JPS5854463B2 - electronic probe device - Google Patents

electronic probe device

Info

Publication number
JPS5854463B2
JPS5854463B2 JP53021738A JP2173878A JPS5854463B2 JP S5854463 B2 JPS5854463 B2 JP S5854463B2 JP 53021738 A JP53021738 A JP 53021738A JP 2173878 A JP2173878 A JP 2173878A JP S5854463 B2 JPS5854463 B2 JP S5854463B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slit
electron beam
converging lens
power supply
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53021738A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS54114173A (en
Inventor
一郎 安藤
昭次郎 田形
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP53021738A priority Critical patent/JPS5854463B2/en
Publication of JPS54114173A publication Critical patent/JPS54114173A/en
Publication of JPS5854463B2 publication Critical patent/JPS5854463B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、X線マイクロアナライザー、走査型電子顕微
鏡等の電子プローブ装置の試料への照射電流を制御する
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a device for controlling the irradiation current to a sample of an electron probe device such as an X-ray microanalyzer or a scanning electron microscope.

X線マイクロアナライザー及び走査型電子顕微鏡等の装
置においては、使用する加速電圧と、試料を照射するビ
ーム電流の範囲はそれぞれ数KVから数10KV、10
’Aから10”’Aと大変広い範囲にわたっている。
In devices such as X-ray microanalyzers and scanning electron microscopes, the range of acceleration voltage used and beam current for irradiating the sample is from several KV to several tens of KV and 10 KV, respectively.
It covers a very wide range from 'A' to 10'A.

ある加速電圧のもとで、試料を照射する電子ビームの電
流値は収束レンズの励磁条件とスリットの孔径によって
決定されるが、この組合せのうちで、得られる電子プロ
ーブ径を最も小さくすることのできるものを選ぶことが
必要である。
Under a certain accelerating voltage, the current value of the electron beam that irradiates the sample is determined by the excitation conditions of the converging lens and the diameter of the slit. You need to choose what you can.

従来においては、最も使用頻度の高い使用条件に合せた
固定絞りを用いている例もあるが、通常は数段階の異な
る孔径を持つ絞りを用意し、条件に応じて最適なものを
選んで用いる。
In the past, fixed apertures were used in some cases to suit the conditions of use most frequently used, but normally apertures with several different hole diameters were prepared and the most suitable one was selected according to the conditions. .

とくにX線マイクロアナライザーにおいては、分析対象
元素の種類と濃度、試料の組成等に応じ、加速電圧、プ
ローブ電流等の条件をひんばんに且つ大巾に変化させる
うえに、加速電圧、プローブ電流等の使用条件が互いに
大きく異なるところの二次電子線像、反射電子線像観察
を行なう必要がある。
In particular, in X-ray microanalyzers, conditions such as accelerating voltage and probe current are changed frequently and widely depending on the type and concentration of the element to be analyzed, the composition of the sample, etc. It is necessary to observe secondary electron beam images and reflected electron beam images, which have very different usage conditions.

そこで従来は常に装置を最適条件で使用するために、加
速電圧、プローブ電流等に応じた最適な絞り径の関係は
理論計算され、その結果を示した表又はグラフ等をいち
いち参照して数段階の異なる孔径を持つ絞りの中から、
最適なものを選んで装着するよう装置を操作している。
Therefore, in the past, in order to always use the device under optimal conditions, the relationship between the optimal aperture diameter according to accelerating voltage, probe current, etc. was calculated theoretically, and the results were calculated in several stages by referring to tables or graphs showing the results one by one. Among the apertures with different hole diameters,
The device is operated to select the most suitable one and install it.

従って、従来においては操作に熟練と経験を要すのみな
らず、非常に繁雑であった。
Therefore, in the past, not only did the operation require skill and experience, but it was also very complicated.

本発明は、このような従来装置の欠点を解決するために
なされたもので、複雑な操作をせずに容易に最適な条件
で装置を使用することを可能にした電子プローブ装置の
照射電流制御装置を提供するもので、以下第1図に基づ
き本発明の一実施例を詳述する。
The present invention has been made to solve the drawbacks of conventional devices, and provides irradiation current control for electronic probe devices that makes it possible to easily use the device under optimal conditions without complicated operations. An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to FIG. 1.

第1図において、1は真空に保持された電子プローブ装
置の筐体であり、該筐体1の上部には電子銃2が配置さ
れている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a housing of an electron probe device that is kept in a vacuum, and an electron gun 2 is disposed in the upper part of the housing 1.

3は該電子銃の高圧電源である。3 is a high voltage power supply for the electron gun.

