JPS5850900A - マイクロホン - Google Patents
マイクロホンInfo
- Publication number
- JPS5850900A JPS5850900A JP14865981A JP14865981A JPS5850900A JP S5850900 A JPS5850900 A JP S5850900A JP 14865981 A JP14865981 A JP 14865981A JP 14865981 A JP14865981 A JP 14865981A JP S5850900 A JPS5850900 A JP S5850900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodetector
- semiconductor laser
- laser
- lens
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
- H04R23/008—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using optical signals for detecting or generating sound
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
禾発明は半導体レーザの両川力面にそれぞれ振動膜と光
検出器を配置し、上記振動膜の変位を上記光検出器によ
って光学的に検出するように構成したマイクロホンに関
するものであり、その目的とするところは上記光検出器
の受光面での散乱光によるＦ３／Ｈの劣化や上記半導体
レーザの発振の不安畑性を防上することのできるマイク
ロホンを提供することにある。
検出器を配置し、上記振動膜の変位を上記光検出器によ
って光学的に検出するように構成したマイクロホンに関
するものであり、その目的とするところは上記光検出器
の受光面での散乱光によるＦ３／Ｈの劣化や上記半導体
レーザの発振の不安畑性を防上することのできるマイク
ロホンを提供することにある。
一般に半導体レーザを利用したマイクロホンは第１図に
示すように半導体ν−ザ１をヒートシンク２内に取付け
た状態で音孔３を有するホルダー４（アース電極）に保
持し、上記半導体レーザ１の一方の出力面の前面に数１
０μ程度の適当な間隙をおいて平行に反射膜面６ａを有
する振動膜６を配置すると共に上記半導体レーザ１の他
方の出力面の前面に適当な間隔をおいて平坦な受光面６
１Ｌを有するフォトダイオードなどの光検出器６を配置
し、上記半導体レーザ１の一方の出力面からの光出力を
上記振動膜６０反射膜面６ａで反射して上記半導体レー
ザ１内のキャビティに帰還して干渉させ、上記半導体レ
ーザ１からの光出力を変化させて上記半導体レーザ１の
他方の出力面からの光出力を上記光検出器６によって検
出するように構成していた。尚、第１図中、７は光検出
器６のホルダー、８は上記半導体レーザ１のカソード端
子、９は光検出器６の出力端子、１０はマイクロ 。
示すように半導体ν−ザ１をヒートシンク２内に取付け
た状態で音孔３を有するホルダー４（アース電極）に保
持し、上記半導体レーザ１の一方の出力面の前面に数１
０μ程度の適当な間隙をおいて平行に反射膜面６ａを有
する振動膜６を配置すると共に上記半導体レーザ１の他
方の出力面の前面に適当な間隔をおいて平坦な受光面６
１Ｌを有するフォトダイオードなどの光検出器６を配置
し、上記半導体レーザ１の一方の出力面からの光出力を
上記振動膜６０反射膜面６ａで反射して上記半導体レー
ザ１内のキャビティに帰還して干渉させ、上記半導体レ
ーザ１からの光出力を変化させて上記半導体レーザ１の
他方の出力面からの光出力を上記光検出器６によって検
出するように構成していた。尚、第１図中、７は光検出
器６のホルダー、８は上記半導体レーザ１のカソード端
子、９は光検出器６の出力端子、１０はマイクロ 。
ホンキャ・ビティである。
しかしながら、上述した従来のマイクロホンでは上記半
導体レーザ１の光軸ムと上記光検出器６の中心軸Ｂとが
一致するように配置しており、上記半導体レーザ１の他
方の出力面台ら？光出力は平行光線でなく通常２０°〜
４ｏ０の拡がりを有している。そのため、上記光検出器
６の平坦なｉ光面６＆、に入力された上記半導体レーザ
１の他方の出力面からの光出力は上記平坦な受光面６１
Ｌで散乱され、その散乱光が上記半導体レーザ１のキャ
ビティに帰還されてＳ／Ｎを悪くしたり、上記半導体レ
ーザ１の安定な発振を妨げるという問題があった。
導体レーザ１の光軸ムと上記光検出器６の中心軸Ｂとが
一致するように配置しており、上記半導体レーザ１の他
方の出力面台ら？光出力は平行光線でなく通常２０°〜
４ｏ０の拡がりを有している。そのため、上記光検出器
６の平坦なｉ光面６＆、に入力された上記半導体レーザ
１の他方の出力面からの光出力は上記平坦な受光面６１
Ｌで散乱され、その散乱光が上記半導体レーザ１のキャ
ビティに帰還されてＳ／Ｎを悪くしたり、上記半導体レ
ーザ１の安定な発振を妨げるという問題があった。
本発明はこのような従来の欠点を解消するものであり、
光検出器を半導体レーザの光軸と中心を若干ずらさせ配
置し、その受光面に前面に彎１字有するレンズを配置し
たものである。
光検出器を半導体レーザの光軸と中心を若干ずらさせ配
置し、その受光面に前面に彎１字有するレンズを配置し
たものである。
