JPS5857706A - 磁気バブルメモリ−バイアス磁界用永久磁石 - Google Patents
磁気バブルメモリ−バイアス磁界用永久磁石Info
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- JPS5857706A JPS5857706A JP56156988A JP15698881A JPS5857706A JP S5857706 A JPS5857706 A JP S5857706A JP 56156988 A JP56156988 A JP 56156988A JP 15698881 A JP15698881 A JP 15698881A JP S5857706 A JPS5857706 A JP S5857706A
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- magnetic
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- temperature coefficient
- bubble memory
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/047—Alloys characterised by their composition
- H01F1/053—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals
- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
- H01F1/0555—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together
- H01F1/0557—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together sintered
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリーバイアス磁界用永久磁石に
関するものであり、これは特に磁気バブルメモリ材料の
バブル消減磁界の湯度変化に一致する可逆温度係数をも
つ永久磁石合金に関するものである。
関するものであり、これは特に磁気バブルメモリ材料の
バブル消減磁界の湯度変化に一致する可逆温度係数をも
つ永久磁石合金に関するものである。
バブル磁メ材料については、従来、オルソフェライト、
マグネトブランバイト、ガーネット、アモルファス膜が
知られているが、この中では素子の高集積化、高速化と
いう点から一般式Ｒｓ Ｆ’８ｓ Ｏｌ、（ここに翼は
希土類元素またはＹ）で示されるガーネット倉たはその
アモルファス膜によるものが実用化されている゛。そし
て、この磁気バブルメモリについてはノ（プル磁区材料
中口：バブル磁気が形成されるのに適当な）（イアス磁
界が加えられ、このバイアス磁場を発生させる手段とし
ては通常永久磁石が使われているが、これＩ：はそれか
ら発生するバイアス磁場強度の温度変化が与えられたバ
ブル磁区材料の７（プル消減磁界（Ｈｏ）の温度ｆ化に
合致する永久磁石を選択するか、あるいは容易に入手し
得る永久磁区材料のノ（イアス磁場強度温度変化に合致
するようなｌくプル消減磁界（Ｈｏ）の温度変化をもつ
ようＣニノ（プル磁区材料の組成や製法を決定する方法
がとらねなζすればならない。
マグネトブランバイト、ガーネット、アモルファス膜が
知られているが、この中では素子の高集積化、高速化と
いう点から一般式Ｒｓ Ｆ’８ｓ Ｏｌ、（ここに翼は
希土類元素またはＹ）で示されるガーネット倉たはその
アモルファス膜によるものが実用化されている゛。そし
て、この磁気バブルメモリについてはノ（プル磁区材料
中口：バブル磁気が形成されるのに適当な）（イアス磁
界が加えられ、このバイアス磁場を発生させる手段とし
ては通常永久磁石が使われているが、これＩ：はそれか
ら発生するバイアス磁場強度の温度変化が与えられたバ
ブル磁区材料の７（プル消減磁界（Ｈｏ）の温度ｆ化に
合致する永久磁石を選択するか、あるいは容易に入手し
得る永久磁区材料のノ（イアス磁場強度温度変化に合致
するようなｌくプル消減磁界（Ｈｏ）の温度変化をもつ
ようＣニノ（プル磁区材料の組成や製法を決定する方法
がとらねなζすればならない。
しかし、既存の永久磁石のうち、アルミニウム。
ニッケル、コバルト、鉄を主体とするｂｌわゆるアルニ
コ磁石はその可逆温度係数が−０，０３％／℃、バリウ
