JPS5849946B2 - transfer in gate - Google Patents

transfer in gate

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JPS5849946B2
JPS5849946B2 JP1224979A JP1224979A JPS5849946B2 JP S5849946 B2 JPS5849946 B2 JP S5849946B2 JP 1224979 A JP1224979 A JP 1224979A JP 1224979 A JP1224979 A JP 1224979A JP S5849946 B2 JPS5849946 B2 JP S5849946B2
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JP
Japan
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transfer
gate
minor loop
bubble
permalloy
Prior art date
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JP1224979A
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Japanese (ja)
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JPS55105887A (en
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良 鈴木
正敏 竹下
輝明 竹内
啓一 上原
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to NL8000577A priority patent/NL8000577A/en
Priority to GB8003437A priority patent/GB2041680A/en
Priority to DE19803004544 priority patent/DE3004544A1/en
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Publication of JPS5849946B2 publication Critical patent/JPS5849946B2/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブル素子において磁気バブルを書込み
転送路から記憶部であるマイナ・ループに導入するため
のトランスファ・イン・ゲートに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transfer-in gate for introducing a magnetic bubble from a write transfer path into a minor loop, which is a storage section, in a magnetic bubble element.

磁気バブルの原理はAndrew H. Bobeck
によって見出され、その詳細はA. H. Bobec
k etal. ” Magnet ic Bubbl
es″SCientifiCAmerican,Vow
. 2 2’4 ,June 1 9 7 1 , p
p78〜91に記載されている。
The principle of magnetic bubbles was developed by Andrew H. Bobeck
The details were discovered by A. H. Bobec
k etal. ”Magnetic Bubble
es″SCientificAmerican, Vow
.. 2 2'4, June 1 9 7 1, p
It is described on pages 78-91.

磁気バブルの存在または不存在を一つの信号に対応させ
た記憶装置が今日では広く利用されており、磁気バブル
技術の進歩とともに、そのような装置はますます大容量
かつ高速化している。
Storage devices in which the presence or absence of a magnetic bubble corresponds to a single signal are widely used today, and as magnetic bubble technology advances, such devices are becoming larger and faster.

そのような装置は通常磁気バブルがその中を移動する磁
性体の板の上に絶縁層を介して設けられた適当なパター
ンを有する高透磁率の層を持ったチップと、それに垂直
方向にバイアス磁界をかけるための磁石と、チップに平
行な面内で回転する回転磁界をかけるためのコイルとか
ら成っている。
Such devices usually consist of a chip with a high permeability layer with a suitable pattern provided through an insulating layer on a plate of magnetic material through which the magnetic bubbles move, and a bias perpendicular to it. It consists of a magnet for applying a magnetic field and a coil for applying a rotating magnetic field that rotates in a plane parallel to the chip.

磁気バブルは通常チップ上に設けられたヘア・ピン形の
導体を流れる電流が作る磁界によって作り出され、回転
磁界の回転にしたがって書込み転送路に沿って移動させ
られ、トランスファ・イン・ゲートを通って記憶部であ
るマイナ・ループの中に蓄えられる。
A magnetic bubble is created by a magnetic field created by an electric current flowing through a hairpin-shaped conductor, usually mounted on a chip, and is moved along the write transfer path as the rotating magnetic field rotates, passing through the transfer-in gate. It is stored in the minor loop, which is the memory section.

ある種の装置においては、これから書き込もうとする新
しい情報に対応するバブルを転送路からマイナ・ループ
に移す操作と、マイナ・ループの中に存在している、消
却したい古い情報に対応するバブルをマイナ・ループか
ら転送路に移す操作を同時に行うことができる。
In some types of devices, there is an operation to move the bubble corresponding to the new information to be written from the transfer path to the minor loop, and to move the bubble corresponding to the old information that exists in the minor loop to the minor loop.・Operations for moving from the loop to the transfer path can be performed at the same time.

このようなゲートはスワツプ・ゲートと呼ばれる。Such a gate is called a swap gate.