電子銃2より発生した電子ビーム4は収束レンズ5によ
って収束されるようになっている。
An electron beam 4 generated by the electron gun 2 is converged by a converging lens 5.

6は収束レンズ電源であり、該収束レンズ電源には前記
高圧電源3において設定した加速電圧に対応した信号が
供給される。
Reference numeral 6 denotes a converging lens power source, and a signal corresponding to the accelerating voltage set in the high voltage power source 3 is supplied to the converging lens power source.

収束レンズ4の近傍には補助収束レンズIが設けられて
おり、該補助収束レンズは補助収束レンズ電源8よりの
励磁電源により励磁される。
An auxiliary converging lens I is provided near the converging lens 4, and the auxiliary converging lens I is excited by an excitation power source from an auxiliary converging lens power source 8.

収束レンズによって収束された電子線は更に対物レンズ
9によって試料10上に収束される。
The electron beam focused by the converging lens is further focused onto the sample 10 by the objective lens 9.

11は対物レンズ電源である。11 is an objective lens power supply.

該対物レンズ電源11には高圧電源3より加速電圧に応
じた信号が供給されており、該対物レンズの励磁電流は
加速電圧にかかわりなく、常に試料10上に電子ビーム
が収束されるような電流に制御される。
The objective lens power supply 11 is supplied with a signal corresponding to the accelerating voltage from the high voltage power supply 3, and the excitation current of the objective lens is such a current that the electron beam is always focused on the sample 10, regardless of the accelerating voltage. controlled by.

12は穴径の異なった例えば4個のスリット13a、1
3b、13c、13dを有するスリット板である。
12 is, for example, four slits 13a, 1 with different hole diameters.
It is a slit plate having 3b, 13c, and 13d.

該スリット13a 、13b。13c、13dは略以下
のようなプローブ電流範囲に対して最適な孔径を有して
いるものとする。
The slits 13a and 13b. It is assumed that holes 13c and 13d have an optimum hole diameter for the probe current range as shown below.

10 〜10 A 、 13a 10 −1OA 、 13b 10−9〜10 ”A : 13c 10”A以下 : 13d 該スリット板は真空筐体外にとり出された移動軸14に
連結されており、該移動軸14を移動させることにより
前記スリットのうちの任意の1個を光軸15上に配置し
得るようになっている。
10-10 A, 13a 10-1OA, 13b 10-9-10"A: 13c 10"A or less: 13d The slit plate is connected to a moving shaft 14 taken out of the vacuum casing, and the moving shaft 14 By moving the slit, any one of the slits can be placed on the optical axis 15.

16は移動軸14の移動を気密に保持したまま行なわせ
しめるための真空シール部材である。
Reference numeral 16 denotes a vacuum seal member for allowing the movement of the moving shaft 14 to be carried out while keeping it airtight.

前記移動軸14はスリット検出回路17に機械的に連結
されている。
The moving shaft 14 is mechanically connected to a slit detection circuit 17.

該スリット検出回路11は移動軸14の位置を検出する
ことにより前記光軸15上にスリット13a、13b、
13c、13dのうちのどのスリットが配置されたかを
表わす信号を出力する。
The slit detection circuit 11 detects the position of the moving axis 14 to detect slits 13a, 13b,
A signal indicating which slit among slits 13c and 13d is placed is output.

該スリット検出回路1γの出力信号は前記収束レンズ電
源6に供給されている。
The output signal of the slit detection circuit 1γ is supplied to the converging lens power supply 6.

上述した構成において、高圧電源3を操作して加速電圧
を所望の値に設定する。
In the above-described configuration, the high-voltage power supply 3 is operated to set the acceleration voltage to a desired value.

しかる後、試料に照射するプローブの電流値に応じてス
リットを選び、該選ばれたスリットが光軸15上に位置
するように移動軸14を操作する。
Thereafter, a slit is selected according to the current value of the probe irradiated onto the sample, and the moving shaft 14 is operated so that the selected slit is located on the optical axis 15.

その結果、高圧電源3より設定された加速電圧に対応し
た信号が、又スリット検出回路17より、選択されたス
リットに対応した信号が収束レンズ電源6に供給される
As a result, the high-voltage power supply 3 supplies a signal corresponding to the set acceleration voltage, and the slit detection circuit 17 supplies a signal corresponding to the selected slit to the converging lens power supply 6.

その結果、該選択された加東電圧とスリットの条件のも
とで、最も細い電子線プローブが形成されるように収束
レンズ電源5から収束レンズ4に供給される励磁電流が
自動的に調整される。
As a result, under the selected Kato voltage and slit conditions, the excitation current supplied from the converging lens power supply 5 to the converging lens 4 is automatically adjusted so that the thinnest electron beam probe is formed. .