ムフェライトを主材とするフェライト磁石の可逆温度係
数は一０２％／℃、希土類金属とコバルトを主体とする
席上磁石ではＳ ｍ Ｃｏ ｓ系の可逆ｓｒｔ係数が一
００３％／℃、Ｃａ Ｃｏ ｓ 系のそれが一００９
％／℃と言われており、これはいずれもその組成によっ
て固定されるものであることから、この席上磁石はバブ
ル磁区材料上してすぐれた性質をもっていながら、この
種の用途には使用されておらず、これには主としてバブ
ル磁区材料としてのガーネットに例えばＬｕ などの
元素を添加してそのバブル消減磁界（ＨＯ）の温度変化
をフエライ１石の温度変化に一致させるという方法がと
られている。
コ磁石はその可逆温度係数が−０，０３％／℃、バリウ
ムフェライトを主材とするフェライト磁石の可逆温度係
数は一０２％／℃、希土類金属とコバルトを主体とする
席上磁石ではＳ ｍ Ｃｏ ｓ系の可逆ｓｒｔ係数が一
００３％／℃、Ｃａ Ｃｏ ｓ 系のそれが一００９
％／℃と言われており、これはいずれもその組成によっ
て固定されるものであることから、この席上磁石はバブ
ル磁区材料上してすぐれた性質をもっていながら、この
種の用途には使用されておらず、これには主としてバブ
ル磁区材料としてのガーネットに例えばＬｕ などの
元素を添加してそのバブル消減磁界（ＨＯ）の温度変化
をフエライ１石の温度変化に一致させるという方法がと
られている。
本発明は席上磁石の可逆温度係数をｔ化させてこれをバ
ブル硼区材料の消減磁界の温度係数に一致させるように
した磁気バブルメモリーのバイアス磁界用永久磁石に関
するものであり、これは組成式Ｒ（Ｃｏ １−ｘ−ｙ
Ｃｕ ｘＮ ｉ 、 ） ｚまたはｃｕ Ｎｔ Ｍ
）（ここにＲ ”Ｃ０１−ｘ−ｙ−ｕ ｘ ｙ ｕ ｓは希土
類元素、ＭはＧｏ、Ｎ、ｉを除く遷移金属およびＯａ、
８１から選ばれる１種または２Ｍ以上の元素、Ｘ、７．
ｕおよび２はそれぞれつぎの範囲の正数を示す。
ブル硼区材料の消減磁界の温度係数に一致させるように
した磁気バブルメモリーのバイアス磁界用永久磁石に関
するものであり、これは組成式Ｒ（Ｃｏ １−ｘ−ｙ
Ｃｕ ｘＮ ｉ 、 ） ｚまたはｃｕ Ｎｔ Ｍ
）（ここにＲ ”Ｃ０１−ｘ−ｙ−ｕ ｘ ｙ ｕ ｓは希土
類元素、ＭはＧｏ、Ｎ、ｉを除く遷移金属およびＯａ、
８１から選ばれる１種または２Ｍ以上の元素、Ｘ、７．
ｕおよび２はそれぞれつぎの範囲の正数を示す。
０．００１≦Ｉ≦０．４．０．００１≦ｙ≦０．６．０
．００１≦Ｕ−≦０．６、４．０≦２≦９０、ただしｘ
＋ｙ＜１．ｘ＋ｙ＋ｕ＜１ ）で示される希土類元素含
有永久磁石に関するものである。
．００１≦Ｕ−≦０．６、４．０≦２≦９０、ただしｘ
＋ｙ＜１．ｘ＋ｙ＋ｕ＜１ ）で示される希土類元素含
有永久磁石に関するものである。
これを説明すると、バブル磁区材料のバブル消減磁界の
温度係数は今までに知られているところによると一〇、
１％／℃〜−０．６％／℃の広い範囲にわたっているた
め、既存のアルニコ磁石、フェライト磁石、席上磁石の
ような永久磁石によるバイアス磁石ではこれをカバーす
ることが不１］能であったが１本発明者らは希土類元素
とコバルトおよびこれに必要に応じ添加される遷移金属
、カルシウム、けい素から選択される元素のｌ稽または
２種以上とからなる席上永久磁石にニッケルを添加する
と、その可逆温度係数がニッケルの添加量に応じて小さ
くなることを見吊すと共に、この値はこの希土類金属含
有永久磁石を構成する希土類金属の種類と量、コバルト
、ニッケルを除く遷移金属、カルシウム、けい素などの
他の添加金属の選択とその添加量の調整によってさらに
広い範囲にわたって費えることができることを見出し、
これによれば各種のバブル磁区材料のバブル消減磁界の
温度係数に応じることのできる希土類金属含有永久磁石
を提供できることを確紹して本発明を完成させた。
温度係数は今までに知られているところによると一〇、
１％／℃〜−０．６％／℃の広い範囲にわたっているた
め、既存のアルニコ磁石、フェライト磁石、席上磁石の
ような永久磁石によるバイアス磁石ではこれをカバーす
ることが不１］能であったが１本発明者らは希土類元素
とコバルトおよびこれに必要に応じ添加される遷移金属
、カルシウム、けい素から選択される元素のｌ稽または
２種以上とからなる席上永久磁石にニッケルを添加する
と、その可逆温度係数がニッケルの添加量に応じて小さ
くなることを見吊すと共に、この値はこの希土類金属含
有永久磁石を構成する希土類金属の種類と量、コバルト
、ニッケルを除く遷移金属、カルシウム、けい素などの
他の添加金属の選択とその添加量の調整によってさらに
広い範囲にわたって費えることができることを見出し、
