows the second embodiment of the item inspection device 1I.
A perspective view □ of IAiPI is shown, and the difference from the first embodiment is that one more set of light receiving sections is provided.

第8図は、異物からの散乱光による各受光素子の手段出
カの様子を示す図である。さらに第9図は、この継2の
実施例に適した検出回路の級続図である。: ゛第7図において、縞lの実施例と同一の構成、作用を
有するものは説明を省略する。この第2の実施例におい
て、さらに、フォトマスクSのレーザft1の入射側と
、それと反対側にはげ等しい受光立体角を有する受光系
を設ける。この受元系Fi%7図に示すように、フォト
マスク5の表側(レーザ党入射11)を斜めに見込む集
光レンズ2oと受光素子21、及0フォトマスク5の裏
側を斜めに見込む集光レンズ22と受光素子23とから
構成されてい為。もちろんレンズ20,22の各光軸は
、走査範l!Lのほぼ中央部を向いている。
FIG. 8 is a diagram showing the state of the output of each light receiving element due to scattered light from a foreign object. Further, FIG. 9 is a series diagram of a detection circuit suitable for this second embodiment. : ゛In Fig. 7, descriptions of those having the same configuration and function as those in the embodiment of stripes 1 will be omitted. In this second embodiment, a light receiving system having an equal light receiving solid angle is further provided on the incident side of the laser ft1 of the photomask S and on the opposite side thereof. As shown in the figure, there is a condenser lens 2o and a light receiving element 21 that obliquely look at the front side of the photomask 5 (laser incidence 11), and a light condenser that obliquely look at the back side of the photomask 5. It is composed of a lens 22 and a light receiving element 23. Of course, each optical axis of the lenses 20 and 22 has a scanning range l! It faces almost the center of L.

さらに、その各光軸は、走査範sLの長手方向Xを食む
II (x y s座標系のx−z面と平行な面)と一
致するように定められている。
Furthermore, each optical axis is determined to coincide with II (a plane parallel to the xz plane of the xys coordinate system) that intersects the longitudinal direction X of the scanning range sL.

また、この際、レンズ20とレンズ10の光軸が成す角
度ti30〜4を庭前後に定められる。レンズ22とレ
ンズ12の光軸が成す角度についても同様である。
Further, at this time, the angle ti30 to ti4 formed by the optical axes of the lens 20 and the lens 10 is determined at the front and back of the garden. The same applies to the angle formed by the optical axes of the lens 22 and the lens 12.

従ってこの実施例では異物と回路パターンによる散乱光
の指向性がフォトマスクSの表側に進む元について異な
ることを利用する上に、さらに異物と回路パターンとに
よってフォトマスク50表側と裏側に進む光の強度比の
違いも利用して、異物の検査を行う。
Therefore, in this embodiment, in addition to utilizing the fact that the directivity of the scattered light due to the foreign matter and the circuit pattern is different with respect to the origin of the light traveling to the front side of the photomask S, the directionality of the scattered light due to the foreign matter and the circuit pattern is also used. The difference in intensity ratio is also used to inspect foreign substances.

第5図は本実施例の斜視図であって、被検物6が設定さ
れる移動台12と、これの移動の駆動を行なうモータT
3、及び矢印8の方向の位置検出を行なうエンコーダ7
4も表示袋れている。
FIG. 5 is a perspective view of this embodiment, showing the moving stage 12 on which the object 6 is set, and the motor T that drives the movement of the moving stage 12.
3, and an encoder 7 that performs position detection in the direction of arrow 8.
4 is also displayed in a bag.

第8図(1)、(b)、((+)、(d)は受光素子2
1.11.23.13からの光電信号の大きさをそれぞ
れ縦軸にとり、横軸に#I8図(a)〜(d)共通に時
′間をとって示したものである。レーザ党1のスポット
をフォトマスモ と11横軸はスポット位置にも対応している。
Fig. 8 (1), (b), ((+), (d) shows the light receiving element 2
The magnitude of the photoelectric signal from 1.11.23.13 is plotted on the vertical axis, and time is plotted on the horizontal axis in common with #I8 (a) to (d). The spot of laser party 1 is photomasmo and the horizontal axis of 11 also corresponds to the spot position.

レーザ党が回路パターンに入射して散乱された場合、第
7図の光電素子21.11.23.13からの出力は第
8図でそれぞれム1、Bl 。
When the laser beam is incident on the circuit pattern and is scattered, the outputs from the photoelectric elements 21, 11, 23, 13 in FIG. 7 are 1 and BL in FIG. 8, respectively.

CI、Diのようになり、それぞれのピーク値はPAI
SPBIXPCI、PDIとなる。この場合、散乱光に
指向性がめる九めに1受党素子21と11の光電出力と
して、ピークPBIよりもPAI  の万が大きいが、
完全な指向性ではないので、ビークPill  は零で
杜ない。フォトマスクSの真情の受光素子23.13の
出力ピーク値、PCI、PDIはそれぞれFAI。
CI, Di, and their respective peak values are PAI
SPBIXPCI, PDI. In this case, the PAI is larger than the peak PBI as the photoelectric output of the ninth receiving elements 21 and 11, which affect the directionality of the scattered light.
Since the directionality is not perfect, the beak pill is zero. The output peak value, PCI, and PDI of the true light receiving element 23.13 of the photomask S are each FAI.

FBI  に近い値を持っている。このことは、前記第
2図で説明し九通りである。ところが、異物によってレ
ーザ党が散乱され九場合、各受光素子からの出力は、i
)、A 2、B2、C2、D2と自1 なり、それぞれピーク値はPA2、PH1、PO2、P
D2  となる。散乱光の指向性が少ないために、PA
2とPH1の間では差は小さいが、PA2とPO2の間
、及びPH1とPD20間には大きな差がわ:す、3〜
8倍位の比でPA2、PH1の万が大きい。回路パター
ンからの散乱信号のうち例えは小さい方のピーク値PB
I  より小さなレベル8Liスライス電圧□として、
第8図(a)、’(b)の各信号をスライスし、できる
だけ小さな異物による嚇い散乱光を検出しようとした場
合、この1までは回路パターンも異物として判定してし
まう。しかし、第7図の受光素子21と受光素子23の
出力の比、及び受光素子11と受光素子13の出力の比
を求め 第8図(m)の信号が8Lを越え、がっ纂8図
(b)の(!1′号もSLを越えている場合にζさらに
この比が一定以上例えば2倍以上るる場合にのみ異物と
判定すれば、上記のような低いレベル8Lを用いて?;
異物のみを正しく検出できる、 第9・図は本実施例の信号処理のブロック図であって、
第7図に示した受光素子21.11.23、tsh夫々
、増幅器110,111.112、Itsに入力する。
It has a value close to that of the FBI. This can be done in nine ways as explained in FIG. 2 above. However, if the laser beam is scattered by a foreign object, the output from each photodetector will be i
), A 2, B2, C2, D2, and the peak values are PA2, PH1, PO2, P, respectively.
It becomes D2. Because the directionality of scattered light is low, PA
The difference is small between 2 and PH1, but there is a large difference between PA2 and PO2, and between PH1 and PD20.
The ratio of PA2 and PH1 is about 8 times larger. For example, the smaller peak value PB of the scattered signals from the circuit pattern
As a level 8Li slice voltage □ smaller than I,
If each signal in FIGS. 8(a) and 8(b) is sliced to detect the threatening scattered light caused by a foreign object as small as possible, the circuit pattern up to 1 will also be determined as a foreign object. However, by calculating the ratio of the outputs of the light receiving element 21 and the light receiving element 23 in Fig. 7, and the ratio of the outputs of the light receiving element 11 and the light receiving element 13 in Fig. 7, the signal in Fig. 8 (m) exceeds 8L. If (b) (!1' also exceeds SL, then ζ and if this ratio exceeds a certain level, for example, 2 times or more, it is determined that it is a foreign object), then using the low level 8L as above?
Only foreign objects can be detected correctly. Figure 9 is a block diagram of the signal processing of this embodiment.
The light receiving elements 21, 11, 23 and tsh shown in FIG. 7 are input to the amplifiers 110, 111, 112 and Its, respectively.

