JPS5858862A - 位相制御回路 - Google Patents
位相制御回路Info
- Publication number
- JPS5858862A JPS5858862A JP15662881A JP15662881A JPS5858862A JP S5858862 A JPS5858862 A JP S5858862A JP 15662881 A JP15662881 A JP 15662881A JP 15662881 A JP15662881 A JP 15662881A JP S5858862 A JPS5858862 A JP S5858862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- triac
- switching element
- resistor
- power source
- semiconductor switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
- H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/22—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M5/25—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M5/257—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
- H02M5/2573—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only with control circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、九とえば照明灯の調光などを行なう友めに１
目いられることができる位相制御回路に関する。
目いられることができる位相制御回路に関する。
典型的な先行技術に、点弧位相を変化する定めの抵抗上
コンデンサとが１ａ列に接続さｎ、コンデンサの出力を
シリコンパイラデラルスイッチ（略称ＳＢＳ ）素子に
与え、ＳＢＳ素子は交流電源と負荷♂に直列に介在さｎ
ているトライアックのグー）Ｋ接続され、ＳＢＳ素子の
導通によってトライアックを交流電源の半サイクル毎に
点弧するように構成さｎる。このような先行技術でｌｌ
″ｊ％ＳＢＳ素子が導通せず負荷が消勢さｎているとき
ｖｃＴ／ｌ。
コンデンサとが１ａ列に接続さｎ、コンデンサの出力を
シリコンパイラデラルスイッチ（略称ＳＢＳ ）素子に
与え、ＳＢＳ素子は交流電源と負荷♂に直列に介在さｎ
ているトライアックのグー）Ｋ接続され、ＳＢＳ素子の
導通によってトライアックを交流電源の半サイクル毎に
点弧するように構成さｎる。このような先行技術でｌｌ
″ｊ％ＳＢＳ素子が導通せず負荷が消勢さｎているとき
ｖｃＴ／ｌ。
コンデンサに電、荷が残つへままで逆極性の充電が行な
わｎる。ＳＢＳ素子が導通して買付が付勢されるときに
ｒｉ、コンデンサの電荷はトライアックのゲートを介し
て放電さｎる。し友がってトライアックを導通した状愚
から抵抗の抵抗値を次第に大きくしていつ九ときにトラ
イアックが遮断する抵抗値Ｒ１け、トライアックが遮断
し之状融から抵抗の抵抗値を次第に小さくしていったと
きにトライアックが導通する抵抗値Ｒ２よりも大きい（
Ｒ１）Ｒ２）。このようにして抵抗の抵抗値が負荷の電
力付勢開始時と消勢時とにおいて異なり。
わｎる。ＳＢＳ素子が導通して買付が付勢されるときに
ｒｉ、コンデンサの電荷はトライアックのゲートを介し
て放電さｎる。し友がってトライアックを導通した状愚
から抵抗の抵抗値を次第に大きくしていつ九ときにトラ
イアックが遮断する抵抗値Ｒ１け、トライアックが遮断
し之状融から抵抗の抵抗値を次第に小さくしていったと
きにトライアックが導通する抵抗値Ｒ２よりも大きい（
Ｒ１）Ｒ２）。このようにして抵抗の抵抗値が負荷の電
力付勢開始時と消勢時とにおいて異なり。
いわゆるヒステリシス現象が生じる。
本発明の目的に、このようなヒステリシス現象をｐ１及
的に生じないようにし九位相制御回路を提供することで
ある。
的に生じないようにし九位相制御回路を提供することで
ある。
第１図は、本発明の一実施例の電気回路図である。照明
灯などの負荷ｌと交流電源２との間には。
灯などの負荷ｌと交流電源２との間には。
％１半導体スイッチング素子としてのトライアック３が
直列に介在さｎる。トライアック３ｒｉ、ダート端子４
全何する。トライアック３の一方の端子は、抵抗５を介
してライン７に接続さｎている。
直列に介在さｎる。トライアック３ｒｉ、ダート端子４
全何する。トライアック３の一方の端子は、抵抗５を介
してライン７に接続さｎている。
トライアック３の他方の端子は、ライン８に接続さｎて
いる。ライン７．８には、相互に逆方向のツェナダイオ
ード９．１０が接続され、矩形波電源１１が構成される
。ツェナダイオード９．１０は同一構成を有する。矩形
波電源１１による矩形波出力げ、ライン７．８間に直列
に接続されている可変抵抗１２とコンデンサ１３とから
成る１１列回路１４に与えられる。抵抗１２とコンデン
サ１３との接続点ｔＳ、；、トライアック３のゲート端
子４との同にｌｄ、双方向性の第２半導体スイッチング
