JPS585435Y2 - インバ−タソウチ ノ ゲ−トギヤクバイアスカイロ - Google Patents
インバ−タソウチ ノ ゲ−トギヤクバイアスカイロInfo
- Publication number
- JPS585435Y2 JPS585435Y2 JP6219874U JP6219874U JPS585435Y2 JP S585435 Y2 JPS585435 Y2 JP S585435Y2 JP 6219874 U JP6219874 U JP 6219874U JP 6219874 U JP6219874 U JP 6219874U JP S585435 Y2 JPS585435 Y2 JP S585435Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- reverse bias
- thyristors
- pair
- inverter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Power Conversion In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はインバータ装置のゲート逆バイアス回路に関す
るものである。
るものである。
従来、並列接続されたサイリスタのゲート逆バイアス回
路には、それぞ゛れのサイリスタについて１個ずつ、半
導体スイッチを必要とするか、あるいは、サイリスタの
ゲートと直列に抵抗を接続して半導体スイッチを負電圧
に接続する方法があった。
路には、それぞ゛れのサイリスタについて１個ずつ、半
導体スイッチを必要とするか、あるいは、サイリスタの
ゲートと直列に抵抗を接続して半導体スイッチを負電圧
に接続する方法があった。
しかしながら、部品点数が増加したり、あるいはゲート
と直列に抵抗を接続して逆バイアスをかけると、サイリ
スタの逆バイアス特性が悪化する等の欠点があった。
と直列に抵抗を接続して逆バイアスをかけると、サイリ
スタの逆バイアス特性が悪化する等の欠点があった。
本考案は、サイリスタのゲート逆バイアス特性を良好に
し、しかも部品点数を少なくして故障の少ないインバー
タ装置のゲート逆バイアス回路を提供しようとするもの
である。
し、しかも部品点数を少なくして故障の少ないインバー
タ装置のゲート逆バイアス回路を提供しようとするもの
である。
本考案の一実施例を添付図面を参照して説明する。
図において、１は直流電源、２はインバータ回路で゛、
この回路中に設けたサイリスタ２１とサイリスタ２２は
並列接続されており、非安定マルチバイブレータ回路３
により、ゲートドライブ回路４が同期して、サイリスタ
２１．サイリスタ２２が周期的にしかも同時にゲートト
リガされる。
この回路中に設けたサイリスタ２１とサイリスタ２２は
並列接続されており、非安定マルチバイブレータ回路３
により、ゲートドライブ回路４が同期して、サイリスタ
２１．サイリスタ２２が周期的にしかも同時にゲートト
リガされる。
ゲートドライブ回路４は非安定マルチバイブレータ回路
３の微分信号に応じて、ゲートドライブ端子ｇｘ、ｇ２
よりゲート抵抗５、ゲート抵抗６を介して、サイリスタ
２１、サイリスタ２２のゲートにパルス電流を加える。
３の微分信号に応じて、ゲートドライブ端子ｇｘ、ｇ２
よりゲート抵抗５、ゲート抵抗６を介して、サイリスタ
２１、サイリスタ２２のゲートにパルス電流を加える。
このゲートトリガパルス電流は、端子ｇ１よりゲート抵
抗５を介してサイリスタ２２のゲート、カソード間に流
れ、サイリスタ２２のカソードより、ゲートドライブ回
路４のマイナス端子にへ流れ込む。
抗５を介してサイリスタ２２のゲート、カソード間に流
れ、サイリスタ２２のカソードより、ゲートドライブ回
路４のマイナス端子にへ流れ込む。
そして非安定マルチバイブレータ回路３の出力電圧がハ
イレベルの時、ゲートドライブ回路４をドライブし、ロ
ーレベルの時、ゲート逆バイアスドライブ回路７を駆動
する。
イレベルの時、ゲートドライブ回路４をドライブし、ロ
ーレベルの時、ゲート逆バイアスドライブ回路７を駆動
する。
またサイリスタ２１゜２２のゲートより、ダイオード８
とダイオード９のカソードを共通に接続し、ゲート逆バ
イアス半導体スイッチ１０を介して、ゲート逆バイアス
電源１１のマイナス側に接続する。
とダイオード９のカソードを共通に接続し、ゲート逆バ
イアス半導体スイッチ１０を介して、ゲート逆バイアス
電源１１のマイナス側に接続する。
一方、ゲート逆バイアス電源１１のプラス側はサイリス
タ２１．２２のカソードに接続する。
タ２１．２２のカソードに接続する。
第２図には、第１図の波形関係を示し、第２図ａはサイ
リスタ２１．２２のアノード電流を示し、ｂ図のＡはゲ
ートトリガ電圧で、ゲートドライブ回路４の出力電圧で
ある。
リスタ２１．２２のアノード電流を示し、ｂ図のＡはゲ
ートトリガ電圧で、ゲートドライブ回路４の出力電圧で
ある。
端子ｇｔ、ｇｚとも通常同じ電圧で、ゲート抵抗５，６
によってゲート電流のバランスをとっている。
によってゲート電流のバランスをとっている。
非安定マルチバイブレータ回路３の出力電圧がローレベ
ルの時、ゲート逆バイアスドライブ回路７によりゲート
