JPS5855304A - 水分解物質及び水分解法 - Google Patents
水分解物質及び水分解法Info
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- JPS5855304A JPS5855304A JP56149318A JP14931881A JPS5855304A JP S5855304 A JPS5855304 A JP S5855304A JP 56149318 A JP56149318 A JP 56149318A JP 14931881 A JP14931881 A JP 14931881A JP S5855304 A JPS5855304 A JP S5855304A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発ｖＡＦｉ水を分解して水素を発生する物質および水
分解法に関し、さらに詳しく社、安全にしかも効率曳く
水を分解して水素と酸素とを得るための物質および方法
に関する。
分解法に関し、さらに詳しく社、安全にしかも効率曳く
水を分解して水素と酸素とを得るための物質および方法
に関する。
従来、水素ガスの製造法として唸水の電解、石炭１石油
、コークスの分解等による方法があるが。
、コークスの分解等による方法があるが。
これら方法はいずれも大規模な装置を必要とし。
また電力を必要とするなど、経済的ではない。この問題
を解決するために、アルカリ金属のアマルガム合金に２
種金属を組み合わせることＫよシ簡便な方法によ如安全
に水を分解して水素ガスを発生させることが提案されて
いる。
を解決するために、アルカリ金属のアマルガム合金に２
種金属を組み合わせることＫよシ簡便な方法によ如安全
に水を分解して水素ガスを発生させることが提案されて
いる。
本発明社アマルガム合金と半導体物質との組み合わせＫ
よシア！ルガム合金の水分解能力を著しく改善せんとす
るものである０本発明では、半導体物質としてＴｈ ｔ
＋！１１半導体、Ｐ型半導体、Ｐ−ｍ型半導体、および
ｌ型半導体を組み入れ１種々検討してみえ。
よシア！ルガム合金の水分解能力を著しく改善せんとす
るものである０本発明では、半導体物質としてＴｈ ｔ
＋！１１半導体、Ｐ型半導体、Ｐ−ｍ型半導体、および
ｌ型半導体を組み入れ１種々検討してみえ。
スズのグループからなる金属の少くとも１種の金属と、
水銀とからなるアマルガム合金にｎ型半導体、Ｐ型半導
体のいずれか一つの物質またはこれらの混合物を組み合
わせてなる本のである。アルカリ金属対水銀の原子量比
は約２５；１〜約１；Ｌ５が好ましく、アルカリ金属対
アルミニウム、亜鉛、鉛、スズの中の少くとも１つの金
属の原子量比は、好ましくは約１：５〜約５：１である
。
水銀とからなるアマルガム合金にｎ型半導体、Ｐ型半導
体のいずれか一つの物質またはこれらの混合物を組み合
わせてなる本のである。アルカリ金属対水銀の原子量比
は約２５；１〜約１；Ｌ５が好ましく、アルカリ金属対
アルミニウム、亜鉛、鉛、スズの中の少くとも１つの金
属の原子量比は、好ましくは約１：５〜約５：１である
。
半導体物質は水分解物質の全量に対して約α２重量−〜
約３５重量％の量で存在する＠１１Ｍ１半導体物質は一
例として％ＷＯＩ 、 Ｔ ｉ ＯＨ、Ｖ！０＠、 Ｚ
ｏｏおよびＣｄＯ等が挙げられ、Ｐ型半導体物質の好ま
しい例として社則Ｏ１Ｃ・０等が挙げられるがその他の
半導体物質でもかまわ表い、ｔた、Ｉ！１半導体物質と
しては一例としてＡｌ４ｏ、およびＭｆＯ等が挙げられ
る。なお、前記半導体としては８ＩｔたはＧｅ等Ｏ金属
元素にＢ、Ｐ等の不純物を混入したものでもよい。アマ
ルガム合金と半導体物質とはそれぞれ粉末状態で銅勢の
充填剤とともに不活性雰囲気中で均一に混合された後加
圧されてブロック化される。また、半導体物質は粉末の
状態でアマルガムの形成中にアマルガム中に混入しても
良く、この場合、アマルガムはグラファイト・ボールミ
ル等によシ粉末化された後鍋等の充填剤とともにブロッ
ク化される。このブロックはその融点付近において約１
５分間、不活 性雰囲気中で焼結活性化される。このようにアマルガム
合金と半導体物質からなる水分解物質は水と反応したと
きに、アマルガムが水と効率良く反応するが、このとき