この4つの増幅器110〜113は、受光素子21.1
1.23.18に入射する光量が共に等しけれは、その
出力信号・い・1、―い・、も岬しくなるように作られ
ている。
These four amplifiers 110 to 113 are connected to the light receiving element 21.1.
If the amounts of light incident on 1, 23, and 18 are equal, the output signals 1, 1, - 1, and 1 are made to be cape-like.

比較器114は、゛出力信号・、と、第8図(&)K示
し九レベル8Lとしてのスライス電圧Vs、とを比較し
て、・+’>vs+のとき論理値「1」を出力する。比
1!i!115は、出方イロ号・、と第8間色)に示し
たレベル8Lとしてのスライス電圧VJ、とを比較して
・*>vstのとき論理値1− I Jを□出方する。
The comparator 114 compares the output signal . . . with the slice voltage Vs as 9 levels 8L shown in FIG. . Ratio 1! i! 115 compares the slice voltage VJ as the level 8L shown in the output number .

lた、異物とエツジ部とによりフォトマスク5の表側と
裏′肯に生じる散乱光のちがいを判別するために、出力
信号・3と・ati夫々増S度にの増幅器111i、1
17に入力する。この増幅度には、第・lの実施内と同
様に1.廊〜2sの範囲の1つ値−例えに2に定められ
ている。
In addition, in order to distinguish between the scattered light generated on the front side and the back side of the photomask 5 due to foreign matter and edges, amplifiers 111i and 111i are used to increase the output signals ・3 and ・ati, respectively.
17. This amplification degree has a value of 1. One value in the range of ~2s, for example, is set to 2.

比較器1111は、出−力信号・、と増幅器116の出
力信号に・、 とを比較して、”e、)K・、のときの
み論理値til′t−出力する。比較器119は出力信
号・、と増幅器117の出力信号に・、 とを比較して
、e、2に@4  のときのに論理値「1」を出力する
。そして、比較器114.115.118.119の各
出力はアンド回路120に入力し、アンドか成立したと
き、検査結果として異物が存在すること金表わす論理値
「lJを発生する。またスライス電圧vSいVSvnス
ライスレベル発生器121から出力され、第1の実施例
と同様、走置信号SCに応答してその大きさが変化する
The comparator 1111 compares the output signal . and the output signal of the amplifier 116, and outputs a logical value til't- only when "e,)K." It compares the signal ., with the output signal of the amplifier 117, and outputs a logic value "1" to e,2 when @4. The respective outputs of the comparators 114, 115, 118, and 119 are input to the AND circuit 120, and when the AND is established, a logical value "lJ" is generated which indicates the presence of foreign matter as an inspection result. Also, the slice voltage vS VSvn is output from the slice level generator 121, and its magnitude changes in response to the scanning signal SC, as in the first embodiment.

ただし、スライス電圧■SいVJ、の個々の大きさ、変
化のa[は、少しずつ異なっている。
However, the individual magnitudes and changes a[ of the slice voltages VJ and S are slightly different.

このことについて、第10図(aバb)により説明する
。第10図(a)は第7図における斜視図tフォトマス
ク5の上方か1.1見たときの図である。
This will be explained with reference to FIG. 10 (a-b). FIG. 10(a) is a perspective view of FIG. 7 when looking 1.1 above the photomask 5. FIG.

ここで、レーザ光1のフォトマスク5上の走査範囲りに
おいて、その中央部を位* Ct、両端部を各々位置C
I、CIとする。前述のように、受光素子21と11と
から位置CIまでの各距離は共に等しい。そこで、同一
の異物が位置CI、CI、CIに付着していたものとし
て以下に述べる。異物が位置CIに付着していた場合、
その異物から生じる散乱光に対して受光素子21.11
の各受光立体角はほぼ等しくなるから、前述の信号e1
、・冨の大きさもほぼ等しくなる。このためレーザ光1
のスポットが位置CIにるるとき、スライス電圧VJい
vj!は等しい大きさに定められる。゛ また異物が位置C7に付着していた場合、受光素子21
の受光量よりも、受光素子11の受光量の方が多くなる
。このため信号の鵞の方が信号・、よりも大きくなるか
ら、スライス電圧はVsl〉qs、に定める必要がある
Here, in the scanning range of the laser beam 1 on the photomask 5, the central part is at the position *Ct, and both ends are at the positions Ct.
I, CI. As described above, the distances from the light receiving elements 21 and 11 to the position CI are both equal. Therefore, the following description assumes that the same foreign matter is attached to positions CI, CI, and CI. If a foreign object is attached to position CI,
The light receiving element 21.11 detects the scattered light generated from the foreign matter.
Since the solid angles of light reception are almost equal, the signal e1
,・The size of the wealth is also almost the same. Therefore, the laser beam 1
When the spot of is at position CI, the slice voltage VJ is vj! are set to be of equal size.゛If a foreign object is attached to position C7, the light receiving element 21
The amount of light received by the light receiving element 11 is greater than the amount of light received by the light receiving element 11. For this reason, the signal level is larger than the signal level, so the slice voltage must be set to Vsl>qs.

しかしながら、位置CIは各受光素子21.11から共
に遠方にあるため、信号・6、e!の大きさは大差ない
。従って、スライス電圧とし、 −C(−tL程差のな
い大きさでVJ、 ) Vs、 f満足し、(M[C,
のとぎのスライス電圧よりも小さく定められる。
However, since the positions CI are far from each light receiving element 21.11, the signals 6, e! There is no big difference in size. Therefore, the slice voltage is -C(VJ, with no difference in magnitude from -tL), Vs, f is satisfied, and (M[C,
It is set to be smaller than the next slice voltage.

一方、異物が位置C畠に付着した場合、位K Csは受
’を素子21に最も近づいた場所でめるから、信号0.
は極めて大きな値となる。
On the other hand, if a foreign object adheres to the position C, the position K Cs will be placed closest to the element 21, so the signal will be 0.
is an extremely large value.

また、受光素子11社、位置C1を艶込む受光立体角が
、位11ct 、Ctに対して大きく変化するから、信
号e、は位fRc、 、C,でのそれより4.小さな値
となる。このため、スライス電圧はかなり大きな差でv
S、 ) Vs、を調足し、位Kctのときのスライス
電圧よりもそれぞれ大さく定められる。
In addition, since the solid angle of light receiving element 11 and the position C1 changes greatly with respect to the position 11ct and Ct, the signal e is 4. It will be a small value. For this reason, the slice voltage is v
S, ) Vs, are determined to be larger than the slice voltage at Kct.

以上述べた位置C1〜C8に対する各スライス電圧の変
化の様子を第10図(b)に示す。
FIG. 10(b) shows how each slice voltage changes with respect to the positions C1 to C8 described above.

第10図(i)で、縦軸はスライス電圧の太きδを、横
軸6cは走査範囲りの位置を壜ってるる。
In FIG. 10(i), the vertical axis represents the thick δ of the slice voltage, and the horizontal axis 6c represents the position of the scanning range.

前述のように、スライス電圧vSい■S、の大きさは位
置C1にKいて、共に等しくなり、位d C@ IIC
zイーC−、VJ冨) VSH1位*C5If−おいて
vS、> Vslとなるように連続的に変化する。この
変化は、かならずしも直線的になるとは限らず、スライ
ス電圧Vj、の変化のように、−1的になることが多い
。この曲線的な変化を得るには、スライスレベル発生器
121に例えは対数特性を有する変換回路や、折線近似
回路等を用いれによい。
As mentioned above, the magnitudes of the slice voltages vS and S are both equal at the position C1, and the magnitudes of the slice voltages vS and S are equal at the position C1
zE C-, VJ Tomi) Continuously changes so that vS, > Vsl at VSH1st *C5If-. This change is not necessarily linear, but often becomes -1 like the change in slice voltage Vj. In order to obtain this curved change, a conversion circuit having logarithmic characteristics, a polygonal line approximation circuit, or the like may be used as the slice level generator 121.

次に、#I9図に示し九回路の動作を説明する。Next, the operation of the nine circuits shown in FIG. #I9 will be explained.