スワツプ・ゲート35の新しい情報に対応するバブルの
通路はトランスファ・イン・ゲートの機能を果しており
、先に本願発明はトランスファ・イン・ゲートに関する
と書いたけれども、スワツプ・ゲートにも同様によく適
用される。
The bubble path corresponding to new information in the swap gate 35 functions as a transfer-in gate, and although the present invention was described above as relating to a transfer-in gate, it is equally applicable to a swap gate. be done.

このようなスワツプ・ゲートが、例えば、米国特許明細
書第4,007,453号に記載されている。
Such a swap gate is described, for example, in US Pat. No. 4,007,453.

第1図はこのようなスワツプ・ゲートの一つの平面図を
示す。
FIG. 1 shows a top view of one such swap gate.

図中、2,3,4,5および6はマイナ・ループ1の右
端の5個のパーマロイ要素である。
In the figure, 2, 3, 4, 5 and 6 are the five permalloy elements at the right end of the minor loop 1.

回転磁場の回転につれて、バブルは矢印7の方向に転送
される。
As the rotating magnetic field rotates, the bubbles are transferred in the direction of arrow 7.

バブルは図には示されていないバブル発生器によって発
生させられ、転送路8に沿って矢印9の方向に転送され
る。
Bubbles are generated by a bubble generator, not shown, and are transferred along transfer path 8 in the direction of arrow 9.

バブルがパーマロイ要素10の上端に来たとき、コンダ
クタ・ループ11に矢印12の方向に電流が流れると、
バブルは転送路8から逸れ、パーマロイ要素13を通っ
てマイナ・ループ1の中に移される。
When the bubble reaches the upper end of permalloy element 10, current flows through conductor loop 11 in the direction of arrow 12;
The bubble deviates from the transfer path 8 and is transferred through the permalloy element 13 into the minor loop 1.

トランスファ・イン専用ゲー1・では、バブルをマイナ
・ループ1から転送路8に送るためのパーマロイ要素1
4,15がないだけで、原理は上記と全X同じである。
In the transfer-in game 1, permalloy element 1 is used to send the bubble from minor loop 1 to transfer path 8.
The principle is the same as above, except that 4 and 15 are not present.

従来、マイナ゜ループのトランスファ・イン・ゲート側
の端のパーマロイ要素、一般には高透磁率物質の要素(
第1図の4)とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・
ループ側の端のパーマロイ要素、一般には高透磁率物質
の要素(第1図の13)のマイナ・ループ側の端は互い
に平行に設けられ、隣接するパーマロイ要素が接近して
いる。
Traditionally, a permalloy element, typically an element of high magnetic permeability material (
4) in Figure 1 and the transfer-in gate minor
The minor loop ends of the loop end permalloy elements, generally elements of high magnetic permeability material (13 in FIG. 1), are arranged parallel to each other, with adjacent permalloy elements in close proximity.

このため、相互の干渉が大きく、この部分でバブルが消
滅したり、転送路外へ出たりしやすく、許容されるバイ
アス磁界の上限が低いという欠点があった。
Therefore, mutual interference is large, bubbles tend to disappear or go out of the transfer path in this part, and the upper limit of the allowable bias magnetic field is low.

本発明の目的は、したがって、大きなバイアス磁界マー
ジンを有する磁気バブル素子、特にトランスファ・イン
・ゲートを提供するにある。
It is therefore an object of the invention to provide a magnetic bubble device, in particular a transfer-in gate, with a large bias field margin.

上記目的を達戒するために、本発明によるトランスファ
イン・ゲートは、マイナ・ループのトランスファ・イ
ン・ゲート側の端の高透磁率物質の要素のトランスファ
・イン・ゲートに面する分岐とトランスファ・イン・ゲ
ートのマイナ・ループ側の端の高透磁率物質の要素のマ
イナ・ループに面する分岐が互いに傾斜して設けられる
ことを要旨とする。
In order to achieve the above object, the transfer gate according to the present invention has a branch of the element of high magnetic permeability material at the end of the minor loop on the transfer-in gate side facing the transfer-in gate and a transfer gate. The gist is that the branches facing the minor loop of the element of high magnetic permeability material at the minor loop side end of the in-gate are provided at an angle to each other.

上記傾斜の角度は300から90°までの間にあること
が望ましい。
Preferably, the angle of inclination is between 300 and 90 degrees.