半導体物質はアマルガムの再生に活性があるものと思わ
れる。
約３５重量％の量で存在する＠１１Ｍ１半導体物質は一
例として％ＷＯＩ 、 Ｔ ｉ ＯＨ、Ｖ！０＠、 Ｚ
ｏｏおよびＣｄＯ等が挙げられ、Ｐ型半導体物質の好ま
しい例として社則Ｏ１Ｃ・０等が挙げられるがその他の
半導体物質でもかまわ表い、ｔた、Ｉ！１半導体物質と
しては一例としてＡｌ４ｏ、およびＭｆＯ等が挙げられ
る。なお、前記半導体としては８ＩｔたはＧｅ等Ｏ金属
元素にＢ、Ｐ等の不純物を混入したものでもよい。アマ
ルガム合金と半導体物質とはそれぞれ粉末状態で銅勢の
充填剤とともに不活性雰囲気中で均一に混合された後加
圧されてブロック化される。また、半導体物質は粉末の
状態でアマルガムの形成中にアマルガム中に混入しても
良く、この場合、アマルガムはグラファイト・ボールミ
ル等によシ粉末化された後鍋等の充填剤とともにブロッ
ク化される。このブロックはその融点付近において約１
５分間、不活 性雰囲気中で焼結活性化される。このようにアマルガム
合金と半導体物質からなる水分解物質は水と反応したと
きに、アマルガムが水と効率良く反応するが、このとき
半導体物質はアマルガムの再生に活性があるものと思わ
れる。
半導体物質に触媒活性があるの社、−例として口型半導
体金属で見てみると、電子供与性の分子を吸着（正電荷
吸着）しやすいことに起因している本のと思われる。も
つと具体的に言えば、水酸化ナトリウム水溶液とアルミ
ニウム、亜鉛、鉛。
体金属で見てみると、電子供与性の分子を吸着（正電荷
吸着）しやすいことに起因している本のと思われる。も
つと具体的に言えば、水酸化ナトリウム水溶液とアルミ
ニウム、亜鉛、鉛。
スズ等から生成するところの各金属錯塩Ｎａ６ｋｔ（Ｏ
ｎ）ｇ８ａ４１ｍ （ＯＲ）ａ 、 Ｈａｓ Ｉ’ｂ
（ＯＨ）＠ 、 Ｎａａ ａｍ （ＯＨ）−が水の存在
下でナトリウム陽イオンと錯塩論イオンに解離して、前
述のｆｉ型半導体に吸着され中すくなることから、元来
不安定な錯塩が、さらに不安定化し、半導体そのものの
もつ触媒作用によシ金属曽塩を金属元素に還元して再び
アマルガムを形成させて水の分解を促進したものと思わ
れる。
ｎ）ｇ８ａ４１ｍ （ＯＲ）ａ 、 Ｈａｓ Ｉ’ｂ
（ＯＨ）＠ 、 Ｎａａ ａｍ （ＯＨ）−が水の存在
下でナトリウム陽イオンと錯塩論イオンに解離して、前
述のｆｉ型半導体に吸着され中すくなることから、元来
不安定な錯塩が、さらに不安定化し、半導体そのものの
もつ触媒作用によシ金属曽塩を金属元素に還元して再び
アマルガムを形成させて水の分解を促進したものと思わ
れる。
なお％ ｎｕ半導体にＰ型、ｉ型半導体を組み合せるこ
とにより、一層触媒活性が強まるのはこれら各種半導体
の相互作用によるものと思われる６本発明による反応プ
ロセスを下記に示す。
とにより、一層触媒活性が強まるのはこれら各種半導体
の相互作用によるものと思われる６本発明による反応プ
ロセスを下記に示す。
（１） ２Ｎｇ ＋ ２Ｊｆａ Ｏ→２ＮａＯＨ＋１
１ｇ（り ４ＮｍＯＨ＋Ｚ＋＋ｓ＋２Ｈ１０−＋Ｎａ
４Ｚｎ（ＯＨ）＠＋Ｈ＊４ＮａＯＨ＋ Ｐｂ ＋ ２１
１雪０ →）ｉａ４ Ｐｂ （ＯＨ）ｓ ＋ Ｈ鵞４Ｎ
ａＯＨ＋ ８ａ ＋ ４Ｈ２０→Ｎａａ ８ｎ （ＯＨ
）ｓ ＋ ２Ｈｓ（３） Ｎａ４Ｚａ（ＯＢ）１峯１
１民４Ｎａ＋Ｚｎ＋３ａ１＋３０ｇ半導体触媒 Ｎａ４！’ｂ （０１１）１ ４Ｎａ ＋
Ｐｂ ＋ ３Ｈ意＋ ３０＊半導体触媒 ＮＪＩ４８ｎ （ｏｉｉ）＊−一一一−→４Ｎｍ ＋
４Ｈｓ ＋４０冨＋Ｓ’ｒＬＮａ＠ｋｔ（ＯＨ）ｓ ”
−蟻３Ｎａ ＋ ｋｌ＋ ３ａｍ ＋ ３０ｇ以下、実
施例にもとづいて本発明を詳ＪＩＩＩＫａＷＪ４する。
１ｇ（り ４ＮｍＯＨ＋Ｚ＋＋ｓ＋２Ｈ１０−＋Ｎａ
４Ｚｎ（ＯＨ）＠＋Ｈ＊４ＮａＯＨ＋ Ｐｂ ＋ ２１
１雪０ →）ｉａ４ Ｐｂ （ＯＨ）ｓ ＋ Ｈ鵞４Ｎ
ａＯＨ＋ ８ａ ＋ ４Ｈ２０→Ｎａａ ８ｎ （ＯＨ
）ｓ ＋ ２Ｈｓ（３） Ｎａ４Ｚａ（ＯＢ）１峯１
１民４Ｎａ＋Ｚｎ＋３ａ１＋３０ｇ半導体触媒 Ｎａ４！’ｂ （０１１）１ ４Ｎａ ＋
Ｐｂ ＋ ３Ｈ意＋ ３０＊半導体触媒 ＮＪＩ４８ｎ （ｏｉｉ）＊−一一一−→４Ｎｍ ＋
４Ｈｓ ＋４０冨＋Ｓ’ｒＬＮａ＠ｋｔ（ＯＨ）ｓ ”
−蟻３Ｎａ ＋ ｋｌ＋ ３ａｍ ＋ ３０ｇ以下、実