パターンのエツジ部から生じた散乱光に対して、この散
乱光は指向性が強く、例えに受光素子21の受光量より
も受光素子11の受光量の方が大きくなったとする。こ
の九め、出力信号・1と・、は拳、〉・、になる。さら
に、第2図で示し丸ように、受光素子23.13の受光
量も、夫々、対をなす受光素子21.11の受光量とは
ぼ等しくなり、出力信号・1と・4 Fi、・魯キ・1
、・4キ・諺となる。この九め、・t < x・5、・
l<K@4であり、比較@118.11・は共に論理値
「0」を出カスる。従ってエツジ部からの散乱光に対し
て、アンド回路120は論理値「0」を3発生する。
This scattered light has strong directivity compared to the scattered light generated from the edge portion of the pattern, and for example, assume that the amount of light received by the light receiving element 11 is greater than the amount of light received by the light receiving element 21. This ninth output signal ・1 and ・becomes a fist, 〉・,. Furthermore, as shown in FIG. 2, the amount of light received by the light receiving elements 23.13 is approximately equal to the amount of light received by the paired light receiving elements 21.11, respectively, and the output signals ・1 and ・4 Fi, ・Luki 1
,・4ki・becomes a proverb. This ninth, ・t < x・5, ・
l<K@4, and the comparison @118.11. both output a logical value "0". Therefore, the AND circuit 120 generates three logical values of "0" for the scattered light from the edge portion.

また、フォトマスクのパターン面に付着した異物から散
乱光が生じた場合、出力信号・い・、Fi共にスライス
電圧yg、 、vg、よりも大きくなり、また出力信号
・1、・、は、夫々出力信号・2、・、に対して1/3
〜1/8倍の大きさになる。そして、出力信号・1、・
、はに倍になるか、Kが1.5〜2h5に定められてい
るため、・1〉KIい・t>X0番となるOこのため、
比較回路114.115.118.1111は共に論理
値「l」を出力し、アンド回路120は論理値「1」を
出力する。
In addition, when scattered light is generated from foreign matter attached to the patterned surface of the photomask, both the output signals 1, , and Fi become larger than the slice voltages yg, , vg, and the output signals 1, , and 1/3 for output signal・2,・・
~1/8 times the size. Then, the output signal・1,・
, or since K is set to 1.5 to 2h5, ・1>KI・t>X0. Therefore,
The comparison circuits 114, 115, 118, and 1111 all output a logic value "l", and the AND circuit 120 outputs a logic value "1".

フォトマスクの裏面に付層した異物から散乱光が生じた
場合、第3図に示したように、受光素子73.13の受
光系μ4、受光素子21、Itの受光量よりも大きくな
る。この喪めかならず・+ < KIl 、・1(KI
4となり、比IIIR器11B、1111の各出力は共
に論理値「0」となる。従って、裏面に付着した14@
に対して、アンド回路120は論理値「0」を出力する
When scattered light is generated from a foreign substance layered on the back surface of the photomask, as shown in FIG. 3, the amount of light received by the light receiving system μ4 of the light receiving element 73.13, the light receiving element 21, and It becomes larger. This mourning must be... + < KIl , 1 (KI
4, and the outputs of the ratio IIIR units 11B and 1111 both have a logical value of "0". Therefore, 14@ attached to the back side
In contrast, the AND circuit 120 outputs a logical value of "0".

以上のように、縞2の実施例によれに1/<ターンのエ
ツジ部で生じる散乱光を選択的に強く受光するように受
光素子11.130対と受光素子21.23の対との2
つの対を設けであるので、複雑なパターンを有するフォ
トマスクに対してもそのパターンによる散乱の影響をさ
けて、付着した異物のみを正確に検出することができる
As described above, according to the embodiment of stripe 2, the pair of light receiving elements 11.130 and the light receiving element 21.23 are arranged so that the scattered light generated at the edge portion of the 1/< turn is selectively and strongly received.
Since two pairs are provided, even on a photomask having a complicated pattern, it is possible to avoid the influence of scattering due to the pattern and accurately detect only the attached foreign matter.

次に本発明の第3の実施例として、第2の実施的におけ
る検出回路の構成を変えたものを第11図により説明す
る。基本的な構成は第2の実施例で説明した検出回路と
同じでおる。しかし、この実施例では、レーザ光入射側
に配置した受光素子21.11のうち、出、、′11 力が小さい方の受光素子に着目し、その受光素子と対を
なすように、裏面側に配置された受光素子との間で、出
力の比かに倍以上あるかどうかを判別するように構成さ
れている。
Next, as a third embodiment of the present invention, a configuration in which the configuration of the detection circuit in the second embodiment is changed will be described with reference to FIG. The basic configuration is the same as the detection circuit described in the second embodiment. However, in this embodiment, among the light receiving elements 21.11 arranged on the laser beam incidence side, we focused on the light receiving element with the smaller output force, It is configured to determine whether the output ratio is more than twice as high as that of the light-receiving element disposed in the photodetector.

第11図、において、第9図と同じ作用、動作するもの
について#i同一の符号をつけである。そこで、第9図
と異なる構成について説明する。増幅器110,111
の各出力信号”IX@茸は\コン/<レータ130に人
力し、出力信号eaXelの大小を検出する。このコン
パレータ130は例えは@、>61のとき、論理値[l
Jを出力し、・1く・!のとき論理値「0」を出力する
。コンパレータ130のその11の出力と、その出力を
インバータ131で反転したものとは夫々アンドゲート
133.132の一方の人力に接続される。
In FIG. 11, components that have the same functions and operations as those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals #i. Therefore, a configuration different from that in FIG. 9 will be explained. Amplifiers 110, 111
Each output signal "IX@mushroom" is input to the \con/<rator 130 to detect the magnitude of the output signal eaXel.For example, when @>61, the comparator 130 outputs the logical value [l
Output J, ・1ku・! When this happens, a logical value of "0" is output. The 11 outputs of the comparator 130 and the inverted output of the comparator 130 are connected to one of the AND gates 133 and 132, respectively.

また、アンドゲート132.133の佃方の入力には、
夫々比IIR器118.1111からの出力信号が接続
される。このアンドゲート132.133の各出力信号
はオフゲート134を介して、検査結果を発生するアン
ド回路126へ入力する。
Also, for the input of the AND gate 132.133,
The output signals from the ratio IIR devices 118 and 1111 are respectively connected. Each output signal of the AND gates 132 and 133 is inputted via an off gate 134 to an AND circuit 126 that generates a test result.

このような構成において、例えは受光素子21の受光量
が受光素子11の受光量よりも大きい場合(パターンの
エツジ部等の散乱による)出力信号・い・2は・龜〉h
となる◎このためコンパレータ130は論11([rl
Jを出力し、アンドゲート132は閉じられ、アンドゲ
ート133は開かれる。従ってこの時比較器118.1
18が例えば共に論理値「1」を出力していれは、比較
器119の出力のみがアンドゲート133を介してオア
ゲート134に印加される。このようにオアゲート13
4の出力は、受光素子21.11のうち受光量の少ない
方の受光素子と、それと対になる受光素子(素子23.
13のいずれか一方〕との光電信号のと比によって異物
か、エツジ部かを判別した結果を嵌わす。
In such a configuration, for example, if the amount of light received by the light receiving element 21 is larger than the amount of light received by the light receiving element 11 (due to scattering at the edge of the pattern, etc.), the output signal
◎For this reason, the comparator 130 is the same as Theory 11 ([rl
J is output, AND gate 132 is closed, and AND gate 133 is opened. Therefore, at this time comparator 118.1
18 are both outputting a logic value "1", for example, only the output of the comparator 119 is applied to the OR gate 134 via the AND gate 133. In this way, orgate 13
The output of the light receiving element 21.11 which receives a smaller amount of light and the paired light receiving element (element 23.11).
13], the result of determining whether it is a foreign object or an edge portion is inserted.