以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.

第2図は本発明によるトランスファ・イン・ゲートのマ
イナ・ループ側の端のパーマロイ要素16をマイナ・ル
ープのトランスファ・イン・ゲート側の端の3個のパー
マロイ要素17,18,19とともに示す。
FIG. 2 shows a permalloy element 16 at the minor loop end of a transfer-in gate according to the invention, together with three permalloy elements 17, 18, 19 at the minor loop transfer-in gate end.

図には示されていないバブル発生器によって発生させら
れたバブルは転送路を経て矢印20の方向に送られてき
て、矢印21の方向にマイナ・ループの中を転送される
Bubbles generated by a bubble generator (not shown) are sent through a transfer path in the direction of arrow 20 and are transferred in the direction of arrow 21 through the minor loop.

すなわち、第2図のパーマロイ要素16,17,18,
19は第1図のパーマロイ要素それぞれ13,5,4,
3に対応する。
That is, the permalloy elements 16, 17, 18,
19 are the permalloy elements 13, 5, 4, respectively in Fig. 1;
Corresponds to 3.

第2図のパターンを第1図のパターンと比較すると、第
1図では左右(第1図では」=下)のパターンが中心線
に関して対称に形成されているのに対して、第2図では
左右のパターンか互いに半周期ずれたスタガ構成となっ
ているが、このこともまたバイアス磁界マージンを大き
くすることが知られている。
Comparing the pattern in Figure 2 with the pattern in Figure 1, we find that in Figure 1, the left and right (lower in Figure 1) patterns are formed symmetrically with respect to the center line, whereas in Figure 2, The left and right patterns have a staggered configuration in which they are shifted by half a period from each other, which is also known to increase the bias magnetic field margin.

第3図は、第2図に示すパターンにおいてパーマロイ要
21 8の1ヘランスファ・イン・ゲートに面する分岐
の実質上の軸とパーマロイ要16(7)マイナ・ループ
に面する分岐の実質上の軸が作る角をαとするとき、角
αの関数として百分率で表した転送バイアス磁界マージ
ンの変化を示す。
FIG. 3 shows the actual axis of the branch facing the permalloy lance 16(7) minor loop in the pattern shown in FIG. The change in the transfer bias magnetic field margin expressed as a percentage is shown as a function of the angle α, where α is the angle formed by the axis.

第3図に示す結果は第2図に示すパターン周期8μm1
回転磁界強度550e,周波数100KHzで得られた
ものである。
The results shown in Figure 3 are based on the pattern period of 8 μm1 shown in Figure 2.
This was obtained at a rotating magnetic field strength of 550e and a frequency of 100 KHz.

第3図から明らかなように、バイアス磁界マージンは最
初αが増大するとともに増大するが、αが30°を越え
ると余り大きくは変化しなくなり、900を越えると逆
に小さくなり始める。
As is clear from FIG. 3, the bias magnetic field margin initially increases as α increases, but when α exceeds 30°, it does not change much, and when α exceeds 900, it begins to decrease.

これは、αが90°よりも.大きくなると、パターン間
の接続が困難になるからであると考えられる。
This means that α is less than 90°. This is believed to be because as the size increases, it becomes difficult to connect patterns.

許容されるバイアス磁界の下限はαに殆んど依存しない
The lower limit of the allowable bias magnetic field is almost independent of α.

したがって第3図に示されるマージンの増大は殆んど専
ら許容されるバイアス磁界の上限の上昇によって得られ
れたものである。
The increase in margin shown in FIG. 3 is therefore obtained almost exclusively by raising the upper limit of the permissible bias field.

第3図から、αを30°と90°の間に選ぶのが有利で
あることは明らかである。
It is clear from FIG. 3 that it is advantageous to choose α between 30° and 90°.

トランスファ・イン・ゲートのマイナ・ループ側の端の
パーマロイ要素の形は第2図において16で示す形に限
らないことは言うまでもない。
It goes without saying that the shape of the permalloy element at the end of the transfer-in gate on the minor loop side is not limited to the shape shown at 16 in FIG.

