JPS5851949B2 - ナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの精製法 - Google Patents
ナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの精製法Info
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- JPS5851949B2 JPS5851949B2 JP9805481A JP9805481A JPS5851949B2 JP S5851949 B2 JPS5851949 B2 JP S5851949B2 JP 9805481 A JP9805481 A JP 9805481A JP 9805481 A JP9805481 A JP 9805481A JP S5851949 B2 JPS5851949 B2 JP S5851949B2
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- alkyl ester
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式（Ｉ）
）
（式中、Ｒはメチル又はエチル基、置換基の位置は１・
５−又は２・６を示す。
５−又は２・６を示す。
）で表わされるす、フタレンジスルホン酸ジ低級アルキ
ルエステルの精製法に関するものである。
ルエステルの精製法に関するものである。
更に詳しくは一般式（ＩＩ）
（式中、置換基の位置は１・５−又は２・６−を示す。
）で表わされるナフタレンジスルホクロリドと一般式Ｒ
ＯＭ （式中、Ｒはメチル、又はエチル基を示す。
ＯＭ （式中、Ｒはメチル、又はエチル基を示す。
）で表わされる脂肪族アルコールを過剰量用い、アルカ
リ水溶液の存在下で反応させて前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステル
を得る製造法に於て、該生成物中の不純物を除去精製し
高純度で且つ高収率でナフタレンジスルホン酸ジ低級ア
ルキルエステルを得る、精製法に関する。
リ水溶液の存在下で反応させて前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステル
を得る製造法に於て、該生成物中の不純物を除去精製し
高純度で且つ高収率でナフタレンジスルホン酸ジ低級ア
ルキルエステルを得る、精製法に関する。
一般式（Ｉ）で表わされる化合物は活性水素を有する有
機化合物のアルキル化又は、三級アミンの四級アンモニ
ウム化にすぐれた性能を有するものであり、医薬、農薬
、触媒分野への反応中間原料として有用である。
機化合物のアルキル化又は、三級アミンの四級アンモニ
ウム化にすぐれた性能を有するものであり、医薬、農薬
、触媒分野への反応中間原料として有用である。
特に生理活性物質などの中間原料としては極めて高品位
のものが要求されるが、従来製造方法では原料である化
合物（ｎ）より、高純度且つ高収率で化合物（Ｉ）を得
ることは極めて困難であった。
のものが要求されるが、従来製造方法では原料である化
合物（ｎ）より、高純度且つ高収率で化合物（Ｉ）を得
ることは極めて困難であった。
本発明方法は従来法の欠点を改良して、原料である化合
物（ＩＩ）より化合物（Ｉ）を高純度且つ高収率で得る
ことができ、しかも経済性、操作性に優れるため、工業
的実施に極めて有利な精製法である。
物（ＩＩ）より化合物（Ｉ）を高純度且つ高収率で得る
ことができ、しかも経済性、操作性に優れるため、工業
的実施に極めて有利な精製法である。
一般式（■）で表わされるナフタレンジスルホン酸ジ低
級アルキルエステルを常法に従って合成した際に含まれ
る不純物は主に原料の一般式（ＩＩ）で表わされるナフ
タレンジスルホニルクロリドと一般式（ｍ）で表わされ
る反応中間体のモノスルホニルクロリド体、及び一般式
（ＩＶ）で表わされる加水分解生成物のジスルホン酸で
ある。
級アルキルエステルを常法に従って合成した際に含まれ
る不純物は主に原料の一般式（ＩＩ）で表わされるナフ