以上のように、本実施例9如く出力信号11+と6 の
小さい方を選択することは、回路パターンの散乱の影響
の小さい受光方向を選択することを意味し、細かい一路
パターンから指向性の強い散乱光が一方向の受光系のみ
に入り、信号処理系の飽和、轡に増幅器の出力信号の飽
和を引き起して、被検査物の表裏め受光系の強度比較が
不能となるのを防止するのめならず、フォトマスクの表
裏を見込む受光系の集光レンズの幾可学的配置に誤差が
あって、表裏の集光方向が完全に対称でない場合、異物
の。誤検出を低減するという利点も生じる。
As described above, selecting the smaller of the output signals 11+ and 6 as in Example 9 means selecting the light receiving direction where the influence of scattering of the circuit pattern is small. Prevents scattered light from entering the light receiving system in only one direction, causing saturation of the signal processing system and, in turn, saturation of the output signal of the amplifier, making it impossible to compare the intensities of the front and back light receiving systems of the object to be inspected. If there is an error in the geometric arrangement of the condensing lens of the light receiving system that looks into the front and back of the photomask, and the light condensing directions on the front and back are not completely symmetrical, foreign matter may occur. There is also the benefit of reducing false positives.

淘、以上の実施例において、比較器118.119は、
第4図(1) (b)のような光電信号に対してXe、
−Ke@%@l−に@、を求め、この結果が正か負かに
よって出力を決めている。しかしながら、割算器等によ
って、・、とに@s及び・、とに・、との比を演算し、
その結果かに以上か否かを判別するような回路を設けて
も上記実施ガと同様の機能を米九すことができる。
In the above embodiment, the comparators 118 and 119 are
For photoelectric signals such as those shown in Fig. 4 (1) (b),
-Ke@%@l- is determined by @, and the output is determined depending on whether the result is positive or negative. However, by using a divider or the like, we calculate the ratio between ・, and @s and ・, and,
Even if a circuit is provided to determine whether the result is greater than or equal to 0, the same function as the above embodiment can be achieved.

次に本発明の第4の実施例について絡12図、13図に
基づいて説明する。この実施例は第2の実施例にさらに
もう1つの受光素子31を設け、パターンからの散乱光
の影替をさらに低減するものである。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13. This embodiment is provided with one more light receiving element 31 in addition to the second embodiment, to further reduce shadowing of scattered light from the pattern.

纂12図において、第7図の構成と異なる点は、集光レ
ンズ30と受光素子31が、レンズ20.レンズ1Gの
光軸とは反対側の方向から、フォトマスク5のレーザ光
入射側の面、すなわちパターン面を見込むように配置さ
れていることである。
12, the difference from the configuration in FIG. 7 is that the condenser lens 30 and the light receiving element 31 are replaced by the lens 20. The lens 1G is arranged so that the surface of the photomask 5 on the laser beam incident side, that is, the pattern surface, can be seen from the direction opposite to the optical axis of the lens 1G.

ここで、レンズ10.20,80の各光軸の関傷につい
て述べる。伺、この3つのレンズ1@、20,30は同
一の光学41性とし、3つの受光素子11.21.31
の脣性も同一であるとする。また、各光軸を各々4.1
 %L@、t@ とする。ft、軸ts、を電、tlは
共にフォトマスク5のパターン面に対して、小さな角度
、例えtよ10〜306前後に定められている。ま九、
υ−ザ党1の走査範囲りの中央部から各受光素−7−1
121,31までの距離は共に等しく定められている。
Here, the relationship between the optical axes of the lenses 10, 20, and 80 will be described. The three lenses 1@, 20, and 30 have the same optical properties, and the three light receiving elements 11, 21, and 30 have the same optical properties.
Assume that the marginality of is also the same. Also, each optical axis is 4.1
Let %L@, t@. ft, the axis ts, and tl are both set at a small angle with respect to the pattern surface of the photomask 5, for example, around 10 to 306 degrees below t. Maku,
υ - Each light receiving element -7-1 from the center of the scanning range of 1
The distances to 121 and 31 are both set equal.

そして、図中、フォトマスク5を上方より見たとき、光
軸t、は、走査範囲りの長手方向(走査方向)と一致し
、光軸1..1.は走査範囲りに対して小さな角度、例
えば30″前後に定められている。
In the figure, when the photomask 5 is viewed from above, the optical axis t coincides with the longitudinal direction (scanning direction) of the scanning range, and the optical axis 1. .. 1. is set at a small angle relative to the scanning range, for example around 30''.

このように、各光軸L+ 、At 、Asを定めること
Vcよって、パターンのエツジ部で生じる散乱光は、3
つの受光素子IL21.31のうち、確実に1つの受光
素子でははとんど受光されない。ま九、一般的な傾向と
して、パターンのエツジ部からの散乱光が、受光素子1
1.21に共に強く受光されているときは、受光素子3
1の受光量は極めて小さくなる。t7’c14物からは
無指向に散乱光が発生するので、各受光素子11.21
.31の受光量はけば同程度になる。こり受光量素子3
1の出力は、第13図に示す検出回路で処理される。基
本的には第11図の検出回路と同じである。受光素子3
1の出力は増幅器140を経て比較器141に入力す、
る。比較器141にはスライスレベル発生器121から
走査信号8Cに応答してレーザ党のスポット位置に応じ
九スライス電圧Vs、が入力する。この比較器14イは
、増幅器140の出力信号e。
In this way, by determining the optical axes L+, At, and As, the scattered light generated at the edge of the pattern is 3
Of the two light receiving elements IL21.31, almost no light is received by one of the light receiving elements IL21.31. 9. As a general tendency, the scattered light from the edge of the pattern is
1. When the light is strongly received at both 21 and 21, the light receiving element 3
1, the amount of light received is extremely small. t7'c14 Since scattered light is generated omnidirectionally from an object, each light receiving element 11.21
.. The amount of light received by No. 31 will be approximately the same. Stiff light receiving amount element 3
The output of 1 is processed by the detection circuit shown in FIG. It is basically the same as the detection circuit shown in FIG. Light receiving element 3
The output of 1 is input to a comparator 141 via an amplifier 140,
Ru. A nine slice voltage Vs is input to the comparator 141 from the slice level generator 121 in response to the scanning signal 8C in response to the laser spot position. This comparator 14a receives the output signal e of the amplifier 140.

がスライス電圧V’st越えると、論理値「−1」を、
その他の場合は論理値「0」を出力する。
exceeds the slice voltage V'st, the logical value is "-1",
In other cases, a logical value of "0" is output.

第13図の他の回路要素は第3の冥IIA例と同じであ
る。この第4の実施例は、第3の実施例と比べると、1
つの冗長な方向の受光系(受光素子31、レンズ30)
を持つために、回路パターンによる散乱光’r#14っ
て異物として検出してしfう確率が極めて小さくなると
いう%像が弗る。
The other circuit elements in FIG. 13 are the same as in the third IIA example. This fourth embodiment has a difference of 1 compared to the third embodiment.
Light receiving system with two redundant directions (light receiving element 31, lens 30)
Therefore, the probability that the scattered light 'r#14 caused by the circuit pattern will be detected as a foreign object is extremely small.

岡、受光素子11.21と受光素子31とは互iに反対
の方向から走査範囲りの中央部を見込んでいるから、ス
ライス電圧Vj、 。
Since the light receiving element 11.21 and the light receiving element 31 are looking into the central part of the scanning range from opposite directions, the slice voltage Vj.

VJ、に対して、スライス電圧■S、の変化の傾向は逆
になるようにする。すなわち、前述し11110図(m
e)におけるスライス電圧v5.の傾きを逆にしたもの
をスライス電圧vssとする。
The tendency of change in slice voltage S is set to be opposite to VJ. In other words, the above-mentioned figure 11110 (m
Slice voltage v5 at e). The slice voltage vss is obtained by reversing the slope of .

第14図は$115の実施例による検出回路を示すブロ
ック図である。第4の実施ガと比較し−C1異なる点は
、3個のコンパレータ150.151.152、アンド
回路153、オア回路154、及びスライス電圧vS、
、Vj、、Vj。
FIG. 14 is a block diagram illustrating a detection circuit according to a $115 embodiment. -C1 differs from the fourth embodiment in that three comparators 150, 151, 152, an AND circuit 153, an OR circuit 154, and a slice voltage vS,
,Vj,,Vj.

として大々2棟の電圧を発生するスライスレベル発生器
160が付加されたことでめる。
This is due to the addition of a slice level generator 160 that generates roughly two voltages.

合スライス電圧の2つの電圧は互いに所定の差を保ち、
走査信号SCに応じて変化する。
The two voltages of the combined slice voltage maintain a predetermined difference from each other,
It changes depending on the scanning signal SC.

