JPS5854321A - エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPS5854321A JPS5854321A JP15349581A JP15349581A JPS5854321A JP S5854321 A JPS5854321 A JP S5854321A JP 15349581 A JP15349581 A JP 15349581A JP 15349581 A JP15349581 A JP 15349581A JP S5854321 A JPS5854321 A JP S5854321A
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- Japan
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- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全固体形エレクトロクロンツク表示素子に係ル
、とくに着消色特性が優れかつ長寿命で経時変化の少な
いエレクトロクロイック素子に関するものである。
、とくに着消色特性が優れかつ長寿命で経時変化の少な
いエレクトロクロイック素子に関するものである。
従来、全固体形のエレクトロクロミック表示素子［ＩＦ
５図に示すように、ガラス基板１上に形成され喪１対の
電極２．５間にたと＾ばＷ偽から成るエレクトロクロミ
ック（ＥＣ）物質層３と電解質層４が積層されている。
５図に示すように、ガラス基板１上に形成され喪１対の
電極２．５間にたと＾ばＷ偽から成るエレクトロクロミ
ック（ＥＣ）物質層３と電解質層４が積層されている。
この場合の着消色動作の繰返しに伴い、これらのＥＣ物
質層５や電解質層４の内部に隣接層からの原子１分子ま
丸線イオンが拡散して原子特性劣化の１つの原因となっ
ていた。
質層５や電解質層４の内部に隣接層からの原子１分子ま
丸線イオンが拡散して原子特性劣化の１つの原因となっ
ていた。
一方、企画体形ＯＥＣ表示素子では、ＥＣ物質層と電解
質層に多量の水分を吸着させることが、着消色速度と着
色＠度の特性を向上させる九めに有効であることが知ら
れている。とζろが、このように水分を吸着したＭ線多
孔質の構造となル、隣接層から原子１分子また紘イオン
の拡散を受妙易い。従って＠Ｏ組成分布が、経時的に変
化し、素子特性が劣化するという問題があった。
質層に多量の水分を吸着させることが、着消色速度と着
色＠度の特性を向上させる九めに有効であることが知ら
れている。とζろが、このように水分を吸着したＭ線多
孔質の構造となル、隣接層から原子１分子また紘イオン
の拡散を受妙易い。従って＠Ｏ組成分布が、経時的に変
化し、素子特性が劣化するという問題があった。
本発明の目的はＥＣ物質層と電解質層の内部に隣接層か
らの原子１分子、イオンの拡散を防止し、着消色特性が
優れ、長寿命で経時変化の少ないＥＣ素子を提供するこ
とである。
らの原子１分子、イオンの拡散を防止し、着消色特性が
優れ、長寿命で経時変化の少ないＥＣ素子を提供するこ
とである。
前記目的を達成するため、本発明のＥＣ表示嵩素子１対
のｍ極間に少なくともエレクトロクロ（ツク吻質層と電
解質層とを有する企画体形エレクトロクロミック表示素
子において、エレクトロクロ建ツク物質層とＩＩＥＩｉ
の間と、電解質層と電極の閾の何れかま、丸は両方に、
原子１分子およびイオンの拡散防止層を形成したことを
特徴とするものである。
のｍ極間に少なくともエレクトロクロ（ツク吻質層と電
解質層とを有する企画体形エレクトロクロミック表示素
子において、エレクトロクロ建ツク物質層とＩＩＥＩｉ
の間と、電解質層と電極の閾の何れかま、丸は両方に、
原子１分子およびイオンの拡散防止層を形成したことを
特徴とするものである。
以下事始＠を実−例につ龜詳述する。
第２図は本発明の実施例の構成説明図である。
同図において、ガラス基板１の上に、籐１の透明電極２
としてＩＴＯを２００ＯＡの厚さに形成する。
としてＩＴＯを２００ＯＡの厚さに形成する。
さらにその上に本発明の拡散防止層１１として非晶質シ
リコン（ａ−８１）を１００〜１０００ＡＯ厚さに形成