これにより、光検出器で反射された散乱光の半導体レー
ザへの帰還量を少なくして半導体レーザの発振を安定化
し、かつＳ／Ｎを向上させることかで養る利点を有する
。
ザへの帰還量を少なくして半導体レーザの発振を安定化
し、かつＳ／Ｎを向上させることかで養る利点を有する
。
以下、本発明のマイクロホンについて実施例の７図面と
共に説明する。
共に説明する。
第２図は本発明のマイクロホンの一実施例を示しており
、図中、１１は自己結合効果の強い半導体レーザ、１２
は上記半導体レーザ１１を取付けたヒートシンク、１３
は上記半導体レーザ１１を取付けたヒートシンク１２を
保持するアース電極を兼用するホルダであり、音孔１４
を有している。
、図中、１１は自己結合効果の強い半導体レーザ、１２
は上記半導体レーザ１１を取付けたヒートシンク、１３
は上記半導体レーザ１１を取付けたヒートシンク１２を
保持するアース電極を兼用するホルダであり、音孔１４
を有している。
１５は上記半導体レーザ１１の一方の出力面の前面に数
１０μ程度の適当な間隙をおいて配置した振動膜であり
、その背面に反射膜面１６ａを有している。１６は上記
半導体レーザ１１の他★の出力面の前面に適当な間隔を
おいて配置したフォトダイオードなどの光検出器、１７
は上記光検出器１６の平坦な受光面１６＆に設けた前面
に・彎曲面１７１Ｌを有するレンズであり、ガラスをモ
ールドして形成している。上記光検出器１６はその中心
軸Ｂが上記半導体レーザ１１の光軸ムと若干ずれるよう
に配置されている。１８は上記半導体レーザ１１１７１
１ｙカソード端子、１９は上記光検出器１６の出力端子
、２０は上記光検出器１６のホルダー、２１はマイクロ
ホンキャビティである。上記ホルダー１３は黒色亜鉛メ
ッキし、また上記ホルダー２０は黒色の樹脂材料で構成
し、赤外の散乱光を吸収している。
１０μ程度の適当な間隙をおいて配置した振動膜であり
、その背面に反射膜面１６ａを有している。１６は上記
半導体レーザ１１の他★の出力面の前面に適当な間隔を
おいて配置したフォトダイオードなどの光検出器、１７
は上記光検出器１６の平坦な受光面１６＆に設けた前面
に・彎曲面１７１Ｌを有するレンズであり、ガラスをモ
ールドして形成している。上記光検出器１６はその中心
軸Ｂが上記半導体レーザ１１の光軸ムと若干ずれるよう
に配置されている。１８は上記半導体レーザ１１１７１
１ｙカソード端子、１９は上記光検出器１６の出力端子
、２０は上記光検出器１６のホルダー、２１はマイクロ
ホンキャビティである。上記ホルダー１３は黒色亜鉛メ
ッキし、また上記ホルダー２０は黒色の樹脂材料で構成
し、赤外の散乱光を吸収している。
このような構成のマイクロホンでは、上記振動膜１５．
が音圧によって機械的に変位するとき、上記半導体レー
ザ１１の一方の出力面からの光出力が−り起振動膜１６
の反射膜面１５１Ｌによって反射されて上記半導体レー
ザ１１のキャビティに帰還して干渉を生ずる。そして、
この干渉による上記半導体゛レーザ１１の他方の出力面
からの光出力の変化を上記光検出器１６によって検出す
ることによね、上記振動膜１６の機械的な変位を電気信
号に変換して検出する。この時、上記半導体レーザ１１
の光軸ムに対して上記光検出器１６の中心軸Ｂが若干ず
れた位置にあり、上記光検出器１６の平坦な受光面１６
＆にレンズ１７を設けているため、上記半導体レーザ１
１の他方の光出力面からノ光市力は上記レンズ１７で屈
折されて上記光検出器１６の平坦な受光面１６２Ｌに入
射される。そして、上記光検出器１６、上記レンズ１７
等で反射された散乱光は上記レンズ１７のために上記半
導体レーザ１１への帰還量が少なくなり、そのため、上
記半導体レーザ１１の発振を安定化してＳ／Ｎを向上さ
せることができる。また、上記ホルダー１４お上び上記
ホルダー２０が黒色であるため、上記の散乱光を吸収し
得て更に上記半導体レーザ１１の発振の安定性とＳ／Ｎ
をよくすることができる。
が音圧によって機械的に変位するとき、上記半導体レー
ザ１１の一方の出力面からの光出力が−り起振動膜１６
の反射膜面１５１Ｌによって反射されて上記半導体レー
ザ１１のキャビティに帰還して干渉を生ずる。そして、
この干渉による上記半導体゛レーザ１１の他方の出力面
からの光出力の変化を上記光検出器１６によって検出す
ることによね、上記振動膜１６の機械的な変位を電気信
号に変換して検出する。この時、上記半導体レーザ１１
の光軸ムに対して上記光検出器１６の中心軸Ｂが若干ず
れた位置にあり、上記光検出器１６の平坦な受光面１６
＆にレンズ１７を設けているため、上記半導体レーザ１
１の他方の光出力面からノ光市力は上記レンズ１７で屈
折されて上記光検出器１６の平坦な受光面１６２Ｌに入
射される。そして、上記光検出器１６、上記レンズ１７
等で反射された散乱光は上記レンズ１７のために上記半
導体レーザ１１への帰還量が少なくなり、そのため、上
記半導体レーザ１１の発振を安定化してＳ／Ｎを向上さ
せることができる。また、上記ホルダー１４お上び上記
ホルダー２０が黒色であるため、上記の散乱光を吸収し
得て更に上記半導体レーザ１１の発振の安定性とＳ／Ｎ
をよくすることができる。
以上のように本発明によれば、半導体レーザのモニタ出
力側に光検出器をその中心軸が半導体レーザの光軸に対
して若干ずれた位置になるよう配置すると共に上記光検
出器の受光面の前面にレンズを設けたので、上記半導体
レーザのモニター出力側の散乱光の上記半導体レーザの
キャビティへの帰還量を少なくすることができ、上記半
