JPS5852692B2 - 接触反応器 - Google Patents
接触反応器Info
- Publication number
- JPS5852692B2 JPS5852692B2 JP54144835A JP14483579A JPS5852692B2 JP S5852692 B2 JPS5852692 B2 JP S5852692B2 JP 54144835 A JP54144835 A JP 54144835A JP 14483579 A JP14483579 A JP 14483579A JP S5852692 B2 JPS5852692 B2 JP S5852692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dispersion
- reactor
- catalyst layer
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
- B01J8/04—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds
- B01J8/0492—Feeding reactive fluids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/32—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with formation of free hydrogen
- C07C5/327—Formation of non-aromatic carbon-to-carbon double bonds only
- C07C5/333—Catalytic processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
- B01J2208/00884—Means for supporting the bed of particles, e.g. grids, bars, perforated plates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は接触反応器に関し、詳しくは、ガスを対象とす
る接触反応器内のガスの混合装置の改良に関する。
る接触反応器内のガスの混合装置の改良に関する。
2段または3段以上の触媒層中をガスを通過させて接触
反応を行なう場合、ある段の触媒層を通過したガスまた
はガス混合物(以下、「第一のガス]という)に別のガ
スまたはガス混合物(以下、「第二のガス」という)を
混合したのちに次段の触媒層に送り込む必要をもったプ
ロセスがある。
反応を行なう場合、ある段の触媒層を通過したガスまた
はガス混合物(以下、「第一のガス]という)に別のガ
スまたはガス混合物(以下、「第二のガス」という)を
混合したのちに次段の触媒層に送り込む必要をもったプ
ロセスがある。
たとえば、エチルベンゼンの接触的脱水素によりスチレ
ンを製造するプロセスがそれである。
ンを製造するプロセスがそれである。
脱水素は吸熱反応であるための、前段の触媒層を通過し
た反応ガスは温度が低下してかり、その11では次段で
接触的脱水素反応が通すない。
た反応ガスは温度が低下してかり、その11では次段で
接触的脱水素反応が通すない。
そこで、反応ガス中に高温のスチームを吹き込んで、温
度を高めることが行なわれている。
度を高めることが行なわれている。
この触媒層段間で吹き込1井たスチームは、反応の均一
な進行と高い転化率とを達成するためには、反応ガスと
できるだけ均一に混合することが要求される。
な進行と高い転化率とを達成するためには、反応ガスと
できるだけ均一に混合することが要求される。
一方で、反応器はなるべく小型にしたいから、触媒層段
間つ1り第一のガスと第二のガスとの混合に使用するス
ペースは、可能な限り小さく済1せたい。
間つ1り第一のガスと第二のガスとの混合に使用するス
ペースは、可能な限り小さく済1せたい。
このような要望を調和させるために従来とられて来た手
段は、たとえば一方のガスが軸方向に流れている中へ他
方のガスを放射方向に吹き出すとか、あるいは二重管に
うがった孔から第一、第二のガスを吹き出し、吹き出し
の際に混合をはかるといったものである。
段は、たとえば一方のガスが軸方向に流れている中へ他
方のガスを放射方向に吹き出すとか、あるいは二重管に
うがった孔から第一、第二のガスを吹き出し、吹き出し
の際に混合をはかるといったものである。
これらは、混合の均一さにおいてなお改善の余地があっ
たり、構造が複雑で建設および保守に不利であるという
欠点をもっている。
たり、構造が複雑で建設および保守に不利であるという
欠点をもっている。
本発明はこうした状況にかんがみて研究を重ねた結果到
達した一つの解決策であって、比較的簡単な構造であり
、さしてスペースを使わずに、っ1り反応器を小型に建
設でき、しかも混合の均一さにおいてはすぐれているガ
ス混合装置を有する反応器を提供するものである。
