JPS5861657A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS5861657A JPS5861657A JP16133281A JP16133281A JPS5861657A JP S5861657 A JPS5861657 A JP S5861657A JP 16133281 A JP16133281 A JP 16133281A JP 16133281 A JP16133281 A JP 16133281A JP S5861657 A JPS5861657 A JP S5861657A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路用の静電破壊保護装置に関す
る。
る。
半導体装置のたとえば入力端に規定以上の電位が印加さ
ｎた場合、半導体装置の特性劣化、あるいは破壊をもた
らすおそれがある。そのため、そのような入力端に静電
破壊保護装置を接続させて半導体装置のサージ耐圧を向
上させることがおこなわｎている。従来、この静電破壊
保護装置抗としてポリシリコンあるいは不純物拡散層が
用いられている。しかし、ポリシリコンでは放熱性が悪
く、抵抗内部で熱が蓄積して高温となり、ポリシリコン
が溶断するおそれがあり、また、不純物拡散層抵抗では
半導体素子の集積度が高くなるにつれ、該拡散層の接合
深さくＸρが浅くなり、電界の集中が該拡散層両端部で
起り、耐圧性が悪くなるなどの問題があったＯ この発明は上記事情に簸みてなされたものであって、集
積度の高い半導体集積回路に対しても良好な耐圧特性を
付与し得る牛導体集積回路用靜Ｍ破壊保護装置を提供す
ることを目［４Ｊとする。
ｎた場合、半導体装置の特性劣化、あるいは破壊をもた
らすおそれがある。そのため、そのような入力端に静電
破壊保護装置を接続させて半導体装置のサージ耐圧を向
上させることがおこなわｎている。従来、この静電破壊
保護装置抗としてポリシリコンあるいは不純物拡散層が
用いられている。しかし、ポリシリコンでは放熱性が悪
く、抵抗内部で熱が蓄積して高温となり、ポリシリコン
が溶断するおそれがあり、また、不純物拡散層抵抗では
半導体素子の集積度が高くなるにつれ、該拡散層の接合
深さくＸρが浅くなり、電界の集中が該拡散層両端部で
起り、耐圧性が悪くなるなどの問題があったＯ この発明は上記事情に簸みてなされたものであって、集
積度の高い半導体集積回路に対しても良好な耐圧特性を
付与し得る牛導体集積回路用靜Ｍ破壊保護装置を提供す
ることを目［４Ｊとする。
すなわち、この発明は外部端子とのＭ続のためのぎンデ
ングパ、ド部と：該テンデングパッド部にＮｌのコンタ
クトホールを介して接続された巾１２鴎以上、長さ６０
μｍ以上、厚み０３μｍ以上のポリシリコン層と；該ぽ
リシリコンｌ−に第２のコンタクトホールを介して接続
された巾８ ｐｍ以上、長さ２００ Ａｒｎ以上、厚み
０．６μｍ以上の不純物拡散層と：を具備し、かつ前記
第１のコンタクトホールによるぎンデング／４’ッド部
とポリシリコンとの接合部が１４０μｍ以上の面積を有
し、第２のコンタクトホールによるポリシリコン層と拡
散層との接合部が１４０μｍ２以上の面積を有するとと
もに該接合部における上記拡散層の接合深さく、ＸＪ）
が１．０μｍ以上である静電破壊保護装置を有すること
を％徴とする半導体集積回路を提供するものである。
ングパ、ド部と：該テンデングパッド部にＮｌのコンタ
クトホールを介して接続された巾１２鴎以上、長さ６０
μｍ以上、厚み０３μｍ以上のポリシリコン層と；該ぽ
リシリコンｌ−に第２のコンタクトホールを介して接続
された巾８ ｐｍ以上、長さ２００ Ａｒｎ以上、厚み
０．６μｍ以上の不純物拡散層と：を具備し、かつ前記
第１のコンタクトホールによるぎンデング／４’ッド部
とポリシリコンとの接合部が１４０μｍ以上の面積を有
し、第２のコンタクトホールによるポリシリコン層と拡
散層との接合部が１４０μｍ２以上の面積を有するとと
もに該接合部における上記拡散層の接合深さく、ＸＪ）
が１．０μｍ以上である静電破壊保護装置を有すること
を％徴とする半導体集積回路を提供するものである。
以下、この発ワを図示の実施例を参照して説明する。
図中１は半導体集積回路と外部端子とを電気的に接続さ
せるためのボンデングパッドであって、その一端は第１
のコンタクトホール２を介してぼりシリコン層３の一端
と接続されている。
せるためのボンデングパッドであって、その一端は第１
のコンタクトホール２を介してぼりシリコン層３の一端
と接続されている。
さらに＃ポリシリコン層３の他端は第２のコンタクトホ
ール４を介して不純物拡散層５の一端と接続されている
。この不純物拡散層５Ｆ１波状に配設され、その他端は
半導体集積回路のたとえば入力端子に接続される。
ール４を介して不純物拡散層５の一端と接続されている
。この不純物拡散層５Ｆ１波状に配設され、その他端は
半導体集積回路のたとえば入力端子に接続される。
ポリシリコン層３は巾ａが１２μｍ以上、長さｂが６０
顯以上、厚み０，３μｍ以上とする。こｎら巾、厚みが
上記下限以下であると、内部抵抗による蓄熱によるポリ
シリコンの溶断のおそれがあり、又長さが上記下限以下
であると、拡散層５に到るまでの抵抗を十分なものとす
ることができない。なお、より好しい範囲は巾１６Ｒｎ
程度、長さ８０〜１００μｍ１厚み０．４Ａｍ程度であ
る。また、拡散層５は巾Ｃが８μｍ以上、長さｄが２０
０４μｍ以上、厚み０．６μｍ以上とする。これらの巾
、厚みが上記下限以下であると十分な許容電流を得るこ
とができず、又、長さが上記下限以下であると半導体集