施例にもとづいて本発明を詳ＪＩＩＩＫａＷＪ４する。
実施例！
水１１５０１Ｆに細く切った３０１のカリウムと約２０
０メツシエの亜鉛粉末２０ｆとを加えて混合し、これを
クツファイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分間、
炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触
しないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマル
ガム合金を得た。
０メツシエの亜鉛粉末２０ｆとを加えて混合し、これを
クツファイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分間、
炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触
しないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマル
ガム合金を得た。
この合金を窒素雰囲気下でグラファイト・ボールミルに
よシ約５０メッシェの粉末合金とじ九、この粉末合金４
０ｔに約２００メツシエのｎ型半導体としてのＷｏｌ粉
末９．５ｆおよびパラジクム粉末α５ｆを加え、さらに
約２００メツシエの銅粉末５０Ｆを加えて、不活性雰囲
気中で良く混合した。
よシ約５０メッシェの粉末合金とじ九、この粉末合金４
０ｔに約２００メツシエのｎ型半導体としてのＷｏｌ粉
末９．５ｆおよびパラジクム粉末α５ｆを加え、さらに
約２００メツシエの銅粉末５０Ｆを加えて、不活性雰囲
気中で良く混合した。
ついで、 ？：、０混金物全金物性雰囲気中でクツファ
イト金蓋に入れ、約６０００４／−の圧力で圧縮してブ
ロックを得た。このブロックをヘリウム雰囲気中でクツ
ファイト・ルツボに入れて、ブロックの融点付近で約３
０分間加熱焼結した後、 ｉｉｉａｉ壇で冷却して水分
解合金を得た。この水分解合金に微細噴霧水を接触させ
ると水素と酸素からなるガスを多量に発生した０発生ガ
スの容量は水分解合金の表面積とこの表面積に接触され
る水の噴霧粒度および噴霧束等によシ異なるが、およそ
１−の１１面は１分間にα４３１の水と反応し丸。
イト金蓋に入れ、約６０００４／−の圧力で圧縮してブ
ロックを得た。このブロックをヘリウム雰囲気中でクツ
ファイト・ルツボに入れて、ブロックの融点付近で約３
０分間加熱焼結した後、 ｉｉｉａｉ壇で冷却して水分
解合金を得た。この水分解合金に微細噴霧水を接触させ
ると水素と酸素からなるガスを多量に発生した０発生ガ
スの容量は水分解合金の表面積とこの表面積に接触され
る水の噴霧粒度および噴霧束等によシ異なるが、およそ
１−の１１面は１分間にα４３１の水と反応し丸。
実験例■
水銀３５Ｆに細く切った３５Ｆのナトリウムと、約２０
０メツシーの亜鉛粉末３０９とを加えて混合し、これを
クラファイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分間、
炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触
しないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマル
ガム合金を得た。
０メツシーの亜鉛粉末３０９とを加えて混合し、これを
クラファイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分間、
炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触
しないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマル
ガム合金を得た。
この合金を窒素雰囲気下でグラファイト・ボールミルに
より約３０メツシエの粉末合金とした。この粉末合金２
７９に約２００メツシ為のｎＷｉ半導体としてのＴｏｏ
、粉末ＩＬ７ｆ、約７ｆ、メッシ凰の１ｌｉｌ半導体Ａ
４０ｍの粉末をα６５Ｆおよび約２００メツシ為の白金
粉末α６５Ｆを加え、さらに約２００メツシ凰の銅粉末
６０ｆを加えて、不活性雰囲気中で均一に混合した。つ