タレンジスルホニルクロリドと一般式（ｍ）で表わされ
る反応中間体のモノスルホニルクロリド体、及び一般式
（ＩＶ）で表わされる加水分解生成物のジスルホン酸で
ある。
（式中、Ｒ及び置換基の位置は前記と同じ。
）この同化合物（ｍ）は化合物（Ｉ）と溶解性、融点が
近似しているため、通常の溶媒再結晶法では充分に除く
ことができない。
近似しているため、通常の溶媒再結晶法では充分に除く
ことができない。
（比較例参照）本発明法は通常の溶媒再結晶法に化学的
処理操作を加えることにより、不純物である化合物（ｎ
）、（Ｉ［）を目的化合物（Ｉ）に変換する一方、水洗
処理操作により水溶性不純物を除去してしまうため、極
めて高品位の目的化合物（Ｉ）を得られる特徴をもつ。
処理操作を加えることにより、不純物である化合物（ｎ
）、（Ｉ［）を目的化合物（Ｉ）に変換する一方、水洗
処理操作により水溶性不純物を除去してしまうため、極
めて高品位の目的化合物（Ｉ）を得られる特徴をもつ。
更にもう一つの特徴は、再結晶母液中には不純物が殆ん
ど含まれていないため、母液の循環再使用が容易であり
、そのため精製収率は通常の方法より高く、クローズド
システム化も可能である。
ど含まれていないため、母液の循環再使用が容易であり
、そのため精製収率は通常の方法より高く、クローズド
システム化も可能である。
又、再結晶用の溶媒として、化合物（ｎ）と（ＩＩＩ）
の溶解度差を考慮する必要がないため広い範囲で溶媒が
選択できる。
の溶解度差を考慮する必要がないため広い範囲で溶媒が
選択できる。
更に本発明方法によれば化合物（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の
含有率が高い場合でも化学処理剤を若干過剰に加えるこ
とにより、解決できるため工業的実施に於て極めて有利
である。
含有率が高い場合でも化学処理剤を若干過剰に加えるこ
とにより、解決できるため工業的実施に於て極めて有利
である。
本発明方法で用いられる溶媒としての条件は、（１）非
水溶性、（２沖性、（３）化合物（Ｉ）及び化合物（Ｉ
Ｉ）の溶解度が高いことであり、この様な溶媒としては
ハロゲン化炭化水素は適当な溶媒である。
水溶性、（２沖性、（３）化合物（Ｉ）及び化合物（Ｉ
Ｉ）の溶解度が高いことであり、この様な溶媒としては
ハロゲン化炭化水素は適当な溶媒である。
この他の溶媒としてメチルイソブチロケトンのようなケ
トン系溶媒も使用できるが、若干水に溶けるので好まし
くない。
トン系溶媒も使用できるが、若干水に溶けるので好まし
くない。
プロピレンカーボネートのような、エステル系溶媒も使
用できるが高価であるので経済的に不利である。
用できるが高価であるので経済的に不利である。
又、化学処理剤としてはナトリウムアルコラード又はカ
リウムアルコラードが適当である。
リウムアルコラードが適当である。
本発明方法は次の４段階より戒る。
第１段階、不純物として化合物（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、
（ＩＶ）を含むナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキル
エステル（■）をジクロロメタン、ジクロロエタンのよ
うな塩素系炭化水素溶媒に溶解し、充分に脱水する。
（ＩＶ）を含むナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキル
エステル（■）をジクロロメタン、ジクロロエタンのよ
うな塩素系炭化水素溶媒に溶解し、充分に脱水する。
第２段階、ナトリウムアルコラード又はカリウムアルコ
ラードのアルコール溶液を加えて、化合物（ＩＩ）、（
ｍ）を化合物（Ｉ）に変換する。
ラードのアルコール溶液を加えて、化合物（ＩＩ）、（
ｍ）を化合物（Ｉ）に変換する。
アルコラードの添加量は系内のスルホニルクロリド体と
の反応及び水との反応に必要な化学量論量でよい。
の反応及び水との反応に必要な化学量論量でよい。
第３段階、水溶性不純物を水で抽出する。
第椴階、再結晶、１過、乾燥して目的物を得る。
第１〜第３段階の操作温度は容積効率を上げるため、５