する。その上に電解質層Ｓとして１５０ｏＸ厚さの非晶
質酸化クロム（ａ−ＣｒｓＯｓ）と、その上にエレクト
ロクロ建ツク物質層４として４０００〜５０００ムの非
晶質酸化タングステン（ａ −ｗＯｓ ）をＩＥ着Ｌ、
ａらにその上に本発明の［２の拡散防止Ｍ＆１２として
非晶質シリコン（ａ−８ｔ）を１００〜１０００Ｘの厚
さに形成し、さらに籐２の透明電極５として厚さ２００
０ムのＩＴＯを鵬次被着する。同図線透過形の素子であ
るがまたとえば電電５を銀電極とした反射形の素子も可
能でＴｏル、この場合紘拡散防止龜１２紘不要である。
リコン（ａ−８１）を１００〜１０００ＡＯ厚さに形成
する。その上に電解質層Ｓとして１５０ｏＸ厚さの非晶
質酸化クロム（ａ−ＣｒｓＯｓ）と、その上にエレクト
ロクロ建ツク物質層４として４０００〜５０００ムの非
晶質酸化タングステン（ａ −ｗＯｓ ）をＩＥ着Ｌ、
ａらにその上に本発明の［２の拡散防止Ｍ＆１２として
非晶質シリコン（ａ−８ｔ）を１００〜１０００Ｘの厚
さに形成し、さらに籐２の透明電極５として厚さ２００
０ムのＩＴＯを鵬次被着する。同図線透過形の素子であ
るがまたとえば電電５を銀電極とした反射形の素子も可
能でＴｏル、この場合紘拡散防止龜１２紘不要である。
この素子のＩＣＩｍ質層５と電解質層４では着消色速度
と渚色畿友の特性を向上する丸め、多量の水分七獣着さ
せている。
と渚色畿友の特性を向上する丸め、多量の水分七獣着さ
せている。
その丸め、それぞれの物質を被層させる蒸着、スパッタ
リングま九はイオンブレーティングＯＳ造工程で水蒸気
を含む雰囲気中で行なうように構成される。これによ＃
、Ｉｃ物質層５中電解質層４は多量の水分ｔ＠着して多
孔質とな）隣接層から原子２分子およびイオンの拡散を
受けるおそれが出てくる。本発明の拡散防止層１１ 、
１２紘これを防止するために設けられ、前記の襄造工機
と関連する。
リングま九はイオンブレーティングＯＳ造工程で水蒸気
を含む雰囲気中で行なうように構成される。これによ＃
、Ｉｃ物質層５中電解質層４は多量の水分ｔ＠着して多
孔質とな）隣接層から原子２分子およびイオンの拡散を
受けるおそれが出てくる。本発明の拡散防止層１１ 、
１２紘これを防止するために設けられ、前記の襄造工機
と関連する。
拡散防止層１１．１２としては、導電率がＥＣ＊質ｏｗ
ｏｓと同程度か、これよ）高いことが望ましい。
ｏｓと同程度か、これよ）高いことが望ましい。
そして、原子２分子およびイオンの拡散を防止するのに
十分なＩ！直緻密な膜でなくてはならない。
十分なＩ！直緻密な膜でなくてはならない。
このような条件を満たすために、非晶質シリコン（ａ−
８１）をＳ ｉ ［４とＰＨｓの混合雰囲気中における
グロー放電によ多形成する。ＰＨ２Ｏ５１ｇ４Ｋ 対す
る混合地線１０１〜１「１とする。
８１）をＳ ｉ ［４とＰＨｓの混合雰囲気中における
グロー放電によ多形成する。ＰＨ２Ｏ５１ｇ４Ｋ 対す
る混合地線１０１〜１「１とする。
拡散防止Ｍｌｌ、１２を設けない従来の素子では素子特
性が経時変化によル劣化し、たとえば製造１日後の着色
時間（Δ０．Ｄ、 −（Ｌ５ ）が１００ｍ５であるの
に対し、１ｔ月後に拡６０口ｍａｔで迦〈なった。１九
、１００００回の着消色動作の繰返しによシー着色速度
が約３分の１に遅くなった。これに対し拡散防止ｊ１１
１，１２を設けた本発明の素子では経時変化による特性
の劣化も繰返しによる劣化も殆ど認めもれなかつ九。
性が経時変化によル劣化し、たとえば製造１日後の着色
時間（Δ０．Ｄ、 −（Ｌ５ ）が１００ｍ５であるの
に対し、１ｔ月後に拡６０口ｍａｔで迦〈なった。１九
、１００００回の着消色動作の繰返しによシー着色速度
が約３分の１に遅くなった。これに対し拡散防止ｊ１１
１，１２を設けた本発明の素子では経時変化による特性
の劣化も繰返しによる劣化も殆ど認めもれなかつ九。
拡散防止膜１１．１２に使用できる他の材料としては、
酸化すず（５ｎＯｓ ） ｅ結晶質酸化タングステン（
ｅ−Ｗｏｎ）等がめる。
酸化すず（５ｎＯｓ ） ｅ結晶質酸化タングステン（
ｅ−Ｗｏｎ）等がめる。
以上説明しえように、本発明によれば、全固体形ＥＣ表
示索子の電極とＥＣ物質層、電解質層の閾に拡散防止層