逆バイアス半導体スイッチ１０はオン状態となり、サイ
リスタ２１゜２２のゲートはダイオード８，９を介して
、ゲート逆バイアス電源１１により、第２図すの実線Ｃ
の如く逆バイアスされる。
ルの時、ゲート逆バイアスドライブ回路７によりゲート
逆バイアス半導体スイッチ１０はオン状態となり、サイ
リスタ２１゜２２のゲートはダイオード８，９を介して
、ゲート逆バイアス電源１１により、第２図すの実線Ｃ
の如く逆バイアスされる。
第３図には、逆バイアス電圧とサイリスタのターンオフ
タイムの関係を示し、実線ａはサイリスクのゲートと逆
バイアス電圧との間の抵抗が高く、実線すは、ゲート逆
バイアス電圧間の抵抗が小さい場合で、ダイオードを介
して、ゲート逆バイアス電圧を加えると、ターンオフタ
イムは短かくなることがわかる。
タイムの関係を示し、実線ａはサイリスクのゲートと逆
バイアス電圧との間の抵抗が高く、実線すは、ゲート逆
バイアス電圧間の抵抗が小さい場合で、ダイオードを介
して、ゲート逆バイアス電圧を加えると、ターンオフタ
イムは短かくなることがわかる。
以上述べた如く、本考案によれば、サイリスタゲートと
逆バイアス電圧間の抵抗が非常に小さくて、ターンオフ
タイムが短かくなる。
逆バイアス電圧間の抵抗が非常に小さくて、ターンオフ
タイムが短かくなる。
また、ゲーＩ・逆バイアス半導体スイッチがオフ状態の
時、ダイオードにより並列接続されたサイリスタのそれ
ぞれのゲート間は分離されており、ゲート電流はゲート
抵抗によってほぼ決定される。
時、ダイオードにより並列接続されたサイリスタのそれ
ぞれのゲート間は分離されており、ゲート電流はゲート
抵抗によってほぼ決定される。
また、ゲート逆バイアス半導体スイッチ１個で複数個並
列接続されたサイリスタのゲート逆バイアスが可能で、
部品点数が減少する特徴を有する。
列接続されたサイリスタのゲート逆バイアスが可能で、
部品点数が減少する特徴を有する。
第１図は本考案の一実施例を示す電気回路図、第２図は
第１図の波形関係を示す説明図、第３図はサイリスタの
ターンオフタイムとゲート逆バイアス電圧との相関を示
す説明図である。 ８．９・・・・・・ダイオード、１０・・・・・・ゲー
ト逆バイアス半導体スイッチ、１１・・・・・・逆バイ
アス電源、２１．２２・・・・・・ダイオード。
第１図の波形関係を示す説明図、第３図はサイリスタの
ターンオフタイムとゲート逆バイアス電圧との相関を示
す説明図である。 ８．９・・・・・・ダイオード、１０・・・・・・ゲー
ト逆バイアス半導体スイッチ、１１・・・・・・逆バイ
アス電源、２１．２２・・・・・・ダイオード。
Claims (1)
- 並列接続された一対のサイリスタと、この一対のサイリ
スタのゲートにそれぞれカソード側端子を接続した一対
のダイオードと、上記一対のダイオードのアノード側端
子がコレクタに接続されるゲート逆バイアス用のトラン
ジスタと、上記一対のサイリスタのカソードに＋側が接
続され上記トランジスタのエミッタ側に一側が接続され
る逆バイアス電源と、ゲートドライブ手段およびゲート
逆バイアスドライブ手段に出力を印加する非安定マルチ
回路と、上記ゲートドライブ手段の出力を上記それぞれ
のサイリスタのゲートに接続する手段と、上記ゲート逆
バイアスドライブが手段の出力を上記トランジスタのベ
ースに印加する手段とを備えたインバータ装置のゲート
逆バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219874U JPS585435Y2 (ja) | 1974-05-29 | 1974-05-29 | インバ−タソウチ ノ ゲ−トギヤクバイアスカイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219874U JPS585435Y2 (ja) | 1974-05-29 | 1974-05-29 | インバ−タソウチ ノ ゲ−トギヤクバイアスカイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50149821U JPS50149821U (ja) | 1975-12-12 |
| JPS585435Y2 true JPS585435Y2 (ja) | 1983-01-29 |
Family
ID=28223443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6219874U Expired JPS585435Y2 (ja) | 1974-05-29 | 1974-05-29 | インバ−タソウチ ノ ゲ−トギヤクバイアスカイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585435Y2 (ja) |
-
1974
- 1974-05-29 JP JP6219874U patent/JPS585435Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50149821U (ja) | 1975-12-12 |
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