これによれば各種のバブル磁区材料のバブル消減磁界の
温度係数に応じることのできる希土類金属含有永久磁石
を提供できることを確紹して本発明を完成させた。
す々わち、本発明の磁気バブルメモリーバイアス磁界用
希土類金属含有永久磁石は、前記組成式に示されるよう
に席上類金ＩＩ （Ｒ） 、 Ｃｏ、 Ｃｕ。
希土類金属含有永久磁石は、前記組成式に示されるよう
に席上類金ＩＩ （Ｒ） 、 Ｃｏ、 Ｃｕ。
Ｎ１を必須成分とし、これにＣｏ、Ｎ１を除く遷移金属
、特にはＺｒ、 Ｔ１． Ｈｆ 、 Ｍｎ 、 Ｔａ、
Ｎｂ 。
、特にはＺｒ、 Ｔ１． Ｈｆ 、 Ｍｎ 、 Ｔａ、
Ｎｂ 。
Ｃｒと、Ｏａ、８１から選ばれる１ｌｉｔ’たはＨ１以
上の元素を任意成分として含有するものであり、この各
構成４分の１合原子比を前記組成比で示した値としたも
のであるが、このＮ１を除く他の構成々分の原子比はこ
の永久磁石に要求される保磁力（ＩＨｏ）、残留磁化（
Ｂｒ）、最大エネルギー積（（ＢＨ）ｗａｘ）ｌ二応じ
公知の範囲で調整される。
上の元素を任意成分として含有するものであり、この各
構成４分の１合原子比を前記組成比で示した値としたも
のであるが、このＮ１を除く他の構成々分の原子比はこ
の永久磁石に要求される保磁力（ＩＨｏ）、残留磁化（
Ｂｒ）、最大エネルギー積（（ＢＨ）ｗａｘ）ｌ二応じ
公知の範囲で調整される。
しかし、このＮ１については目的とする希土類金属含有
永久磁石合金の可ｉｌ！温度係数を小さくする（これは
該係数が負数なのでその絶対値を大さくすることを意味
する）ため（＝は少なくとも！＝０．００１とする必要
があるし、これが多すぎるとこの永久磁石の磁気特性が
大巾（二低下し、例えばｙ−０，６の量では公知の０８
（００） 系磁石の保磁力、残留磁気、最大エネルギ
ー積がいずれも号以下となるので、これは０．００１≦
Ｙ≦０．６の範囲と丁べきであり、これＣ；よれば目的
とする希土類元素含有永久磁石の可逆温度係πを−０，
０３〜−０，６０％／℃の範囲に任意に設定することが
できる。なＸ、Ｏｕの添加量（二ついては、それが少な
すぎると保磁力が小さくなり丁ぎ、それが多すぎると残
留磁化が小さくなりすぎるので、これは０．００１≦Ｉ
≦０．５と丁べきであり、Ｏｏｔ Ｎｉを除く遷移金属
、Ｑａ、８１は必要Ｃ；応じ添加されるものではあるが
、それが少なすぎるｅきは保磁力が小さくなり、それが
多すぎると！ｌ留磁束密度が小さくなるので、これは０
．００１≦Ｕ≦０．６の範囲とすることがよい。
永久磁石合金の可ｉｌ！温度係数を小さくする（これは
該係数が負数なのでその絶対値を大さくすることを意味
する）ため（＝は少なくとも！＝０．００１とする必要
があるし、これが多すぎるとこの永久磁石の磁気特性が
大巾（二低下し、例えばｙ−０，６の量では公知の０８
（００） 系磁石の保磁力、残留磁気、最大エネルギ
ー積がいずれも号以下となるので、これは０．００１≦
Ｙ≦０．６の範囲と丁べきであり、これＣ；よれば目的
とする希土類元素含有永久磁石の可逆温度係πを−０，
０３〜−０，６０％／℃の範囲に任意に設定することが
できる。なＸ、Ｏｕの添加量（二ついては、それが少な
すぎると保磁力が小さくなり丁ぎ、それが多すぎると残
留磁化が小さくなりすぎるので、これは０．００１≦Ｉ
≦０．５と丁べきであり、Ｏｏｔ Ｎｉを除く遷移金属
、Ｑａ、８１は必要Ｃ；応じ添加されるものではあるが
、それが少なすぎるｅきは保磁力が小さくなり、それが
多すぎると！ｌ留磁束密度が小さくなるので、これは０
．００１≦Ｕ≦０．６の範囲とすることがよい。
本発明の希土類含有永久磁石は、従来公知のＮ１を含有
しないこの檀の永久磁石と同じ方法で作ることができ、
これは例えば前記組成式ｌ二ｇけるＲ２Ｃｏ、 Ｃｕ、
Ｎｉ、 Ｍの各成分の所定量を秤取し、これらを高周
波炉で溶解してから冷却後粗砕し、ついでこれをジエッ
）ｔルなどで２〜１０．ＩＩ罵に粉砕したのち、約１０
ＫＯ，の磁場中でプレス（ｌｔ／ＩＺ′ｍｌ）シ、そ
の磁気特性が液高となる温度で１時間以上塙成すればよ
く、これはまたその保磁力（ｔＨＯ）を最大にするため
（二ついで例えば５００〜８００℃で等１１！処理する
か、あるいは５ｏｏ〜８５０℃を出発温度として４００
″Ｃ＃近まで！ｌｉＢ冷ｆｆ１Ｔればよい。
しないこの檀の永久磁石と同じ方法で作ることができ、
これは例えば前記組成式ｌ二ｇけるＲ２Ｃｏ、 Ｃｕ、
Ｎｉ、 Ｍの各成分の所定量を秤取し、これらを高周
波炉で溶解してから冷却後粗砕し、ついでこれをジエッ
）ｔルなどで２〜１０．ＩＩ罵に粉砕したのち、約１０
ＫＯ，の磁場中でプレス（ｌｔ／ＩＺ′ｍｌ）シ、そ