達した一つの解決策であって、比較的簡単な構造であり
、さしてスペースを使わずに、っ1り反応器を小型に建
設でき、しかも混合の均一さにおいてはすぐれているガ
ス混合装置を有する反応器を提供するものである。
本発明の接触反応器は、複数段の触媒充填層を有し、前
段の触媒層を通過した第一のガスに第二のガスを混合し
たのち後段の触媒層を通過させる接触反応器において、
前段の触媒層に続いて設けた少なくとも1枚の垂直仕切
板、それとともに、またはそれに続いて配置した多数の
小孔を有する第二のガスの分散管、ならびにその後にと
りつけたスリットまたは多孔板である分散板、の三者か
ら構成されるガス混合装置をそなえたことを特徴とする
。
段の触媒層を通過した第一のガスに第二のガスを混合し
たのち後段の触媒層を通過させる接触反応器において、
前段の触媒層に続いて設けた少なくとも1枚の垂直仕切
板、それとともに、またはそれに続いて配置した多数の
小孔を有する第二のガスの分散管、ならびにその後にと
りつけたスリットまたは多孔板である分散板、の三者か
ら構成されるガス混合装置をそなえたことを特徴とする
。
図面を参照して本発明の詳細な説明すれば、接触反応器
1は塔状の容器2で形成してあり、その上方から送り込
1れる第一のガスPrGが固定床として設けた触媒第1
層3を通過して第2層4に至る1での間に、垂直仕切板
5により複数のブロックに分割され、そこへ第二のガス
ScGが分散管6に設けた多数の小孔61.61・・・
を通して直角ないし若干向流的に吹きつけられ、ブロッ
クごとの粗混合が行なわれる。
1は塔状の容器2で形成してあり、その上方から送り込
1れる第一のガスPrGが固定床として設けた触媒第1
層3を通過して第2層4に至る1での間に、垂直仕切板
5により複数のブロックに分割され、そこへ第二のガス
ScGが分散管6に設けた多数の小孔61.61・・・
を通して直角ないし若干向流的に吹きつけられ、ブロッ
クごとの粗混合が行なわれる。
両ガスは続いて分散管下の空間でさらに混合したのち、
分散板7の作用により最終的によく混合される。
分散板7の作用により最終的によく混合される。
垂直仕切板5は触媒第1層3の下面のグレーティング(
格子)31の下に、塔の中心を通る位置に設けである。
格子)31の下に、塔の中心を通る位置に設けである。
グレーティング31からガスの分散管6の中心あたり1
でを第1段混合領域1とすれば、その高さは、塔の内径
りのo、18倍以上あることを要する。
でを第1段混合領域1とすれば、その高さは、塔の内径
りのo、18倍以上あることを要する。
これに対応する分散管6の上縁1での距離は、もちろん
分散管の径にもよるが、ふつうは塔径りの0.14倍以
上となるであろう。
分散管の径にもよるが、ふつうは塔径りの0.14倍以
上となるであろう。
垂直仕切板4は第1段混合領域1の全高にわたる必要は
なく、少なくともその1/2の高さを占めていれば効果
がある。
なく、少なくともその1/2の高さを占めていれば効果
がある。
分散管6のガス吹出し用の小孔61,61・・・は、第
二のガスScGの吹出し方向が第一のガスPrGの流れ
に対して直角(90°)か、135°lでの範囲で向流
的になるように設けるのが好ましい。
二のガスScGの吹出し方向が第一のガスPrGの流れ
に対して直角(90°)か、135°lでの範囲で向流
的になるように設けるのが好ましい。
第5図に示した例では、90°、1125°および13
5°の孔の3段の列が設けである。
5°の孔の3段の列が設けである。
135゜を起える向流の場合、かえって混合効果がよく
ない。
ない。
また、第二のガスが高温のスチームなどの場合、上部の
触媒層のグレーティングに直接吹きつけることとなり、
グレーティング材料の耐熱性の面から好1しくない。
触媒層のグレーティングに直接吹きつけることとなり、
グレーティング材料の耐熱性の面から好1しくない。
もちろん、2段以上の孔の列を設けるときでも、各列が
すべて同一方向であってもよい。
すべて同一方向であってもよい。
重要なのは、塔内の断面上の各部分に釦いて吹き出す第
二ガスの量ができるだけ均一になるよう配慮することで
ある。
二ガスの量ができるだけ均一になるよう配慮することで
ある。
それには、後述のように分散管の形状を種々選択するこ
ともよいし、lたは吹出口の位置、数あるいは孔径など
を調節することが有用である。
ともよいし、lたは吹出口の位置、数あるいは孔径など
を調節することが有用である。
分散管6の中心あたりから分散板71での部分を、第2
段混合領域■とする。
段混合領域■とする。
この高さは、塔径りの0.06倍以上とるべきことが経
験的にわかった。
験的にわかった。
分散板7は、通過する第一のガスPrGと第二ノカスS
cGの圧力損失は最少限に止めつつ、最良の混合が実現
するような形状をえらぶ。
cGの圧力損失は最少限に止めつつ、最良の混合が実現
するような形状をえらぶ。
いずれにしても、開口比は35〜60%の範囲が適当で
ある。
ある。
35%に足らないと圧力損失が過大になるし、60%を
超えると混合効果が不十分である。