導体レーザの発振の不安定性を防止すると共にＳ／Ｎを
著しく向上することができる利点を有するものである。
力側に光検出器をその中心軸が半導体レーザの光軸に対
して若干ずれた位置になるよう配置すると共に上記光検
出器の受光面の前面にレンズを設けたので、上記半導体
レーザのモニター出力側の散乱光の上記半導体レーザの
キャビティへの帰還量を少なくすることができ、上記半
導体レーザの発振の不安定性を防止すると共にＳ／Ｎを
著しく向上することができる利点を有するものである。
第１図は従来のマイクロホンの構成図、第２図は不発゛
明のマイクロホンの一実施例を示す構成断面図である。 １１・・・・・・半導体レーザ、１２・・・・・・ヒー
トシンク、１３・・・・・・ホルダー、１４・・・・・
・音孔、１６・・・・・・振動膜、１．５ト・・・・・
反射膜面、１６・−・・・・光検出器、１６１Ｌ・・・
・・・受光面、１７・川・・レンズ、１８・・・・・・
カソード端子、１９・・川・出力端子、２０・・・・・
・ボルダ−〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＼ 第１図 第２図
明のマイクロホンの一実施例を示す構成断面図である。 １１・・・・・・半導体レーザ、１２・・・・・・ヒー
トシンク、１３・・・・・・ホルダー、１４・・・・・
・音孔、１６・・・・・・振動膜、１．５ト・・・・・
反射膜面、１６・−・・・・光検出器、１６１Ｌ・・・
・・・受光面、１７・川・・レンズ、１８・・・・・・
カソード端子、１９・・川・出力端子、２０・・・・・
・ボルダ−〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＼ 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体レーザの一方の出力面の前面に所定の間隙をおい
て朱鷺膜面を有する振動膜を配置すると共に上記半導体
レーザの他方の出力面に所定の間隔をおいて上記半導体
レーザの巻軸からずらせるように光検出器を配置し、上
記光検出器の受光面の前面にレンズを設けてなるマイク
ロホン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865981A JPS5850900A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | マイクロホン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865981A JPS5850900A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | マイクロホン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850900A true JPS5850900A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15457747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14865981A Pending JPS5850900A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | マイクロホン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850900A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123197A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Nagano Nippon Musen Kk | 音響信号の電気信号変換器 |
| JPH01273758A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nissan Motor Co Ltd | アンチスキッド制御装置 |
| JPH01273759A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nissan Motor Co Ltd | アンチスキッド制御装置 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14865981A patent/JPS5850900A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123197A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Nagano Nippon Musen Kk | 音響信号の電気信号変換器 |
| JPH01273758A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nissan Motor Co Ltd | アンチスキッド制御装置 |
| JPH01273759A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nissan Motor Co Ltd | アンチスキッド制御装置 |
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