素子としてのシリコンバイラデラルスイッチ（略称５Ｂ
Ｓ）素子１６が介在される。抵抗１２にに、予め定めた
・電圧ＶＺ２を超える′電圧が印加されている期間だけ
４皿状感となる第２半導体スイッチング素子１７が接続
さｎる。この第３半導体スイッチング素子１７け、相互
に逆方向に接続さｎたツェナダイオード１８．１９から
成る。ツェナダイオード１８．１９げ、同一構成を刊゛
する。
いる。ライン７．８には、相互に逆方向のツェナダイオ
ード９．１０が接続され、矩形波電源１１が構成される
。ツェナダイオード９．１０は同一構成を有する。矩形
波電源１１による矩形波出力げ、ライン７．８間に直列
に接続されている可変抵抗１２とコンデンサ１３とから
成る１１列回路１４に与えられる。抵抗１２とコンデン
サ１３との接続点ｔＳ、；、トライアック３のゲート端
子４との同にｌｄ、双方向性の第２半導体スイッチング
素子としてのシリコンバイラデラルスイッチ（略称５Ｂ
Ｓ）素子１６が介在される。抵抗１２にに、予め定めた
・電圧ＶＺ２を超える′電圧が印加されている期間だけ
４皿状感となる第２半導体スイッチング素子１７が接続
さｎる。この第３半導体スイッチング素子１７け、相互
に逆方向に接続さｎたツェナダイオード１８．１９から
成る。ツェナダイオード１８．１９げ、同一構成を刊゛
する。
ツェナダイオード１８．１９のプレーフグクン′屯圧ｔ
ＶＺ２とし、ツェナダイオード９．１０のブレークダウ
ン電圧をｖＺｌとし、ＳＢＳ菓子１６のブレークオーバ
電圧１ＶＢＯとすると、第１式が成立するように構成さ
ｎる。
ＶＺ２とし、ツェナダイオード９．１０のブレークダウ
ン電圧をｖＺｌとし、ＳＢＳ菓子１６のブレークオーバ
電圧１ＶＢＯとすると、第１式が成立するように構成さ
ｎる。
ＶＺＩ−ＶＢＯ）ＶＺ２）ＶＺ１＋ＶＢＯ・ ｔｌ＋こ
こで好ましくは ＶＺ １＝ＶＺ ２ ・＋２１となるように
ツェナダイオード９，１０；１８゜１９のブレークダウ
ン電圧ＶＺＩ、ＶＺ２が選ばれる。
こで好ましくは ＶＺ １＝ＶＺ ２ ・＋２１となるように
ツェナダイオード９，１０；１８゜１９のブレークダウ
ン電圧ＶＺＩ、ＶＺ２が選ばれる。
ライン７．８間の電圧波形は第２図（りに示されている
通りであり、ライン７．８間の電圧の振幅に、ツェナダ
イオード９．ｌＯのブレークダウン電圧ＶＺＩに等しい
。トライアック３が導通せず。
通りであり、ライン７．８間の電圧の振幅に、ツェナダ
イオード９．ｌＯのブレークダウン電圧ＶＺＩに等しい
。トライアック３が導通せず。
し之がってＳＢＳ素子１６が遮断し友ままの状台となる
ように抵抗１２の抵抗値が選ばれている状聾でに、接続
点１５におけるコンデンサ１３の出力電圧波形１ｊＳＢ
Ｓ素子１６のブレークオーバ電圧Ｖ Ｂ ０未満であり
、′＠２図（２）に示される通りの波形となる。時刻ｔ
ｌｖｃおいてライン７．８における矩形波の電圧が反転
するとき抵抗１２の両端、即ちライン７と接続点１５と
の闇には、コンデンサ１３の充電電圧をｖ３とすると、
（Ｖ３＋ＶＺｌ）の電圧が印加さｎる。したがって第２
式で示さｎる関係が成立するときには、時刻ｔｌにおい
て第３半導′体スイッチング素子１７が導通しており、
コンデンサ１３が急峻に放電され、時刻ｔｌからごく僅
かの時間が経過し几時刻ｔｌａにおいて、コンデンサ１
３の両端電圧を零とすることが可能になる。その後、時
刻ｔｌａ〜時刻ｔ２の間においてコンデンサ１３が充電
さｎる。時刻【２においてライン７．８同の電圧が反転
したときにも同様にして、ｆＪ３半導体スイッチング素
子１７の働きによってコンデ、ンサ１３が急峻に放電さ
ｎ％’ｆ：（７） 直（＋の時刻ｔ２ａにおいてコンデ
ンサ１３の両端電圧を零とすることができる。時間ｔｌ
−ｔｌａおよび時間ｔ２〜ｔ２ａでは、第３半専休スイ
ツチング素子１７は、第２式が成立するので辱通し比ま
まの状惑である。
ように抵抗１２の抵抗値が選ばれている状聾でに、接続
点１５におけるコンデンサ１３の出力電圧波形１ｊＳＢ
Ｓ素子１６のブレークオーバ電圧Ｖ Ｂ ０未満であり
、′＠２図（２）に示される通りの波形となる。時刻ｔ
ｌｖｃおいてライン７．８における矩形波の電圧が反転
するとき抵抗１２の両端、即ちライン７と接続点１５と
の闇には、コンデンサ１３の充電電圧をｖ３とすると、
（Ｖ３＋ＶＺｌ）の電圧が印加さｎる。したがって第２
式で示さｎる関係が成立するときには、時刻ｔｌにおい
て第３半導′体スイッチング素子１７が導通しており、
コンデンサ１３が急峻に放電され、時刻ｔｌからごく僅
かの時間が経過し几時刻ｔｌａにおいて、コンデンサ１
３の両端電圧を零とすることが可能になる。その後、時
刻ｔｌａ〜時刻ｔ２の間においてコンデンサ１３が充電
さｎる。時刻【２においてライン７．８同の電圧が反転
したときにも同様にして、ｆＪ３半導体スイッチング素
子１７の働きによってコンデ、ンサ１３が急峻に放電さ
ｎ％’ｆ：（７） 直（＋の時刻ｔ２ａにおいてコンデ
ンサ１３の両端電圧を零とすることができる。時間ｔｌ
−ｔｌａおよび時間ｔ２〜ｔ２ａでは、第３半専休スイ
ツチング素子１７は、第２式が成立するので辱通し比ま
まの状惑である。
本発明の池の実施例として、トライアックに代えてサイ
リスクなどのようにゲート端子を有する他の半導体スイ
ッチング素子が用いらｎてもよい。
リスクなどのようにゲート端子を有する他の半導体スイ
ッチング素子が用いらｎてもよい。