プレ7ンプ110.lit、140の出力信号’81%
   、elはそれぞれ、コンバレー・ ! り1501151.152によりスライスレベル発生器
160から出力されるスライス電圧Vs、 、V、5.
、Vs、と比較される。この際、コンパレータ150,
151.152に人力するスライス電圧は比較器114
.115.141に人力するスライス電圧よりも高く、
回路パターンによる光の散乱゛□がどの工すに強く起る
場合でも、出力信号・1、el、・。
pre7mp110. lit, 140 output signal '81%
, el are respectively Converley! 1501151.152, the slice voltages Vs, , V, 5.
, Vs. At this time, the comparator 150,
The slice voltage applied to 151 and 152 is the comparator 114.
.. Higher than the slice voltage manually applied to 115.141,
No matter where the scattering of light due to the circuit pattern occurs strongly, the output signal ・1, el, ・.

の最小値よりも高くなるように設定されている。従って
、コンパレータ150,151.152とアンド回路1
53によって、アンド回路153Fi、異物から非常に
強い散乱光が生じたときだけ、論理値r’IJe発生す
る。
is set higher than the minimum value of Therefore, comparators 150, 151, 152 and AND circuit 1
53, the AND circuit 153Fi generates a logical value r'IJe only when very strong scattered light is generated from a foreign object.

アンド回路153の出刃はアント回w112Gの出力と
共にオア回路154に入力する。このためオア回路15
4は検査結果として異物の大小にかかわらず、異物を検
出した場合に論理値「l」を出力する。前記各実施例と
比較して次のようなI#像がある。異物による散乱で、
大きな光電信号が信号処理系に入り、各増幅器の出力が
電源電圧に近くなって、被検物の裏側にめる受光素子2
3.11用の増幅器112.113の出力の大きさのに
倍と、増幅!110,111からの出力の大きさを比較
する比較!1ii118.1111が正確に動作せず、
異物からの散乱光であるのに、比較器111119が両
方、′::共回路パターンからの11[を光を検出した
かのように動作する場合、他の実施例では異物を検出で
きないが、本実施例では検出が可能でるる。それは以上
のように低いスライス電圧との比較を行なう比較器11
4.115.141の他に、高いスライス電圧との比較
を行なうコンパレータ15o1151.152を設け、
強い散乱光を生ずる異物はこのコンパレータにより検出
するからである。
The output of the AND circuit 153 is input to the OR circuit 154 together with the output of the ant circuit w112G. Therefore, OR circuit 15
No. 4 outputs a logical value "l" when a foreign object is detected as an inspection result, regardless of the size of the foreign object. There is the following I# image compared to each of the above embodiments. Due to scattering by foreign objects,
A large photoelectric signal enters the signal processing system, and the output of each amplifier becomes close to the power supply voltage.
3.11 amplifiers 112 and 113 outputs are doubled and amplified! Comparison to compare the size of output from 110 and 111! 1ii118.1111 does not work correctly,
If the comparator 111119 operates as if it had detected light from both '::common circuit patterns even though the light is scattered from a foreign object, the foreign object cannot be detected in other embodiments, but In this embodiment, detection is possible. It is the comparator 11 that performs the comparison with the low slice voltage as described above.
In addition to 4.115.141, a comparator 15o1151.152 is provided for comparison with a high slice voltage,
This is because foreign matter that causes strong scattered light is detected by this comparator.

力を高めること、すなわち、より小さな異物を検知する
ことに寄与し、一方高いスライス電圧を用いることは、
増幅器の飽和等による誤検出を防止することに寄与する
。従って、より小さな異物からの弱い散乱光を検出でき
ると共に、強い散乱光に対しても正確に異物のみを検出
できる利点がある。このことは、異物の検出レンジを拡
大し九ことを意味する。
Increasing the force, i.e., contributes to detecting smaller foreign objects, while using a higher slicing voltage
This contributes to preventing false detections due to amplifier saturation, etc. Therefore, there is an advantage that weak scattered light from smaller foreign objects can be detected, and only foreign objects can be accurately detected even in the case of strong scattered light. This means that the foreign object detection range can be expanded.

以上、第5の実施的による検出回路は、受光素子の個数
を被検査物のレーザ光入射側に3個、反対側に2個の例
で説明したが、前述の各実施的のようにそれぞれの側に
1個ずっ以上の受光素子があれは、第5の実施的の意図
する機能を持たせるように構成できることは叢うまでも
ない。
The detection circuit according to the fifth embodiment has been described above using an example in which the number of light receiving elements is three on the laser beam incident side of the object to be inspected and two on the opposite side. It goes without saying that if there is one or more light receiving elements on the side, it can be configured to have the function intended in the fifth embodiment.

f九$111,13.14図においては、コンパレータ
130とアンドゲート132.133及びオア回路13
4を用いているが、11E9図のように比較器11B、
118の各出力、を直接アンド回路120に印加するよ
うにII貌してもよい。
f9$111, 13.14 In the diagram, a comparator 130, an AND gate 132, 133, and an OR circuit 13
4 is used, but as shown in Fig. 11E9, the comparator 11B,
118 may be directly applied to the AND circuit 120.

次に本発明の第6の実施例を第15図に基づいて説明す
る。この実施例は第50笑施ガに加えてさらにもう1つ
の受光素子41と集光レンズ40を設けたものである。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described based on FIG. 15. In this embodiment, in addition to the 50th lens, another light receiving element 41 and a condensing lens 40 are provided.

このレンズ400光軸はフォトマスク5のパターン面一
対してレンズ3oの光軸と面対称になるように定められ
ている。もちろん、レンズ4゜の光軸・は、走査範囲り
の中央部をフォトマスク5の裏面から見込むように決め
られる。この実施的において、レーザ光入射側からの散
乱光を受光する受光素子11.21.31の各光電信号
は、前述の実施例と一様に各々スライス電圧と比較して
、アンドを求めるように処理される。これにより、パタ
ーンのエツジ部からの散乱光が異物からの散乱光かを判
別する。−万、フォトマスク5の裏面からの散乱光を処
理するための受光素子13.23の光電信号は、前述の
実施例のような検出回路にて処理してもよいが、より簡
単な検出回路によって処理できる。
The optical axis of this lens 400 is set to be plane symmetrical to the optical axis of the lens 3o with respect to the patterned surface of the photomask 5. Of course, the optical axis of the lens 4° is determined so that the central part of the scanning range is viewed from the back surface of the photomask 5. In this embodiment, each photoelectric signal of the light receiving element 11, 21, 31 that receives the scattered light from the laser beam incidence side is compared with each slice voltage in the same way as in the previous embodiment, and the AND is calculated. It is processed. This determines whether the scattered light from the edge portion of the pattern is the scattered light from a foreign object. - The photoelectric signal of the light-receiving element 13.23 for processing the scattered light from the back surface of the photomask 5 may be processed by the detection circuit as in the above-mentioned embodiment, but a simpler detection circuit may be used. It can be processed by

それは、例えば受光素子13.23.41の光電信号を
、受光素子11.21.31の検出回路と同様に構成し
た回路で処理することである。このようにすると、レー
ザ光入射側の受光素子11.21.31が異物を検出し
、裏面側の受光素子13.23.41によっても、異物
が検出された場合、その異物はフォトマスク5の透明部
上に付着し友ものと11’:’1. 、、1.j 判別できる。この場合、異物を検出したときの各受光素
子の光電信号のピーク値を、フォトマスク50表側と裏
側とで考慮することによって、極めて正確に異物の大き
さが求まるという利点がある。
For example, the photoelectric signal of the light receiving element 13.23.41 is processed by a circuit configured similarly to the detection circuit of the light receiving element 11.21.31. In this way, if the light receiving element 11.21.31 on the laser beam incidence side detects a foreign object and the light receiving element 13.23.41 on the back side also detects the foreign object, the foreign object will be removed from the photomask 5. 11': '1. ,,1. j Can be distinguished. In this case, there is an advantage that the size of the foreign object can be determined extremely accurately by considering the peak value of the photoelectric signal of each light-receiving element when the foreign object is detected on the front side and the back side of the photomask 50.