このようにして、本発明により簡単な操作で所望の加速
電圧とビーム電流に対して、最も電子プローブ径を小さ
くすることのできる収束レンズの励磁電流とスリットの
孔径との組合わせを設定することができる。
In this way, according to the present invention, the combination of the excitation current of the converging lens and the aperture diameter of the slit that can minimize the electron probe diameter can be set with a simple operation for a desired acceleration voltage and beam current. I can do it.

尚、収束レンズの励磁の強度を測定の特殊な要請により
、微調整するためには、補助収束レンズ電源8を操作す
れば良い。
The auxiliary converging lens power supply 8 may be operated to finely adjust the excitation intensity of the converging lens according to special requirements of the measurement.

第2図は更に他の実施例を詳述したもので、第2図にお
いて第1図と同一構成要素に対しては同一番号を付して
その説明を省略する。
FIG. 2 shows a further detailed explanation of another embodiment, and in FIG. 2, the same components as in FIG.

第1図と異なるところの1つは収束レンズ電源6に電子
ビーム電流設定部18が具備されており、該収束レンズ
電源6は高圧電源3よりの加速電圧に応じた信号の代わ
りに該電子ビーム電流設定部18よりの信号により制御
される。
One difference from FIG. 1 is that the converging lens power source 6 is equipped with an electron beam current setting section 18, and the converging lens power source 6 receives the electron beam instead of a signal corresponding to the accelerating voltage from the high voltage power source 3. It is controlled by a signal from the current setting section 18.

該電子ビーム電流設定部18は操作者が、所望とする電
子ビーム電流に設定すると、該設定された電子ビーム電
流に対応した信号を収束レンズ電源6に与え、収束レン
ズ電流を最適なものにするためのものである。
When the operator sets the electron beam current to a desired electron beam current, the electron beam current setting section 18 gives a signal corresponding to the set electron beam current to the converging lens power supply 6 to optimize the converging lens current. It is for.

更に移動軸14はスリット交換装置19に機械的に接続
されている。
Furthermore, the moving shaft 14 is mechanically connected to a slit exchange device 19.

該スリット交換装置19には前記電子ビーム電流設定部
18よりの信号が供給されており、該スリット交換装置
19は電子ビーム電流設定部18よりの信号により、自
動的に最適なスリットを選択して該スリネトを光軸15
上に配置せしめるためのもので、前記移動軸14を移動
せしめるための駆動用モーター等を含んでいる。
The slit exchange device 19 is supplied with a signal from the electron beam current setting section 18, and the slit exchange device 19 automatically selects the optimum slit based on the signal from the electron beam current setting section 18. Optical axis 15
It includes a drive motor and the like for moving the moving shaft 14.

上述した構成において、まず加速電圧を高圧電源3を調
整して所望値に設定した後、試料に照射される電子ビー
ム電流の所望値に応じて電子ビーム電流設定部18を操
作すれば、スリット交換装置19が動作してスリット板
12を移動させ、自動的に最適な孔径を有するスリット
が光軸15上に配置される。
In the above-described configuration, the slit can be replaced by first adjusting the acceleration voltage by adjusting the high-voltage power supply 3 and setting it to a desired value, and then operating the electron beam current setting section 18 according to the desired value of the electron beam current irradiated onto the sample. The device 19 operates to move the slit plate 12, and a slit having the optimum hole diameter is automatically placed on the optical axis 15.

従ってこの場合にも、特定の加速電圧と電子ビーム電流
のもとで、収束レンズの励磁電流とスリット径とよりな
る組合わせを最適なものに選ぶことができ、その結果最
も細い電子線プローブを試料に照射することができる。
Therefore, in this case as well, it is possible to select the optimum combination of the excitation current of the converging lens and the slit diameter under a specific accelerating voltage and electron beam current, and as a result, the thinnest electron beam probe can be obtained. The sample can be irradiated.