の磁気特性が液高となる温度で１時間以上塙成すればよ
く、これはまたその保磁力（ｔＨＯ）を最大にするため
（二ついで例えば５００〜８００℃で等１１！処理する
か、あるいは５ｏｏ〜８５０℃を出発温度として４００
″Ｃ＃近まで！ｌｉＢ冷ｆｆ１Ｔればよい。
本発明の希土類金属含有永久磁石合金はＮ１ のｆ＆加
蝋Ｃ：応じてその可逆温度係数を上記した一Ｏ，ＯＳ〜
−０．６％／℃の広い範囲で可変とすることができるの
で、これは通常−５０℃〜＋１００℃の温度範囲で使用
される各檀バブル磁区材料からなる磁気バブルメモリー
のバイアス磁界用磁石として有用とされる。
蝋Ｃ：応じてその可逆温度係数を上記した一Ｏ，ＯＳ〜
−０．６％／℃の広い範囲で可変とすることができるの
で、これは通常−５０℃〜＋１００℃の温度範囲で使用
される各檀バブル磁区材料からなる磁気バブルメモリー
のバイアス磁界用磁石として有用とされる。
つぎ（二本発明の実施例をあげる。
実施例 １゜
（リウム、コバルト、銅、ニッケル、鉄を所定量押収し
、これを高周波炉中で溶−したのち粗砕し、ジヱプトミ
ル中で微粉砕してから磁場プレスで成形し、ついでこれ
をアルゴン気流中で１０５０〜１０８０℃で焼結し、５
００℃で２時間時効処理をして下紀臘成式Ｃ二示す永久
磁石を作った。
、これを高周波炉中で溶−したのち粗砕し、ジヱプトミ
ル中で微粉砕してから磁場プレスで成形し、ついでこれ
をアルゴン気流中で１０５０〜１０８０℃で焼結し、５
００℃で２時間時効処理をして下紀臘成式Ｃ二示す永久
磁石を作った。
○・（ａｏ ｏｕ ＮＩ Ｆｓ ）ａ
ｌｌ−７１Ｌ１４ ｙ ａｌｌ １０つぎ（＝こ
の永久磁石についてその磁気特性とその可逆温度係数を
振動式磁力針で測定したところ、Ｎ１分のｙ＝Ｑからｙ
−ｏ−ｓの＃１囲での変動５二伴なってその最大エネ
ルギー積（（Ｂａ）職ｌ！Ｌ！〕は１２ＭＧＯ，かう２
ＭＧＯ，に、残留磁化（Ｂｒ）は７．２ ＫＧから３
Ｋ（） （二低下し、保磁力（１ａｏ）＃１ｙ冨０．
１８で６．３ ＫＯ＠Ｉと最高となり、ｙ ＝ａ Ｑで
５．５ ＫＯ＠ 。
ｌｌ−７１Ｌ１４ ｙ ａｌｌ １０つぎ（＝こ
の永久磁石についてその磁気特性とその可逆温度係数を
振動式磁力針で測定したところ、Ｎ１分のｙ＝Ｑからｙ
−ｏ−ｓの＃１囲での変動５二伴なってその最大エネ
ルギー積（（Ｂａ）職ｌ！Ｌ！〕は１２ＭＧＯ，かう２
ＭＧＯ，に、残留磁化（Ｂｒ）は７．２ ＫＧから３
Ｋ（） （二低下し、保磁力（１ａｏ）＃１ｙ冨０．
１８で６．３ ＫＯ＠Ｉと最高となり、ｙ ＝ａ Ｑで
５．５ ＫＯ＠ 。
７ ＝ ０．６で３．６１Ｏｔｓとなったが、ｙ ＝ｅ
Ｑのとき−０，０９％／℃であった可逆温度係数はＮ
１量の増加と共（二小さくなり、Ｔコ０．４では−α４
２％／℃、７ ｍ ０．６では−０，６％／℃となった
。
Ｑのとき−０，０９％／℃であった可逆温度係数はＮ
１量の増加と共（二小さくなり、Ｔコ０．４では−α４
２％／℃、７ ｍ ０．６では−０，６％／℃となった
。
ついで、この永久磁石を、（Ｍ、Ｇ〜０１１の墓板上に
バブル磁区材料な液相エビタグＶヤＩ＆１法で成長させ
てなる磁気バブルメモリーのバイアス磁界用磁石として
使用したところ、この磁気バブルメモリーは一５０℃〜
＋８０℃の広い４引：わたって動作可能なものとなった
。
バブル磁区材料な液相エビタグＶヤＩ＆１法で成長させ
てなる磁気バブルメモリーのバイアス磁界用磁石として
使用したところ、この磁気バブルメモリーは一５０℃〜
＋８０℃の広い４引：わたって動作可能なものとなった
。
実施例 ２
チマリウム、コバルト、銅、ニッケル、鉄、ジルコニウ
ムの所定量を秤取し、これを高４波炉中で溶融したのち
粗砕し、ジエン）１ルで微粉砕してから磁場プレスで成
形し、これをＮｉ 量の増加と共に焼結温度を高くする
ようにシてアルゴンガス気流中で１１５０〜１２００℃
で焼成し、ついでこれを７００℃〜８０．０℃を開始温
度として４０Ｇ’Ｃｆｆ１で２℃／分〜１’Ｃ／分の冷
却速度で冷却して時効処理を行なって下記組成の永久磁
石を作った。
ムの所定量を秤取し、これを高４波炉中で溶融したのち
粗砕し、ジエン）１ルで微粉砕してから磁場プレスで成
形し、これをＮｉ 量の増加と共に焼結温度を高くする
ようにシてアルゴンガス気流中で１１５０〜１２００℃
で焼成し、ついでこれを７００℃〜８０．０℃を開始温
度として４０Ｇ’Ｃｆｆ１で２℃／分〜１’Ｃ／分の冷
却速度で冷却して時効処理を行なって下記組成の永久磁
石を作った。
８！１１（０００ｕ Ｎｉ Ｆ＠Ｚｒ ）＆’
Ｆａ−ｙ １１１ ｙ ＣＬ糞 へ＠１ ａｓ
つぎＣ：、このものの可逆温匣係、数を嶽動式磁力針で
測定したところ、これはＮＩ Ｊ加歇の増加と共に小