０〜１００℃、好ましくは６０〜９０℃で行なう。
０〜１００℃、好ましくは６０〜９０℃で行なう。
以下、参考例、実施例及び比較例を掲げて本発明を具体
的に説明する。
的に説明する。
参考例 １
１・５−ナフタレンジスルホニルクロリドト（ｎ）３２
５Ｐ（１，０モル）及び４８％ＮａＯＨ水溶液１８３Ｓ
’（２，２モル）を別々の添加装置にセットした５１反
応器にメタノール２１を仕込み、水浴で１０℃以下に冷
却した。
５Ｐ（１，０モル）及び４８％ＮａＯＨ水溶液１８３Ｓ
’（２，２モル）を別々の添加装置にセットした５１反
応器にメタノール２１を仕込み、水浴で１０℃以下に冷
却した。
（ｎ）の１１５分割を加えよく攪拌し、次に化学量論量
のＮａＯＨ水溶液を加えた所、急激に発熱し、１５〜２
０℃に昇温した。
のＮａＯＨ水溶液を加えた所、急激に発熱し、１５〜２
０℃に昇温した。
発熱が止み再び１０℃以下に下がった時点で、再び同様
の操作を４回繰り返し、最終的に全ての（ＩＩ）とＮａ
ＯＨ水溶液を加えた。
の操作を４回繰り返し、最終的に全ての（ＩＩ）とＮａ
ＯＨ水溶液を加えた。
このものを１過、水洗、乾燥して３１２′？の白色粗結
晶を得た。
晶を得た。
高速液体クロマトグラフィーで分析した結果、■・５−
ナフタレンジスルホン酸ジメチル含量９８．５％であり
、モノスルホニルクロリド体を１．５％含有していた。
ナフタレンジスルホン酸ジメチル含量９８．５％であり
、モノスルホニルクロリド体を１．５％含有していた。
融点２０１’ＧＯ実施例 １
参考例１で得られた白色粗結晶３１０１とジクロルエタ
ン６．７１を１０１反応器に仕込み、共沸脱水蒸留によ
り系内の水分を０．０２ｗｔ％に減少させた後、約６０
℃にて２８％ナトリウムメチラート−メタノール溶液的
１０Ｐを加えて、不純物のモノスルホニルクロリド体を
１・５−ナフタレンジスルホン酸ジメチルにし、次いで
１回の水洗により水溶性不純物を除去した。
ン６．７１を１０１反応器に仕込み、共沸脱水蒸留によ
り系内の水分を０．０２ｗｔ％に減少させた後、約６０
℃にて２８％ナトリウムメチラート−メタノール溶液的
１０Ｐを加えて、不純物のモノスルホニルクロリド体を
１・５−ナフタレンジスルホン酸ジメチルにし、次いで
１回の水洗により水溶性不純物を除去した。
ジクロルエタン溶液から１・５−ナフタレンジスルホン
酸ジメチルを再結晶させ、１過、乾燥して、純度９９．
９％以上の１・５−ナフタレンジスルホン酸ジメチルの
結晶を２９５ｚ得た。
酸ジメチルを再結晶させ、１過、乾燥して、純度９９．
９％以上の１・５−ナフタレンジスルホン酸ジメチルの
結晶を２９５ｚ得た。
融点２０５℃。参考例 ２
１・５−ナフタレンジスルホニルクロリド（■）３２５
５’（１，０モ）Ｌ／）及び４８％ＮａＯＨ水溶液２０
０ｆ（２，４モル）を参考例１と同様に５１反応器にセ
ットした。
５’（１，０モ）Ｌ／）及び４８％ＮａＯＨ水溶液２０
０ｆ（２，４モル）を参考例１と同様に５１反応器にセ
ットした。
反応器にメタノール２１を仕込み、水浴で１０℃以下に
冷却した。
冷却した。
（ＩＩ）の１７５分割を加えよく攪拌し、次にＮａＯＨ
水溶液の１１５分割（化学量論比１．２）を加えた所急
激に発熱し、１５〜２０℃に昇温した。
水溶液の１１５分割（化学量論比１．２）を加えた所急
激に発熱し、１５〜２０℃に昇温した。
発熱が止み再び１０℃以下に下がった時点で、再び同様
の操作を４回繰り返し、全ての（Ｉ［）とＮａＯＨ水溶
液を加えた。
の操作を４回繰り返し、全ての（Ｉ［）とＮａＯＨ水溶
液を加えた。
このものを１過、水洗、乾燥して３１２１の白色粗結晶
を得た。
を得た。
高速液体クロマトグラフィーで分析した結果、１・５−
ナフタレンジスルホン酸ジメチル含量９２％であり、モ
ノスルホクロリド体を８％含有していた。
ナフタレンジスルホン酸ジメチル含量９２％であり、モ
ノスルホクロリド体を８％含有していた。
実施例 ２
参考例２で得られた粗結晶３１０ｆを用いて実施例１と
同様に行なった結果（使用した２８％ナトリウムメチラ
ートは３０Ｐ）、純度９９．８％以上の１・５−ナフタ
レンジスルホン酸ジメチルの結晶を２９４１得た。