いで、この混合物を不活性雰囲気中でグラファイト金１
１１に入れ。
より約３０メツシエの粉末合金とした。この粉末合金２
７９に約２００メツシ為のｎＷｉ半導体としてのＴｏｏ
、粉末ＩＬ７ｆ、約７ｆ、メッシ凰の１ｌｉｌ半導体Ａ
４０ｍの粉末をα６５Ｆおよび約２００メツシ為の白金
粉末α６５Ｆを加え、さらに約２００メツシ凰の銅粉末
６０ｆを加えて、不活性雰囲気中で均一に混合した。つ
いで、この混合物を不活性雰囲気中でグラファイト金１
１１に入れ。
約６０００ ｋｆ／ｄｉの圧力で圧縮してブロックを得
た。このブロックをヘリウム雰囲気中でクラ７アイト・
ルツボに入れて、ブロックの融点付近で約３０分間加熱
焼結した後、室温まで冷却して水分解合金を得た。この
水分解合金に微細噴霧水を接触させると水素と酸素から
なるガスを多量に長時間発生した。発生ガスの容量は水
分解合金の表面積とこの表面積に接触される水の噴霧形
態シよび噴霧速贋等によシ異なるが、およそｌａｉの表
面は１分間にα４４ｔの水と反応した。
た。このブロックをヘリウム雰囲気中でクラ７アイト・
ルツボに入れて、ブロックの融点付近で約３０分間加熱
焼結した後、室温まで冷却して水分解合金を得た。この
水分解合金に微細噴霧水を接触させると水素と酸素から
なるガスを多量に長時間発生した。発生ガスの容量は水
分解合金の表面積とこの表面積に接触される水の噴霧形
態シよび噴霧速贋等によシ異なるが、およそｌａｉの表
面は１分間にα４４ｔの水と反応した。
実験例厘
水銀２０Ｆに細く切った４０１のナトリウムと約２００
メツシエの鉛粉末４０９とを加えて混合し、これをクラ
７アイト・ルツボに入れ約２５０’ＣＫて１５分間、炉
内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触し
ないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマルガ
ム合金を得た。
メツシエの鉛粉末４０９とを加えて混合し、これをクラ
７アイト・ルツボに入れ約２５０’ＣＫて１５分間、炉
内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この後、水と接触し
ないように窒素雰囲気中で、室温まで冷却してアマルガ
ム合金を得た。
この合金を窒素雰囲気下でクラファイト・ボールミルに
よ〕約２０メツシエの粉末合金とした。この粉末合金３
０ｆＫ約２００メッシ、のｒｓｇ半導体としてのＶ、Ｏ
＠粉末ｔＳｔ、約２００メツシユのＩ’ｌｌ半導体帽０
粉末を９９．ならびに約２００メツシ為の直型半導体Ａ
ｌ４０ｍ粉末１５ｆを加え、さらに約２００メツシエの
銅粉末５５ｆを加えて。
よ〕約２０メツシエの粉末合金とした。この粉末合金３
０ｆＫ約２００メッシ、のｒｓｇ半導体としてのＶ、Ｏ
＠粉末ｔＳｔ、約２００メツシユのＩ’ｌｌ半導体帽０
粉末を９９．ならびに約２００メツシ為の直型半導体Ａ
ｌ４０ｍ粉末１５ｆを加え、さらに約２００メツシエの
銅粉末５５ｆを加えて。
不活性雰囲気中で均一に混合した。ついで、この混合物
を不活性雰囲気中でグラファイト金１１に入れ、約６０
００Ａ９／ｉの圧力で圧縮してブロックを得九、このブ
ロックをヘリウム雰囲気中でクラファイト・ルツボに入
れて、ブロックの融点付近で約３０分間加熱焼結した後
、室温まで冷却して水分解合金を得た。この水分解合金
に微細噴霧水を接触させると水素と酸素からなるガスを
多量に長時間発生した０発生ガスの容量は水分解合金の
表面積とこの表面積に接触される水の噴霧形態および噴
霧速度によシ異なるが、およそ１−の表面は１分間にα
４５１の水と反応した。
を不活性雰囲気中でグラファイト金１１に入れ、約６０
００Ａ９／ｉの圧力で圧縮してブロックを得九、このブ
ロックをヘリウム雰囲気中でクラファイト・ルツボに入
れて、ブロックの融点付近で約３０分間加熱焼結した後
、室温まで冷却して水分解合金を得た。この水分解合金
に微細噴霧水を接触させると水素と酸素からなるガスを
多量に長時間発生した０発生ガスの容量は水分解合金の
表面積とこの表面積に接触される水の噴霧形態および噴
霧速度によシ異なるが、およそ１−の表面は１分間にα
４５１の水と反応した。
実施例ｙ
水銀４０Ｆに細く切りた３０１Ｆのセシウムと。
約２００メツシユの鉛粉末３０ｆとを加えて混合し、こ