ま九嘱第4、第5の実施例における検出回路をそのまま
用いるときは、第16図のような切替回路200を設け
るとよい。この切替回路200は、レーザ光入射側の受
光素子11.21.31の各光電信号と、裏面側の受光
素子13.23.41の各光電信号とを夫々切替えて出
力信号・、〜・、を発生するように構成されている。も
ちろん、この切替える場所は、各受光素子の光電信号を
一度増幅した後の方がよい。この切替えは、信号201
により行なわれる。このように構成することにより、例
えばフォトマスク5の裏面を検査する場合、フォトマス
ク5を裏返して截置する操作が不用となる。このために
、レーザ光1を、適宜外路切替部材によって、第14図
におけるフォトマスク5の裏面へ表側を照射するのと同
様に導くようにすればよい。
When the detection circuits in the fourth and fifth embodiments are used as they are, a switching circuit 200 as shown in FIG. 16 may be provided. This switching circuit 200 switches each photoelectric signal of the light receiving element 11, 21, 31 on the laser beam incident side and each photoelectric signal of the light receiving element 13, 23, 41 on the back side, and outputs a signal. is configured to occur. Of course, it is better to perform this switching after the photoelectric signals of each light receiving element have been amplified once. This switching is done by signal 201
This is done by With this configuration, when inspecting the back side of the photomask 5, for example, the operation of turning the photomask 5 upside down and cutting it is unnecessary. For this purpose, the laser beam 1 may be guided by an appropriate external path switching member in the same way as the front side is irradiated onto the back side of the photomask 5 in FIG. 14.

そこで、党略切替部材の切替えに応答して、信号201
を変えてやれば、フォトマスク5を裏返す操作を必要と
しないから、両面に付着した異物が極めて短時間に、し
かも正確に検出されることになる。
Therefore, in response to switching of the switching member, the signal 201
By changing the photomask 5, it is not necessary to turn the photomask 5 over, so foreign substances attached to both sides can be detected very quickly and accurately.

次に第7の実施例について説明する。第7の実施例にお
いて、各受光素子の配置は第2の実施例の説明に用いた
第7図と同じであるものとする。先に第1図を用いて説
明し是ように、フォトマスクのガラス板5aめ透過部に
付着し九異物lからの散乱光は受光部(〜と受光部(B
)によって検出されるが、遮光部5bの上に付着した異
物jからの散乱光は受光部(4)のみによって検出さ扛
、受光部(B)によっては検出されない。このことを、
第7図の各1元素子の光電信号として第17図により説
明する、第17図(a) (b)(e)(d)は夫々受
光素子21.11.23.13からの光電信号の大きさ
をそれぞれ縦軸にとり、横軸に共通に時間をとって示し
たもので、横軸はレーザスポット位置にも対応している
。ここで@1図に示すような異物jによってレーザ光が
散乱された場合、受光素子21.11は夫々第17図(
a) (b)の如く光電信号A3、B3を発生する。−
万・受光素子23.13は第17図(e) ((1)の
如く、夫々光電信号03、C3として略零を出力する。
Next, a seventh embodiment will be described. In the seventh embodiment, the arrangement of each light receiving element is assumed to be the same as that in FIG. 7 used to explain the second embodiment. As explained earlier with reference to FIG.
), but the scattered light from the foreign matter j adhering to the light shielding part 5b is detected only by the light receiving part (4) and not by the light receiving part (B). This thing,
17(a), (b), (e), and (d) are the photoelectric signals from the light receiving elements 21, 11, 23, and 13, respectively. The vertical axis represents the size, and the horizontal axis represents time, and the horizontal axis also corresponds to the laser spot position. Here, when the laser beam is scattered by a foreign object j as shown in Figure @1, the light receiving elements 21 and 11 are
a) Generate photoelectric signals A3 and B3 as shown in (b). −
As shown in FIG. 17(e) ((1), the light receiving elements 23 and 13 output substantially zero as photoelectric signals 03 and C3, respectively.

また第1図に示したようなJ%*iによってレーザ光が
散乱された場合、第17図のように、受光素子21.1
1.23.13Fi夫々党電信号ム4、B4、C4、C
4を発生する。即ち、第17図(e) (d)に示すよ
うに受光素子23.13の各光電信号C4、C4tlj
零ではなく、いくらかの出力が得られる。同、Pム4、
PH1、pc◆、PO4は光電信号A4、B4、C4%
 C4の各ピーク値である。そこで、小さなスライス電
圧vs4、vs、を各々ピーク値PC4、PO2の中間
に設定すれば、異物量の場合受光素子23.130党電
信号は共にスライス電圧vSいvs6を越えるが1異−
jの場合はスライス電圧Vs4 、vs5を越えず、異
物量とjとの区別ができる。そこで次に第7の実施例を
具体的に述べる。
Further, when the laser beam is scattered by J%*i as shown in FIG. 1, the light receiving element 21.1 as shown in FIG.
1.23.13Fi each party electric signal 4, B4, C4, C
Generates 4. That is, as shown in FIGS. 17(e) and 17(d), each photoelectric signal C4, C4tlj of the light receiving element 23.13
You will get some output, not zero. Same, Pmu 4,
PH1, pc◆, PO4 are photoelectric signals A4, B4, C4%
These are each peak value of C4. Therefore, if the small slice voltages vs4, vs, are set between the peak values PC4, PO2, respectively, in the case of the amount of foreign matter, both the light receiving element 23 and 130 electric signals exceed the slice voltage vs6, but there is one difference.
In the case of j, the slice voltages do not exceed Vs4 and vs5, and the amount of foreign matter and j can be distinguished. Therefore, next, a seventh embodiment will be specifically described.

第18図&−1本実施例の信号処理りブロック図である
。第18図において、受光素子21.11.23.13
、アンプ110〜113、コンパレータ114.115
.11 B、119及び増幅器116.117は第9図
の、第2の実施的における回路と同じ機能を持っている
。異なる点はコンバレー9204.205が設けられて
おり、その出力がアンド回路202にパラレルに入力さ
れていることである。コンパレータ204は増幅器11
2の出力est−スライスレベル発生器203がら出力
されるスライス電圧Vs、と比較し、e、〉■54なら
ば論f!J値「1」を、そうでなければ論理値1’ O
Jを出力し、−万コンパレータ205は増幅器113の
出力・、をスライス電圧vSIと比較し、e4ンVss
ならFi論理値Illを、そうでなげれば論理値fO,
」を出力する。
FIG. 18 &-1 is a block diagram of signal processing in this embodiment. In FIG. 18, light receiving elements 21.11.23.13
, amplifiers 110 to 113, comparators 114 and 115
.. 11B, 119 and amplifiers 116, 117 have the same function as the circuit in the second embodiment of FIG. The difference is that converters 9204 and 205 are provided, and their outputs are input to AND circuit 202 in parallel. The comparator 204 is the amplifier 11
2's output est - slice voltage Vs output from the slice level generator 203, and if e,>■54, then logic f! J value "1", otherwise logical value 1' O
The comparator 205 compares the output of the amplifier 113 with the slice voltage vSI, and outputs e4
If so, then Fi logical value Ill, otherwise logical value fO,
" is output.

、1 ここでスライス電圧vSいvS、の大きさは、上す己紀
16図で説明したように定めらnると共に、スポット位
置に対応して大きさが変化する。その変化のし万は第1
〜第6の各I実施例において説明した通りである。この
ような構成において、ガラス板上(光の透過部)に付着
した異物にレーザ光が当った場合、コンパレータ204
.205は論理値「1」を出力し、他のコンパレータ1
14.115.118.119も論理値「1」を出力す
るので、アンド回路202の出力は論理値「1」となり
異物を検出したことを示す。ところが、遮光部上1に付
着した異物にレーザ光が入射する時にはコンパレータ2
04.205の出力は論理値「0」となり、アンド回路
202の出力は論理値「0」となる、従って異物が党透
過部のみに付着している場合のみ、異物の存在を検出で
き、マスクパターンの焼付けに影響を与えないm元部に
付着した異物は無視することができる。     1′
、・、。
, 1 Here, the magnitude of the slice voltage vS, vS, is determined as explained in Fig. 16 above, and the magnitude changes depending on the spot position. The change is the first thing to happen.
- As explained in each of the sixth I embodiments. In such a configuration, if the laser beam hits a foreign object attached to the glass plate (light transmitting part), the comparator 204
.. 205 outputs the logical value "1" and other comparator 1
Since 14.115.118.119 also outputs a logical value of "1", the output of the AND circuit 202 becomes a logical value of "1", indicating that a foreign object has been detected. However, when the laser beam enters a foreign object attached to the light shielding part 1, the comparator 2
The output of 04.205 becomes a logic value "0", and the output of the AND circuit 202 becomes a logic value "0". Therefore, the presence of a foreign object can be detected only when the foreign object is attached only to the transparent part, and the mask Foreign matter attached to the m-base part that does not affect the printing of the pattern can be ignored. 1′
,・,.