さくなり、その添加量を示す係数がｙ ｅ−Ｑのとき一
〇、ＯＳ％／℃であったものが７ ＝！ ０．４では一
〇、２％／℃、Ｙ二０．８のとｆ！！−０，３％／℃と
なり、これはＧｄ、 Ｇａ、 ０１．で示されるがドリ
ニクム・ガリウム基板上（ニバブル磁区材料を液相エビ
タクシヤル法で成長させてなる磁気バブルメモψること
が［認された。
Ｆａ−ｙ １１１ ｙ ＣＬ糞 へ＠１ ａｓ
つぎＣ：、このものの可逆温匣係、数を嶽動式磁力針で
測定したところ、これはＮＩ Ｊ加歇の増加と共に小
さくなり、その添加量を示す係数がｙ ｅ−Ｑのとき一
〇、ＯＳ％／℃であったものが７ ＝！ ０．４では一
〇、２％／℃、Ｙ二０．８のとｆ！！−０，３％／℃と
なり、これはＧｄ、 Ｇａ、 ０１．で示されるがドリ
ニクム・ガリウム基板上（ニバブル磁区材料を液相エビ
タクシヤル法で成長させてなる磁気バブルメモψること
が［認された。
実施例 ３゜
セリウム、コバルト、銅、ニッケルの所定ａを秤取し、
これを実施例１と同様に５６還して下記組成の永久磁石
を作った。
これを実施例１と同様に５６還して下記組成の永久磁石
を作った。
Ｃ・（” （ＬＩＯＣｕ（Ｌ１４ ” （ＬＩＯ）１つ
ぎ（二この磁石についての可ｉｌ！ａｌｌｆ係数を測定
したところ、これはＮ１無添加のとさ−０，０９％／℃
であったものが、−Ｕ、１９％／℃と小さくなってにす
、このものはＧｄ Ｇａ Ｏで示されｌ
ＩＩ漏 るガドリニウム・ガラ９ム１板上（：バブル磁区材料を
液相エピタキシャル法で成長淋せだ磁気バブルメモリー
用のバイアス磁界用磁石として有用であった。
ぎ（二この磁石についての可ｉｌ！ａｌｌｆ係数を測定
したところ、これはＮ１無添加のとさ−０，０９％／℃
であったものが、−Ｕ、１９％／℃と小さくなってにす
、このものはＧｄ Ｇａ Ｏで示されｌ
ＩＩ漏 るガドリニウム・ガラ９ム１板上（：バブル磁区材料を
液相エピタキシャル法で成長淋せだ磁気バブルメモリー
用のバイアス磁界用磁石として有用であった。
特許出願人 信越化学工１１４１１式会社代理人弁理士
山本−亮１蛯Ｊ
山本−亮１蛯Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、組成式 Ｒ（Ｏｏ□、、−、０ｕｘＮｉア） 。 で示される磁気バブルメモリーバイアス磁界用永久磁石 で示される磁気バブルメモリーバイアス磁界用永久磁石
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156988A JPS5857706A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気バブルメモリ−バイアス磁界用永久磁石 |
| NL8203804A NL8203804A (nl) | 1981-10-02 | 1982-09-30 | Zeldzame aardmetalen bevattende legering voor permanente magneten. |
| US06/579,996 US4567576A (en) | 1981-10-02 | 1984-02-14 | Method for producing a magnetic bias field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156988A JPS5857706A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気バブルメモリ−バイアス磁界用永久磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857706A true JPS5857706A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15639715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56156988A Pending JPS5857706A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気バブルメモリ−バイアス磁界用永久磁石 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4567576A (ja) |
| JP (1) | JPS5857706A (ja) |