れをクラ７アイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分
間、炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この彼、水と
接触しないように窒素雰囲気中で、室温まて冷却してア
マルガム合金を得た。
れをクラ７アイト・ルツボに入れ約２５０℃にて１５分
間、炉内で窒素雰囲気下、加熱溶融した。この彼、水と
接触しないように窒素雰囲気中で、室温まて冷却してア
マルガム合金を得た。
この合金を窒素雰囲気下でグラファイト・ボールミルに
よシ約５０メッシェの粉末合金とした。この粉末合金２
ｇＰＫ約２００メッシェのｎ型半導体としてのＺｎＯ粉
末＆６ｔ１約２００メッシ瓢のＰ型半導体ＣｏｏをＬ６
Ｆ、および白金粉末α８ｔを加え、さらに約２００メツ
シ為の銅粉末６６Ｆを加えて、不活性雰囲気中で良く混
合した。ついで、この混合物を不活性雰囲気中でグラフ
ァイト金型に入れ、約６０００ｆｉ／ｊの圧力で圧縮し
てブロックを得た。このブロックをヘリウム雰囲気中で
クラ７アイト・ルツボに入れて、ブロックの融点付近で
約３０分間加熱焼結した後、室温まで冷却して水分解合
金を得た。この水分解合金に微細噴霧水を接触させると
水素と酸素からなるガスを多量に長時間発生した０発生
ガスの容量は水分解合金の表面積とこの表面積に接触さ
れる水Ｏ噴霧形態および噴霧量等によシ異なるが、およ
そｌ−の表面は１分間にα４２１の水と反応した。
よシ約５０メッシェの粉末合金とした。この粉末合金２
ｇＰＫ約２００メッシェのｎ型半導体としてのＺｎＯ粉
末＆６ｔ１約２００メッシ瓢のＰ型半導体ＣｏｏをＬ６
Ｆ、および白金粉末α８ｔを加え、さらに約２００メツ
シ為の銅粉末６６Ｆを加えて、不活性雰囲気中で良く混
合した。ついで、この混合物を不活性雰囲気中でグラフ
ァイト金型に入れ、約６０００ｆｉ／ｊの圧力で圧縮し
てブロックを得た。このブロックをヘリウム雰囲気中で
クラ７アイト・ルツボに入れて、ブロックの融点付近で
約３０分間加熱焼結した後、室温まで冷却して水分解合
金を得た。この水分解合金に微細噴霧水を接触させると
水素と酸素からなるガスを多量に長時間発生した０発生
ガスの容量は水分解合金の表面積とこの表面積に接触さ
れる水Ｏ噴霧形態および噴霧量等によシ異なるが、およ
そｌ−の表面は１分間にα４２１の水と反応した。
以上の実施例によシ明らかなように１本発明によれば、
アマルガム合金に半導体物質を添加することによシ水素
発生量を著しく増加させることができる。これ紘半導体
物質中の遊離電子または正孔がアマルガムの金属錯塩に
作用して、不安定な金属錯塩をよシネ安定化させ、この
結果、金属錯塩中の金属が還元されて水銀とアマルガム
を再生し、このアマルガムが再び水と反応する仁とに起
因する−のと思われる。したがって、本発明によれば常
温で水を効率良く分解して水素ガスを低摩な方法によシ
多量に発生させることができ、実用性が極め′て高いも
のである。
アマルガム合金に半導体物質を添加することによシ水素
発生量を著しく増加させることができる。これ紘半導体
物質中の遊離電子または正孔がアマルガムの金属錯塩に
作用して、不安定な金属錯塩をよシネ安定化させ、この
結果、金属錯塩中の金属が還元されて水銀とアマルガム
を再生し、このアマルガムが再び水と反応する仁とに起
因する−のと思われる。したがって、本発明によれば常
温で水を効率良く分解して水素ガスを低摩な方法によシ
多量に発生させることができ、実用性が極め′て高いも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）アルミニウム、亜鉛、鉛およびスズからな質を添
加してなる水分解物質。 （２） 前記アマルガム合金と、前記半導体物質とを
金属充填剤によ多結合したことを特徴とする特許請求の
範８１８１項記載の水分解物質。 （１） 前記半導体物質が１！型型半体、Ｐ型半導体
およびｉｌｌ半導体の中の少くとも一つからなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の水分解物質。 （４）アルカリ金属と、水銀と、アルミニウム。 亜鉛、鉛およびスズからなるグループの少くとも一種の