を設けることにょル、とくに着消色特性を向上するため
Ｋ ＥＣ物質層、電解質層に多量の水分を吸着させ良場
合に鉱、１ｌｌＩ接層からの原子１分子およびイオンの
拡散を完全に防止することができ、着消色特性が優れか
つ長寿命で経時変化の少ないＥＣ素子を実現するのに極
めて有効である。
示索子の電極とＥＣ物質層、電解質層の閾に拡散防止層
を設けることにょル、とくに着消色特性を向上するため
Ｋ ＥＣ物質層、電解質層に多量の水分を吸着させ良場
合に鉱、１ｌｌＩ接層からの原子１分子およびイオンの
拡散を完全に防止することができ、着消色特性が優れか
つ長寿命で経時変化の少ないＥＣ素子を実現するのに極
めて有効である。
ｊ１１図紘図線例の構成ｍ明図、１ＩＬ２図は本発明の
構成説明図であル、図中、１はガラス基板、２゜５は電
極、５紘工レクトロクロイツク物質層、４は電解質層、
１１，１２ａ拡散防止層を示す。 特許出願人富士通株式会社 復代理人 弁理士 １） 坂 善 １ 第１図 第２図
構成説明図であル、図中、１はガラス基板、２゜５は電
極、５紘工レクトロクロイツク物質層、４は電解質層、
１１，１２ａ拡散防止層を示す。 特許出願人富士通株式会社 復代理人 弁理士 １） 坂 善 １ 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌ）１対の電極間に少なくともエレクトロクロ（ツク
物質層と電解質層とを有すゐ全一体形エレクトロクロイ
ック表示素子において、エレクトロクロミック物質層と
電極の閾と、電解質層と電極の閾の何れかまた紘両方に
、原子９分子およびイオンＯ拡散防止ｌｌ＆を形成した
ことを特徴とするエレクトロクロイック表示素子。 １） １対ＯＳｍ間に少なくともエレクトロクロイッ
ク物質層と電解質層とを有し、エレクトロクロイック層
と電極の間と電解質層と電ＩｉＯ閏の何れかまた紘両方
に、原子２分子およびイオンの拡散防止層を形成する素
子積層部を基板上Ｉｌｃ顔次積層物質を蒸着、スパッタ
リング、まえ線イオンプレーティン／４Ｄ工損で形成す
るエレクトロクロイック表示素子の製造方法において、
前記エレクトロクロイック物質層と電解質層の何れかま
たは両方の工１を水蒸気を含む寥凹気中で行なうように
し九ことを％黴とするエレクトロクロンツク表示素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15349581A JPS5854321A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15349581A JPS5854321A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854321A true JPS5854321A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15563800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15349581A Pending JPS5854321A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10914528B2 (en) | 2011-10-19 | 2021-02-09 | Ws-Warmeprozesstechnik Gmbh | High-temperature heat exchanger |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15349581A patent/JPS5854321A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10914528B2 (en) | 2011-10-19 | 2021-02-09 | Ws-Warmeprozesstechnik Gmbh | High-temperature heat exchanger |
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