| NL (1) | NL8203804A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635466U (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-14 | ||
| JPS6422006A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Shinetsu Chemical Co | Permanent magnet for magnetic bubble memory bias field |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456769A (en) * | 1993-03-10 | 1995-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3560200A (en) * | 1968-04-01 | 1971-02-02 | Bell Telephone Labor Inc | Permanent magnetic materials |
| US4063971A (en) * | 1969-08-08 | 1977-12-20 | Th. Goldschmidt Ag | Method of increasing the coercive force of pulverized rare earth-cobalt alloys |
| US3701659A (en) * | 1970-06-01 | 1972-10-31 | Ibm | Photolithographic masks of semiconductor material |
| US3931618A (en) * | 1973-11-14 | 1976-01-06 | Hewlett-Packard Company | Housing structure and magnetic biasing for bubble memories |
| US4208225A (en) * | 1975-05-05 | 1980-06-17 | Les Fabriques D'assortiments Reunies | Directionally solidified ductile magnetic alloys magnetically hardened by precipitation hardening |
| JPS5527612A (en) * | 1978-08-19 | 1980-02-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Silicon base |
| JPS5810454B2 (ja) * | 1980-02-07 | 1983-02-25 | 住友特殊金属株式会社 | 永久磁石合金 |
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- 1981-10-02 JP JP56156988A patent/JPS5857706A/ja active Pending
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- 1982-09-30 NL NL8203804A patent/NL8203804A/nl active Search and Examination
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1984
- 1984-02-14 US US06/579,996 patent/US4567576A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635466U (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-14 | ||
| JPS6422006A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Shinetsu Chemical Co | Permanent magnet for magnetic bubble memory bias field |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8203804A (nl) | 1983-05-02 |
| US4567576A (en) | 1986-01-28 |
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