αが大きいときは、それは第4図に示すような形状とな
り、またαがそれ程大きくないとき、第5図に示すよう
に、マイナ・ループに近い方の分岐は第2図のパーマロ
イ要素16に似ており、マイナ・ループから遠い方の分
岐は第4図に似た形をとることも可能である。
When α is large, it has a shape as shown in FIG. 4, and when α is not so large, as shown in FIG. 5, the branch near the minor loop becomes the permalloy element 16 of FIG. Similarly, the branch further from the minor loop can take a shape similar to that shown in Figure 4.

以上説明したごとく、本発明によれば、転送バイアス磁
界マージンを従来のトランスファ・イン・ゲートを用い
る場合に較べてほゾ2倍に大きくすることかできる。
As described above, according to the present invention, the transfer bias magnetic field margin can be made twice as large as that when using a conventional transfer-in gate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のトランスファ・イン・ゲートのパターン
を示す図、第2図は本発明によるトランスファ・イン・
ゲートのパターンを示す図、第3図はマイナ・ループの
トランスファ・イン・ゲート側の端の高透磁率物質の要
素のトランスファ・イン・ゲートに面する分岐の実質上
の軸とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・ループ側
の端の高透磁率物質の要素のマイナ・ループに面する分
岐の実質上の軸fJi作る角と転送バイアス磁界マージ
ンの間の関係を示す図、第4図および第5図は本発明の
他の実施の態様を示す図である。 16・・・・・・トランスファ・イン・ゲートのマイナ
・ループ側の端のパーマロイ要素、17,18,19・
・・・・・マイナ・ループのトランスファ・イン・ゲー
ト側の3個のパーマロイ要素、20・・・・・・トラン
スファ・イン・ゲート中のバブルの転送方向を示す矢印
、21・・・・・・マイナ・ループ中のバブルの転送方
向を示す矢印。
FIG. 1 shows a conventional transfer-in gate pattern, and FIG. 2 shows a transfer-in gate pattern according to the present invention.
Figure 3 shows the pattern of the gate, showing the transfer-in gate and the substantial axis of the branch facing the transfer-in gate of the element of high magnetic permeability material at the end of the minor loop on the transfer-in gate side. Figures 4 and 5 showing the relationship between the angle made by the substantial axis fJ of the branch facing the minor loop of the element of high magnetic permeability material at the minor loop side end of the gate and the transfer bias magnetic field margin; The figure shows another embodiment of the invention. 16... Permalloy element at the minor loop side end of the transfer-in gate, 17, 18, 19...
...Three permalloy elements on the transfer-in gate side of the minor loop, 20...Arrow indicating the direction of bubble transfer in the transfer-in gate, 21... - Arrow indicating the direction of bubble transfer in the minor loop.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マイナ・ループのトランスファ・イン・ゲート側の
端の高透磁率物質の要素のトランスファ・イン・ゲート
に面する分岐とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・
ループ側の端の高透磁率物質の要素のマイナ・ループに
面する分岐が互いに傾斜して設けられていることを特徴
とするトランスファ・イン・ゲート。 2 上記傾斜の角度が30’と900の間にあることを
特徴とする、特許請求範囲第1項によるトランスファ・
イン・ゲート。
[Claims] 1. A branch of the element of high magnetic permeability material at the transfer-in gate side end of the minor loop facing the transfer-in gate and a minor loop of the transfer-in gate.
A transfer-in gate characterized in that the branches facing the minor loop of the element of high magnetic permeability material at the loop side end are provided at an angle to each other. 2. A transfer device according to claim 1, characterized in that the angle of said inclination is between 30' and 900'.
In Gate.
JP1224979A 1979-02-07 1979-02-07 transfer in gate Expired JPS5849946B2 (en)

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JP1224979A JPS5849946B2 (en) 1979-02-07 1979-02-07 transfer in gate
NL8000577A NL8000577A (en) 1979-02-07 1980-01-30 MAGNETIC BUBBLE UNIT.
GB8003437A GB2041680A (en) 1979-02-07 1980-02-01 Magnetic Bubble Device
DE19803004544 DE3004544A1 (en) 1979-02-07 1980-02-07 MAGNETIC BUBBLE DEVICE

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