超えると混合効果が不十分である。
スリットを用いた場合、その並ぶ方向が分散管6からの
第二ガスScGの吹き出し方向とほぼ直角になるように
配置するのがよい。
第二ガスScGの吹き出し方向とほぼ直角になるように
配置するのがよい。
また、第1同転よび第2図に図示したような半径方向に
ガスの分散管6が挿入されている場合にスリットタイプ
の分散板を用いるには、その反応器胴側の分散管の取付
部分の下にあたる個所で、第3図に示すように半月形の
非開口部分71を設けるとよいことがわかった。
ガスの分散管6が挿入されている場合にスリットタイプ
の分散板を用いるには、その反応器胴側の分散管の取付
部分の下にあたる個所で、第3図に示すように半月形の
非開口部分71を設けるとよいことがわかった。
分散板7と触媒第2層4の上面との間を第3段混合領域
■と名つけるとき、その高さは塔径りの0.12倍以上
あればよい。
■と名つけるとき、その高さは塔径りの0.12倍以上
あればよい。
本発明の接触反応器は、上記の構成によるガス混合装置
をそなえることによって、高度に均一な混合が実現する
。
をそなえることによって、高度に均一な混合が実現する
。
これが最大の利益であって、このため接触反応が効率的
に行なわれ、■パスあたりの転化率を高めることができ
る。
に行なわれ、■パスあたりの転化率を高めることができ
る。
一方で、高度に均一な混合を行なうために必要な触媒層
間のスペースは小さくて足りる。
間のスペースは小さくて足りる。
上述の第1〜3段の混合領域■〜■の最少限の高さを合
計したものは、塔径のわずか0.36倍でしかない。
計したものは、塔径のわずか0.36倍でしかない。
この程度のスペースで十分な混合が行なえるとは、従来
期待されなかったことであって、本発明は反応器のコン
パクト化にも太いに寄与する。
期待されなかったことであって、本発明は反応器のコン
パクト化にも太いに寄与する。
世上の説明から理解されるように、本発明にはきわめて
多種の態様が存在し、それらを当業者は容易に実施でき
るであろう。
多種の態様が存在し、それらを当業者は容易に実施でき
るであろう。
たとえば垂直仕切板5は、第1同転よぴ第2図に示した
中心を通る1枚のものに限らず、第6図Aに掲げた平行
に走る複数の板から威るもの、同Bに挙げた十字に交さ
するもの、あるいは同Cにみる同上・円状のものなどが
えらべる。
中心を通る1枚のものに限らず、第6図Aに掲げた平行
に走る複数の板から威るもの、同Bに挙げた十字に交さ
するもの、あるいは同Cにみる同上・円状のものなどが
えらべる。
ガスの分散管6も同様であって、第1図および第2図に
例示した、塔の両側から中心に向けて挿入した2本の組
のほかに、もつと簡単には第7図Aに示すように1本の
ものも可能であるし、同Bに示す矢じり型むよびこれと
同じ効果をもつ同Eの十字型(この場合ガスScGの導
入は下方から十字の交点に向けて行なう)も考えられ、
また同Cに示す円型や同りに示す半円×2個のタイプな
ども可能である。
例示した、塔の両側から中心に向けて挿入した2本の組
のほかに、もつと簡単には第7図Aに示すように1本の
ものも可能であるし、同Bに示す矢じり型むよびこれと
同じ効果をもつ同Eの十字型(この場合ガスScGの導
入は下方から十字の交点に向けて行なう)も考えられ、
また同Cに示す円型や同りに示す半円×2個のタイプな
ども可能である。
垂直仕切板5と分散管6とは、相互に適切な組み合わせ
を用いるべきであって、例をあげれば、第6図Aと第7
図A1第6図Bと第7図BまたはElそして第6図Cと
第7図CtたはDが考えられる。
を用いるべきであって、例をあげれば、第6図Aと第7
図A1第6図Bと第7図BまたはElそして第6図Cと
第7図CtたはDが考えられる。
分散板7も諸態様あり、第3図に示したもののほか、第
8図Aのような格子、同Bのような多孔板など、さ1ざ
1なものが使える。
8図Aのような格子、同Bのような多孔板など、さ1ざ
1なものが使える。
スリットを2枚密接しまたは若干の距離を釦いて重ねて
格子状にするといった使い方もある。
格子状にするといった使い方もある。
なお、触媒層が3段またばそれ以上の多数にわたって反
応器内にある場合であって、段間ごとに第二、第三のガ
スの注入分散を行なうときは、各段間に釦いて本発明の
特徴とするガス混合装置を設けることが推奨される。
応器内にある場合であって、段間ごとに第二、第三のガ
スの注入分散を行なうときは、各段間に釦いて本発明の
特徴とするガス混合装置を設けることが推奨される。
実施例
第1図ないし第3図に示す構造であって、第9図Aおよ
びBに記す各部の寸法が下記のと釦りの触媒を充填した
接触反応器をつくった。
びBに記す各部の寸法が下記のと釦りの触媒を充填した
接触反応器をつくった。
o−0084D 13=0.182D1に0.1
4D 14=0.244D12二0.022D
1.=0.17D16=0.042D
1□=0.028D分散板の開口比は48%である
。
4D 14=0.244D12二0.022D
1.=0.17D16=0.042D