ＳＢＳ素子１６に代えて、たとえばダイアックなどが用
いられてもよい。矩形波電源１１は交流電＄２とけ無関
係にすなわち独立して設けられてもよく、このとき交流
電＠２に代えて直流電源が用いらｎてもよい。
いられてもよい。矩形波電源１１は交流電＄２とけ無関
係にすなわち独立して設けられてもよく、このとき交流
電＠２に代えて直流電源が用いらｎてもよい。
以上のように本発明によれば、矩形波電源を用いるとと
もに、コンデンサを第３半導体スイッチング素子によっ
て急１唆に放電するようにしたので、１「Ｉ述の先行技
術に関連して述べたようなヒステリシス現象がなくなる
。
もに、コンデンサを第３半導体スイッチング素子によっ
て急１唆に放電するようにしたので、１「Ｉ述の先行技
術に関連して述べたようなヒステリシス現象がなくなる
。
＠ｌＩＡは本発明の一実施例の電気回路図、第２図はそ
の動作を説明するための波［図である。）■・・・負荷
、２・・・交流電源、３・・・トライアック、４・・・
ゲート端子、９，１０，１８．１９・・・ツェナタイオ
ード、１１・・・矩形波電源、１２・・・抵抗、１３・
・・コンデンサ、１６・・・シリコンパイラデラルスイ
ッチ素子 代理人 弁理士 西教圭一部 第１図 第２図 ｔｌ ｔｌａ ｔ２ ｔ２ａ
の動作を説明するための波［図である。）■・・・負荷
、２・・・交流電源、３・・・トライアック、４・・・
ゲート端子、９，１０，１８．１９・・・ツェナタイオ
ード、１１・・・矩形波電源、１２・・・抵抗、１３・
・・コンデンサ、１６・・・シリコンパイラデラルスイ
ッチ素子 代理人 弁理士 西教圭一部 第１図 第２図 ｔｌ ｔｌａ ｔ２ ｔ２ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 負荷と電源とに直列に介在さｎ、ゲート端子を有し、ブ
レークオーバ動作を行なう′＄１半導体スイッチング素
子と、 矩形波電源と、 その矩形波−ｔｋｔ源からの出力が与えらｎ、抵抗とコ
ンデンサとから成る１１タリ回路と、直列回路の抵抗と
コンデンサとの接続点と、第１半導体スイッチング巣子
のゲート端子との筒に介在さｎ、ブレークオーバ動作を
行なう双方向性の第２半尋体スイッチング素子と、 前記抵抗に並列に接続され、予め定め比電圧を超える電
圧が印加さｎている期間だけ萼通状塾となるｇＳ３半導
体スイッチング素子とを含むことを ゛特徴とする位相
制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15662881A JPS5858862A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 位相制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15662881A JPS5858862A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 位相制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858862A true JPS5858862A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15631847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15662881A Pending JPS5858862A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 位相制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858862A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276461A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 位相制御回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613331A (en) * | 1979-06-28 | 1981-02-09 | Fuji Machine Mfg | Cutter for packing material in filling packer |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15662881A patent/JPS5858862A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613331A (en) * | 1979-06-28 | 1981-02-09 | Fuji Machine Mfg | Cutter for packing material in filling packer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276461A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 位相制御回路 |
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