同様に行なった結果（使用した２８％ナトリウムメチラ
ートは３０Ｐ）、純度９９．８％以上の１・５−ナフタ
レンジスルホン酸ジメチルの結晶を２９４１得た。
実施例 ３
参考例１において１・５−ナフタレンジスルホニルクロ
リドの代りに、２・６−ナフタレンジスルホニルクロリ
ドを用い、参考例１と同様に行ない、モノスルホニルク
ロリド体を２％含有スる２−６−ナフタレンジスルホン
酸ジメチルの粗結晶を得た。
リドの代りに、２・６−ナフタレンジスルホニルクロリ
ドを用い、参考例１と同様に行ない、モノスルホニルク
ロリド体を２％含有スる２−６−ナフタレンジスルホン
酸ジメチルの粗結晶を得た。
該粗結晶３１０１を用い、実施例１と同様に行なった結
果（使用した２８％ナトリウムメチラートはｌ０Ｐ）、
純度９９．９％以上の２・６−ナフタレンジスルホン酸
ジメチルの結晶を２９４１得た。
果（使用した２８％ナトリウムメチラートはｌ０Ｐ）、
純度９９．９％以上の２・６−ナフタレンジスルホン酸
ジメチルの結晶を２９４１得た。
実施例 ４
参考例１に於て、メタノールの代りにエタノールを用い
て、参考例１と同様に行ない、モノスルホクロリド体を
２％含有する１・５−ナフタレンジスルホン酸ジエチル
の粗結晶を得た。
て、参考例１と同様に行ない、モノスルホクロリド体を
２％含有する１・５−ナフタレンジスルホン酸ジエチル
の粗結晶を得た。
該粗結晶３１０１を用い、実施例１と同様に行なった結
果（使用した２８％ナトリウムエチラートは１０１）、
純度９９．９％以上の１・５−ナフタレンジスルホン酸
ジエチルの結晶を２９５１得た。
果（使用した２８％ナトリウムエチラートは１０１）、
純度９９．９％以上の１・５−ナフタレンジスルホン酸
ジエチルの結晶を２９５１得た。
参考例 ３
１・５−ナフタレンジスルホニルクロリド（ｎ）３２５
？ （ｉ、ｏモル）及び４８％ＮａＯＨ水溶液１８：
ｌ（２，２モル）を参考例１と同様に５１反応器にセッ
トした。
？ （ｉ、ｏモル）及び４８％ＮａＯＨ水溶液１８：
ｌ（２，２モル）を参考例１と同様に５１反応器にセッ
トした。
反応器中にメタノール２１を仕込み、水浴で１０’Ｃ以
下に冷却した。
下に冷却した。
メタノール中に４８％ＮａＯＨを３３．３ ？ （０，
４−Ｅ＃）加え、５分後に（ｎ）を１１５分割を加え１
０分間攪拌する。
４−Ｅ＃）加え、５分後に（ｎ）を１１５分割を加え１
０分間攪拌する。
この分割添加操作を更に４回行なう。最終的には全ての
ＮａＯＨを添加した後、２０℃で１時間反応させた。
ＮａＯＨを添加した後、２０℃で１時間反応させた。
この物を沢過、水洗、乾燥して粗結晶３１０Ｐを得た。
高速液体クロマトグラフィーで分析した結果、１・５−
ナフタレンジスルホン酸ジメチル６１．２％であり、モ
ノスルホクロリド体は３８．３％であった。
ナフタレンジスルホン酸ジメチル６１．２％であり、モ
ノスルホクロリド体は３８．３％であった。
実施例 ５
参考例３で得られた粗結晶３００Ｓ’を用いて、実施例
１と同様に行なった結果、（使用した２８％ナトリウム
メチラート溶液は９６．８ｙ′である。
１と同様に行なった結果、（使用した２８％ナトリウム
メチラート溶液は９６．８ｙ′である。
）、純度９９．８％以上の１・５−ナフタレンジスルホ
ン酸ジメチルの結晶を２８６１得た。
ン酸ジメチルの結晶を２８６１得た。
比較例 １
参考例１で得られた１・５−ナフタレンジスルホン酸ジ
メチルの粗結晶３１．１’とジクロルエタン６７０ＣＣ
を１．ｅ反応器に仕込み、７０℃にて溶解後、減圧留去
によりジクロルエタンの約５００ＣＣを留出後、０℃に
冷却晶出させれば白色結晶が得られた。
メチルの粗結晶３１．１’とジクロルエタン６７０ＣＣ
を１．ｅ反応器に仕込み、７０℃にて溶解後、減圧留去
によりジクロルエタンの約５００ＣＣを留出後、０℃に
冷却晶出させれば白色結晶が得られた。
これをＥ過、乾燥して純度９９．２％の１・５−ナフタ
レンジスルホン酸ジメチルの白色結晶２７．３ｆを得た
。
レンジスルホン酸ジメチルの白色結晶２７．３ｆを得た
。
不純物の０．８％はモノスルホクロリド体であった。
比較例 ２