1□=0.028D分散板の開口比は48%である
。
空気にメタンガスを注入して、メタン含有量が500p
prnとなるようにしたものを第一のガスとし、上方か
ら0.77m/secの速度で送り込み、一方、第二ガ
ス分散管からは空気を63m/secの速度で吹き込ん
だ。
prnとなるようにしたものを第一のガスとし、上方か
ら0.77m/secの速度で送り込み、一方、第二ガ
ス分散管からは空気を63m/secの速度で吹き込ん
だ。
第一ガス釦よび第二ガスの容積比は10:8である。
このガスの混合の程度をしらべるため、触媒第2層の上
面からサンプルガスを吸引してとり、メタン含量を測定
した。
面からサンプルガスを吸引してとり、メタン含量を測定
した。
塔断面上の測定点は第10図に示したX−X、Y−Yお
よび2−2の3本の軸に沿い、各軸上に11個設定した
。
よび2−2の3本の軸に沿い、各軸上に11個設定した
。
測定データにもとづき、各点におけるメタン濃度の平均
値からの偏差を算出して第12図のグラフにあられした
。
値からの偏差を算出して第12図のグラフにあられした
。
比較のため、A−垂直仕切板、ガス分散管および分散板
のいずれも設けなかった場合、 B−ガス分散管だけで垂直仕切板と分散板の両方を欠く
場合、むよび C−ガス分散管と分散板は設けたが垂直仕切板のない場
合 について同様の測定をして、第二段の触媒層上面の各点
にむけるメタン濃度の偏りを算出してグラフに示した。
のいずれも設けなかった場合、 B−ガス分散管だけで垂直仕切板と分散板の両方を欠く
場合、むよび C−ガス分散管と分散板は設けたが垂直仕切板のない場
合 について同様の測定をして、第二段の触媒層上面の各点
にむけるメタン濃度の偏りを算出してグラフに示した。
それらは、第11図A、B釦よびCである。
第11図の各グラフおよび第12図のグラフを対比すれ
ば、本発明に従ったガス混合装置により、塔内各点に釦
ける濃度の偏りが小さくなり、従って混合が満足に行な
われたことが明瞭である。
ば、本発明に従ったガス混合装置により、塔内各点に釦
ける濃度の偏りが小さくなり、従って混合が満足に行な
われたことが明瞭である。
第1図、第2図および第3図は本発明の接触反応器の一
例を説明するためのものであって、第1図は一部を省略
した縦断面図であり、第2図は第1図A−A方向の、ま
た第3図はB−B方向の、それぞれ矢視図である。 第4図1よび第5図は分散管の詳細を示すものであって
、第4図は一方を切欠いて縦断面をあられした側面図で
あり、第5図は第4図C−C方向の断面図である。 第6図A、 BおよびCは、いずれも垂直仕切板の諸態
様を示すものであって、第2図と同じ位置に3ける横断
端面図である。 第7図A、 B、 C1D釦よびEは、いずれも分散管
の諸態様を示すものであって、第2図と同じ位置の横断
面において垂直仕切板を除いた図である。 第8図AおよびBは、第3図とは別の分散板の態様を示
す図である。 第9図AJ−よびBは、本発明の実施例にむける各部分
の寸法のとり方る示す図である。 第10図は、本発明の実施例に釦いて空気とメタンとの
混合の効果をしらべるためメタン濃度の測定を行なった
サンプリング点を示す図である。 第11図および第12図は、第10図の各点におけるメ
タン濃度の平均値からの偏りをあられしたグラフであっ
て、第11図A、Bお゛よびCは比較例すなわち本発明
のガス混合装置をそなえない場合、また第12図は本発
明に従った場合をそれぞれ示す。 1・・・・・・接触反応器、2・・・・・・容器(塔)
、3,4・・・・・・触媒層、5・・・・・・垂直仕切
板、6・・・・・・分散管、7・・・・・・分散板。
例を説明するためのものであって、第1図は一部を省略
した縦断面図であり、第2図は第1図A−A方向の、ま
た第3図はB−B方向の、それぞれ矢視図である。 第4図1よび第5図は分散管の詳細を示すものであって
、第4図は一方を切欠いて縦断面をあられした側面図で
あり、第5図は第4図C−C方向の断面図である。 第6図A、 BおよびCは、いずれも垂直仕切板の諸態
様を示すものであって、第2図と同じ位置に3ける横断
端面図である。 第7図A、 B、 C1D釦よびEは、いずれも分散管
の諸態様を示すものであって、第2図と同じ位置の横断
面において垂直仕切板を除いた図である。 第8図AおよびBは、第3図とは別の分散板の態様を示
す図である。 第9図AJ−よびBは、本発明の実施例にむける各部分
の寸法のとり方る示す図である。 第10図は、本発明の実施例に釦いて空気とメタンとの
混合の効果をしらべるためメタン濃度の測定を行なった
サンプリング点を示す図である。 第11図および第12図は、第10図の各点におけるメ
タン濃度の平均値からの偏りをあられしたグラフであっ
て、第11図A、Bお゛よびCは比較例すなわち本発明
のガス混合装置をそなえない場合、また第12図は本発
明に従った場合をそれぞれ示す。 1・・・・・・接触反応器、2・・・・・・容器(塔)
、3,4・・・・・・触媒層、5・・・・・・垂直仕切