尚、上述した実施例においてはスリットの孔径が段階的
に変化している如きスリット板を用いたが、連続可変ス
リットを用いれば常にスリットの孔径を連続的に制御す
るととができるため、より精密な制御が可能になる。
In the above-mentioned embodiment, a slit plate was used in which the diameter of the slits was changed stepwise, but if a continuously variable slit is used, the diameter of the slits can be continuously controlled at all times, making it more precise. control becomes possible.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を、第2図は本発明の他の実
施例を詳述するためのものである。 1:筐体、2:電子銃、3:高圧電源、4:電子ビーム
、5:収束レンズ、6:収束レンズ電源、T:補助収束
レンズ、8:補助収束レンズ電源、9:対物レンズ、1
0:試料、11:対物レンズ電源、12ニスリツト板、
13a、13b、13c。 13dニスリツト、14:移動軸、15:光軸、16:
真空シール部材、17:スリット検出回路、18:電子
ビーム電流設定部、19ニスリツト交換装置。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 illustrates one embodiment of the present invention, and FIG. 2 illustrates another embodiment of the present invention in detail. 1: Housing, 2: Electron gun, 3: High voltage power supply, 4: Electron beam, 5: Converging lens, 6: Converging lens power supply, T: Auxiliary converging lens, 8: Auxiliary converging lens power supply, 9: Objective lens, 1
0: sample, 11: objective lens power supply, 12 Nislit plate,
13a, 13b, 13c. 13d Nislit, 14: Moving axis, 15: Optical axis, 16:
Vacuum seal member, 17: Slit detection circuit, 18: Electron beam current setting section, 19 Nislit exchange device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電子銃より発生した電子ビームを試料上に照射する
ための収束レンズ及び対物レンズと、該対物レンズの近
傍に配置され孔径を変化させることのできるスリット手
段と、前記収束レンズを励磁する収束レンズ電源とを具
備する装置において、前記試料を照射する電子ビームの
所望とするビーム電流値に応じて前記スリット手段及び
前記収束レンズ電源を制御する手段を設けたことを特徴
とする電子プローブ装置。
1. A convergent lens and an objective lens for irradiating an electron beam generated from an electron gun onto a sample, a slit means arranged near the objective lens and capable of changing the aperture diameter, and a convergent lens for exciting the convergent lens. What is claimed is: 1. An electron probe device comprising: a power source; the apparatus further comprising means for controlling the slit means and the converging lens power source according to a desired beam current value of an electron beam irradiating the sample.
JP53021738A 1978-02-27 1978-02-27 electronic probe device Expired JPS5854463B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53021738A JPS5854463B2 (en) 1978-02-27 1978-02-27 electronic probe device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53021738A JPS5854463B2 (en) 1978-02-27 1978-02-27 electronic probe device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54114173A JPS54114173A (en) 1979-09-06
JPS5854463B2 true JPS5854463B2 (en) 1983-12-05

Family

ID=12063407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53021738A Expired JPS5854463B2 (en) 1978-02-27 1978-02-27 electronic probe device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5854463B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294148U (en) * 1985-11-29 1987-06-16

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106747A (en) * 1981-12-18 1983-06-25 Hitachi Ltd Automatic axis coincidence device of charged particle beam-focusing system
JPS5968158A (en) * 1982-09-27 1984-04-18 Jeol Ltd Electron ray device
JPS6126249U (en) * 1984-07-24 1986-02-17 日本電子株式会社 Optimal aperture diameter indicator
JP2635028B2 (en) * 1986-10-24 1997-07-30 株式会社日立製作所 Microwave ion source
JP3319854B2 (en) * 1994-02-04 2002-09-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 Scanning electron microscope
JP3544438B2 (en) * 1996-09-30 2004-07-21 セイコーインスツルメンツ株式会社 Processing equipment using ion beam
JP5331073B2 (en) * 2010-09-13 2013-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ Electron beam equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294148U (en) * 1985-11-29 1987-06-16

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54114173A (en) 1979-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7598497B2 (en) Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus
JP3542140B2 (en) Projection type ion beam processing equipment
JPH10223574A (en) Machining observation device
JPS5854463B2 (en) electronic probe device
US4547669A (en) Electron beam scanning device
JP2001235438A (en) Image observation method and scanning electron microscope
JP2685603B2 (en) Electron beam equipment
CN111971774B (en) charged particle beam device
US4687931A (en) Scanning electron microscope
JP2006040777A (en) Electron microscope
JPH11135052A (en) Scanning electron microscope
JP2000113845A (en) Field emission type scanning electron microscope
JPH0535540B2 (en)
JPS5858779B2 (en) Field of view moving device for electron microscopes, etc.
JPS59108250A (en) Electron beam device
JPH11307031A (en) Analytic electron microscope
JP2636381B2 (en) Electron beam equipment
JP2007225407A (en) Electronic spectroscopic device
JPH09283071A (en) Electron beam device
JPH04522Y2 (en)
JPS6342460Y2 (en)
JPS59194336A (en) X-ray micro analyzer
JPS62296351A (en) Charged beam device
JPH11233058A (en) Electron microscope
JPH05159736A (en) Scanning electron microscope