参考例１で得られた粗結晶の代りに、参考例２で得られ
た粗結晶３１．Ｏｆを用いて、比較例１と同様に行なっ
た結果、純度９７．０％の１・５−ナフタレンジスルホ
ン酸ジメチルの白色結晶２６．３１を得た。
た粗結晶３１．Ｏｆを用いて、比較例１と同様に行なっ
た結果、純度９７．０％の１・５−ナフタレンジスルホ
ン酸ジメチルの白色結晶２６．３１を得た。
不純物の３％はモノスルホニルクロリド体であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、置換基の位置は１・５−又は２・６−を示す。 ）で表わされるナフタレンジスルホニルクロリドと一般
式ＲＯＨ（式中、Ｒはメチル、又はエチル基を示す。 ）で表わされる脂肪族アルコールを過剰量用い、アルカ
リ水溶液の存在下で反応させて一般式 （式中、Ｒはメチル又はエチル基、置換基の位置は１・
５−又は２・６−を示す。 ）で表わされるナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキル
エステルの製造法に於て得られる生成物を精製するため
、該生成物を塩素系炭化水素溶媒に溶解し、該溶液を充
分に脱水処理後、該処理液に一般式ＲＯＭ（式中、Ｒは
前記と同じ、ＭはＮａ又はＫを示す。 で表わされるアルカリ金属アルコラードを加え、しかる
後に、該溶液を水洗して、ナフタレンジスルホン酸ジ低
級アルキルエステルを再結晶により分離する事を特徴と
するナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの
精製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9805481A JPS5851949B2 (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | ナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの精製法 |
| US06/387,605 US4434104A (en) | 1981-06-17 | 1982-06-11 | Preparation of high purity di-lower alkyl naphthalenedisulfonates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9805481A JPS5851949B2 (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | ナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの精製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57212153A JPS57212153A (en) | 1982-12-27 |
| JPS5851949B2 true JPS5851949B2 (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=14209537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9805481A Expired JPS5851949B2 (ja) | 1981-06-17 | 1981-06-24 | ナフタレンジスルホン酸ジ低級アルキルエステルの精製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851949B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-24 JP JP9805481A patent/JPS5851949B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57212153A (en) | 1982-12-27 |
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