、:′ このように本実施例は異物の付着した場所が元透過部か
遮光部かを区別せずに検出する場合に比べ、遮光部のみ
に異物が付着(2てい1フオトマスクの洗N’ Wがパ
ターンの焼付け1こ酎え得るのにもかかわらす、汚染さ
れているものとして再度洗#を行′;l fc、 v 
、同一パターンを持った別のフォトマスクと交換したり
°rる等の必蒙注か低減さ扛る°。このため、牛尋体装
電のM造において、時間的、経済的に有利な%値がある
・ この第7の実施例においてはコンパレータ204.2(
75の出力を共にアンド回路202に入力してい金が、
コンパレータ204又は205のどちらかの出力の4t
アンド1細2(32に人力し℃も↓い。その場せ、構成
は藺単になる脅砿がめるが、−万雑音が元′vt1イ号
に入った場合、誤動作し易いという欠点もある。猿だコ
ンパレータ204と2tjjM/J%出力のオア′tボ
め、その結果?r:7ンF回鮎202 v(−入力する
ことも考えられる。
,:' In this way, compared to the case where the foreign matter is detected without distinguishing whether the place where the foreign matter is attached is the original transmitting part or the light shielding part, in this embodiment, the foreign matter is attached only to the light shielding part (2 times 1 cleaning of the photomask N' Even though W can be used to burn a pattern, it is assumed that it is contaminated and is washed again.
It is necessary to replace the photomask with another one with the same pattern or to reduce the amount of damage. For this reason, there is a percentage value that is advantageous in terms of time and economy in the M construction of Ushihiro body electrical equipment.In this seventh embodiment, the comparator 204.2 (
The outputs of 75 are both input to the AND circuit 202.
4t of the output of either comparator 204 or 205
AND1 and 2 (32 are manually input and ℃ is also ↓.) The configuration may be simple, but it also has the disadvantage that it is prone to malfunction if -10,000 noise enters the original 'vt1'. It is also possible to OR't the monkey comparator 204 and the 2tjjM/J% output, and the result is ?r: 7n F times 202 v (- input.

以上述べyc工うに、この繭7の実施例は縞2の実IN
ガVこ、元透過部にのみ付層した異り8−検出′T心と
いワ新しい機能を付加したものとして説明してきたが、
この機能は第1、第3〜6の各実施例においても同様に
付加できることは言うまでもない。
As mentioned above, this embodiment of cocoon 7 is the fruit of striped 2.
Although we have explained that the difference is that a layer is added only to the original transparent part, 8-Detection'T core has a new function added.
It goes without saying that this function can be similarly added to each of the first, third to sixth embodiments.

以上、説明した各実施例において、レーザ党入射側で発
生した散乱光を受光する受光素子と、裏面で発生した散
乱光を受光する受光素子とは被検査物の面に対して対称
に配置されている。   ” これは、被検査物としてフォトマスクを用いるからであ
り、カえば透明基板上に遮光部によるパターンを描いた
ものでも、エツジ部が存在しないような被検査物の検査
を行なり場合など、基板の嵌肯と裏側とを見込む1対の
受光素子は、かならずしも面対称に配置する必要はない
。また、レーザ党入射側の面を見込む受光素子は複数個
設け、裏面を見込む受光素子は1個にしてもよい・ また、以上の各実施例の検出回路において、スライス電
圧はレーザ光のスポット走査の位置に応じて変化させる
ものとしたが、そのスポット走査の位置に対して各受光
素子の散乱光の受覚立体角の変化が小さい場合には、ス
ライスレベルは一定で変化させる必要はない、また、散
乱党受光の立修角がレーザスポット走査により変化する
場合でも、必ずしもスライス電圧を変化させる必l!は
なく、光電信号の伝送系のゲインをレーザスポット走査
の位置に対応して、すなわち走査信号80に同期して変
化させるようにすれは、スライス電圧を一定値に固定で
きる。
In each of the embodiments described above, the light-receiving element that receives the scattered light generated on the laser incidence side and the light-receiving element that receives the scattered light generated on the back side are arranged symmetrically with respect to the surface of the object to be inspected. ing. ” This is because a photomask is used as the object to be inspected, and for example, when inspecting an object that has no edges, even if it has a pattern drawn on a transparent substrate with a light-shielding part. A pair of light-receiving elements that look into the mating part and the back side of the board do not necessarily need to be arranged symmetrically in the plane.In addition, a plurality of light-receiving elements that look at the surface on the laser beam incidence side are provided, and one light-receiving element that looks at the back side is provided. In addition, in the detection circuits of the above embodiments, the slice voltage was changed according to the spot scanning position of the laser beam. If the change in the received solid angle of scattered light is small, the slice level is constant and does not need to be changed.Also, even if the vertical angle of scattered light reception changes due to laser spot scanning, it is not necessary to change the slice voltage. However, by changing the gain of the photoelectric signal transmission system in accordance with the laser spot scanning position, that is, in synchronization with the scanning signal 80, the slice voltage can be fixed at a constant value.

このように、伝送系のゲインをコントロールする場合、
例えば、第9.11図におけるスライス電圧vS、、V
’tは共通の一定電圧とする。そして、増幅器110,
111のゲインをレーザ光1のスポット位置に応じて可
変とする。その−例として、増幅器1101111の各
ゲインの関係!第19図に示すように定めるとよい。こ
の図は、前述の嬉10図(b) K対応するもノテ、位
置CIWc−Mいて、増幅器110のゲインG、と増幅
器111のゲイνG、とは共に等しくする。このときの
ゲインを正規化して1とする。
In this way, when controlling the gain of the transmission system,
For example, the slice voltages vS, ,V in Fig. 9.11
't is a common constant voltage. And amplifier 110,
The gain of the laser beam 111 is made variable according to the spot position of the laser beam 1. As an example, the relationship between each gain of amplifier 1101111! It is preferable to set it as shown in FIG. This figure corresponds to the above-mentioned Figure 10(b), but the position CIWc-M is set, and the gain G of the amplifier 110 and the gain νG of the amplifier 111 are both made equal. The gain at this time is normalized to 1.

そして例えば位置C1において、位置C1におけ5るゲ
インに対して、ゲインG1は約2倍、ゲインG、は1.
2〜L5倍に定め、位置C1において位置CIにおける
ゲインに対して、ゲインG、は0.2〜α4倍、ゲイン
G。
For example, at the position C1, the gain G1 is approximately twice the gain of 5 at the position C1, and the gain G is 1.
The gain G is set to 2 to L5 times, and the gain G at position C1 is 0.2 to α4 times the gain at position CI.

は0. ?〜α9倍に定めるとよい。is 0. ? It is preferable to set it to ~α9 times.

ま九、以上の各笑施例では、被検査物の表裏に対応して
設けられた対の受光素子の出力の比を、ある値にと比較
していたが、例えは真個に位置した受光素子11と21
の出力の和と1裏側に位置し良受光素子13と23の出
力の和とを、それぞれ求めて−Mぎ、2つの和の比がK
より大きいかどうかの判断によっても、異物であるか回
路パターンであるかの識別又は、レーザ1濤入射儒に付
着し喪異物かどうかの判別を行なうことができる。
In each of the above examples, the ratio of the outputs of a pair of light-receiving elements provided correspondingly to the front and back sides of the object to be inspected was compared to a certain value, but in the example, Light receiving elements 11 and 21
The sum of the output of
By determining whether it is larger than that, it is possible to identify whether it is a foreign object or a circuit pattern, or to determine whether it is a foreign object attached to the laser beam incident on the laser beam.