積回路のサージ耐圧を十分に保障することができないＯ
なお１より好ましい転回は巾１０μｍ程度、長さ２５０
〜３００μｍ、厚み０．８細根度である。拡散層５の第
２のコンタクトホール４との接合深さくＸｊ）（図中斜
！ｉ部）は電界の集中を防止するためには１．０＃１以
上、好ましくは１．０〜１．２ Ａｍ程度とする０また
、第１および第２のコンタクトホールを介してのがンデ
ングノ４．ドＪとポリシリコン層３との接合部の面積、
およびポリシリコン層３と拡散層５との接合部の面積は
十分な許容電流を得るため双方ともに１４０μｍ以上、
一般的には２００μｍ２前後とする。
顯以上、厚み０，３μｍ以上とする。こｎら巾、厚みが
上記下限以下であると、内部抵抗による蓄熱によるポリ
シリコンの溶断のおそれがあり、又長さが上記下限以下
であると、拡散層５に到るまでの抵抗を十分なものとす
ることができない。なお、より好しい範囲は巾１６Ｒｎ
程度、長さ８０〜１００μｍ１厚み０．４Ａｍ程度であ
る。また、拡散層５は巾Ｃが８μｍ以上、長さｄが２０
０４μｍ以上、厚み０．６μｍ以上とする。これらの巾
、厚みが上記下限以下であると十分な許容電流を得るこ
とができず、又、長さが上記下限以下であると半導体集
積回路のサージ耐圧を十分に保障することができないＯ
なお１より好ましい転回は巾１０μｍ程度、長さ２５０
〜３００μｍ、厚み０．８細根度である。拡散層５の第
２のコンタクトホール４との接合深さくＸｊ）（図中斜
！ｉ部）は電界の集中を防止するためには１．０＃１以
上、好ましくは１．０〜１．２ Ａｍ程度とする０また
、第１および第２のコンタクトホールを介してのがンデ
ングノ４．ドＪとポリシリコン層３との接合部の面積、
およびポリシリコン層３と拡散層５との接合部の面積は
十分な許容電流を得るため双方ともに１４０μｍ以上、
一般的には２００μｍ２前後とする。
以上の構成に係わる静電破壊保護装置によれば、サージ
電圧をまず、比較的小さい抵抗を有するポリシリコンｒ
−３で直接受け、次に不純物拡散Ｎ５による抵抗でサー
ジ電圧のピークを抑えるようにし、さらに、４リシリコ
ン層３と拡散層５との接合部では接合深さくＸｊ）が深
くなり電界の集中を弱めることができるから、従来の如
きＩリシリコ。ン層３の溶断等のおそれがなく、半導体
集積回路に対し高いサージ耐圧を付与することができる
０
電圧をまず、比較的小さい抵抗を有するポリシリコンｒ
−３で直接受け、次に不純物拡散Ｎ５による抵抗でサー
ジ電圧のピークを抑えるようにし、さらに、４リシリコ
ン層３と拡散層５との接合部では接合深さくＸｊ）が深
くなり電界の集中を弱めることができるから、従来の如
きＩリシリコ。ン層３の溶断等のおそれがなく、半導体
集積回路に対し高いサージ耐圧を付与することができる
０
図面は本発明に係わる静電破壊保護装置の一実施例を示
す平面図である。 図中、ｌ・・・デンデングＡ？ツド、２・・・ｇｌ（Ｄ
：７ンタクトホール、３・・・ポリシリコン層、４・・
・第２のコンタクトホール、５・・・不純物拡散層。
す平面図である。 図中、ｌ・・・デンデングＡ？ツド、２・・・ｇｌ（Ｄ
：７ンタクトホール、３・・・ポリシリコン層、４・・
・第２のコンタクトホール、５・・・不純物拡散層。
Claims (1)
- 外部端子との接続のためのポンデングノヤツド部と；該
ビンデングノぐ、ド部に第１のコンタクトホールを介し
て接続された巾１２廂以上、長さ６０μｍ以上、厚み０
．３１ｔｒＱ以上の？リシリコン層と；該Ｉリシリコン
層に第２のコンタクトホールを介して接続された巾８ｔ
ｔｒｎ以上、長さ２００割以上、厚み０．６４ｍ以上の
不純物拡散層と；を具備し、かつ前記第１のコンタクト
ホールによるゲンデング／臂ツド部とポリシリコンとの
接合部が１４０μｍ 以上の面積を有し、第２のコンタ
クトホールによるポリシリコン層と拡散層との接合部が
ｉ４０μｍ２以上の面＆を有するとともに該接合部にお
ける上記拡散層の接合深さくＸｊ）が１．０μｍ以上で
ある静電破壊保護装置を刹することを特徴とする半導体
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16133281A JPS5861657A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16133281A JPS5861657A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861657A true JPS5861657A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15733065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16133281A Pending JPS5861657A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692781A (en) * | 1984-06-06 | 1987-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16133281A patent/JPS5861657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692781A (en) * | 1984-06-06 | 1987-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
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