金属元素とからなるアマルガム合金と、半導体物質とか
らなる水分解物質を水と接触反応させて、前記金属元素
の錯塩を形成させ、これを前記半導体物質によシ前記金
属元素に還元させながら水素を発生させる仁とを特徴と
する水の分解法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149318A JPS5855304A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 水分解物質及び水分解法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149318A JPS5855304A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 水分解物質及び水分解法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855304A true JPS5855304A (ja) | 1983-04-01 |
Family
ID=15472492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149318A Pending JPS5855304A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 水分解物質及び水分解法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855304A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096502A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-30 | Kazuo Naito | 水素ガス製造法 |
| WO2002049957A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Rhodia Chimie | Systeme generateur d'hydrogene et procede d'hydrodeshalogenation |
| JP2010184828A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Kri Inc | 水素製造方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56149318A patent/JPS5855304A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096502A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-30 | Kazuo Naito | 水素ガス製造法 |
| WO2002049957A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Rhodia Chimie | Systeme generateur d'hydrogene et procede d'hydrodeshalogenation |
| FR2818628A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-28 | Rhodia Chimie Sa | Systeme generateur d'hydrogene et procede d'hydrodeshalogenation |
| US7632483B2 (en) | 2000-12-21 | 2009-12-15 | Rhodia Chimie | Hydrogen generating system and hydrodehalogenation method |
| JP2010184828A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Kri Inc | 水素製造方法 |
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