ま九、異物の大きさと、散乱信号の大きさには相関があ
るので、異物を検出し九時の光電信号等のピーク値によ
り異物の大きさを知ることも可能である。この場合のピ
ーク値、を求める対象の信号としては、レーザ光照射側
の受光素子のうちの複数個のものの出力の和であっても
良いし、決つ喪1個の光電素子からの信号であっても^
い。
Also, since there is a correlation between the size of the foreign object and the magnitude of the scattered signal, it is also possible to detect the foreign object and find out the size of the foreign object from the peak value of the photoelectric signal at 9 o'clock. In this case, the signal to be used for determining the peak value may be the sum of the outputs of multiple light receiving elements on the laser beam irradiation side, or it may be the signal from a single photoelectric element. Even if there is
stomach.

また、異物を検出した時の、被検査物の移励位置とレー
ザスポット走査の位置を求めれば、被検査物上での異物
の存在位置を知ることも可能である。
Further, by determining the moving position of the object to be inspected and the position of laser spot scanning when the object is detected, it is also possible to know the location of the foreign object on the object to be inspected.

以上のように、本発明によれば、被検査物の表側と裏側
とで、−散乱光を光電検出し、その光電信号の差異に基
づいてl4qlJ検査を行なっているので、異物が被検
査物の表と裏のどちらに付着しているのかを選択的に正
確に検出することができる6 。
As described above, according to the present invention, -scattered light is photoelectrically detected on the front side and back side of the object to be inspected, and l4qlJ inspection is performed based on the difference in the photoelectric signals. It is possible to selectively and accurately detect whether it is attached to the front or back of the paper6.

ま九、特にIC製造用のフォトマスクやレティクルを検
査する際、複数の受光素子を異なる方向に配置し、元ビ
ームを斜入射にしたので回路パターンの影響を防止して
異物のみを高速に検出することができる。さらに、散乱
光の強さと異物の大きさとの相関から、異物の大きさを
検知し、真に害をもたらす大きさの異物のみを検出でき
る。このため、必要以上に小さな異物まで検出すること
により、露光に用いることのできるレティクル、マスク
を、汚染し良ものと判断して再洗浄するという時間的な
損失を防止することができる。
9. Especially when inspecting photomasks and reticles for IC manufacturing, multiple light receiving elements are arranged in different directions and the original beam is made obliquely incident, which prevents the influence of circuit patterns and detects only foreign objects at high speed. can do. Furthermore, the size of the foreign object can be detected from the correlation between the intensity of the scattered light and the size of the foreign object, and only foreign objects that are truly harmful can be detected. Therefore, by detecting even smaller foreign objects than necessary, it is possible to prevent a reticle or a mask that can be used for exposure from being contaminated and having to be re-cleaned after being determined to be good.

本発明はレディクルマスクに付着した異物の検出のみな
らず、透明物体にパターンが密着された工うな物体上の
異物の検出にも利用できるので、ゴミ等の異物の付着を
嫌う精密パターンの製造時の検査にも非常に有用である
The present invention can be used not only to detect foreign matter attached to a readicle mask, but also to detect foreign matter on an object such as a transparent object with a pattern adhered to it. Therefore, the present invention can be used to manufacture precision patterns that are free from adhesion of foreign matter such as dust. It is also very useful for time inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1vAはフォトマスクのパターンが描画された面にお
ける異物によるレーザ光の散乱を示す図、 第2図は、ガラス板上に付着した異物による散乱と遮光
部のエツジ部による散乱とを示す図、 第3図はガラス板の透明部の表面と裏面とに付着した異
物による散乱の様子を示す図、第4図は第3図示の受光
部が受光する散乱光を示す図、 第5図及び第6図は、本発明の出発点となる異物検査装
置の一例を示す図、 第7図は異物検査装置を示す図、 嬉8図は異物からの散乱光による各受光素子の光電出力
を示す図、 第9図は検出回路を示す図、 第1θ図(A)は、フォトマスクの上面図、第10図(
b)にスライス電圧の変化を示す図、第11図は本発明
の第一の実施ガを示す図、第12図は、本発明の第2の
実施例を示す図、 第13図は、本発明の第2の一施例の検出回路を示す図
、 第14図は、本発明の第3の実施例の検出回路を示す図
、 第15図は、本発明の第4の実施例を示す図、 第16図は切替回路を示す図、 第17図は、受光素子の光電信号を示す図、第18図は
本発明による信号処理を示す図、及び 第19図は、増幅器の利得を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 5・・・被検査物 11.21・・・第1光電手段 13.23・・・第2ft、電手段 130.131.118.119.132.133.1
34.120・・・検出装置ill’(。 、イ 才1ワ区
1vA is a diagram showing the scattering of laser light by foreign matter on the surface of the photomask on which the pattern is drawn; FIG. 2 is a diagram showing the scattering by foreign matter adhering to the glass plate and the scattering by the edge part of the light shielding part; Fig. 3 is a diagram showing the state of scattering due to foreign matter adhering to the front and back surfaces of the transparent part of the glass plate, Fig. 4 is a diagram showing scattered light received by the light receiving part shown in Fig. 3, and Figs. Figure 6 is a diagram showing an example of a foreign matter inspection device that is the starting point of the present invention, Figure 7 is a diagram showing a foreign matter inspection device, and Figure 8 is a diagram showing the photoelectric output of each light receiving element due to scattered light from foreign matter. , Figure 9 is a diagram showing the detection circuit, Figure 1θ (A) is a top view of the photomask, Figure 10 (
b) is a diagram showing changes in slice voltage, FIG. 11 is a diagram showing the first embodiment of the present invention, FIG. 12 is a diagram showing the second embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a diagram showing the present invention. FIG. 14 is a diagram showing a detection circuit according to a second embodiment of the invention. FIG. 15 is a diagram showing a detection circuit according to a third embodiment of the invention. FIG. 15 is a diagram showing a fourth embodiment of the invention. 16 is a diagram showing a switching circuit, FIG. 17 is a diagram showing a photoelectric signal of a light receiving element, FIG. 18 is a diagram showing signal processing according to the present invention, and FIG. 19 is a diagram showing the gain of an amplifier. It is a diagram. [Explanation of symbols of main parts] 5...Object to be inspected 11.21...1st photoelectric means 13.23...2nd ft, electric means 130.131.118.119.132.133.1
34.120...detection device ill'(.,

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、光透過性を有する被検査物の一方の面を光ビームで
走査し、被検査物から生じる光情報に基づいて、付着し
九異物の有無を検査するf7i&電において、前記一方
の面を見込み、該一方の面側に出射する散乱光を受光す
るように配置したal1党電手段と;−検査物を透過し
た光ビームが出射する他方の由を見込み、1他万の面側
に出射する散乱光を受光するように配置した第2光電手
段と;前記第11第2元電手段の両党電信号音比較して
、異物の付着状11に応じ九検出信号を発生する検出装
置とを備えたことを特徴とする異物検査装置。 2 前記第11第2党電手段は、夫々前記一方の面と他
方の面i斜めに見込むように配置することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の異物検査W&蝋。 & 前記第1ft、電手段は、前記一方の面上の光ビー
ムによる一照□射部を異なる方向から見込むよ□うに配
置した複数の受光素子を含むことを特徴とする特許請求
の範Hμ2項記載の異物検査装置。
[Claims] 1. In f7i & electronics, one side of a light-transmitting object to be inspected is scanned with a light beam, and the presence or absence of attached foreign matter is inspected based on optical information generated from the object to be inspected. , looking at the one surface and arranged to receive the scattered light emitted from the one surface side; A second photoelectric means arranged to receive the scattered light emitted from the surface side; and a second photoelectric means; comparing both electric signal sounds of the eleventh second source means, a nine detection signal according to the state of foreign matter adhesion 11; A foreign matter inspection device comprising: a detection device that generates a foreign substance. 2. The foreign object inspection W&wax according to claim 1, wherein the eleventh second electric wire means are arranged so as to obliquely look into the one surface and the other surface i, respectively. & The first electric means includes a plurality of light-receiving elements arranged so as to look at the portion irradiated by the light beam on the one surface from different directions. Foreign matter inspection device described.
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JPS61260632A (en) * 1985-05-15 1986-11-18 Hitachi Ltd Foreign matter detector
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US5255089A (en) * 1992-03-26 1993-10-19 International Business Machines Corporation Portable particle detector assembly

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