板、6・・・・・・分散管、7・・・・・・分散板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数の触媒充填層を有し、前段の触媒層を通過した
第一のガスに第二のガスを混合したのち後段の触媒層を
通過させる接触反応器において、前段の触媒層に続いて
設けた少なくとも1枚の垂直仕切板、それをはさんで、
またそれに続いて配置した多数の小孔を有する第二のガ
スの分散管、ならびにその後に後段の触媒層から離して
とりつけたスリットまたは多孔板である分散板の王者か
ら構成されるガス混合装置をそなえたことを特徴とする
接触反応器。 2 前段の触媒層後面から第二のガスの分散管の中心ま
での間の第1混合領域の高さが反応器の径の0.18倍
以上であり、垂直仕切板の高さが第1段混合領域の高さ
の少なくとも1/2を占める特許請求の範囲第1項の接
触反応器。 3 第二のガスの分散管のガス吹出口を第一のガスの流
れに対し90〜135°の範囲で向流的に設け、かつ垂
直仕切板によって形成された第1段混合領域の複数の区
分の断面積に比例して第二のガスが分配されるよう、個
々の区分ごとに分散管を設けるか、または、吹出口の位
置、数または孔径を調節した特許請求の範囲第1項の接
触反応器。 4 分散管の中心と分散板との間の第2段混合領域の高
さが反応器の径の0.06倍以上である特許請求の範囲
第1項または第2項の接触反応器。 5 分散板の開口比が35〜60%である特許請求の範
囲第1項の接触反応器。 6 分散板がスリットであって、その方向が分散管から
の第二ガスの吹き出し方向とほぼ直角となるように設け
た特許請求の範囲第1項の接触反応器。 7 スリット型の分散板の第二のガスの分散管の反応器
胴側取付部付近に半月形の非開口部を設けた特許請求の
範囲第6項の接触反応器。 8 分散板と後段の触媒層の上面との間の第3段混合領
域の高さが反応器の径0.12倍以上である特許請求の
範囲第1項、第2項または第4項のいずれかの接触反応
器。 9 触媒層が3段またはそれ以上あって、各段間に垂直
仕切板、第二ガスの分散前転よび分散板を配置した特許
請求の範囲第1項ないし第8項のいずれかの接触反応器
。 10 第一のガスがエチルベンゼンを主成分とし、第二
のガスが高温度のスチームであって、接触脱水素により
スチレンを製造するための装置である特許請求の範囲第
1項ないし第9項のいずれかの接触反応器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54144835A JPS5852692B2 (ja) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | 接触反応器 |
FR8023842A FR2472412A1 (fr) | 1979-11-08 | 1980-11-07 | Chambre reactionnelle pour reactions catalytiques comportant un dispositif de melange complet des gaz traites |
DE19803042090 DE3042090A1 (de) | 1979-11-08 | 1980-11-07 | Reaktor fuer katalytische reaktionen |
US06/205,158 US4350665A (en) | 1979-11-08 | 1980-11-10 | Catalytic reactor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54144835A JPS5852692B2 (ja) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | 接触反応器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5667534A JPS5667534A (en) | 1981-06-06 |
JPS5852692B2 true JPS5852692B2 (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=15371536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54144835A Expired JPS5852692B2 (ja) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | 接触反応器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4350665A (ja) |
JP (1) | JPS5852692B2 (ja) |
DE (1) | DE3042090A1 (ja) |
FR (1) | FR2472412A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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